|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
481
|
Патент 2741124
|
Изобретение относится к области биологии. Предложен способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, где первую и вторую порции сканируют с использованием просвечивающего электронного микроскопа, причем вторую порцию предварительно подвергают витрификации, а третью порцию помещают в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния. Данный способ обеспечивает отбор образцов флавивирусов, соответствующих необходимым критериям для дальнейшего проведения экспериментов с ними. 1. Способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение буферного раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, нанесение первой порции исследуемого образца флавивируса на поверхность поддерживающей медной сетки и нанесение на нее контрастирующего вещества с последующим сканированием в режиме просвечивающего электронного микроскопа, при этом визуально оценивают чистоту образца и количество зрелых вирусных частиц, нанесение второй порции образца флавивируса в вакууме на поддерживающую медную сетку с углеродным покрытием и витрифицирование в специализированной камере при влажности 95-100% и температуре -180°С в жидком этане с последующим сканированием образца флавивируса в режиме просвечивающего криоэлектронного микроскопа, при этом визуально оценивают наличие зрелых и деформированных частиц, присутствие клеточных белков и фрагментов разрушения вируса, помещение третьей порции образца флавивируса в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния, при этом определяют форму и распределение различных олигомеров в растворе по размеру, а качество образца флавивируса определяют по количеству деформированных и зрелых вирусных частиц и отсутствию посторонних примесей в виде клеточного дебриса, примесных белков, фрагментов вирусов и проценту агрегатов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подготовительное центрифугирование образца флавивируса проводят в режиме 1000g в течение 5 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающую медную сетку, покрытую пленкой аморфного углерода, обрабатывают в тлеющем разряде для придания сетке гидрофильности.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первую порцию образца флавивируса контрастируют с использованием 1% раствора ацетата уранила.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что получение экспериментальных данных криоэлектронной микроскопии производится с использованием криогенного электронного микроскопа Titan Krios 60-300 при помощи программного обеспечения EPU (FEI).
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния используют синхротронное излучение.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния для обработки кривых малоуглового рассеяния используют пакет программ ATSAS.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что распределение вирусных частиц по размерам в приближении полидисперсных сфер получают с помощью программы MIXTURE.
Основное назначение
Изобретение относится к области биологии. Предложен способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, где первую и вторую порции сканируют с использованием просвечивающего электронного микроскопа, причем вторую порцию предварительно подвергают витрификации, а третью порцию помещают в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния. Данный способ обеспечивает отбор образцов флавивирусов, соответствующих необходимым критериям для дальнейшего проведения экспериментов с ними. 1. Способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение буферного раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, нанесение первой порции исследуемого образца флавивируса на поверхность поддерживающей медной сетки и нанесение на нее контрастирующего вещества с последующим сканированием в режиме просвечивающего электронного микроскопа, при этом визуально оценивают чистоту образца и количество зрелых вирусных частиц, нанесение второй порции образца флавивируса в вакууме на поддерживающую медную сетку с углеродным покрытием и витрифицирование в специализированной камере при влажности 95-100% и температуре -180°С в жидком этане с последующим сканированием образца флавивируса в режиме просвечивающего криоэлектронного микроскопа, при этом визуально оценивают наличие зрелых и деформированных частиц, присутствие клеточных белков и фрагментов разрушения вируса, помещение третьей порции образца флавивируса в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния, при этом определяют форму и распределение различных олигомеров в растворе по размеру, а качество образца флавивируса определяют по количеству деформированных и зрелых вирусных частиц и отсутствию посторонних примесей в виде клеточного дебриса, примесных белков, фрагментов вирусов и проценту агрегатов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подготовительное центрифугирование образца флавивируса проводят в режиме 1000g в течение 5 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающую медную сетку, покрытую пленкой аморфного углерода, обрабатывают в тлеющем разряде для придания сетке гидрофильности.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первую порцию образца флавивируса контрастируют с использованием 1% раствора ацетата уранила.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что получение экспериментальных данных криоэлектронной микроскопии производится с использованием криогенного электронного микроскопа Titan Krios 60-300 при помощи программного обеспечения EPU (FEI).
