+7 499 196 95 39
441
Патент 2737341
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых термоэлектрических материалов. Сущность: устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок длиной L и шириной S, содержит термопары и средства для замера ЭДС. Пленка симметрично размещена на неметаллической подложке, имеющей длину L+2d, где d - расстояние от края пленки до края подложки, d=0,05-0,15L. Ширина подложки составляет S+2s, где s расстояние от края пленки до края подложки по ширине подложки, s=0,15-0,5S. На расстоянии Н под одним из краев подложки размещен источник света, где H=2-5S. Спаи термопар закреплены на противоположных сторонах пленки на расстоянии ll от ее краев, где ll=0,05-0,2L. 1 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых термоэлектрических материалов. Сущность: устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок длиной L и шириной S, содержит термопары и средства для замера ЭДС. Пленка симметрично размещена на неметаллической подложке, имеющей длину L+2d, где d - расстояние от края пленки до края подложки, d=0,05-0,15L. Ширина подложки составляет S+2s, где s расстояние от края пленки до края подложки по ширине подложки, s=0,15-0,5S. На расстоянии Н под одним из краев подложки размещен источник света, где H=2-5S. Спаи термопар закреплены на противоположных сторонах пленки на расстоянии ll от ее краев, где ll=0,05-0,2L. 1 ил.
442
Патент 2737506
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640?680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350?450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO. Устройство для осуществления способа содержит печь 1 с нагревательным элементом, внутри которой размещен реактор 4, содержащий контейнер 7 с металлическим цинком и подложку для выращиваемых кристаллов, которые размещены, соответственно, в зоне испарения и зоне роста, при этом в реакторе 4 установлена ампула 5, в боковой поверхности которой выполнена прорезь 6, внутри ампулы 5 размещен контейнер 7 с порошком металлического цинка, за контейнером 7 по ходу газовой смеси установлена подложка для сцинтиллятора, нагреватель выполнен двухсекционным, первая секция 2 нагревателя в зоне испарения обеспечивает нагрев газовой смеси до температуры 640?680°С, а вторая секция 3 нагревателя обеспечивает поддержание в зоне роста температуры 550-580°С. Сцинтиллятор, полученный данным способом, содержит подложку и слой нанокристаллов ZnO, причем подложка выполнена в виде сапфировой пластины с двухсторонней сверхгладкой полировкой, ориентированной в плоскости (0001), а слой нанокристаллов ZnO имеет площадь не менее 10?10 мм2 и толщину не менее 15 мкм. Изобретение позволяет за счет поддержания заданных температурных режимов в зонах испарения и роста получать на подложке равномерный слой наноструктуры ZnO со стандартной апертурой не менее 10?10 мм2 для детекторов ионизирующих излучений с высоким временным разрешением. 3 н.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640?680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350?450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO. Устройство для осуществления способа содержит печь 1 с нагревательным элементом, внутри которой размещен реактор 4, содержащий контейнер 7 с металлическим цинком и подложку для выращиваемых кристаллов, которые размещены, соответственно, в зоне испарения и зоне роста, при этом в реакторе 4 установлена ампула 5, в боковой поверхности которой выполнена прорезь 6, внутри ампулы 5 размещен контейнер 7 с порошком металлического цинка, за контейнером 7 по ходу газовой смеси установлена подложка для сцинтиллятора, нагреватель выполнен двухсекционным, первая секция 2 нагревателя в зоне испарения обеспечивает нагрев газовой смеси до температуры 640?680°С, а вторая секция 3 нагревателя обеспечивает поддержание в зоне роста температуры 550-580°С. Сцинтиллятор, полученный данным способом, содержит подложку и слой нанокристаллов ZnO, причем подложка выполнена в виде сапфировой пластины с двухсторонней сверхгладкой полировкой, ориентированной в плоскости (0001), а слой нанокристаллов ZnO имеет площадь не менее 10?10 мм2 и толщину не менее 15 мкм. Изобретение позволяет за счет поддержания заданных температурных режимов в зонах испарения и роста получать на подложке равномерный слой наноструктуры ZnO со стандартной апертурой не менее 10?10 мм2 для детекторов ионизирующих излучений с высоким временным разрешением. 3 н.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
443
Патент 2739459
