|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
521
|
Патент 2781612
|
Изобретение относится к медицине и может быть использовано для прогнозирования риска развития болезни Альцгеймера (БА) у лиц с мягким когнитивным снижением (MCI). Определяют в крови маркеры системного воспаления: С-реактивный белок (СРБ), интерлейкины IL-1?, IL-8, фактор некроза опухоли TNF?. Устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений. При оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят через полгода определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG). Если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Способ обеспечивает прогнозирование развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI за счет определения степени иммуновоспалительных нарушений путем выявления в крови больного уровня маркеров гуморального иммунитета, цитокинов и хемокинов, белков острой фазы. Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и может быть использовано для прогнозирования риска развития болезни Альцгеймера (БА) у лиц с мягким когнитивным снижением (MCI). Определяют в крови маркеры системного воспаления: С-реактивный белок (СРБ), интерлейкины IL-1?, IL-8, фактор некроза опухоли TNF?. Устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений. При оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят через полгода определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG). Если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI. Способ обеспечивает прогнозирование развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI за счет определения степени иммуновоспалительных нарушений путем выявления в крови больного уровня маркеров гуморального иммунитета, цитокинов и хемокинов, белков острой фазы. Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
Основное назначение
Способ выявления повышенного риска развития болезни Альцгеймера у лиц с амнестическим мягким когнитивным снижением (aMCI), включающий определение в крови маркеров системного воспаления: С-реактивного белка (СРБ), интерлейкинов IL-1?, IL-8, фактора некроза опухоли TNF?, далее устанавливают выраженность системного воспаления: 0 баллов, если уровень всех маркеров системного воспаления ниже референтных значений; 1 балл, если уровень 1 из маркеров системного воспаления выше референтных значений; 2 балла, если уровень 2 и более маркеров системного воспаления выше референтных значений, при оценке в 2 балла определяют наличие системного воспаления и проводят обследование через полгода, включающее определение в крови общего иммуноглобулина G (IgG), если уровень IgG ниже 10,0 г/л, определяют повышенный риск развития болезни Альцгеймера у лиц с aMCI, если уровень IgG выше 10,0 г/л, определяют низкий риск развития болезни Альцгеймера.
|
||
|
522
|
Патент 2781790
|
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
|
||
|
523
|
Патент 2783918
|
Изобретение относится к способам и устройствам для измерения магнитных и механических величин. Техническим результатом, на который направлено предлагаемое техническое решение, является возможность определения взаимозависимости одновременно трех параметров: критического тока, внешнего магнитного поля и растягивающих механических напряжений, действующих на сверхпроводник. Для достижения технического результата предложен способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, при этом токовводы, жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле BTR/s. Также предложено устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, при этом содержащее штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R 1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
Основное назначение
Изобретение относится к способам и устройствам для измерения магнитных и механических величин. Техническим результатом, на который направлено предлагаемое техническое решение, является возможность определения взаимозависимости одновременно трех параметров: критического тока, внешнего магнитного поля и растягивающих механических напряжений, действующих на сверхпроводник. Для достижения технического результата предложен способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, при этом токовводы, жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле BTR/s. Также предложено устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, при этом содержащее штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R 1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
Основное назначение
1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
|
||
|
524
|
Патент 2784484
|
