|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
371
|
Патент 2450378
|
Изобретение относится к физике реакторов и может быть использовано для измерения подкритичности реакторов атомных станций. Импульсный источник нейтронов ИИН помещают в ядерный реактор. Измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон). Осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц и измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t). При установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов. По результатам этих измерений вычисляют значение параметра Sv. Вычисляют значение экспериментальной погрешности ?Sv. По калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность. Изобретение позволяет повысить достоверность измерения подкритичности ядерного реактора за счет исключения методической погрешности. Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif
где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона,
вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif
где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv,
Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона,
и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.
Основное назначение
Изобретение относится к физике реакторов и может быть использовано для измерения подкритичности реакторов атомных станций. Импульсный источник нейтронов ИИН помещают в ядерный реактор. Измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон). Осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц и измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t). При установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов. По результатам этих измерений вычисляют значение параметра Sv. Вычисляют значение экспериментальной погрешности ?Sv. По калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность. Изобретение позволяет повысить достоверность измерения подкритичности ядерного реактора за счет исключения методической погрешности. Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif
где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона,
вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif
где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv,
Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона,
и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif
где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона,
вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif
где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv,
Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона,
и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.
Основное назначение
Способ измерения подкритичности ?k ядерного реактора, заключающийся в том, что помещают импульсный источник нейтронов ИИН в ядерный реактор, осуществляют запуск ИИН с частотой следования импульсов нейтронов более 10 Гц, измеряют полное число нейтронов в ядерном реакторе n(t) как скорость счета детектора нейтронов x(t) при установившемся в среднем постоянном числе нейтронов в реакторе и определяют подкритичность ядерного реактора, отличающийся тем, что измеряют скорость счета детектора нейтронов до начала запусков ИИН (фон), а запуски ИНН прекращают после установления в среднем постоянного числа нейтронов в реакторе, после чего в течение времени Т измеряют Y(t) - число отсчетов детектора нейтронов в реакторе с дискретностью по времени ?t, и вычисляют скорость счета x(t) детектора нейтронов по результатам этих измерений, вычисляют значение параметра Sv по формуле Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000008.tif
где Xi - значения функции x(t) в моменты времени i·?t за вычетом фона,
вычисляют значение экспериментальной погрешности параметра Sv по формуле
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://new.fips.ru/Archive//PAT/2012FULL/2012.05.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/450/378/00000009.tif
где ?Sv - абсолютная погрешность параметра Sv,
Yi - числа отсчетов детектора в моменты времени i·?t за вычетом фона,
и по калибровочной кривой ?k=f(Sv) находят искомую подкритичность и погрешность измерения подкритичности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что запуски ИИН прекращают через 5-6 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измеряют Y(t) в течение времени Т, равном 10?300 с.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что выбирают Т, равным 60 с.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что калибровочную кривую - зависимость подкритичности реактора от значений параметра Sv - рассчитывают из системы точечных уравнений кинетики.
|
||
|
372
|
Патент 2776093
|
Изобретение относится к области физики элементарных частиц, в частности к прецизионным измерительным системам параметров пучка излучаемых частиц. Сущность изобретения состоит в измерении плотности пучка путем интегрального счета количества следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры за одно измерение, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, при этом измерение проводят в пороговом режиме ПЗС камеры в сочетании с использованием численного значения порога. Техническим результатом изобретения является возможность определения распределения плотности излучения по поперечному сечению пучка частиц с высокой достоверностью. 1. Способ измерения плотности пучка излучаемых частиц, зарегистрированных плоским твердотельным детектором, основанный на обработке изображений с использованием автоматизированного измерительного микроскопа, оснащенного компьютерной видеосистемой с телевизионной ПЗС-камерой, обработка кадров которой осуществляется с применением технологии машинного зрения, отличающийся тем, что плотность пучка измеряют путем интегрального счета числа следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, где измерения проводят в пороговом изображении кадра ПЗС-камеры в сочетании с использованием численного значения порога.
2. Способ по п. 1, где способ включает следующие этапы:
1) определение уровня почернения величины порога Р и его численного значения;
2) переход от измерений количества черного в кадре к его измерению в пикселях;
3) подсчет количества следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров;
4) определение значения ?0, которое используется для расчетов количества следов частиц в каждом кадре последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора;
5) сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора и вычисление значения (K) количества следов частиц в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры;
6) вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры.
3. Способ по п. 2, где на первом этапе способа проводят выделение короткой серии кадров ПЗС-камеры, зафиксированных в нескольких различных точках заданной области измерения с последующим определением величины Р порога изображения в одном из кадров этой серии с последующим проведением перехода от серого изображения, генерируемого ПЗС-камерой в основном состоянии, к оцифрованному черно-белому пороговому изображению с единым численным значением Р уровня почернения порога в каждом кадре короткой серии изображений ПЗС-камеры, позволяющему перейти от измерений количества черного в изображении следов частиц в кадре ПЗС-камеры к определению количества черных пикселей ПЗС-матрицы в кадре ПЗС-камеры в изображении следов частиц, и интегральным счетом количества следов частиц во всем кадре в целом.