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния используют синхротронное излучение.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния для обработки кривых малоуглового рассеяния используют пакет программ ATSAS.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что распределение вирусных частиц по размерам в приближении полидисперсных сфер получают с помощью программы MIXTURE.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение буферного раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, нанесение первой порции исследуемого образца флавивируса на поверхность поддерживающей медной сетки и нанесение на нее контрастирующего вещества с последующим сканированием в режиме просвечивающего электронного микроскопа, при этом визуально оценивают чистоту образца и количество зрелых вирусных частиц, нанесение второй порции образца флавивируса в вакууме на поддерживающую медную сетку с углеродным покрытием и витрифицирование в специализированной камере при влажности 95-100% и температуре -180°С в жидком этане с последующим сканированием образца флавивируса в режиме просвечивающего криоэлектронного микроскопа, при этом визуально оценивают наличие зрелых и деформированных частиц, присутствие клеточных белков и фрагментов разрушения вируса, помещение третьей порции образца флавивируса в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния, при этом определяют форму и распределение различных олигомеров в растворе по размеру, а качество образца флавивируса определяют по количеству деформированных и зрелых вирусных частиц и отсутствию посторонних примесей в виде клеточного дебриса, примесных белков, фрагментов вирусов и проценту агрегатов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подготовительное центрифугирование образца флавивируса проводят в режиме 1000g в течение 5 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающую медную сетку, покрытую пленкой аморфного углерода, обрабатывают в тлеющем разряде для придания сетке гидрофильности.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первую порцию образца флавивируса контрастируют с использованием 1% раствора ацетата уранила.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что получение экспериментальных данных криоэлектронной микроскопии производится с использованием криогенного электронного микроскопа Titan Krios 60-300 при помощи программного обеспечения EPU (FEI).
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния используют синхротронное излучение.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния для обработки кривых малоуглового рассеяния используют пакет программ ATSAS.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что распределение вирусных частиц по размерам в приближении полидисперсных сфер получают с помощью программы MIXTURE.
Основное назначение
1. Способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение буферного раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, нанесение первой порции исследуемого образца флавивируса на поверхность поддерживающей медной сетки и нанесение на нее контрастирующего вещества с последующим сканированием в режиме просвечивающего электронного микроскопа, при этом визуально оценивают чистоту образца и количество зрелых вирусных частиц, нанесение второй порции образца флавивируса в вакууме на поддерживающую медную сетку с углеродным покрытием и витрифицирование в специализированной камере при влажности 95-100% и температуре -180°С в жидком этане с последующим сканированием образца флавивируса в режиме просвечивающего криоэлектронного микроскопа, при этом визуально оценивают наличие зрелых и деформированных частиц, присутствие клеточных белков и фрагментов разрушения вируса, помещение третьей порции образца флавивируса в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния, при этом определяют форму и распределение различных олигомеров в растворе по размеру, а качество образца флавивируса определяют по количеству деформированных и зрелых вирусных частиц и отсутствию посторонних примесей в виде клеточного дебриса, примесных белков, фрагментов вирусов и проценту агрегатов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подготовительное центрифугирование образца флавивируса проводят в режиме 1000g в течение 5 минут.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающую медную сетку, покрытую пленкой аморфного углерода, обрабатывают в тлеющем разряде для придания сетке гидрофильности.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первую порцию образца флавивируса контрастируют с использованием 1% раствора ацетата уранила.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что получение экспериментальных данных криоэлектронной микроскопии производится с использованием криогенного электронного микроскопа Titan Krios 60-300 при помощи программного обеспечения EPU (FEI).