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. Способ получения радионуклида 212Pb включает эманирование газообразного радионуклида 220Rn из материала, содержащего смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, с последующим удалением радионуклида 220Rn потоком газа-носителя в объем накопителя. Раствор, содержащий смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, наносят на микрофильтрационную фторопластовую гидрофильную мембрану, проводят сушку мембраны, устанавливают ее в генератор и проводят обдув ламинарным потоком газа-носителя для выноса газообразного радионуклида 220Rn. Затем проводят смыв накопленного радионуклида 212Pb с внутренней поверхности накопителя. Устройство состоит из закрепленных болтовым соединением нижнего и верхнего фланцев, в проточки которых закреплен генератор, представляющий собой закрепленные в проточки верхний и нижний корпусы, в пространстве которых размещено отцентрованное с помощью вставки мембранное устройство. К верхнему и нижнему корпусам сваркой в центральной части приварены выходные штуцера, соединенные силиконовыми трубками со спиралевидным накопителем, а к нижнему корпусу сбоку сваркой приварен входной штуцер, соединенный силиконовыми трубками с мембранным компрессором и регулятором расхода газа. Техническим результатом является достижение высокой степени эманирования ? 95% 220Rn из источника, приводящее к повышению радионуклидной чистоты целевого радионуклида 212Pb. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. Способ получения радионуклида 212Pb включает эманирование газообразного радионуклида 220Rn из материала, содержащего смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, с последующим удалением радионуклида 220Rn потоком газа-носителя в объем накопителя. Раствор, содержащий смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, наносят на микрофильтрационную фторопластовую гидрофильную мембрану, проводят сушку мембраны, устанавливают ее в генератор и проводят обдув ламинарным потоком газа-носителя для выноса газообразного радионуклида 220Rn. Затем проводят смыв накопленного радионуклида 212Pb с внутренней поверхности накопителя. Устройство состоит из закрепленных болтовым соединением нижнего и верхнего фланцев, в проточки которых закреплен генератор, представляющий собой закрепленные в проточки верхний и нижний корпусы, в пространстве которых размещено отцентрованное с помощью вставки мембранное устройство. К верхнему и нижнему корпусам сваркой в центральной части приварены выходные штуцера, соединенные силиконовыми трубками со спиралевидным накопителем, а к нижнему корпусу сбоку сваркой приварен входной штуцер, соединенный силиконовыми трубками с мембранным компрессором и регулятором расхода газа. Техническим результатом является достижение высокой степени эманирования ? 95% 220Rn из источника, приводящее к повышению радионуклидной чистоты целевого радионуклида 212Pb. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. Способ получения радионуклида 212Pb включает эманирование газообразного радионуклида 220Rn из материала, содержащего смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, с последующим удалением радионуклида 220Rn потоком газа-носителя в объем накопителя. Раствор, содержащий смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, наносят на микрофильтрационную фторопластовую гидрофильную мембрану, проводят сушку мембраны, устанавливают ее в генератор и проводят обдув ламинарным потоком газа-носителя для выноса газообразного радионуклида 220Rn. Затем проводят смыв накопленного радионуклида 212Pb с внутренней поверхности накопителя. Устройство состоит из закрепленных болтовым соединением нижнего и верхнего фланцев, в проточки которых закреплен генератор, представляющий собой закрепленные в проточки верхний и нижний корпусы, в пространстве которых размещено отцентрованное с помощью вставки мембранное устройство. К верхнему и нижнему корпусам сваркой в центральной части приварены выходные штуцера, соединенные силиконовыми трубками со спиралевидным накопителем, а к нижнему корпусу сбоку сваркой приварен входной штуцер, соединенный силиконовыми трубками с мембранным компрессором и регулятором расхода газа. Техническим результатом является достижение высокой степени эманирования ? 95% 220Rn из источника, приводящее к повышению радионуклидной чистоты целевого радионуклида 212Pb. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. Способ получения радионуклида 212Pb включает эманирование газообразного радионуклида 220Rn из материала, содержащего смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, с последующим удалением радионуклида 220Rn потоком газа-носителя в объем накопителя. Раствор, содержащий смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, наносят на микрофильтрационную фторопластовую гидрофильную мембрану, проводят сушку мембраны, устанавливают ее в генератор и проводят обдув ламинарным потоком газа-носителя для выноса газообразного радионуклида 220Rn. Затем проводят смыв накопленного радионуклида 212Pb с внутренней поверхности накопителя. Устройство состоит из закрепленных болтовым соединением нижнего и верхнего фланцев, в проточки которых закреплен генератор, представляющий собой закрепленные в проточки верхний и нижний корпусы, в пространстве которых размещено отцентрованное с помощью вставки мембранное устройство. К верхнему и нижнему корпусам сваркой в центральной части приварены выходные штуцера, соединенные силиконовыми трубками со спиралевидным накопителем, а к нижнему корпусу сбоку сваркой приварен входной штуцер, соединенный силиконовыми трубками с мембранным компрессором и регулятором расхода газа. Техническим результатом является достижение высокой степени эманирования ? 95% 220Rn из источника, приводящее к повышению радионуклидной чистоты целевого радионуклида 212Pb. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