Изобретение относится к получению тонких пленок ферромагнитного полупроводника монооксида европия (EuO) на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, при этом упомянутые тонкие пленки могут быть использованы в устройствах спинтроники. Поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2х3. После чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20-150 оС при давлении потока атомов европия (ФEu) PEu=(0,1-100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм. В частном случае осуществления изобретения после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400-490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°С. Обеспечивается формирование эпитаксиальных пленок ферромагнитного полупроводника EuO на подложках Si(001) с атомно-резким интерфейсом без буферного слоя с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии 1. Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, включающий осаждение на кремниевую подложку европия в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2?3, после чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20?150°С при давлении потока атомов европия (ФEu) РEu=(0,1?100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400?490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°C.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксиальной гетероструктуры EuO/Si, включающий осаждение на кремниевую подложку европия в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Si(001) предварительно очищают или очищают и формируют на ней поверхностную фазу Eu 2?3, после чего проводят осаждение европия при температуре подложки Ts=20?150°С при давлении потока атомов европия (ФEu) РEu=(0,1?100)?10-8 Торр в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после формирования пленки EuO толщиной менее 20 нм осуществляют последующее осаждение европия в потоке кислорода с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?6 при повышенной температуре подложки Ts=400?490°С до достижения необходимой толщины пленки EuO и/или отжиг сформированной пленки EuO до температуры подложки Ts?520°C.
444
Патент 2740503
Изобретение относится к производным 3-гидроксихиназолин-4(3H)-она, представленной ниже общей формулы, которые могут использоваться в качестве ингибиторов гистондеацетилаз. В общей формуле производных 3-гидроксихиназолин-4(3H)-она R1 представляет собой галоген или ОМе; R2 представляет собой водород, ОMе; n=5, 6. Изобретение относится также к способу получения указанных соединений, который осуществляют по следующей схеме. Раствор производных 2-аминобензгидроксамовой кислоты, например, 2-амино-5-бром-N-гидроксибензамида или 2-амино-4,5-диметокси-N-гидроксибензамида, в пятикратном весовом избытке муравьиной кислоты кипятят в течение 4-6 часов. Затем реакционную массу выливают в смесь воды со льдом, подщелачивают до рН 7 и отфильтровывают выпавший осадок производного 3-гидроксихиназолина, который затем обрабатывают алкилирующим агентом, метил 6-бромгексаноатом или метил 7-бромгептаноатом, в диметилформамиде в присутствии карбоната калия при мольном соотношении производного 3-гидроксихиназолина к алкилирующему агенту и карбонату калия соответственно равном 1:1,1:1 и перемешивают при комнатной температуре в течение 4-6 часов. После этого полученный продукт алкилирования высаживают добавлением воды, отфильтровывают, промывают водой, высушивают, затем подвергают аминолизу 4-кратным мольным избытком гидроксиламина в безводном метаноле, осуществляемому при комнатной температуре в течение 20-26 часов до образования целевого продукта, выделяемого фильтрацией с последующей промывкой серным эфиром. 1. Производные 3-гидроксихиназолин-4(3Н)-онов общей формулы https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/740/503/ИЗ-02740503-00001/00000024.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где R1 представляет собой галоген, ОМе, R2 представляет собой водород, ОМе, n=5, 6, которые могут использоваться в качестве ингибиторов гистондеацетилаз различных изоформ и применяться для лечения, в частности, онкологических и нейродегенеративных заболеваний. 2. Способ получения производных 3-гидроксихиназолин-4(3Н)-онов общей формулы https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/740/503/ИЗ-02740503-00001/00000024.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где R1 представляет собой галоген, ОМе, R2 представляет собой водород, ОМе, n=5, 6, осуществляемый по следующей схеме: раствор производных 2-аминобензгидроксамовой кислоты, например, 2-амино-5-бром-N-гидроксибензамида или 2-амино-4,5-диметокси-N-гидроксибензамида, в пятикратном весовом избытке муравьиной кислоты кипятят в течение 4-6 часов, затем реакционную массу выливают в смесь воды со льдом, подщелачивают до рН 7 и отфильтровывают выпавший осадок производного 3-гидроксихиназолина, который затем обрабатывают алкилирующим агентом, метил 6-бромгексаноатом или метил 7-бромгептаноатом, в диметилформамиде в присутствии карбоната калия при мольном соотношении производного 3-гидроксихиназолина к алкилирующему агенту и карбонату калия соответственно равном 1:1,1:1, перемешивают при комнатной температуре в течение 4-6 часов, после чего полученный продукт алкилирования высаживают добавлением воды, отфильтровывают, промывают водой, высушивают, затем подвергают аминолизу 4-кратным мольным избытком гидроксиламина в безводном метаноле, осуществляемому при комнатной температуре в течение 20-26 часов до образования целевого продукта, выделяемого фильтрацией с последующей промывкой серным эфиром. 3. Способ получения по п. 2, осуществляемый с использованием 2 эквивалентов 1,8-диазабицикло[5.4.0]ундец-7-ена (DBU) на стадии аминолиза гидроксиламином.