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния используют синхротронное излучение.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния для обработки кривых малоуглового рассеяния используют пакет программ ATSAS.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что распределение вирусных частиц по размерам в приближении полидисперсных сфер получают с помощью программы MIXTURE.
|
||
|
482
|
Патент 2743510
|
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложено наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов, была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Техническим результатом изобретения является создание наноразмерного логического устройства ИЛИ для цифровых схем с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложено наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов, была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Техническим результатом изобретения является создание наноразмерного логического устройства ИЛИ для цифровых схем с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
||
|
483
|
Патент 2744160
|
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к цифровым устройствам, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Предложен наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «И» (вентиль) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к цифровым устройствам, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров. Предложен наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «И» (вентиль) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Наноразмерный элемент цифровой логики, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он содержит основной нанопровод с резистивным участком и с суженным участком, вблизи которого расположены резистивные участки двух нанопроводов-затворов, и выходной провод с резистивным участком и с суженным участком, расположенным вблизи резистивного участка основного нанопровода и расположенного параллельно ему, при этом расстояния между суженными участками и резистивными участками, а также их величины сопротивлений устанавливают так, чтобы величина тока, протекающего через основной нанопровод при приложении опорного напряжения, была недостаточна для перехода суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние, а мощность, выделяемая при этом на резистивном участке основного нанопровода, была достаточной для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом выделяемой тепловой мощности на обоих резистивных участках нанопроводов-затворов должно быть достаточно для прогрева соседнего суженного участка основного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а мощности, выделяемой только на любом одном из двух резистивных участков, недостаточно для перехода этого суженного участка в нормальное состояние, при этом при переходе суженного участка основного нанопровода в нормальное состояние мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента, но недостаточного для прогрева суженного участка соседнего нанопровода следующего элемента при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
||
|
484
|
Патент 2744161
|
Изобретение относится к наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложен наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «НЕ» (инвертор) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние.
Основное назначение
Изобретение относится к наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложен наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «НЕ» (инвертор) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние.
Основное назначение
Наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние.
|
||
|
485
|
Патент 2752851
|
Настоящее изобретение относится к безопасности компьютерных сетей, включая несанкционированный доступ к интернет-ресурсам, а именно к способам формирования изображений и видам заданий пользователю при прохождении пользователем полностью автоматизированного теста Тьюринга (САРТСНА). Технический результат заключается в обеспечении безопасного доступа к интернет-ресурсам. Такой результат достигается тем, что в качестве источника изображения капчи выбирают видеоряд естественной сцены и формируют два изображения: первое - изображение заднего плана, второе - изображение переднего плана, так что изображение переднего плана располагают в произвольном месте кадра или искажают его пропорции, или вносят искажения в его целостность, или наклоняют его, или производят перечисленные изменения изображения переднего плана в их сочетании, затем второе - изображение переднего плана накладывают поверх первого - изображение заднего плана и формируют автоматически единое изображение - «неестественный коллаж», по крайней мере, одно изображение «неестественного коллажа» демонстрируют пользователю капчи. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) формируют базу исходных изображений для демонстрации пользователям,
(б) выбирают случайным образом из базы изображений, которую заранее формируют, одно или более изображений,
(в) на экран пользователя выводят вопрос капчи пользователю в текстовом виде - в вопросах к изображению используют одно или несколько слов из списка: «неестественное», «естественное», «коллаж»,
(г) выполняют сравнения параметров ответных действий пользователя, которые сохраняют на этапе (в) с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (б),
(д) в случае не совпадения параметров, полученных в результате восприятия пользователем и параметров хранящихся на сервере пользователь получает отказ в доступе к ресурсу или наоборот, при положительном результате сравнения пользователю предоставляется доступ к информации, отличающийся тем, что в качестве источника изображения капчи выбирают видеоряд естественной сцены и формируют два изображения: первое - изображение заднего плана, второе - изображение переднего плана, так что изображение переднего плана располагают в произвольном месте кадра или искажают его пропорции, или вносят искажения в его целостность, или наклоняют его, или производят перечисленные изменения изображения переднего плана в их сочетании, затем второе - изображение переднего плана накладывают поверх первого - изображение заднего плана и формируют автоматически единое изображение - «неестественный коллаж», по крайней мере, одно изображение «неестественного коллажа» демонстрируют пользователю капчи.
