Изобретения

Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения заключается в том, что сосредоточенным источником тепла является слой воды или слой водного раствор NaCl в концентрации до 5% вблизи торца оптического волокна, который недогрет до температуры насыщения. При этом диаметр волокна составляет 5-1000 мкм, а нагрев осуществляют импульсным лазерным излучением интенсивностью 1-500 кВт/см2, с длительностью импульса 4 нс - 10 мкс, частотой импульсов 1 Гц - 100 МГц с длиной волны в диапазоне 1,4-3 мкм. 2 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт глазных болезней" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области биотехнологии, в частности к технологии выращивания фототрофных микроорганизмов. Способ культивирования фототрофных микроорганизмов включает приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма. Последующую подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора. Затем осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием. При этом заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор. Осуществляют поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000008.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В. Изобретение обеспечивает достижение технического результата, заключающегося в повышении энергетической эффективности и снижении энергетических затрат на процесс культивирования за счет обеспечения возможности использования режимов адаптивного освещения и повышения уровня освещенности в культуральной жидкости в фотобиореакторе при использовании отражающей пластины из гидрогедя с высоким альбедо. Способ культивирования фотосинтезирующих микроорганизмов в фотобиореакторе, включающий приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма, подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора, осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием, отличающийся тем, что заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор, поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток осуществляют автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000007.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк,, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы, измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание средств проведения испытаний способов построения цифровых микросхем на основе постоянного поэлементного резервирования с целью получения экспериментальных оценок их отказоустойчивости к облучению. Используются теоретические способы вычисления отказоустойчивости микросхем на основе оценки вероятности отказа облучаемых микросхем «по площадям». Используется среднее время работы микросхемы до ее отказа от момента облучения, принятого за начальный, до момента фиксации числа последовательных отказов облучаемой микросхемы в заданном числе соседних циклов работы испытательных микросхем. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы: Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W), где j - идентификатор номер способа построения микросхемы, Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость, ?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы, N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме, W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к средству контроля нейтронного потока для обеспечения контроля, управления и защиты корпусных ядерных реакторов. Изобретение может быть использовано для коррекции погрешности показаний мощности ядерного реактора и аппаратуры контроля нейтронного потока на основании показаний детекторов прямой зарядки системы внутриреакторного контроля. Определение скорректированного значения мощности ядерного реактора на основе коррекции мощности аппаратуры контроля нейтронного потока по показаниям внереакторных датчиков нейтронного потока, с учетом их зависимости от формы энергораспределения в активной зоне, полученной от внутриреакторных детекторов системы внутриреакторного контроля. Техническим результатом является обеспечение безопасности и надежности эксплуатации ядерного реактора за счет обеспечения своевременного и точного определения корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора при любых режимах его работы. 1. Способ корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора, заключающийся в том, что плотность нейтронного потока в каждый момент времени измеряют с помощью сборок блоков детектирования, размещенных вне корпуса реактора, и по полученным результатам измерений определяют скорректированное значение мощности ядерного реактора с учетом поправочных коэффициентов, отличающийся тем, что плотность нейтронного потока измеряют вне корпуса реактора по показаниям сборок блоков детектирования, равномерно размещенных по периметру и высоте корпуса реактора, дополнительно измеряют плотность нейтронного потока в каждый момент времени с помощью попарно размещенных по периферии корпуса реактора напротив друг друга не менее двух сборок детектирования, равномерно размещенных по высоте активной зоны реактора, измеренные значения плотности нейтронного потока вне корпуса реактора корректируют в зависимости от показаний плотности внутри активной зоны, а корректировку погрешности показаний мощности ядерного реактора вычисляют по формуле P(t) = А * Kr(t) * Kz(t) * D(t), где P(t) - откорректированное значение мощности реактора в конкретный момент времени по показаниям блока детектирования, расположенного вне реактора, D - показание блока детектирования в конкретный момент времени, расположенного вне реактора, Kr - поправочный коэффициент, учитывающий влияние изменения радиально-азимутальной формы энергораспределения на показания блока детектирования, расположенного вне реактора, и определяемый по показаниям блоков детектирования, размещенных внутри реактора, Kz - поправочный коэффициент, учитывающий влияние изменения аксиального энергораспределения на показания блоков детектирования, расположенных вне реактора, и определяемый по показаниям блоков детектирования, размещенных внутри реактора, и аксиальной весовой функции блока детектирования, расположенного вне ректора, А - нормировочный коэффициент, характеризующий перевод откорректированного значения мощности по показаниям блока детектирования, расположенного вне реактора, из машинного представления в формат соответствующей размерности. 2. Способ корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора по п. 1, отличающийся тем, что откорректированное значение мощности реактора в конкретный момент времени по показаниям сборок блоков детектирования, расположенных вне реактора, определяют как усредненное значение корректированных значений мощностей, определяемых по показаниям каждого блока детектирования данной сборки с учетом показаний блоков детектирования, размещенных внутри реактора.