4. Способ по п. 2, где на втором этапе способа осуществляют определение числа n пикселей в пороговом изображении следов частиц в каждом из кадров ПЗС-камеры расчетным путем по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000045-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: М - численное значение количества черного в каждом кадре порогового изображения следов частиц, измеряемое суммой численных значений уровней почернения пикселей в кадре, каждое из которых равно численному значению Р уровня почернения порога;
Р - численное значение порога, которому равен уровень почернения пикселя в каждом кадре;
n - число черных пикселей в каждом кадре.
5. Способ по п. 2, где на третьем этапе способа проводят подсчет числа следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров путем визуально-ручного способа, предполагающего проставление метки рядом со следом частицы при очередном отсчете на экране монитора.
6. Способ по п. 2, где на четвертом этапе способа рассчитывают число пикселей (?) в одном следе в каждом из m кадров короткой серии кадров ПЗС-камеры по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000046-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m, m - число кадров в короткой серии кадров,
ni - число черных пикселей в каждом i-м кадре;
ki - число следов в каждом i-м кадре короткой серии кадров, полученное визуально-поштучным счетом;
?i - число пикселей в изображении одного следа в каждом i-м кадре;
с последующим вычислением расчетных значений K' числа следов частиц в каждом i-м кадре короткой серии кадров ПЗС-камеры, при поочередно фиксируемых значениях Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) и переменном значении ni по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000048-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m в короткой серии кадров, m - число кадров в короткой серии кадров, Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - выделенный номер кадра в короткой серии кадров;
ni - число пикселей в каждом очередном для расчета кадре короткой серии кадров при каждом фиксированном значении Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне);
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - число пикселей в изображении одного следа в i-м кадре с выделенным номером кадра i';
и определением среднего значения ?0, общего для каждого кадра короткой серии кадров, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - сумма значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) в пределах от 1 до t,
t - число суммируемых значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), относящихся к тем кадрам короткой серии кадров, для каждого из которых разница между расчетным значением K и счетным значением k не превышает задаваемого предела Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где ? - принятая величина, при этом всегда t?m,
при этом полученное значение ?0 используется для расчетов числа следов частиц в каждом кадре короткой серии кадров и последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора.
7. Способ по п. 2, где на пятом этапе способа осуществляют сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора с использованием общего значения ?0, ранее установленного с помощью кадров короткой серии кадров на этапе (4), и вычисление числа следов (K) в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: n - число черных пикселей в пороговом изображении следов частиц в кадре.
8. Способ по п. 2, где на шестом этапе способа проводят вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры, с использованием значения (K), ранее установленного на этапе (5), по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: S - площадь плоскости детектора, захватываемая кадром ПЗС-камеры - величина постоянная;
D - численное значение плотности пучка частиц в поперечном сечении пучка излучения в области плоскости детектора, захваченной каждым из кадров ПЗС-камеры.
Основное назначение
Изобретение относится к области физики элементарных частиц, в частности к прецизионным измерительным системам параметров пучка излучаемых частиц. Сущность изобретения состоит в измерении плотности пучка путем интегрального счета количества следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры за одно измерение, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, при этом измерение проводят в пороговом режиме ПЗС камеры в сочетании с использованием численного значения порога. Техническим результатом изобретения является возможность определения распределения плотности излучения по поперечному сечению пучка частиц с высокой достоверностью. 1. Способ измерения плотности пучка излучаемых частиц, зарегистрированных плоским твердотельным детектором, основанный на обработке изображений с использованием автоматизированного измерительного микроскопа, оснащенного компьютерной видеосистемой с телевизионной ПЗС-камерой, обработка кадров которой осуществляется с применением технологии машинного зрения, отличающийся тем, что плотность пучка измеряют путем интегрального счета числа следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, где измерения проводят в пороговом изображении кадра ПЗС-камеры в сочетании с использованием численного значения порога.
2. Способ по п. 1, где способ включает следующие этапы:
1) определение уровня почернения величины порога Р и его численного значения;
2) переход от измерений количества черного в кадре к его измерению в пикселях;
3) подсчет количества следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров;
4) определение значения ?0, которое используется для расчетов количества следов частиц в каждом кадре последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора;
5) сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора и вычисление значения (K) количества следов частиц в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры;
6) вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры.
3. Способ по п. 2, где на первом этапе способа проводят выделение короткой серии кадров ПЗС-камеры, зафиксированных в нескольких различных точках заданной области измерения с последующим определением величины Р порога изображения в одном из кадров этой серии с последующим проведением перехода от серого изображения, генерируемого ПЗС-камерой в основном состоянии, к оцифрованному черно-белому пороговому изображению с единым численным значением Р уровня почернения порога в каждом кадре короткой серии изображений ПЗС-камеры, позволяющему перейти от измерений количества черного в изображении следов частиц в кадре ПЗС-камеры к определению количества черных пикселей ПЗС-матрицы в кадре ПЗС-камеры в изображении следов частиц, и интегральным счетом количества следов частиц во всем кадре в целом.