Основное назначение
Настоящее изобретение относится к безопасности компьютерных сетей, включая несанкционированный доступ к интернет-ресурсам, а именно к способам формирования изображений и видам заданий пользователю при прохождении пользователем полностью автоматизированного теста Тьюринга (САРТСНА). Технический результат заключается в обеспечении безопасного доступа к интернет-ресурсам. Такой результат достигается тем, что в качестве источника изображения капчи выбирают видеоряд естественной сцены и формируют два изображения: первое - изображение заднего плана, второе - изображение переднего плана, так что изображение переднего плана располагают в произвольном месте кадра или искажают его пропорции, или вносят искажения в его целостность, или наклоняют его, или производят перечисленные изменения изображения переднего плана в их сочетании, затем второе - изображение переднего плана накладывают поверх первого - изображение заднего плана и формируют автоматически единое изображение - «неестественный коллаж», по крайней мере, одно изображение «неестественного коллажа» демонстрируют пользователю капчи. Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) формируют базу исходных изображений для демонстрации пользователям,
(б) выбирают случайным образом из базы изображений, которую заранее формируют, одно или более изображений,
(в) на экран пользователя выводят вопрос капчи пользователю в текстовом виде - в вопросах к изображению используют одно или несколько слов из списка: «неестественное», «естественное», «коллаж»,
(г) выполняют сравнения параметров ответных действий пользователя, которые сохраняют на этапе (в) с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (б),
(д) в случае не совпадения параметров, полученных в результате восприятия пользователем и параметров хранящихся на сервере пользователь получает отказ в доступе к ресурсу или наоборот, при положительном результате сравнения пользователю предоставляется доступ к информации, отличающийся тем, что в качестве источника изображения капчи выбирают видеоряд естественной сцены и формируют два изображения: первое - изображение заднего плана, второе - изображение переднего плана, так что изображение переднего плана располагают в произвольном месте кадра или искажают его пропорции, или вносят искажения в его целостность, или наклоняют его, или производят перечисленные изменения изображения переднего плана в их сочетании, затем второе - изображение переднего плана накладывают поверх первого - изображение заднего плана и формируют автоматически единое изображение - «неестественный коллаж», по крайней мере, одно изображение «неестественного коллажа» демонстрируют пользователю капчи.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) формируют базу исходных изображений для демонстрации пользователям,
(б) выбирают случайным образом из базы изображений, которую заранее формируют, одно или более изображений,
(в) на экран пользователя выводят вопрос капчи пользователю в текстовом виде - в вопросах к изображению используют одно или несколько слов из списка: «неестественное», «естественное», «коллаж»,
(г) выполняют сравнения параметров ответных действий пользователя, которые сохраняют на этапе (в) с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (б),
(д) в случае не совпадения параметров, полученных в результате восприятия пользователем и параметров хранящихся на сервере пользователь получает отказ в доступе к ресурсу или наоборот, при положительном результате сравнения пользователю предоставляется доступ к информации, отличающийся тем, что в качестве источника изображения капчи выбирают видеоряд естественной сцены и формируют два изображения: первое - изображение заднего плана, второе - изображение переднего плана, так что изображение переднего плана располагают в произвольном месте кадра или искажают его пропорции, или вносят искажения в его целостность, или наклоняют его, или производят перечисленные изменения изображения переднего плана в их сочетании, затем второе - изображение переднего плана накладывают поверх первого - изображение заднего плана и формируют автоматически единое изображение - «неестественный коллаж», по крайней мере, одно изображение «неестественного коллажа» демонстрируют пользователю капчи.