|
||
|
525
|
Патент 2784657
|
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
|
||
|
526
|
Патент 2784665
|
Изобретение может быть использовано при получении носителей электрокаталитически активных металлических наночастиц для последующего применения в топливных элементах, электрохимических устройствах. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме включает обработку углеродного наноматериала в виде порошка, которую осуществляют в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока. В качестве плазмообразующих газов применяют смесь азот-аргон. Плазменную обработку проводят под давлением смеси 1-6 Па, используют композитную графитовую мишень, содержащую серу в качестве второго модифицирующего компонента. Соотношение площадей сера/графит находится в диапазоне от 3:1 до 1:3. Подложка с углеродным наноматериалом заземлена. Предварительно проводят вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца. Изобретение позволяет повысить поверхностную активность носителя электрокатализатора для низкотемпературных водород-воздушных (кислородных) топливных элементов, обеспечив улучшение их характеристик. 1. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме, заключающийся в обработке углеродного наноматериала в виде порошка, которая осуществляется в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока, отличающийся тем, что плазмообразующими газами является смесь азот-аргон, используется композитная графитовая мишень, содержащая серу в качестве второго модифицирующего компонента, причем соотношение площадей сера/графит лежит в диапазоне C:S от 3:1 до 1:3, подложка с углеродным наноматериалом заземлена, предварительно проводится вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца, процесс плазменной обработки осуществляется под давлением смеси 1-6 Па.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на подложку с обрабатываемым наноматериалом с помощью импульсного источника тока подается отрицательное напряжение смещения величиной 100-800 В с частотой 10 кГц.
Основное назначение
Изобретение может быть использовано при получении носителей электрокаталитически активных металлических наночастиц для последующего применения в топливных элементах, электрохимических устройствах. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме включает обработку углеродного наноматериала в виде порошка, которую осуществляют в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока. В качестве плазмообразующих газов применяют смесь азот-аргон. Плазменную обработку проводят под давлением смеси 1-6 Па, используют композитную графитовую мишень, содержащую серу в качестве второго модифицирующего компонента. Соотношение площадей сера/графит находится в диапазоне от 3:1 до 1:3. Подложка с углеродным наноматериалом заземлена. Предварительно проводят вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца. Изобретение позволяет повысить поверхностную активность носителя электрокатализатора для низкотемпературных водород-воздушных (кислородных) топливных элементов, обеспечив улучшение их характеристик. 1. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме, заключающийся в обработке углеродного наноматериала в виде порошка, которая осуществляется в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока, отличающийся тем, что плазмообразующими газами является смесь азот-аргон, используется композитная графитовая мишень, содержащая серу в качестве второго модифицирующего компонента, причем соотношение площадей сера/графит лежит в диапазоне C:S от 3:1 до 1:3, подложка с углеродным наноматериалом заземлена, предварительно проводится вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца, процесс плазменной обработки осуществляется под давлением смеси 1-6 Па.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на подложку с обрабатываемым наноматериалом с помощью импульсного источника тока подается отрицательное напряжение смещения величиной 100-800 В с частотой 10 кГц.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме, заключающийся в обработке углеродного наноматериала в виде порошка, которая осуществляется в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока, отличающийся тем, что плазмообразующими газами является смесь азот-аргон, используется композитная графитовая мишень, содержащая серу в качестве второго модифицирующего компонента, причем соотношение площадей сера/графит лежит в диапазоне C:S от 3:1 до 1:3, подложка с углеродным наноматериалом заземлена, предварительно проводится вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца, процесс плазменной обработки осуществляется под давлением смеси 1-6 Па.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на подложку с обрабатываемым наноматериалом с помощью импульсного источника тока подается отрицательное напряжение смещения величиной 100-800 В с частотой 10 кГц.