4. Способ по п. 2, где на втором этапе способа осуществляют определение числа n пикселей в пороговом изображении следов частиц в каждом из кадров ПЗС-камеры расчетным путем по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000045-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: М - численное значение количества черного в каждом кадре порогового изображения следов частиц, измеряемое суммой численных значений уровней почернения пикселей в кадре, каждое из которых равно численному значению Р уровня почернения порога;
Р - численное значение порога, которому равен уровень почернения пикселя в каждом кадре;
n - число черных пикселей в каждом кадре.
5. Способ по п. 2, где на третьем этапе способа проводят подсчет числа следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров путем визуально-ручного способа, предполагающего проставление метки рядом со следом частицы при очередном отсчете на экране монитора.
6. Способ по п. 2, где на четвертом этапе способа рассчитывают число пикселей (?) в одном следе в каждом из m кадров короткой серии кадров ПЗС-камеры по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000046-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m, m - число кадров в короткой серии кадров,
ni - число черных пикселей в каждом i-м кадре;
ki - число следов в каждом i-м кадре короткой серии кадров, полученное визуально-поштучным счетом;
?i - число пикселей в изображении одного следа в каждом i-м кадре;
с последующим вычислением расчетных значений K' числа следов частиц в каждом i-м кадре короткой серии кадров ПЗС-камеры, при поочередно фиксируемых значениях Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) и переменном значении ni по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000048-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m в короткой серии кадров, m - число кадров в короткой серии кадров, Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - выделенный номер кадра в короткой серии кадров;
ni - число пикселей в каждом очередном для расчета кадре короткой серии кадров при каждом фиксированном значении Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне);
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - число пикселей в изображении одного следа в i-м кадре с выделенным номером кадра i';
и определением среднего значения ?0, общего для каждого кадра короткой серии кадров, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - сумма значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) в пределах от 1 до t,
t - число суммируемых значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), относящихся к тем кадрам короткой серии кадров, для каждого из которых разница между расчетным значением K и счетным значением k не превышает задаваемого предела Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где ? - принятая величина, при этом всегда t?m,
при этом полученное значение ?0 используется для расчетов числа следов частиц в каждом кадре короткой серии кадров и последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора.
7. Способ по п. 2, где на пятом этапе способа осуществляют сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора с использованием общего значения ?0, ранее установленного с помощью кадров короткой серии кадров на этапе (4), и вычисление числа следов (K) в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: n - число черных пикселей в пороговом изображении следов частиц в кадре.
8. Способ по п. 2, где на шестом этапе способа проводят вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры, с использованием значения (K), ранее установленного на этапе (5), по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: S - площадь плоскости детектора, захватываемая кадром ПЗС-камеры - величина постоянная;
D - численное значение плотности пучка частиц в поперечном сечении пучка излучения в области плоскости детектора, захваченной каждым из кадров ПЗС-камеры.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
373
|
Патент 2528401
|
Изобретение относится к физике ядерных реакторов и может быть использовано для измерения F - нейтронной мощности реактора в абсолютных единицах, например, при пусках космических ядерных энергетических установок (КЯЭУ). Техническим результатом, на которое направлено изобретение, является увеличение максимальных значений F. В способе измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где V - значение мощности реактора в относительных единицах, ? - коэффициент пропорциональности, нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения При этом коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции. В качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов. Измеряют отдельно среднее значение тока ионизационной камеры и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры непрерывно во времени с интервалом дискретности, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры, после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности. 1. Способ измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где
V - значение мощности реактора в относительных единицах,
? = коэффициент пропорциональности,
при этом нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения, а коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции, отличающийся тем, что в качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов I(t)=?+i(t), измеряя отдельно среднее значение тока ионизационной камеры ? и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры i(t) непрерывно во времени с интервалом дискретности ?t, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000017-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где,
im, im+n - переменные токи в момент времени T и T+t соответственно
t=k·?t, k=1, 2, 3…
n=0, 1, 2 …
после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности
N - число чисел отсчетов детектора (N>>n)
?=Y·ехр(-?·t), где
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000018-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Dv - параметр Дайвена (константа, табличная величина), Dv=0.795 для U235,
Beff - эффективная доля запаздывающих нейтронов,
? - константа спада мгновенных нейтронов в критическом реакторе.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбирают интервал дискретности ?t?0.1/?.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что число измерений i(t) во времени должно быть не менее десяти тысяч.