Основное назначение
Способ идентификации пользователя компьютера «человек или интернет-робот», включающий этапы:
(а) формируют базу исходных изображений для демонстрации пользователям,
(б) выбирают случайным образом из базы изображений, которую заранее формируют, одно или более изображений,
(в) на экран пользователя выводят вопрос капчи пользователю в текстовом виде - в вопросах к изображению используют одно или несколько слов из списка: «неестественное», «естественное», «коллаж»,
(г) выполняют сравнения параметров ответных действий пользователя, которые сохраняют на этапе (в) с параметрами описания изображения, которые формируют на этапе (б),
(д) в случае не совпадения параметров, полученных в результате восприятия пользователем и параметров хранящихся на сервере пользователь получает отказ в доступе к ресурсу или наоборот, при положительном результате сравнения пользователю предоставляется доступ к информации, отличающийся тем, что в качестве источника изображения капчи выбирают видеоряд естественной сцены и формируют два изображения: первое - изображение заднего плана, второе - изображение переднего плана, так что изображение переднего плана располагают в произвольном месте кадра или искажают его пропорции, или вносят искажения в его целостность, или наклоняют его, или производят перечисленные изменения изображения переднего плана в их сочетании, затем второе - изображение переднего плана накладывают поверх первого - изображение заднего плана и формируют автоматически единое изображение - «неестественный коллаж», по крайней мере, одно изображение «неестественного коллажа» демонстрируют пользователю капчи.
|
||
|
486
|
Патент 2741856
|
Изобретение относится к автономным энергетическим устройствам и предназначено для стабильного обеспечения потребителей электричеством в условиях распределенной энергетики. Автономный источник электроснабжения содержит установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика. Автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра. Ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом. Техническим результатом заявленного изобретения является расширение диапазона устойчивой работы источника как при малых скоростях ветра, так и при пиковых энергиях. 1. Автономный источник электроснабжения, содержащий установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика, отличающийся тем, что автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра, при этом ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом.
2. Автономный источник электроснабжения по п. 1, отличающийся тем, что система накопления и преобразования электрической энергии выполнена в виде буферной аккумуляторной батареи и электрического преобразователя.
Основное назначение
Изобретение относится к автономным энергетическим устройствам и предназначено для стабильного обеспечения потребителей электричеством в условиях распределенной энергетики. Автономный источник электроснабжения содержит установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика. Автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра. Ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом. Техническим результатом заявленного изобретения является расширение диапазона устойчивой работы источника как при малых скоростях ветра, так и при пиковых энергиях. 1. Автономный источник электроснабжения, содержащий установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика, отличающийся тем, что автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра, при этом ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом.
2. Автономный источник электроснабжения по п. 1, отличающийся тем, что система накопления и преобразования электрической энергии выполнена в виде буферной аккумуляторной батареи и электрического преобразователя.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Автономный источник электроснабжения, содержащий установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика, отличающийся тем, что автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра, при этом ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом.
2. Автономный источник электроснабжения по п. 1, отличающийся тем, что система накопления и преобразования электрической энергии выполнена в виде буферной аккумуляторной батареи и электрического преобразователя.
Основное назначение
1. Автономный источник электроснабжения, содержащий установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика, отличающийся тем, что автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра, при этом ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом.
2. Автономный источник электроснабжения по п. 1, отличающийся тем, что система накопления и преобразования электрической энергии выполнена в виде буферной аккумуляторной батареи и электрического преобразователя.
|
||
|
487
|
Патент 2739459
|
Изобретение относится к получению тонких пленок ферромагнитного полупроводника монооксида европия (EuO) на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, при этом упомянутые тонкие пленки могут быть использованы в устройствах спинтроники. Поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2х3. После чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20-150 оС при давлении потока атомов европия (ФEu) PEu=(0,1-100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм. В частном случае осуществления изобретения после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400-490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°С. Обеспечивается формирование эпитаксиальных пленок ферромагнитного полупроводника EuO на подложках Si(001) с атомно-резким интерфейсом без буферного слоя с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии 1. Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, включающий осаждение на кремниевую подложку европия в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2?3, после чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20?150°С при давлении потока атомов европия (ФEu) РEu=(0,1?100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400?490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°C.
