Изобретения

Изобретение относится к лазерной технике. Для создания лазерного излучения используют газоразрядную камеру, установленную на ее выходе ионно-оптическую систему для формирования ускоренного пучка ионов, лазерный резонатор, в котором устанавливают узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью. Размещают газоразрядную камеру и ионно-оптическую систему вне лазерного резонатора. Из ионов, поступающих из газоразрядной камеры, в ионно-оптической системе формируют ускоренный пучок ионов, падающий на указанную плоскую поверхность, и осуществляют перезарядку этого пучка ионов в пучок возбужденных атомов, исходящих из указанной плоской поверхности, установленной под таким малым углом к пучку ионов, чтобы пучок возбужденных атомов, выходящих из указанной поверхности, находился внутри лазерного резонатора. Технический результат заключается в обеспечении возможности снижения длины волны и повышения энергии лазерного излучения. 1. Способ создания лазерного излучения на основе возбужденных атомов, состоящий в том, что используют газоразрядную камеру и лазерный резонатор, отличающийся тем, что на выходе газоразрядной камеры устанавливают ионно-оптическую систему для формирования ускоренного пучка ионов, причем размещают эту камеру и ионно-оптическую систему вне лазерного резонатора, в котором устанавливают узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью, а затем из ионов, поступающих из газоразрядной камеры, в ионно-оптической системе формируют ускоренный пучок ионов, падающий на указанную плоскую поверхность, и осуществляют перезарядку этого пучка ионов в пучок возбужденных атомов, исходящих из указанной плоской поверхности, установленной под таким малым углом к пучку ионов, чтобы пучок возбужденных атомов, выходящих из указанной поверхности, находился внутри лазерного резонатора. 2. Лазер на возбужденных атомах, содержащий газоразрядную камеру и лазерный резонатор, отличающийся тем, что на выходе газоразрядной камеры установлена ионно-оптическая система для формирования и ускорения пучка ионов, причем газоразрядная камера и ионно-оптическая система установлены вне лазерного резонатора, в котором установлен узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью, предназначенной для перезарядки пучка ионов, падающего на эту поверхность, в пучок возбужденных атомов, причем эта поверхность установлена под таким малым углом к пучку ионов, чтобы пучок возбужденных атомов, исходящих из этой поверхности, находился внутри лазерного резонатора.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к способу создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе. Способ включает нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включая меандр, соединительные провода, контактные площадки и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц. На этой же подложке изготавливают и адаптер смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению. Вскрывают окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают окно. Вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие. Технический результат - обеспечение возможности создания сверхпроводникового однофотонного детектора и адаптера смещения как одного целого в одном технологическом цикле 1. Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе, включающий нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом оптической и электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включающих меандр, соединительные провода и контактные площадки, и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц, отличающийся тем, что на упомянутой подложке в сформированных соединительных проводах изготавливают элементы схемы адаптера смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению, вскрывают в нем окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают упомянутое окно, вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из нитрида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода, для чего осуществляют воздействие смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя. 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с. 4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из карбида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя. 6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных частиц, состоящего из протонов и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с. 7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии получения двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2, которые могут быть использованы при создании компактных спинтронных устройств. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена заключается в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр или гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С. Изобретение позволяет осуществлять топотактический синтез двумерных ферромагнитных пленок EuGe2 или GdGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием или гадолинием многослойного германена на германиевых подложках. Полученные пленки не содержат посторонних фаз и содержат германеновые слои, параллельные поверхности подложки. Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 или GdGe2 на основе германена, заключающийся в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,1?100)?10-8 Торр и гадолиния с давлением PGd=(0,1?10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Ge(111), нагретую до 290°С<Ts<510°С для европия или 400°С<Ts<510°С для гадолиния, до формирования пленки германида европия толщиной не более 5 нм или пленки германида гадолиния толщиной не более 13 нм с последующим опциональным отжигом полученных пленок до температуры не более Ts=530°С.