Основное назначение
Изобретение относится к физике ядерных реакторов и может быть использовано для измерения F - нейтронной мощности реактора в абсолютных единицах, например, при пусках космических ядерных энергетических установок (КЯЭУ). Техническим результатом, на которое направлено изобретение, является увеличение максимальных значений F. В способе измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где V - значение мощности реактора в относительных единицах, ? - коэффициент пропорциональности, нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения При этом коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции. В качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов. Измеряют отдельно среднее значение тока ионизационной камеры и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры непрерывно во времени с интервалом дискретности, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры, после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности. 1. Способ измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где
V - значение мощности реактора в относительных единицах,
? = коэффициент пропорциональности,
при этом нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения, а коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции, отличающийся тем, что в качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов I(t)=?+i(t), измеряя отдельно среднее значение тока ионизационной камеры ? и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры i(t) непрерывно во времени с интервалом дискретности ?t, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000017-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где,
im, im+n - переменные токи в момент времени T и T+t соответственно
t=k·?t, k=1, 2, 3…
n=0, 1, 2 …
после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности
N - число чисел отсчетов детектора (N>>n)
?=Y·ехр(-?·t), где
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000018-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Dv - параметр Дайвена (константа, табличная величина), Dv=0.795 для U235,
Beff - эффективная доля запаздывающих нейтронов,
? - константа спада мгновенных нейтронов в критическом реакторе.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбирают интервал дискретности ?t?0.1/?.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что число измерений i(t) во времени должно быть не менее десяти тысяч.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где
V - значение мощности реактора в относительных единицах,
? = коэффициент пропорциональности,
при этом нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения, а коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции, отличающийся тем, что в качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов I(t)=?+i(t), измеряя отдельно среднее значение тока ионизационной камеры ? и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры i(t) непрерывно во времени с интервалом дискретности ?t, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000017-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где,
im, im+n - переменные токи в момент времени T и T+t соответственно
t=k·?t, k=1, 2, 3…
n=0, 1, 2 …
после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности
N - число чисел отсчетов детектора (N>>n)
?=Y·ехр(-?·t), где
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000018-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Dv - параметр Дайвена (константа, табличная величина), Dv=0.795 для U235,
Beff - эффективная доля запаздывающих нейтронов,
? - константа спада мгновенных нейтронов в критическом реакторе.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбирают интервал дискретности ?t?0.1/?.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что число измерений i(t) во времени должно быть не менее десяти тысяч.
Основное назначение
1. Способ измерения нейтронной мощности ядерного реактора в абсолютных единицах F=V·?, где
V - значение мощности реактора в относительных единицах,
? = коэффициент пропорциональности,
при этом нейтронную мощность ядерного реактора в относительных единицах измеряют как среднюю скорость счета детектора нейтронов в стационарном критическом состоянии средствами измерения, а коэффициент пропорциональности рассчитывают, используя значение автокорреляционной функции, отличающийся тем, что в качестве средства измерения числа нейтронов используют ионизационную камеру для определения флуктуации числа нейтронов I(t)=?+i(t), измеряя отдельно среднее значение тока ионизационной камеры ? и флуктуирующую составляющую тока ионизационной камеры i(t) непрерывно во времени с интервалом дискретности ?t, рассчитывают автокорреляционную функцию флуктуирующего тока ионизационной камеры по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000017-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где,
im, im+n - переменные токи в момент времени T и T+t соответственно
t=k·?t, k=1, 2, 3…
n=0, 1, 2 …
после чего рассчитывают коэффициент пропорциональности
N - число чисел отсчетов детектора (N>>n)
?=Y·ехр(-?·t), где
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2014FULL/2014.09.20/DOC/RUNWC1/000/000/002/528/401/00000018-m.gif Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Dv - параметр Дайвена (константа, табличная величина), Dv=0.795 для U235,
Beff - эффективная доля запаздывающих нейтронов,
? - константа спада мгновенных нейтронов в критическом реакторе.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбирают интервал дискретности ?t?0.1/?.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что число измерений i(t) во времени должно быть не менее десяти тысяч.
|
||
|
374
|
Патент 2772078
|
Использование: для измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах. Сущность изобретения заключается в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС содержащих изотоп 12С ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гама-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС. Технический результат: обеспечение возможности с повышенной точностью и достоверностью измерить массовое содержания УС в жидкой, твердой, газообразной и органической среде без разрушения структуры образцов. Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
Основное назначение
Использование: для измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах. Сущность изобретения заключается в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС содержащих изотоп 12С ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гама-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС. Технический результат: обеспечение возможности с повышенной точностью и достоверностью измерить массовое содержания УС в жидкой, твердой, газообразной и органической среде без разрушения структуры образцов. Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
Основное назначение
Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
|
||
|
375
|
Патент 2783918
|
Изобретение относится к способам и устройствам для измерения магнитных и механических величин. Техническим результатом, на который направлено предлагаемое техническое решение, является возможность определения взаимозависимости одновременно трех параметров: критического тока, внешнего магнитного поля и растягивающих механических напряжений, действующих на сверхпроводник. Для достижения технического результата предложен способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, при этом токовводы, жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле BTR/s. Также предложено устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, при этом содержащее штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R 1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
Основное назначение
Изобретение относится к способам и устройствам для измерения магнитных и механических величин. Техническим результатом, на который направлено предлагаемое техническое решение, является возможность определения взаимозависимости одновременно трех параметров: критического тока, внешнего магнитного поля и растягивающих механических напряжений, действующих на сверхпроводник. Для достижения технического результата предложен способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, при этом токовводы, жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле BTR/s. Также предложено устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, при этом содержащее штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R 1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
Основное назначение
1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s.