Основное назначение
Изобретение относится к получению тонких пленок ферромагнитного полупроводника монооксида европия (EuO) на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, при этом упомянутые тонкие пленки могут быть использованы в устройствах спинтроники. Поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2х3. После чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20-150 оС при давлении потока атомов европия (ФEu) PEu=(0,1-100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм. В частном случае осуществления изобретения после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400-490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°С. Обеспечивается формирование эпитаксиальных пленок ферромагнитного полупроводника EuO на подложках Si(001) с атомно-резким интерфейсом без буферного слоя с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии 1. Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, включающий осаждение на кремниевую подложку европия в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2?3, после чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20?150°С при давлении потока атомов европия (ФEu) РEu=(0,1?100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400?490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°C.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, включающий осаждение на кремниевую подложку европия в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2?3, после чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20?150°С при давлении потока атомов европия (ФEu) РEu=(0,1?100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400?490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°C.
Основное назначение
1. Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, включающий осаждение на кремниевую подложку европия в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2?3, после чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20?150°С при давлении потока атомов европия (ФEu) РEu=(0,1?100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400?490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°C.
|
||
|
488
|
Патент 2741330
|
Изобретение относится к ядерному реактору, пригодному для выработки электрической энергии для труднодоступных территорий и островов Арктики с помощью необслуживаемого двухконтурного жидкосолевого ядерного реактора. Реактор обладает мощностью 1-5 Мвт, охлаждается забортной водой, с активной зоной в виде жидкосолевого расплава и графита. Автономная ядерная энергетическая установка состоит из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа. Внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами с термоэлектрическими генераторами. На крышке корпуса реактора расположен газгольдер, внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы. ТВЭЛы представляют собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли. В трубах имеются внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, причем циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей. Техническим результатом является создание малой модульной реакторной установки с высокотемпературной активной зоной на основе урансодержащего солевого расплава Be-Li-F с режимом его естественной циркуляции. Автономная ядерная энергетическая установка, состоящая из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа, внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами, имеющие в верхней части термоэлектрические генераторы, верхней крышки реактора, под которой на крышке корпуса реактора расположен газгольдер, отличающаяся тем, что внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы, представляющие собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли, и внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, при этом циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей.
Основное назначение
Изобретение относится к ядерному реактору, пригодному для выработки электрической энергии для труднодоступных территорий и островов Арктики с помощью необслуживаемого двухконтурного жидкосолевого ядерного реактора. Реактор обладает мощностью 1-5 Мвт, охлаждается забортной водой, с активной зоной в виде жидкосолевого расплава и графита. Автономная ядерная энергетическая установка состоит из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа. Внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами с термоэлектрическими генераторами. На крышке корпуса реактора расположен газгольдер, внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы. ТВЭЛы представляют собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли. В трубах имеются внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, причем циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей. Техническим результатом является создание малой модульной реакторной установки с высокотемпературной активной зоной на основе урансодержащего солевого расплава Be-Li-F с режимом его естественной циркуляции. Автономная ядерная энергетическая установка, состоящая из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа, внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами, имеющие в верхней части термоэлектрические генераторы, верхней крышки реактора, под которой на крышке корпуса реактора расположен газгольдер, отличающаяся тем, что внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы, представляющие собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли, и внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, при этом циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Автономная ядерная энергетическая установка, состоящая из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа, внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами, имеющие в верхней части термоэлектрические генераторы, верхней крышки реактора, под которой на крышке корпуса реактора расположен газгольдер, отличающаяся тем, что внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы, представляющие собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли, и внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, при этом циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей.