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
1. Производные 3-гидроксихиназолин-4(3Н)-онов общей формулы https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/740/503/ИЗ-02740503-00001/00000024.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где R1 представляет собой галоген, ОМе, R2 представляет собой водород, ОМе, n=5, 6, которые могут использоваться в качестве ингибиторов гистондеацетилаз различных изоформ и применяться для лечения, в частности, онкологических и нейродегенеративных заболеваний. 2. Способ получения производных 3-гидроксихиназолин-4(3Н)-онов общей формулы https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/740/503/ИЗ-02740503-00001/00000024.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где R1 представляет собой галоген, ОМе, R2 представляет собой водород, ОМе, n=5, 6, осуществляемый по следующей схеме: раствор производных 2-аминобензгидроксамовой кислоты, например, 2-амино-5-бром-N-гидроксибензамида или 2-амино-4,5-диметокси-N-гидроксибензамида, в пятикратном весовом избытке муравьиной кислоты кипятят в течение 4-6 часов, затем реакционную массу выливают в смесь воды со льдом, подщелачивают до рН 7 и отфильтровывают выпавший осадок производного 3-гидроксихиназолина, который затем обрабатывают алкилирующим агентом, метил 6-бромгексаноатом или метил 7-бромгептаноатом, в диметилформамиде в присутствии карбоната калия при мольном соотношении производного 3-гидроксихиназолина к алкилирующему агенту и карбонату калия соответственно равном 1:1,1:1, перемешивают при комнатной температуре в течение 4-6 часов, после чего полученный продукт алкилирования высаживают добавлением воды, отфильтровывают, промывают водой, высушивают, затем подвергают аминолизу 4-кратным мольным избытком гидроксиламина в безводном метаноле, осуществляемому при комнатной температуре в течение 20-26 часов до образования целевого продукта, выделяемого фильтрацией с последующей промывкой серным эфиром. 3. Способ получения по п. 2, осуществляемый с использованием 2 эквивалентов 1,8-диазабицикло[5.4.0]ундец-7-ена (DBU) на стадии аминолиза гидроксиламином.
445
Патент 2740937
Изобретение может быть использовано при точечной магнитно-импульсной сварке листовых металлических материалов. Верхнюю и нижнюю свариваемые детали размещают на упоре, который выполняют со сквозным отверстием. В нижней детали в каждой точке сварного соединения выполняют коническое отверстие, основание которого обращено в сторону поверхности верхней детали. Размещают детали с совмещением конического отверстия нижней детали со сквозным отверстием в упоре и с осью симметрии U-образного сварочного индуктора. Сварочный индуктор закреплен в сильноточном фидере и соединен с источником импульсного тока. Индуктор снабжен изолятором на его центральной части, предназначенным для исключения электрического контакта при размещении вершины индуктора над свариваемыми деталями. Техническим результатом заявленного изобретения является расширение технологических возможностей магнитно-импульсных установок. 2 н.п. ф-лы, 1. Способ получения соединений плоских листовых металлических материалов точечной магнитно-импульсной сваркой, включающий размещение верхней и нижней свариваемых деталей на упоре под индуктором и осуществление точечной магнитно-импульсной сварки, отличающийся тем, что упор выполняют со сквозным отверстием, при этом используют U-образный сварочный индуктор, который устанавливают с минимальным зазором между его вершиной и свариваемыми деталями, а в нижней детали в каждой предполагаемой точке образования сварного соединения выполняют коническое отверстие и размещают детали с совмещением конического отверстия нижней детали со сквозным отверстием в упоре и с осью симметрии U-образного сварочного индуктора, при этом основание конуса отверстия нижней детали обращено в сторону поверхности верхней детали. 2. Устройство для получения соединений плоских листовых металлических материалов точечной магнитно-импульсной сваркой, содержащее сварочный индуктор, закрепленный в сильноточном фидере, источник импульсного тока, устройство управления и упор для размещения деталей, отличающееся тем, что сварочный индуктор имеет U-образную форму и снабжен изолятором на его центральной части, предназначенным для исключения электрического контакта индуктора при размещении его вершины над свариваемыми деталями, причем индуктор через сильноточный фидер соединен с источником импульсного тока, а упор выполнен со сквозным отверстием, обеспечивающим возможность его совмещения с осью симметрии U-образного сварочного индуктора.