2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.
|
||
|
376
|
Патент 2541437
|
Изобретение относится к области ядерной физики. Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков включает в себя пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, при этом исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных. Технический результат - повышение точности измерения асимметрии распада нейтронов. Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков, включающий пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, отличающийся тем, что исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных.
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000035-m.gif
Основное назначение
Изобретение относится к области ядерной физики. Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков включает в себя пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, при этом исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных. Технический результат - повышение точности измерения асимметрии распада нейтронов. Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков, включающий пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, отличающийся тем, что исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных.
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000035-m.gif
|
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков, включающий пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, отличающийся тем, что исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных.
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000035-m.gif
Основное назначение
Способ измерения асимметрии распада поляризованных пучков, включающий пропускание поляризованного пучка частиц через контролируемую зону, регистрацию заряженных частиц, испускаемых асимметрично относительно спина распадающихся частиц, контрольные измерения при изменении направления поляризации пучка на 180°, отличающийся тем, что исходный поляризованный пучок частиц пропускают через зону контроля с близким к нулю магнитным полем, поток частиц исходного поляризованного пучка ступенчато варьируют с помощью прецизионной управляемой диафрагмы, на каждой ступени потока проводят многократные измерения скорости счета и энергетического спектра испускаемых в зоне контроля заряженных частиц с помощью охватывающего пучок секционированного по углу детектора; по совокупности скоростей счета и их погрешностей строят функционал ошибок для оценок чисел частиц в зоне видимости детектора путем приближений этих чисел шкалой (последовательностью) с шагом 1/?, значение ? подбирают до наилучшего совмещения минимумов функционалов ошибки для времен жизни ?+ и ?- двух спиновых мод распада и их среднего арифметического значения, причем обработка проводится независимо для двух наборов данных, отличающихся значениями потока, а решение по ? и ? определяется пересечением функционалов этих наборов вблизи минимумов, близких к 1, причем коэффициент спиновой корреляции (асимметрия распада) определяется по формуле https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000032-m.gif
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где ?с/С - есть средняя спиральность частиц, испускаемых при распаде, определяемая из измеренного спектра частиц или из табличных данных.
https://new.fips.ru/Archive//PAT/2015FULL/2015.02.10/DOC/RUNWC2/000/000/002/541/437/00000035-m.gif
|
||
|
377
|
Патент 2377599
|
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
|
||
|
378
|
Патент 2788560
|
Изобретение относится к области технологии катализа и приготовления электрокатализаторов и может быть использовано в составе каталитического слоя мембранно-электродного блока (МЭБ) для топливного элемента с твердополимерным электролитом (ТЭ с ТПЭ). Предложен способ изготовления электрокатализатора для твердополимерного топливного элемента со стабилизированным водным балансом, заключающийся в том, что на исходный углеродный носитель наносят частицы SiO2 методом осаждения в объеме этиленгликоля для чего готовят суспензию, состоящую из носителя, смеси растворителей этиленгликоль - вода и изопропилового спирта, перемешивают суспензию с помощью ультразвуковой обработки, к полученной суспензии добавляют коллоидный раствор частиц кремнезема, и проводят осаждение, осуществляют синтез электрокатализатора на основе модифицированного носителя, для чего добавляют водный раствор гексахлорплатиновой кислоты и гомогенизируют его, полученный раствор по каплям приливают в емкость с модифицированным носителем, полученную смесь нагревают до 75°С и выдерживают, быстро поднимают температуру до 180°С и проводят восстановление платины, охлаждают смесь и проводят отмывку осадка, при этом перед отмывкой в охлажденную суспензию добавляют 2 М HCl для снижения рН раствора до 6, проводят трехкратное кипячение осадка в дистилированной воде с ее последующей декантацией, тщательно промывают полученный твердый осадок и сушат в течение 8 часов в вакуумном шкафу при температуре 70°С. Техническим результатом заявляемого изобретения является получение электрокатализатора для топливного элемента с твердополимерным электролитом, обладающего высокими значениями удельной поверхности, электрохимической активной поверхностью и высокой стабильностью. 