Основное назначение
Автономная ядерная энергетическая установка, состоящая из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа, внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами, имеющие в верхней части термоэлектрические генераторы, верхней крышки реактора, под которой на крышке корпуса реактора расположен газгольдер, отличающаяся тем, что внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы, представляющие собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли, и внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, при этом циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей.
|
||
|
489
|
Патент 2776866
|
Изобретение относится к области ускорительной техники. Технический результат - получение технологической дозы 1019 нуклонов за предельно короткое время (около 25 часов) с возможностью получения четырехзарядных ионов железа. Конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника. Регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока Источник с осцилляцией электронов в режиме постоянного тока водородных ионов с холодными катодом и антикатодом, в центр катода которого введена подвижная струна из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника, при этом регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока; в корпусе ионного источника вакуумно-плотный подшипник скольжения уплотнен резиновой втулкой, сжимаемой под действием пресс-винтов вакуумной системы, где сжимающее усилие на указанную резиновую втулку передается от пресс-винтов через фланец втулки с резьбой, и при вращении винта перемещения в резьбе втулки осуществляется поступательное перемещение вращающейся катодной струны.
Основное назначение
Изобретение относится к области ускорительной техники. Технический результат - получение технологической дозы 1019 нуклонов за предельно короткое время (около 25 часов) с возможностью получения четырехзарядных ионов железа. Конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника. Регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока Источник с осцилляцией электронов в режиме постоянного тока водородных ионов с холодными катодом и антикатодом, в центр катода которого введена подвижная струна из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника, при этом регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока; в корпусе ионного источника вакуумно-плотный подшипник скольжения уплотнен резиновой втулкой, сжимаемой под действием пресс-винтов вакуумной системы, где сжимающее усилие на указанную резиновую втулку передается от пресс-винтов через фланец втулки с резьбой, и при вращении винта перемещения в резьбе втулки осуществляется поступательное перемещение вращающейся катодной струны.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Источник с осцилляцией электронов в режиме постоянного тока водородных ионов с холодными катодом и антикатодом, в центр катода которого введена подвижная струна из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника, при этом регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока; в корпусе ионного источника вакуумно-плотный подшипник скольжения уплотнен резиновой втулкой, сжимаемой под действием пресс-винтов вакуумной системы, где сжимающее усилие на указанную резиновую втулку передается от пресс-винтов через фланец втулки с резьбой, и при вращении винта перемещения в резьбе втулки осуществляется поступательное перемещение вращающейся катодной струны.
Основное назначение
Источник с осцилляцией электронов в режиме постоянного тока водородных ионов с холодными катодом и антикатодом, в центр катода которого введена подвижная струна из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что конструкция источника дополнена регулируемым механизмом, позволяющим перемещать катодную струну в прямом и обратном направлении с целью оптимизации работы ионного источника, при этом регулируемый механизм состоит из шагового электродвигателя с редуктором, который через зубчатое колесо редуктора обеспечивает вращение винта перемещения вместе с катодной струной, проложенной через осевое отверстие в винте перемещения и закрепленной в нем, где ось зубчатого колеса и винт перемещения выполнены в виде единого блока; в корпусе ионного источника вакуумно-плотный подшипник скольжения уплотнен резиновой втулкой, сжимаемой под действием пресс-винтов вакуумной системы, где сжимающее усилие на указанную резиновую втулку передается от пресс-винтов через фланец втулки с резьбой, и при вращении винта перемещения в резьбе втулки осуществляется поступательное перемещение вращающейся катодной струны.
|
||
|
490
|
Патент 2796815
|
Изобретение относится к устройствам и способам для измерения характеристик электрических ракетных двигателей (ЭРД): тяги, плотности плазмы и скорости потока. Устройство содержит полый диэлектрический стержень, на одном конце которого установлена приемная пластина-мишень, на другом - опорный элемент, корпус, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, а площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, соединенный с приемной пластиной-мишенью, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и содержит блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик. Технический результат - мишень, воспринимающая плазменный поток ЭРД, одновременно является зондом Ленгмюра, имеет небольшой размер и не оказывает заметного влияния на параметры потока. 1. Устройство измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой полый диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, нижний конец которого электрически соединен с приемной пластиной-мишенью, причем электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик, к которому винтовым соединением прикреплена верхняя часть полого диэлектрического стержня.