Акционерное общество «Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях» (АО «Концерн Росэнергоатом») (RU) Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (НИЦ «Курчатовский институт») (RU)

Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов, в которых применяются цифровые следящие системы с управляющими ЭВМ в замкнутом контуре, и может быть использовано для автоматического управления электрической мощностью нагревателей в данных установках. Способ контроля функционирования температурного режима кристаллизационной установки, содержащей внутри корпуса 1 электрический нагреватель 2, заключается в том, что замеряют электрическое сопротивление внутреннего объема камеры между нагревателем 2 и корпусом 1 установки, для чего на нагреватель 2 подают электромагнитные сигналы в диапазоне частот 100 ± 10 кГц с амплитудой 4-5 В, регистрируют поступающие на корпус 1 установки электромагнитные сигналы, которые модулируют по амплитуде в зависимости от электрического сопротивления внутреннего объема камеры между корпусом 1 и нагревателем 2, являющиеся управляющими сигналами, а затем на основании зависимости сопротивления между нагревателем 2 и корпусом 1 установки и величиной амплитуды управляющего сигнала, прошедшего внутри тепловой камеры от нагревателя 2 до корпуса 1, определяют режим работы кристаллизационной установки, согласно которому: сопротивление между корпусом 1 установки и нагревателем 2 более 1 кОм означает нормальную работу установки, уменьшение сопротивления с 1 кОм до 10 Ом означает образование электропроводящей пленки на внутренней поверхности корпуса 1 установки, и на блок управления установкой подают предупредительный сигнал, при дальнейшем снижении сопротивления менее 10 Ом на блок управления установкой подают сигнал аварийного отключения нагревателя 2, причем зависимость между величиной амплитуды управляющего сигнала, прошедшего через внутренний объем установки, и сопротивлением между корпусом 1 установки и нагревателем 2 устанавливают путем предварительного построения тарировочного графика. Электромагнитные сигналы на нагреватель 2 подают по токоведущей шине 6 нагревателя 2, а управляющий сигнал снимают с корпуса 1 кристаллизационной установки и подают на блок управления, содержащий контактный провод 7, подключенный непосредственно к корпусу 1, и связанный электрически через конденсатор 8, полосовой фильтр 9 и детектор 10 с компараторами 11 и 12, которые подключены, соответственно, к индикаторам 13 и 14. Технический результат заключается в предотвращении разрушения установки в результате возникновения аварийного температурного режима. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области исследования материалов рентгенодифракционными способами. Способ контроля объемного распределения носителей заряда и деформаций в кристаллах включает облучение кристалла, установленного в дифракционное положение в геометрии дифракции «на просвет» на гониометрической системе с возможностью вращения, рентгеновским излучением, полученным посредством отражения от асимметричного кристаллического монохроматора, с одновременным воздействием на кристалл электрическим полем. Регистрация серий двумерных изображений интенсивности излучения при каждом угловом положении кристалла двухкоординатным детектором с изменением величины напряженности внешнего электрического поля и повторением регистрации серии изображений. По данным создают карты пространственного распределения параметров кривой дифракционного отражения, и определяется зависимость изменения указанных параметров от величины напряженности внешнего электрического поля, и получают пространственное распределение электроиндуцированных деформаций, их величину, а также анизотропию перераспределения носителей заряда. Технический результат - повышение информативности исследования объемного распределения носителей заряда и деформаций и их визуализация. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Изобретение относится к способам контроля характеристик порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, полученных одним из известных способов, например, методами со-осаждения, твердофазного синтеза и др., и применяемых в качестве самостоятельного материала. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров содержит этапы, на которых возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами. Технический результат – упрощение пробоподготовки, повышение производительности и повышение точности измерений. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)

Изобретение относится к области хранения ядерного топлива и может быть использовано для расчетно-экспериментального определения и контроля эффективного коэффициента размножения бассейнов выдержки (БВ) хранилищ отработавшего ядерного топлива АЭС. Технический результат - повышение ядерной безопасности бассейнов выдержки за счет повышения достоверности определения и постоянного контроля эффективного коэффициента размножения бассейнов. Способ контроля безопасности бассейнов выдержки заключается в том, что расчетным путем выбирают область БВ с максимальными размножающими свойствами, проводят модельный и реальный импульсный эксперимент. Для этого помещают в данной области импульсный источник нейтронов (ИНГ) и детектор нейтронов, определяют поток нейтронов во времени после импульса ИНГ как число отсчетов детектора n?(t), вычисляют постоянные спада. На основании сопоставления измеренного значения постоянной спада ? с ее рассчитанным предельным значением ?пр осуществляют контроль безопасности. При этом за постоянно контролируемую характеристику безопасности БВ принимают текущую величину эффективного коэффициента размножения, а в качестве характеристики размножающих свойств берут эффективную плотность источников нейтронов в данной области. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)