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Способ получения соединений плоских листовых металлических материалов точечной магнитно-импульсной сваркой, включающий размещение верхней и нижней свариваемых деталей на упоре под индуктором и осуществление точечной магнитно-импульсной сварки, отличающийся тем, что упор выполняют со сквозным отверстием, при этом используют U-образный сварочный индуктор, который устанавливают с минимальным зазором между его вершиной и свариваемыми деталями, а в нижней детали в каждой предполагаемой точке образования сварного соединения выполняют коническое отверстие и размещают детали с совмещением конического отверстия нижней детали со сквозным отверстием в упоре и с осью симметрии U-образного сварочного индуктора, при этом основание конуса отверстия нижней детали обращено в сторону поверхности верхней детали. 2. Устройство для получения соединений плоских листовых металлических материалов точечной магнитно-импульсной сваркой, содержащее сварочный индуктор, закрепленный в сильноточном фидере, источник импульсного тока, устройство управления и упор для размещения деталей, отличающееся тем, что сварочный индуктор имеет U-образную форму и снабжен изолятором на его центральной части, предназначенным для исключения электрического контакта индуктора при размещении его вершины над свариваемыми деталями, причем индуктор через сильноточный фидер соединен с источником импульсного тока, а упор выполнен со сквозным отверстием, обеспечивающим возможность его совмещения с осью симметрии U-образного сварочного индуктора.
446
Патент 2741124
Изобретение относится к области биологии. Предложен способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, где первую и вторую порции сканируют с использованием просвечивающего электронного микроскопа, причем вторую порцию предварительно подвергают витрификации, а третью порцию помещают в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния. Данный способ обеспечивает отбор образцов флавивирусов, соответствующих необходимым критериям для дальнейшего проведения экспериментов с ними. 1. Способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение буферного раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, нанесение первой порции исследуемого образца флавивируса на поверхность поддерживающей медной сетки и нанесение на нее контрастирующего вещества с последующим сканированием в режиме просвечивающего электронного микроскопа, при этом визуально оценивают чистоту образца и количество зрелых вирусных частиц, нанесение второй порции образца флавивируса в вакууме на поддерживающую медную сетку с углеродным покрытием и витрифицирование в специализированной камере при влажности 95-100% и температуре -180°С в жидком этане с последующим сканированием образца флавивируса в режиме просвечивающего криоэлектронного микроскопа, при этом визуально оценивают наличие зрелых и деформированных частиц, присутствие клеточных белков и фрагментов разрушения вируса, помещение третьей порции образца флавивируса в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния, при этом определяют форму и распределение различных олигомеров в растворе по размеру, а качество образца флавивируса определяют по количеству деформированных и зрелых вирусных частиц и отсутствию посторонних примесей в виде клеточного дебриса, примесных белков, фрагментов вирусов и проценту агрегатов. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подготовительное центрифугирование образца флавивируса проводят в режиме 1000g в течение 5 минут. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающую медную сетку, покрытую пленкой аморфного углерода, обрабатывают в тлеющем разряде для придания сетке гидрофильности. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первую порцию образца флавивируса контрастируют с использованием 1% раствора ацетата уранила. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что получение экспериментальных данных криоэлектронной микроскопии производится с использованием криогенного электронного микроскопа Titan Krios 60-300 при помощи программного обеспечения EPU (FEI). 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния используют синхротронное излучение. 7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния для обработки кривых малоуглового рассеяния используют пакет программ ATSAS. 8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что распределение вирусных частиц по размерам в приближении полидисперсных сфер получают с помощью программы MIXTURE.