3 ил., 1 табл., 5 пр. Способ изготовления электрокатализатора для твердополимерного топливного элемента со стабилизированным водным балансом, заключающийся в том, что на исходный углеродный носитель наносят частицы SiO2 методом осаждения в объеме этиленгликоля, для чего в емкости первоначально готовят коллоидный раствор модифицирующего компонента путем смешивания порошка SiO2 и этиленгликоля с добавлением деионизированной воды, раствор подвергают диспергированию, готовят суспензию, состоящую из носителя, смеси растворителей этиленгликоль - вода 1,2:1 об. и изопропилового спирта 1,5 мл, перемешивают суспензию с помощью ультразвуковой обработки с частотой 22-25 кГц в течение 15 минут, к полученной суспензии добавляют коллоидный раствор частиц кремнезема, полученную композицию переливают в емкость и помещают в водяную баню с температурой 40-60°С и проводят осаждение в течение 72 часов при постоянном перемешивании, осуществляют синтез электрокатализатора на основе модифицированного носителя, для чего в емкость добавляют водный раствор прекурсора платиновых частиц гексахлорплатиновую кислоту объемом 60-80 мл и раствор гомогенизируют на магнитной мешалке в течение 30 мин при комнатной температуре, полученный раствор по каплям приливают в емкость с модифицированным носителем при постоянном магнитном перемешивании, полученную смесь со скоростью 1 град/мин нагревают до 75°С и выдерживают в течение 2 часов в токе инертного газа азота или аргона при атмосферном давлении, быстро поднимают температуру до 180°С и проводят восстановление платины в течение часа в токе инертного газа азота или аргона, охлаждают смесь и проводят отмывку осадка, при этом перед отмывкой в охлажденную суспензию добавляют 2 М HCl для снижения рН раствора до 6, проводят трехкратное кипячение осадка в дистилированной воде с ее последующей декантацией, тщательно промывают полученный твердый осадок деионизированной водой и сушат в течение 8 часов в вакуумном шкафу при температуре 70°С
Основное назначение
Изобретение относится к области технологии катализа и приготовления электрокатализаторов и может быть использовано в составе каталитического слоя мембранно-электродного блока (МЭБ) для топливного элемента с твердополимерным электролитом (ТЭ с ТПЭ). Предложен способ изготовления электрокатализатора для твердополимерного топливного элемента со стабилизированным водным балансом, заключающийся в том, что на исходный углеродный носитель наносят частицы SiO2 методом осаждения в объеме этиленгликоля для чего готовят суспензию, состоящую из носителя, смеси растворителей этиленгликоль - вода и изопропилового спирта, перемешивают суспензию с помощью ультразвуковой обработки, к полученной суспензии добавляют коллоидный раствор частиц кремнезема, и проводят осаждение, осуществляют синтез электрокатализатора на основе модифицированного носителя, для чего добавляют водный раствор гексахлорплатиновой кислоты и гомогенизируют его, полученный раствор по каплям приливают в емкость с модифицированным носителем, полученную смесь нагревают до 75°С и выдерживают, быстро поднимают температуру до 180°С и проводят восстановление платины, охлаждают смесь и проводят отмывку осадка, при этом перед отмывкой в охлажденную суспензию добавляют 2 М HCl для снижения рН раствора до 6, проводят трехкратное кипячение осадка в дистилированной воде с ее последующей декантацией, тщательно промывают полученный твердый осадок и сушат в течение 8 часов в вакуумном шкафу при температуре 70°С. Техническим результатом заявляемого изобретения является получение электрокатализатора для топливного элемента с твердополимерным электролитом, обладающего высокими значениями удельной поверхности, электрохимической активной поверхностью и высокой стабильностью. 3 ил., 1 табл., 5 пр. Способ изготовления электрокатализатора для твердополимерного топливного элемента со стабилизированным водным балансом, заключающийся в том, что на исходный углеродный носитель наносят частицы SiO2 методом осаждения в объеме этиленгликоля, для чего в емкости первоначально готовят коллоидный раствор модифицирующего компонента путем смешивания порошка SiO2 и этиленгликоля с добавлением деионизированной воды, раствор подвергают диспергированию, готовят суспензию, состоящую из носителя, смеси растворителей этиленгликоль - вода 1,2:1 об. и изопропилового спирта 1,5 мл, перемешивают суспензию с помощью ультразвуковой обработки с частотой 22-25 кГц в течение 15 минут, к полученной суспензии добавляют коллоидный раствор частиц кремнезема, полученную композицию переливают в емкость и помещают в водяную баню с температурой 40-60°С и проводят осаждение в течение 72 часов при постоянном перемешивании, осуществляют синтез электрокатализатора на основе модифицированного носителя, для чего в емкость добавляют водный раствор прекурсора платиновых частиц гексахлорплатиновую кислоту объемом 60-80 мл и раствор гомогенизируют