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)?10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ? менее 400°С или Ts=более 400 ? 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)?10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)?10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ? менее 400°С или Ts=более 400 ? 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к методам синхронизации для получения точных синхронизирующих импульсов для устройств, располагаемых по периметру кольца электронного синхротрона-накопителя, и может быть использовано в системах временной синхронизации множества разнесенных по периметру электронного синхротрона отдельных сетевых узлов с опорной точкой отсчета времени. Технический результат - повышение точности синхронизации со ста пикосекунд до единиц пикосекунд за счет использования циркулирующего в электронном синхротроне электронного пучка в качестве носителя точной таймерной информации. Для этого в дополнение к сигналам штатной таймерной системы, построенной по схеме звезды, кольцевой, или по древовидной схеме, в способе используют сигналы от датчиков тока пучка электронов синхротрона-накопителя, обладающие более стабильными временными параметрами, чем сигналы штатной таймерной системы, распространяющиеся по медным или оптическим кабелям. Поскольку сигналы с датчиков тока представляют собой цепочку неотличимых друг от друга импульсов, импульсы штатной таймерной системы используются при синхронизации для выделения нужного, то есть предназначенного для синхронизации, импульса тока пучка. 1. Способ синхронизации устройств в накопительных электронных синхротронах источников синхротронного излучения, заключающийся в том, что сигналы от одного или нескольких датчиков тока пучка электронов, расположенных по периметру накопительного синхротрона, преобразуют широкополосным сигнальным трактом, формируя цепочку логических синхроимпульсов, а выбор синхроимпульса для синхронизации устройств осуществляют при поступлении привязанного к фазе высоко частотного резонатора синхротрона управляющего импульса, генерируемого штатной таймерной системой, содержащей задающий генератор, генератор событий и распределительные устройства. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют синхроимпульсы P1…Pk-1, Pk, Pk+1…PN, P1…N, где N - число сгустков электронов пучка от повторяющихся сигналов датчиков тока с периодом TRF и нужный для синхронизации устройства синхроимпульс Pk выбирают подачей с опережением управляющего импульса, который приходит на синхронизируемое устройство в интервале Т0±?T/2 и формирует с задержкой TDEL, образуемой преобразователями и логическими элементами, сигнал разрешения длительностью TEN, при этом момент времени Т0 выбирают таким образом, чтобы время начала сигнала разрешения, находящееся в интервале между T0+?T/2+TDEL и T0-?T/2+TDEL, попадало в промежуток между двумя синхроимпульсами Pk-1 и Pk, а длительность сигнала разрешения TEN выбирают равной периоду следования синхроимпульсов TRF.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области ядерной техники и может быть использовано в системах управления ядерными реакторами. В способ регулирования параметров ядерного реактора путем перемещения регулятором органов изменения реактивности по сигналу отклонения измеренного параметра от заданного значения дополнительно вводят операцию формирования характеристики регулятора по сигналу вычисленной положительной и отрицательной реактивности ядерного реактора и операцию коррекции коэффициента усиления регулятора в зависимости от значения и знака реактивности. При этом когда по сигналу отклонения измеренного параметра от заданного значения вводят сигнал вычисленной реактивности, коэффициент усиления регулятора уменьшают пропорционально увеличению положительной и отрицательной реактивности соответственно по заданному алгоритму коррекции. Технический результат - увеличение диапазона регулируемой глубины и скорости изменения мощности в процессе регулирования одного из параметров ядерного реактора при сохранении установленной безопасности. 1. Способ регулирования параметров ядерного реактора путем перемещения регулятором органов изменения реактивности по сигналу отклонения измеренного параметра от заданного значения, отличающийся тем, что дополнительно вводят операцию формирования характеристики регулятора по сигналу вычисленной положительной и отрицательной реактивности ядерного реактора и операцию коррекции коэффициента усиления регулятора в зависимости от значения и знака реактивности, причем, когда по сигналу отклонения измеренного параметра от заданного значения вводят сигнал вычисленной положительной или отрицательной реактивности, коэффициент усиления регулятора уменьшают пропорционально увеличению соответственно положительной или отрицательной реактивности по заданному алгоритму коррекции. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно вводят уставку ограничения введения сигнала вычисленной положительной и отрицательной реактивности и, когда сигнал достигнет значения заданного ограничения реактивности, коэффициент усиления регулятора устанавливают равным нулю. 3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что алгоритм коррекции коэффициента усиления регулятора при введении сигнала вычисленной положительной и отрицательной реактивности устанавливают по результатам математического моделирования переходных процессов регулирования параметров ядерного реактора. 