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Способ оценки качества образца флавивируса для получения трехмерной структуры с использованием лазеров на свободных электронах, включающий разделение буферного раствора, содержащего частицы флавивируса, на три порции, нанесение первой порции исследуемого образца флавивируса на поверхность поддерживающей медной сетки и нанесение на нее контрастирующего вещества с последующим сканированием в режиме просвечивающего электронного микроскопа, при этом визуально оценивают чистоту образца и количество зрелых вирусных частиц, нанесение второй порции образца флавивируса в вакууме на поддерживающую медную сетку с углеродным покрытием и витрифицирование в специализированной камере при влажности 95-100% и температуре -180°С в жидком этане с последующим сканированием образца флавивируса в режиме просвечивающего криоэлектронного микроскопа, при этом визуально оценивают наличие зрелых и деформированных частиц, присутствие клеточных белков и фрагментов разрушения вируса, помещение третьей порции образца флавивируса в рентгеновский кварцевый капилляр с последующим определением статистического распределения частиц по размерам методом малоуглового рентгеновского рассеяния, при этом определяют форму и распределение различных олигомеров в растворе по размеру, а качество образца флавивируса определяют по количеству деформированных и зрелых вирусных частиц и отсутствию посторонних примесей в виде клеточного дебриса, примесных белков, фрагментов вирусов и проценту агрегатов. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подготовительное центрифугирование образца флавивируса проводят в режиме 1000g в течение 5 минут. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающую медную сетку, покрытую пленкой аморфного углерода, обрабатывают в тлеющем разряде для придания сетке гидрофильности. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первую порцию образца флавивируса контрастируют с использованием 1% раствора ацетата уранила. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что получение экспериментальных данных криоэлектронной микроскопии производится с использованием криогенного электронного микроскопа Titan Krios 60-300 при помощи программного обеспечения EPU (FEI). 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния используют синхротронное излучение. 7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при применении метода малоуглового рентгеновского рассеяния для обработки кривых малоуглового рассеяния используют пакет программ ATSAS. 8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что распределение вирусных частиц по размерам в приближении полидисперсных сфер получают с помощью программы MIXTURE.
447
Патент 2741251
Изобретение относится к медицине, в частности к сердечно-сосудистой хирургии, и раскрывает протез крупных артериальных сосудов, выполненный из нетканого волокнистого материала в виде трубки с внутренней поверхностью в виде конфузора из смеси биосовместимых синтетических полимеров СКФ-26 и Ф-26, при этом волокна полимеров сшиты с помощью ионизирующего излучения. Протез обладает толщиной стенки 0,75-1,05 мм и пористостью 74-86%. Изобретение обеспечивает протез крупных артериальных сосудов с неизменяемыми во времени механическими свойствами, соответствующими нативному органу. 1. Нетканый протез аорты и крупных артериальных сосудов, выполненный из нетканого волокнистого материала, произвольной ориентации, в виде трубки с внутренней поверхностью в виде конфузора с конусностью 1,5-3,0°, из смеси биосовместимых синтетических полимеров СКФ-26 и Ф-26 в соотношении от 80-90 до 20-10%, отличающийся тем, что изготовлен из «сшитых» с помощью ионизирующего излучения волокон диаметром 1,8-4,8 мкм с толщиной стенки 0,75-1,05 мм, обладающей пористостью 74-86%. 2. Способ получения нетканого протеза аорты и крупных артериальных сосудов, включающий метод электроформования нетканого волокнистого материала из смеси полимеров СКФ-26 и Ф-26 в соотношении от 80-90 до 20-10% в смеси ацетона и метилэтилкетона, отличающийся тем, что осуществляют сшивку волокон смеси полимеров посредством гамма-облучения в вакууме дозой 0,2-0,3 МГр.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Нетканый протез аорты и крупных артериальных сосудов, выполненный из нетканого волокнистого материала, произвольной ориентации, в виде трубки с внутренней поверхностью в виде конфузора с конусностью 1,5-3,0°, из смеси биосовместимых синтетических полимеров СКФ-26 и Ф-26 в соотношении от 80-90 до 20-10%, отличающийся тем, что изготовлен из «сшитых» с помощью ионизирующего излучения волокон диаметром 1,8-4,8 мкм с толщиной стенки 0,75-1,05 мм, обладающей пористостью 74-86%. 2. Способ получения нетканого протеза аорты и крупных артериальных сосудов, включающий метод электроформования нетканого волокнистого материала из смеси полимеров СКФ-26 и Ф-26 в соотношении от 80-90 до 20-10% в смеси ацетона и метилэтилкетона, отличающийся тем, что осуществляют сшивку волокон смеси полимеров посредством гамма-облучения в вакууме дозой 0,2-0,3 МГр.