2. Способ измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующийся совместной обработкой сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, определение давления, плотности и скорости потока плазмы ЭРД осуществляют за счет регистрации в плоскости одной приемной пластины-мишени механических и электрических характеристик потока плазмы, а именно: силы давления и ионного тока.
Основное назначение
Изобретение относится к устройствам и способам для измерения характеристик электрических ракетных двигателей (ЭРД): тяги, плотности плазмы и скорости потока. Устройство содержит полый диэлектрический стержень, на одном конце которого установлена приемная пластина-мишень, на другом - опорный элемент, корпус, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, а площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, соединенный с приемной пластиной-мишенью, электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и содержит блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик. Технический результат - мишень, воспринимающая плазменный поток ЭРД, одновременно является зондом Ленгмюра, имеет небольшой размер и не оказывает заметного влияния на параметры потока. 1. Устройство измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой полый диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, нижний конец которого электрически соединен с приемной пластиной-мишенью, причем электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик, к которому винтовым соединением прикреплена верхняя часть полого диэлектрического стержня.
2. Способ измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующийся совместной обработкой сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, определение давления, плотности и скорости потока плазмы ЭРД осуществляют за счет регистрации в плоскости одной приемной пластины-мишени механических и электрических характеристик потока плазмы, а именно: силы давления и ионного тока.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Устройство измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой полый диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, нижний конец которого электрически соединен с приемной пластиной-мишенью, причем электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик, к которому винтовым соединением прикреплена верхняя часть полого диэлектрического стержня.
2. Способ измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующийся совместной обработкой сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, определение давления, плотности и скорости потока плазмы ЭРД осуществляют за счет регистрации в плоскости одной приемной пластины-мишени механических и электрических характеристик потока плазмы, а именно: силы давления и ионного тока.
Основное назначение
1. Устройство измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующееся тем, что содержит рычажный элемент, представляющий собой полый диэлектрический стержень, на одном конце которого жестко установлена приемная пластина-мишень, на другом опорный элемент - корпус, выполненный с возможностью закрепления на стенде электрических ракетных двигателей, тензометрический датчик и электронную схему, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, на верхней части корпуса размещен интерфейсный разъем для подключения к источнику напряжения и блоку вычислений, внутри полого диэлектрического стержня проходит проводник, нижний конец которого электрически соединен с приемной пластиной-мишенью, причем электронная схема, соединяющаяся с тензометрическим датчиком, проводником и с интерфейсным разъемом, размещена внутри корпуса и включает в себя блоки нормализации сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра с внутренним стабилизатором напряжений питания, в нижней части корпуса имеется прилив, к которому винтовым соединением прикрепляется экранирующая трубка и расположенный в ее полости тензометрический датчик, к которому винтовым соединением прикреплена верхняя часть полого диэлектрического стержня.
2. Способ измерения параметров потока плазмы электрических ракетных двигателей (ЭРД), характеризующийся совместной обработкой сигналов от тензометрического датчика и зонда Ленгмюра, при этом приемная пластина-мишень является одновременно коллектором зонда Ленгмюра, причем площадь коллектора равна площади приемной пластины-мишени, определение давления, плотности и скорости потока плазмы ЭРД осуществляют за счет регистрации в плоскости одной приемной пластины-мишени механических и электрических характеристик потока плазмы, а именно: силы давления и ионного тока.
|
||