Основное назначение
1. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме, заключающийся в обработке углеродного наноматериала в виде порошка, которая осуществляется в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока, отличающийся тем, что плазмообразующими газами является смесь азот-аргон, используется композитная графитовая мишень, содержащая серу в качестве второго модифицирующего компонента, причем соотношение площадей сера/графит лежит в диапазоне C:S от 3:1 до 1:3, подложка с углеродным наноматериалом заземлена, предварительно проводится вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца, процесс плазменной обработки осуществляется под давлением смеси 1-6 Па.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на подложку с обрабатываемым наноматериалом с помощью импульсного источника тока подается отрицательное напряжение смещения величиной 100-800 В с частотой 10 кГц.
|
||
|
527
|
Патент 2784828
|
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для автоматизации управления механизмами перемещения в установках, снабженных шаговыми электроприводами. Техническим результатом является обеспечение безаварийной работы устройства. Технический результат заявляемого технического решения достигается тем, что в нем предусмотрены взаимосвязанные логические элементы "И", "ИЛИ", делители на 2, генератор тактовый частоты, формирователь импульса сброса, счетчики импульсов, схема сравнения кодов, триггеры, датчик перемещений, сдвиговый регистр. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для автоматизации управления механизмами перемещения в установках, снабженных шаговыми электроприводами. Техническим результатом является обеспечение безаварийной работы устройства. Технический результат заявляемого технического решения достигается тем, что в нем предусмотрены взаимосвязанные логические элементы "И", "ИЛИ", делители на 2, генератор тактовый частоты, формирователь импульса сброса, счетчики импульсов, схема сравнения кодов, триггеры, датчик перемещений, сдвиговый регистр. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) (RU)
|
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для автоматизации управления механизмами перемещения в установках, снабженных шаговыми электроприводами. Техническим результатом является обеспечение безаварийной работы устройства. Технический результат заявляемого технического решения достигается тем, что в нем предусмотрены взаимосвязанные логические элементы "И", "ИЛИ", делители на 2, генератор тактовый частоты, формирователь импульса сброса, счетчики импульсов, схема сравнения кодов, триггеры, датчик перемещений, сдвиговый регистр. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для автоматизации управления механизмами перемещения в установках, снабженных шаговыми электроприводами. Техническим результатом является обеспечение безаварийной работы устройства. Технический результат заявляемого технического решения достигается тем, что в нем предусмотрены взаимосвязанные логические элементы "И", "ИЛИ", делители на 2, генератор тактовый частоты, формирователь импульса сброса, счетчики импульсов, схема сравнения кодов, триггеры, датчик перемещений, сдвиговый регистр. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
||
|
528
|
Патент 2785004
|
Изобретение относится к области органической химии, конкретно к способу получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов. Согласно предлагаемому способу получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов осуществляют взаимодействие тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов с серосодержащим соединением с последующим выделением целевого продукта. Способ характеризуется тем, что в качестве серосодержащего соединения используют сероуглерод, а исходный тетраэтиламинородамин первоначально подвергают аммиачной обработке водным раствором аммиака, насыщенным газообразным аммиаком при мольном содержании аммиака, равном 0,040-0,050 моль на 0,040 моль тетраэтиламинородамина, проводимой при температуре 0-4°С и до установления рН 9-10. После этого осуществляют обработку реакционной массы сероуглеродом из расчета мольного соотношения тетраэтиламинородамина к сероуглероду, равного 0,040:0,063-0,076, затем выдерживают полученную реакционную массу при температуре 0-4°С в течение 1,5-2,5 ч и вводят ее в одномолярный водный раствор соли тяжелого металла, выбранного из группы железо, медь, свинец. Образовавшийся осадок соответствующей соли тяжелого металла подкисляют концентрированной соляной кислотой до рН 1, после чего осуществляют фильтрацию, сушку, экстракцию ацетоном, затем хлороформом, пропускание через слой силикагеля и упаривание. Предлагаемый способ обеспечивает высокий выход и необходимую чистоту конечного продукта, который не содержит примесей, мешающих его применению при приготовлении люминесцирующих сывороток. 