на магнитной мешалке в течение 30 мин при комнатной температуре, полученный раствор по каплям приливают в емкость с модифицированным носителем при постоянном магнитном перемешивании, полученную смесь со скоростью 1 град/мин нагревают до 75°С и выдерживают в течение 2 часов в токе инертного газа азота или аргона при атмосферном давлении, быстро поднимают температуру до 180°С и проводят восстановление платины в течение часа в токе инертного газа азота или аргона, охлаждают смесь и проводят отмывку осадка, при этом перед отмывкой в охлажденную суспензию добавляют 2 М HCl для снижения рН раствора до 6, проводят трехкратное кипячение осадка в дистилированной воде с ее последующей декантацией, тщательно промывают полученный твердый осадок деионизированной водой и сушат в течение 8 часов в вакуумном шкафу при температуре 70°С
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ изготовления электрокатализатора для твердополимерного топливного элемента со стабилизированным водным балансом, заключающийся в том, что на исходный углеродный носитель наносят частицы SiO2 методом осаждения в объеме этиленгликоля, для чего в емкости первоначально готовят коллоидный раствор модифицирующего компонента путем смешивания порошка SiO2 и этиленгликоля с добавлением деионизированной воды, раствор подвергают диспергированию, готовят суспензию, состоящую из носителя, смеси растворителей этиленгликоль - вода 1,2:1 об. и изопропилового спирта 1,5 мл, перемешивают суспензию с помощью ультразвуковой обработки с частотой 22-25 кГц в течение 15 минут, к полученной суспензии добавляют коллоидный раствор частиц кремнезема, полученную композицию переливают в емкость и помещают в водяную баню с температурой 40-60°С и проводят осаждение в течение 72 часов при постоянном перемешивании, осуществляют синтез электрокатализатора на основе модифицированного носителя, для чего в емкость добавляют водный раствор прекурсора платиновых частиц гексахлорплатиновую кислоту объемом 60-80 мл и раствор гомогенизируют на магнитной мешалке в течение 30 мин при комнатной температуре, полученный раствор по каплям приливают в емкость с модифицированным носителем при постоянном магнитном перемешивании, полученную смесь со скоростью 1 град/мин нагревают до 75°С и выдерживают в течение 2 часов в токе инертного газа азота или аргона при атмосферном давлении, быстро поднимают температуру до 180°С и проводят восстановление платины в течение часа в токе инертного газа азота или аргона, охлаждают смесь и проводят отмывку осадка, при этом перед отмывкой в охлажденную суспензию добавляют 2 М HCl для снижения рН раствора до 6, проводят трехкратное кипячение осадка в дистилированной воде с ее последующей декантацией, тщательно промывают полученный твердый осадок деионизированной водой и сушат в течение 8 часов в вакуумном шкафу при температуре 70°С
Основное назначение
Способ изготовления электрокатализатора для твердополимерного топливного элемента со стабилизированным водным балансом, заключающийся в том, что на исходный углеродный носитель наносят частицы SiO2 методом осаждения в объеме этиленгликоля, для чего в емкости первоначально готовят коллоидный раствор модифицирующего компонента путем смешивания порошка SiO2 и этиленгликоля с добавлением деионизированной воды, раствор подвергают диспергированию, готовят суспензию, состоящую из носителя, смеси растворителей этиленгликоль - вода 1,2:1 об. и изопропилового спирта 1,5 мл, перемешивают суспензию с помощью ультразвуковой обработки с частотой 22-25 кГц в течение 15 минут, к полученной суспензии добавляют коллоидный раствор частиц кремнезема, полученную композицию переливают в емкость и помещают в водяную баню с температурой 40-60°С и проводят осаждение в течение 72 часов при постоянном перемешивании, осуществляют синтез электрокатализатора на основе модифицированного носителя, для чего в емкость добавляют водный раствор прекурсора платиновых частиц гексахлорплатиновую кислоту объемом 60-80 мл и раствор гомогенизируют на магнитной мешалке в течение 30 мин при комнатной температуре, полученный раствор по каплям приливают в емкость с модифицированным носителем при постоянном магнитном перемешивании, полученную смесь со скоростью 1 град/мин нагревают до 75°С и выдерживают в течение 2 часов в токе инертного газа азота или аргона при атмосферном давлении, быстро поднимают температуру до 180°С и проводят восстановление платины в течение часа в токе инертного газа азота или аргона, охлаждают смесь и проводят отмывку осадка, при этом перед отмывкой в охлажденную суспензию добавляют 2 М HCl для снижения рН раствора до 6, проводят трехкратное кипячение осадка в дистилированной воде с ее последующей декантацией, тщательно промывают полученный твердый осадок деионизированной водой и сушат в течение 8 часов в вакуумном шкафу при температуре 70°С
|
||
|
379
|
Патент 2717157
|
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
Основное назначение
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
Основное назначение
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.