448
Патент 2741330
Изобретение относится к ядерному реактору, пригодному для выработки электрической энергии для труднодоступных территорий и островов Арктики с помощью необслуживаемого двухконтурного жидкосолевого ядерного реактора. Реактор обладает мощностью 1-5 Мвт, охлаждается забортной водой, с активной зоной в виде жидкосолевого расплава и графита. Автономная ядерная энергетическая установка состоит из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа. Внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами с термоэлектрическими генераторами. На крышке корпуса реактора расположен газгольдер, внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы. ТВЭЛы представляют собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли. В трубах имеются внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, причем циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей. Техническим результатом является создание малой модульной реакторной установки с высокотемпературной активной зоной на основе урансодержащего солевого расплава Be-Li-F с режимом его естественной циркуляции. Автономная ядерная энергетическая установка, состоящая из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа, внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами, имеющие в верхней части термоэлектрические генераторы, верхней крышки реактора, под которой на крышке корпуса реактора расположен газгольдер, отличающаяся тем, что внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы, представляющие собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли, и внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, при этом циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Автономная ядерная энергетическая установка, состоящая из внешнего и внутреннего корпусов, пространство между которыми заполнено теплоизолирующим материалом в виде инертного газа, внутри внутреннего корпуса размещена активная зона, включающая графитовые блоки замедлителя с каналами для жидкосолевого топлива и каналами вокруг активной зоны со вставленными в них тепловыми трубами, имеющие в верхней части термоэлектрические генераторы, верхней крышки реактора, под которой на крышке корпуса реактора расположен газгольдер, отличающаяся тем, что внутри газгольдера установлен газовый абсорбер с дозатором, подающим топливную соль в жидкосолевые ТВЭЛы, представляющие собой внешние трубы, торцы которых снизу заглушены, а сверху приварены к верхнему коллектору топливной соли, и внутренние трубные вставки, установленные коаксиально с просветом с открытыми торцами, при этом циркулирующая в жидкосолевых ТВЭЛах топливная соль охлаждается снаружи дополнительным жидкосолевым теплоносителем без топлива, циркулирующим как в каналах графитовых блоков замедлителя активной зоны, так и в каналах бокового и нижнего отражателей.
449
Патент 2741856
Изобретение относится к автономным энергетическим устройствам и предназначено для стабильного обеспечения потребителей электричеством в условиях распределенной энергетики. Автономный источник электроснабжения содержит установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика. Автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра. Ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом. Техническим результатом заявленного изобретения является расширение диапазона устойчивой работы источника как при малых скоростях ветра, так и при пиковых энергиях. 1. Автономный источник электроснабжения, содержащий установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика, отличающийся тем, что автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра, при этом ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом. 2. Автономный источник электроснабжения по п. 1, отличающийся тем, что система накопления и преобразования электрической энергии выполнена в виде буферной аккумуляторной батареи и электрического преобразователя.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
1. Автономный источник электроснабжения, содержащий установленную на башне-опоре вертикально-осевую ветросиловую установку, механически связанную с расположенными внутри башни-опоры электрогенератором, состоящим из ротора и статора, и с кинетическим накопителем энергии на основе маховика, отличающийся тем, что автономный источник электроснабжения дополнительно содержит систему накопления и преобразования электрической энергии, соединенную с электрогенератором, систему автоматического управления и анемометр, расположенный на башне-опоре анемометра, при этом ветроколесо связано с ротором через трансмиссию между ротором и ветроколесом, маховик кинетического накопителя соединен с валом через бесступенчатую автоматическую коробку передач, который связан с ротором электродвигателя через трансмиссию между ротором и валом. 2. Автономный источник электроснабжения по п. 1, отличающийся тем, что система накопления и преобразования электрической энергии выполнена в виде буферной аккумуляторной батареи и электрического преобразователя.