1. Способ получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов взаимодействием тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов с серосодержащим соединением и последующим выделением целевого продукта, отличающийся тем, что в качестве серосодержащего соединения используют сероуглерод, а исходный тетраэтиламинородамин первоначально подвергают аммиачной обработке водным раствором аммиака, насыщенным газообразным аммиаком при мольном содержании аммиака, равном 0,040-0,050 моль на 0,040 моль тетраэтиламинородамина, проводимой при температуре 0-4°С и до установления рН 9-10, после чего осуществляют обработку реакционной массы сероуглеродом из расчета мольного соотношения тетраэтиламинородамина к сероуглероду, равного 0,040:0,063-0,076, затем выдерживают полученную реакционную массу при температуре 0-4°С в течение 1,5-2,5 ч и вводят ее в одномолярный водный раствор соли тяжелого металла, выбранного из группы железо, медь, свинец, и образовавшийся осадок соответствующей соли тяжелого металла подкисляют концентрированной соляной кислотой до рН 1, после чего осуществляют фильтрацию, сушку, экстракцию ацетоном, затем хлороформом, пропускание через слой силикагеля и упаривание.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что оптимально в качестве солей тяжелых металлов используют соединения, выбранные из группы хлорид железа, сульфат меди, нитрат свинца.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-4-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-4-аминородамин.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-5-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-5-аминородамин.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении смеси тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов в качестве исходного соединения используют смесь тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов.
Основное назначение
Изобретение относится к области органической химии, конкретно к способу получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов. Согласно предлагаемому способу получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов осуществляют взаимодействие тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов с серосодержащим соединением с последующим выделением целевого продукта. Способ характеризуется тем, что в качестве серосодержащего соединения используют сероуглерод, а исходный тетраэтиламинородамин первоначально подвергают аммиачной обработке водным раствором аммиака, насыщенным газообразным аммиаком при мольном содержании аммиака, равном 0,040-0,050 моль на 0,040 моль тетраэтиламинородамина, проводимой при температуре 0-4°С и до установления рН 9-10. После этого осуществляют обработку реакционной массы сероуглеродом из расчета мольного соотношения тетраэтиламинородамина к сероуглероду, равного 0,040:0,063-0,076, затем выдерживают полученную реакционную массу при температуре 0-4°С в течение 1,5-2,5 ч и вводят ее в одномолярный водный раствор соли тяжелого металла, выбранного из группы железо, медь, свинец. Образовавшийся осадок соответствующей соли тяжелого металла подкисляют концентрированной соляной кислотой до рН 1, после чего осуществляют фильтрацию, сушку, экстракцию ацетоном, затем хлороформом, пропускание через слой силикагеля и упаривание. Предлагаемый способ обеспечивает высокий выход и необходимую чистоту конечного продукта, который не содержит примесей, мешающих его применению при приготовлении люминесцирующих сывороток. 1. Способ получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов взаимодействием тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов с серосодержащим соединением и последующим выделением целевого продукта, отличающийся тем, что в качестве серосодержащего соединения используют сероуглерод, а исходный тетраэтиламинородамин первоначально подвергают аммиачной обработке водным раствором аммиака, насыщенным газообразным аммиаком при мольном содержании аммиака, равном 0,040-0,050 моль на 0,040 моль тетраэтиламинородамина, проводимой при температуре 0-4°С и до установления рН 9-10, после чего осуществляют обработку реакционной массы сероуглеродом из расчета мольного соотношения тетраэтиламинородамина к сероуглероду, равного 0,040:0,063-0,076, затем выдерживают полученную реакционную массу при температуре 0-4°С в течение 1,5-2,5 ч и вводят ее в одномолярный водный раствор соли тяжелого металла, выбранного из группы железо, медь, свинец, и образовавшийся осадок соответствующей соли тяжелого металла подкисляют концентрированной соляной кислотой до рН 1, после чего осуществляют фильтрацию, сушку, экстракцию ацетоном, затем хлороформом, пропускание через слой силикагеля и упаривание.