|
||
|
380
|
Патент 2737506
|
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640?680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350?450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO. Устройство для осуществления способа содержит печь 1 с нагревательным элементом, внутри которой размещен реактор 4, содержащий контейнер 7 с металлическим цинком и подложку для выращиваемых кристаллов, которые размещены, соответственно, в зоне испарения и зоне роста, при этом в реакторе 4 установлена ампула 5, в боковой поверхности которой выполнена прорезь 6, внутри ампулы 5 размещен контейнер 7 с порошком металлического цинка, за контейнером 7 по ходу газовой смеси установлена подложка для сцинтиллятора, нагреватель выполнен двухсекционным, первая секция 2 нагревателя в зоне испарения обеспечивает нагрев газовой смеси до температуры 640?680°С, а вторая секция 3 нагревателя обеспечивает поддержание в зоне роста температуры 550-580°С. Сцинтиллятор, полученный данным способом, содержит подложку и слой нанокристаллов ZnO, причем подложка выполнена в виде сапфировой пластины с двухсторонней сверхгладкой полировкой, ориентированной в плоскости (0001), а слой нанокристаллов ZnO имеет площадь не менее 10?10 мм2 и толщину не менее 15 мкм. Изобретение позволяет за счет поддержания заданных температурных режимов в зонах испарения и роста получать на подложке равномерный слой наноструктуры ZnO со стандартной апертурой не менее 10?10 мм2 для детекторов ионизирующих излучений с высоким временным разрешением. 3 н.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640?680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350?450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO. Устройство для осуществления способа содержит печь 1 с нагревательным элементом, внутри которой размещен реактор 4, содержащий контейнер 7 с металлическим цинком и подложку для выращиваемых кристаллов, которые размещены, соответственно, в зоне испарения и зоне роста, при этом в реакторе 4 установлена ампула 5, в боковой поверхности которой выполнена прорезь 6, внутри ампулы 5 размещен контейнер 7 с порошком металлического цинка, за контейнером 7 по ходу газовой смеси установлена подложка для сцинтиллятора, нагреватель выполнен двухсекционным, первая секция 2 нагревателя в зоне испарения обеспечивает нагрев газовой смеси до температуры 640?680°С, а вторая секция 3 нагревателя обеспечивает поддержание в зоне роста температуры 550-580°С. Сцинтиллятор, полученный данным способом, содержит подложку и слой нанокристаллов ZnO, причем подложка выполнена в виде сапфировой пластины с двухсторонней сверхгладкой полировкой, ориентированной в плоскости (0001), а слой нанокристаллов ZnO имеет площадь не менее 10?10 мм2 и толщину не менее 15 мкм. Изобретение позволяет за счет поддержания заданных температурных режимов в зонах испарения и роста получать на подложке равномерный слой наноструктуры ZnO со стандартной апертурой не менее 10?10 мм2 для детекторов ионизирующих излучений с высоким временным разрешением. 3 н.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640?680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350?450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO. Устройство для осуществления способа содержит печь 1 с нагревательным элементом, внутри которой размещен реактор 4, содержащий контейнер 7 с металлическим цинком и подложку для выращиваемых кристаллов, которые размещены, соответственно, в зоне испарения и зоне роста, при этом в реакторе 4 установлена ампула 5, в боковой поверхности которой выполнена прорезь 6, внутри ампулы 5 размещен контейнер 7 с порошком металлического цинка, за контейнером 7 по ходу газовой смеси установлена подложка для сцинтиллятора, нагреватель выполнен двухсекционным, первая секция 2 нагревателя в зоне испарения обеспечивает нагрев газовой смеси до температуры 640?680°С, а вторая секция 3 нагревателя обеспечивает поддержание в зоне роста температуры 550-580°С. Сцинтиллятор, полученный данным способом, содержит подложку и слой нанокристаллов ZnO, причем подложка выполнена в виде сапфировой пластины с двухсторонней сверхгладкой полировкой, ориентированной в плоскости (0001), а слой нанокристаллов ZnO имеет площадь не менее 10?10 мм2 и толщину не менее 15 мкм. Изобретение позволяет за счет поддержания заданных температурных режимов в зонах испарения и роста получать на подложке равномерный слой наноструктуры ZnO со стандартной апертурой не менее 10?10 мм2 для детекторов ионизирующих излучений с высоким временным разрешением. 3 н.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640?680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350?450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO. Устройство для осуществления способа содержит печь 1 с нагревательным элементом, внутри которой размещен реактор 4, содержащий контейнер 7 с металлическим цинком и подложку для выращиваемых кристаллов, которые размещены, соответственно, в зоне испарения и зоне роста, при этом в реакторе 4 установлена ампула 5, в боковой поверхности которой выполнена прорезь 6, внутри ампулы 5 размещен контейнер 7 с порошком металлического цинка, за контейнером 7 по ходу газовой смеси установлена подложка для сцинтиллятора, нагреватель выполнен двухсекционным, первая секция 2 нагревателя в зоне испарения обеспечивает нагрев газовой смеси до температуры 640?680°С, а вторая секция 3 нагревателя обеспечивает поддержание в зоне роста температуры 550-580°С. Сцинтиллятор, полученный данным способом, содержит подложку и слой нанокристаллов ZnO, причем подложка выполнена в виде сапфировой пластины с двухсторонней сверхгладкой полировкой, ориентированной в плоскости (0001), а слой нанокристаллов ZnO имеет площадь не менее 10?10 мм2 и толщину не менее 15 мкм. Изобретение позволяет за счет поддержания заданных температурных режимов в зонах испарения и роста получать на подложке равномерный слой наноструктуры ZnO со стандартной апертурой не менее 10?10 мм2 для детекторов ионизирующих излучений с высоким временным разрешением. 3 н.п. ф-лы, 3 пр., 4 ил.
|
||