450
Патент 2742638
Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Одним из вариантов является способ выращивания кристаллов флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, включающий вертикальную направленную кристаллизацию компонентов во фторирующей атмосфере, при этом предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора M1-xM'xF2, помещают в тигель 3 в корпус 1 ростовой печи, содержащей тепловой узел 2, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5?10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об. %, нагревают до температуры, превышающей температуру плавления MF2 на 20-50°С, выдерживают расплав 4 в течение 60-120 мин для его фторирования и гомогенизации, а затем однократно или порционно в расплав 4 через дозирующее устройство 5 вводят гранулы компонента или смеси компонентов М'F2 до полного израсходования компонента М'F2 в дозирующем устройстве, далее перемещают тигель 3 с расплавом 4 в холодную зону печи со скоростью 2-5 мм/ч, охлаждают тигель после кристаллизации расплава со скоростью 100-200°С/ч до комнатной температуры и извлекают кристалл флюоритового твердого раствора М1-xM'xF2. Другим вариантом является способ получения флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2 в виде сплавов, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, заключающийся в том, что предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора М1-xM'xF2, помещают в тигле 3 в ростовую печь, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5?10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об. %, нагревают до температуры, превышающей температуру плавления MF2 на 20-50°С, выдерживают расплав 4 в течение 60-120 мин для его фторирования и гомогенизации, а затем однократно в расплав 4 через дозирующее устройство 5 вводят гранулы компонента или смеси компонентов M'F2 до полного израсходования компонента М'F2 в дозирующем устройстве, понижают температуру в печи на 100-150°С ниже температуры плавления твердого раствора М1-xM'xF2, термостатируют расплав в течение 30-60 мин, а затем охлаждают со скоростью 100-200°С/ч до комнатной температуры и извлекают гомогенный поликристаллический сплав М1-xM'xF2. Изобретение обеспечивает получение объемных фторидных кристаллов высокого качества с однородным или заданным градиентным распределением летучего компонента или комбинации летучих компонентов по длине кристаллов. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Одним из вариантов является способ выращивания кристаллов флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, включающий вертикальную направленную кристаллизацию компонентов во фторирующей атмосфере, при этом предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора M1-xM'xF2, помещают в тигель 3 в корпус 1 ростовой печи, содержащей тепловой узел 2, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5?10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об. %, нагревают до температуры, превышающей температуру плавления MF2 на 20-50°С, выдерживают расплав 4 в течение 60-120 мин для его фторирования и гомогенизации, а затем однократно или порционно в расплав 4 через дозирующее устройство 5 вводят гранулы компонента или смеси компонентов М'F2 до полного израсходования компонента М'F2 в дозирующем устройстве, далее перемещают тигель 3 с расплавом 4 в холодную зону печи со скоростью 2-5 мм/ч, охлаждают тигель после кристаллизации расплава со скоростью 100-200°С/ч до комнатной температуры и извлекают кристалл флюоритового твердого раствора М1-xM'xF2. Другим вариантом является способ получения флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2 в виде сплавов, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, заключающийся в том, что предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора М1-xM'xF2, помещают в тигле 3 в ростовую печь, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5?10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об. %, нагревают до температуры, превышающей температуру плавления MF2 на 20-50°С, выдерживают расплав 4 в течение 60-120 мин для его фторирования и гомогенизации, а затем однократно в расплав 4 через дозирующее устройство 5 вводят гранулы компонента или смеси компонентов M'F2 до полного израсходования компонента М'F2 в дозирующем устройстве, понижают температуру в печи на 100-150°С ниже температуры плавления твердого раствора М1-xM'xF2, термостатируют расплав в течение 30-60 мин, а затем охлаждают со скоростью 100-200°С/ч до комнатной температуры и извлекают гомогенный поликристаллический сплав М1-xM'xF2. Изобретение обеспечивает получение объемных фторидных кристаллов высокого качества с однородным или заданным градиентным распределением летучего компонента или комбинации летучих компонентов по длине кристаллов. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.