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что оптимально в качестве солей тяжелых металлов используют соединения, выбранные из группы хлорид железа, сульфат меди, нитрат свинца.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-4-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-4-аминородамин.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-5-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-5-аминородамин.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении смеси тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов в качестве исходного соединения используют смесь тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
1. Способ получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов взаимодействием тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов с серосодержащим соединением и последующим выделением целевого продукта, отличающийся тем, что в качестве серосодержащего соединения используют сероуглерод, а исходный тетраэтиламинородамин первоначально подвергают аммиачной обработке водным раствором аммиака, насыщенным газообразным аммиаком при мольном содержании аммиака, равном 0,040-0,050 моль на 0,040 моль тетраэтиламинородамина, проводимой при температуре 0-4°С и до установления рН 9-10, после чего осуществляют обработку реакционной массы сероуглеродом из расчета мольного соотношения тетраэтиламинородамина к сероуглероду, равного 0,040:0,063-0,076, затем выдерживают полученную реакционную массу при температуре 0-4°С в течение 1,5-2,5 ч и вводят ее в одномолярный водный раствор соли тяжелого металла, выбранного из группы железо, медь, свинец, и образовавшийся осадок соответствующей соли тяжелого металла подкисляют концентрированной соляной кислотой до рН 1, после чего осуществляют фильтрацию, сушку, экстракцию ацетоном, затем хлороформом, пропускание через слой силикагеля и упаривание.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что оптимально в качестве солей тяжелых металлов используют соединения, выбранные из группы хлорид железа, сульфат меди, нитрат свинца.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-4-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-4-аминородамин.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-5-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-5-аминородамин.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении смеси тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов в качестве исходного соединения используют смесь тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов.
Основное назначение
1. Способ получения тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов взаимодействием тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов с серосодержащим соединением и последующим выделением целевого продукта, отличающийся тем, что в качестве серосодержащего соединения используют сероуглерод, а исходный тетраэтиламинородамин первоначально подвергают аммиачной обработке водным раствором аммиака, насыщенным газообразным аммиаком при мольном содержании аммиака, равном 0,040-0,050 моль на 0,040 моль тетраэтиламинородамина, проводимой при температуре 0-4°С и до установления рН 9-10, после чего осуществляют обработку реакционной массы сероуглеродом из расчета мольного соотношения тетраэтиламинородамина к сероуглероду, равного 0,040:0,063-0,076, затем выдерживают полученную реакционную массу при температуре 0-4°С в течение 1,5-2,5 ч и вводят ее в одномолярный водный раствор соли тяжелого металла, выбранного из группы железо, медь, свинец, и образовавшийся осадок соответствующей соли тяжелого металла подкисляют концентрированной соляной кислотой до рН 1, после чего осуществляют фильтрацию, сушку, экстракцию ацетоном, затем хлороформом, пропускание через слой силикагеля и упаривание.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что оптимально в качестве солей тяжелых металлов используют соединения, выбранные из группы хлорид железа, сульфат меди, нитрат свинца.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-4-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-4-аминородамин.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении тетраэтил-5-родаминизотиоцианата в качестве исходного соединения используют тетраэтил-5-аминородамин.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении смеси тетраэтил-4(или 5)-родаминизотиоцианатов в качестве исходного соединения используют смесь тетраэтил-4(или 5)-аминородаминов.