4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что процесс коррекции коэффициента усиления регулятора по сигналу вычисленной положительной и отрицательной реактивности осуществляют, когда сигнал отклонения регулируемого параметра от своей уставки превышает величину зоны нечувствительности регулятора, а сигнал вычисленной положительной и отрицательной реактивности от своей уставки превышает величину зоны нечувствительности по сигналу реактивности, управляющим процессом коррекции коэффициента усиления регулятора.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам регистрации реакторных антинейтрино сцинтилляционным методом. Сущность изобретения заключается в том, что регистрацию антинейтрино осуществляют по реакции обратного бета-распада на протонах, при котором в слоях сегментированного гадолиний-содержащего неорганического сцинтиллятора, чередующихся со слоями органического сцинтиллятора, регистрируют фотоны сцинтилляций от аннигиляции рождающихся в ходе реакции обратного бета-распада позитронов (мгновенный сигнал), а также фотоны сцинтилляций от каскада гамма-квантов, испущенных при поглощении нейтронов, возникших в ходе реакции обратного бета-распада (задержанный сигнал). Технический результат – возможность детектирования реакторных антинейтрино. 1. Способ регистрации реакторных антинейтрино, заключающийся в том, что регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании аннигиляционных гамма-квантов и нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, а гамма-лучевой сцинтиллятор на основе органического материала, содержащего атомы водорода и находящийся в непосредственной близости к сцинтиллятору на основе неорганического материала, используют в качестве протон-содержащей мишени, среды для замедления позитронов и нейтронов, а также активной защиты от заряженной и нейтронной компоненты фонового космического излучения, отличающийся тем, что в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, определяют координату взаимодействия гамма-квантов, момент взаимодействия во времени и выделенную в результате взаимодействия энергию и отделяют полезные события от фоновых, регистрируя энерговыделение от аннигиляционных гамма-квантов в энергетическом диапазоне 400-3000 кэВ, от нейтронов в энергетическом диапазоне 5000-8000 кэВ, регистрируют мгновенные совпадения от ионизационных потерь энергии позитрона и/или аннигиляционных гамма-квантов во временном окне 10-8 с и задержанные на время 10-5 - 10-6 с сигналы от нейтронов и анализируют на соответствие заранее рассчитанным компьютерным моделям пространственные области в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, в которых мгновенно либо в определенных временных интервалах было зарегистрировано указанное энерговыделение. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се и/или Tb и/или Eu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат.%. 3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического сцинтилляционного материала, содержащего атомы водорода, используют пластиковые сцинтилляторы или жидкие сцинтилляторы, не содержащие в своем составе гадолиний.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к области регистрации нейтронов сцинтилляционным методом с использованием неорганического сцинтилляционного материала. Сущность изобретений заключается в том, что способ регистрации нейтронов содержит этапы, на которых регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего нейтронпоглощающие компоненты, и определяют характеристики нейтронного излучения, при этом используют неорганический сцинтилляционный материал, содержащий атомы гадолиния, фотоны сцинтилляций от гамма-квантов регистрируют в энергетическом диапазоне 40-1300 кэВ и проводят сравнительный анализ интенсивности линий и/или групп линий в измеренном спектре излученных гамма-квантов в не менее чем двух энергетических диапазонах и по результатам данного анализа делают вывод о величине и спектральных характеристиках регистрируемого излучения нейтронов. Технический результат – расширение энергетического диапазона и повышение чувствительности детектора нейтронов. 1. Способ регистрации нейтронов, при котором регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего нейтронпоглощающие компоненты, и определяют характеристики нейтронного излучения, отличающийся тем, что используют неорганический сцинтилляционный материал, содержащий атомы гадолиния, фотоны сцинтилляций от гамма-квантов регистрируют в энергетическом диапазоне 40-1300 кэВ и проводят сравнительный анализ интенсивности линий и/или групп линий в измеренном спектре излученных гамма-квантов в не менее чем двух энергетических диапазонах и по результатам данного анализа делают вывод о величине и спектральных характеристиках регистрируемого излучения нейтронов. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фотоны сцинтилляций от гамма-квантов регистрируют в энергетическом диапазоне 40-600 кэВ. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сравнивают интенсивности как минимум в двух линиях или группах линий, выбранных в энергетическом диапазоне 40-100 кэВ, 100-200 кэВ, и линии 511 кэВ. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се, и/или Tb, и/или Еu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат. %. 5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb. 7. Устройство для регистрации нейтронов для реализации способа по пп. 1-6, содержащее гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического сцинтилляционного материала, оптически соединенного с фотодетектором, соединенным с анализирующим устройством, неорганический сцинтилляционный материал содержит атомы гадолиния, причем гамма-лучевой сцинтиллятор и фотодетектор окружены экраном из неорганического вещества, поглощающим фоновое гамма-излучение. 8. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы, выбранные из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се, и/или Tb, и/или Еu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат. %. 9. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами. 10. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что в качестве поглощающего фоновое гамма-излучение экрана из неорганического вещества используют внешний слой свинца с толщиной не менее 1 мм и внутренний слой меди с толщиной не менее 1 мм.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам разработки нефтяных месторождений, в частности к способам теплового воздействия на залежь, содержащую высоковязкую нефть. Технический результат - повышение коэффициента извлечения нефти, снижение расхода энергоресурсов, уменьшение затрат на прокачку и потери, связанные с выбросом избыточного тепла в атмосферу. В способе разработки залежи тяжелой нефти, включающем бурение добывающих и нагнетательных скважин и закачку в пласт метансодержащего газа, в котором добываемый газ после сепарации обратно закачивают в пласт, перед закачкой добываемого газа в пласт проводят его каталитическую конверсию с получением нагретого метансодержащего газа, содержащего водяной пар, диоксид углерода и водород. 1. Способ разработки залежи тяжелой нефти, включающий бурение добывающих и нагнетательных скважин и закачку в пласт метансодержащего газа, в котором добываемый газ после сепарации обратно закачивают в пласт, отличающийся тем, что перед закачкой добываемого газа в пласт проводят его каталитическую конверсию с получением нагретого метансодержащего газа, содержащего водяной пар, диоксид углерода и водород. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что каталитическую конверсию проводят при подводе нагретого водяного пара и тепловой энергии от стороннего энергоисточника, в котором сжигают ядерное и/или органическое топливо. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве добываемого газа используют попутный нефтяной газ, добываемый из залежи тяжелой нефти. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что питательную воду для получения водяного пара подают из резервуара, пополняемого конденсатом, выделяемым из добываемого газа. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что температурный режим каталитической конверсии поддерживают изменением расхода и состава добываемого газа. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что закачку метансодержащего газа сопровождают или чередуют с закачкой растворителей, в виде оторочек или путем обогащения метансодержащего газа растворителем. 7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что закачку метансодержащего газа ведут периодически, подавая в промежутках в пласт воздух и/или жидкость гидроразрыва на основе воды, содержащей пластовую воду, добываемую из пласта.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к атомной энергетике и может быть использовано при эксплуатации ядерных реакторов космических установок. Способ пуска ядерного реактора космического назначения содержит этапы, на которых определяют зависимость эффективного коэффициента размножения от температуры при выведенных поглощающих элементах Кэф(Т), зависимость реактивности поглощающих элементов от их положения ?х=?х(х-xmax), значение максимального люфта привода поглощающих элементов и запускают реактор путем вывода поглощающих элементов, при этом до пуска задают период ?0 разгона реактора и реактивность ?0, измеряют температуру реактора перед пуском Т00 датчиками и определяют ?00 - реактивность реактора при температуре Т00, вычисляют величину вывода поглощающих элементов х3 по зависимости ?00-?0=?x (х3), а вывод поглощающих элементов осуществляют с максимальной скоростью до положения х3, после чего вводят поглощающие элементы с той же скоростью на величину максимального люфта. Технический результат – обеспечение снижения времени запуска, гарантированного соблюдения ограничений по скорости разгона, исключения паразитных выбросов мощности и связанных с этим перегревов и термокачек. 1. Способ пуска ядерного реактора космического назначения, заключающийся в том, что предварительно определяют зависимость эффективного коэффициента размножения от температуры при выведенных поглощающих элементах Кэф(Т), зависимость реактивности поглощающих элементов от их положения ?x=?x(x-xmax), значение максимального люфта привода поглощающих элементов и осуществляют пуск реактора путем его вывода на минимально контролируемый уровень мощности NМКУ за счет вывода поглощающих элементов с последующим автоматическим включением регулятора нейтронной мощности с программным увеличением задания мощности, отличающийся тем, что дополнительно до начала пуска задают период ?0 разгона реактора и реактивность ?0, измеряют температуру реактора в момент, предшествующий пуску Т00, определяют истинную реактивность реактора ?00 при фактической температуре Т00, вычисляют величину вывода поглощающих элементов x3 по зависимости ?00-?0=?x(x3), а вывод поглощающих элементов осуществляют с максимальной скоростью v1 до вычисленного положения x3, после чего вводят поглощающие элементы с той же скоростью на величину максимального люфта и фиксируют в данном положении. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют температуру реактора в момент, предшествующий пуску Т00, датчиками внутриреакторного контроля или, измеряя температуру теплоносителя.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)