|
||
|
529
|
Патент 2785367
|
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм. ВЧ-источник плазмы содержит цилиндрическую вакуумную камеру, герметично разделенную диэлектрическим окном ввода ВЧ-мощности на два объема. В первом объеме производится обработка полупроводниковых пластин посредством воздействия технологической индуктивно-связанной плазмы, второй объем, цилиндрическая стенка и крышка которого изготовлены из диамагнитного материала, предназначен для размещения планарного спирального ВЧ-индуктора. Когда в технологическом объеме производится генерация плазмы в диапазоне рабочих давлений 1-100 мТорр, в объеме индуктора поддерживается давление инертного газа, обладающего высоким потенциалом ионизации, в диапазоне 5-20 Торр, что препятствует возникновению паразитного газового разряда в объеме индуктора во всем диапазоне ВЧ-мощностей, прикладываемых к индуктору и используемых для генерации плазмы в технологическом объеме.7 з.п. ф-лы, 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм. ВЧ-источник плазмы содержит цилиндрическую вакуумную камеру, герметично разделенную диэлектрическим окном ввода ВЧ-мощности на два объема. В первом объеме производится обработка полупроводниковых пластин посредством воздействия технологической индуктивно-связанной плазмы, второй объем, цилиндрическая стенка и крышка которого изготовлены из диамагнитного материала, предназначен для размещения планарного спирального ВЧ-индуктора. Когда в технологическом объеме производится генерация плазмы в диапазоне рабочих давлений 1-100 мТорр, в объеме индуктора поддерживается давление инертного газа, обладающего высоким потенциалом ионизации, в диапазоне 5-20 Торр, что препятствует возникновению паразитного газового разряда в объеме индуктора во всем диапазоне ВЧ-мощностей, прикладываемых к индуктору и используемых для генерации плазмы в технологическом объеме.7 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм. ВЧ-источник плазмы содержит цилиндрическую вакуумную камеру, герметично разделенную диэлектрическим окном ввода ВЧ-мощности на два объема. В первом объеме производится обработка полупроводниковых пластин посредством воздействия технологической индуктивно-связанной плазмы, второй объем, цилиндрическая стенка и крышка которого изготовлены из диамагнитного материала, предназначен для размещения планарного спирального ВЧ-индуктора. Когда в технологическом объеме производится генерация плазмы в диапазоне рабочих давлений 1-100 мТорр, в объеме индуктора поддерживается давление инертного газа, обладающего высоким потенциалом ионизации, в диапазоне 5-20 Торр, что препятствует возникновению паразитного газового разряда в объеме индуктора во всем диапазоне ВЧ-мощностей, прикладываемых к индуктору и используемых для генерации плазмы в технологическом объеме.7 з.п. ф-лы, 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм. ВЧ-источник плазмы содержит цилиндрическую вакуумную камеру, герметично разделенную диэлектрическим окном ввода ВЧ-мощности на два объема. В первом объеме производится обработка полупроводниковых пластин посредством воздействия технологической индуктивно-связанной плазмы, второй объем, цилиндрическая стенка и крышка которого изготовлены из диамагнитного материала, предназначен для размещения планарного спирального ВЧ-индуктора. Когда в технологическом объеме производится генерация плазмы в диапазоне рабочих давлений 1-100 мТорр, в объеме индуктора поддерживается давление инертного газа, обладающего высоким потенциалом ионизации, в диапазоне 5-20 Торр, что препятствует возникновению паразитного газового разряда в объеме индуктора во всем диапазоне ВЧ-мощностей, прикладываемых к индуктору и используемых для генерации плазмы в технологическом объеме.7 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
||
|
530
|
Патент 2786771
|
Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.
|
||