Изобретения

Изобретение относится к области атомной энергии и может быть использовано в реакторах на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем. Ядерный реактор на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем содержит вертикально установленные тепловыделяющие сборки активной зоны и боковой зоны воспроизводства. Тепловыделяющие сборки выполнены в виде металлоконструкции, жестко соединенной с головкой и хвостовиком. При этом внутри металлоконструкции размещены свободная засыпка микротвэлов активной зоны и зоны воспроизводства. Технический результат – повышение радиационной безопасности реактора на быстрых нейтронах в режимах тяжелых аварий с повышением температуры активной зоны, улучшение характеристик топливного цикла, уменьшение перепада давления и уменьшение расхода на прокачку теплоносителя, увеличение выходной среднесмешанной температуры теплоносителя, исключение больших усилий при извлечении отработавших тепловыделяющих сборок. 1. Ядерный реактор на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем, сформированный вертикально установленными тепловыделяющими сборками (ТВС) активной зоны и боковой зоны воспроизводства, выполненными в виде металлоконструкции, жестко соединенной с головкой и хвостовиком, отличающийся тем, что внутри металлоконструкции размещены свободная засыпка микротвэлов активной зоны и зоны воспроизводства. 2. Ядерный реактор по п. 1, отличающийся тем, что тепловыделяющая сборка для активной зоны быстрого реактора с жидкометаллическим теплоносителем выполнена в виде стальной металлоконструкции, включающей наружный чехол в виде усеченной шестигранной пустотелой пирамиды с перфорированными стенками, внутренний чехол в виде пустотелого конуса с перфорированными стенками, опорную решетку, жестко соединенную с чехлами, подпружиненную крышку и размещенную внутри металлоконструкции свободную засыпку микротвэлов с топливными сердечниками из карбидов урана и плутония и засыпку микротвэлов торцевых зон воспроизводства с сердечниками из карбида обедненного урана. 3. Ядерный реактор по п. 1, отличающийся тем, что тепловыделяющая сборка боковой зоны воспроизводства быстрого реактора с жидкометаллическим теплоносителем, выполнена в виде стальной металлоконструкции, включающей шестигранную трубу, опорную решетку, шнек, жестко соединенный с шестигранной трубой, подпружиненную крышку и свободную засыпку микротвэлов с сердечниками из карбида обедненного урана, размещенную внутри шестигранной трубы. 4. Ядерный реактор по п. 2 и 3, отличающийся тем, что микротвэлы боковой и торцевых зон воспроизводства выполнен большего диаметра, чем микротвэлы активной зоны.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к ядерной энергетике в частности к энергетическим реакторам типа PWR. Энергетическая реакторная установка имеет два заменяемых горизонтально располагаемых ядерных реактора с перемещаемым отражателем. Один реактор при эксплуатации является рабочим, другой либо удаляется, либо находится в готовности к эксплуатации. Реакторы поочередно подключаются к контуру циркуляции. Активная зона каждого реактора размещается в корпусе по всей его длине. Перемещаемый отражатель нейтронов охватывает корпус рабочего реактора для обеспечения реакции деления в области энерговыработки его активной зоны и значительно короче активной зоны. В рабочем реакторе при эксплуатации возобновление запаса реактивности, теряемого в процессе выгорания топлива на участке энерговыработки активной зоны, обеспечивается перемещением отражателя на примыкающий участок активной зоны со «свежим» топливом и вовлечением «свежего» топлива в процесс деления. Теплосъем осуществляется прокачиванием теплоносителя через активную зону в корпусе работающего реактора. Технический результат - непрерывная на много лет эксплуатация установки без перегрузок. 1. Ядерная установка, включающая корпус ядерного реактора с перемещаемым отражателем нейтронов, сформированную активную зону в полости корпуса ядерного реактора из средств тепловыделения, неподвижный (стационарный) и перемещаемый относительно активной зоны отражатель нейтронов, контур циркуляции теплоносителя, систему управления и защиты, отличающаяся тем, что установка снабжена, по меньшей мере, одним, дополнительным ядерным реактором, имеющим корпус, активную зону, контур циркуляции теплоносителя, перемещаемый отражатель нейтронов имеет возможность взаимодействия с активной зоной дополнительного реактора, причем контур циркуляции теплоносителя ядерной установки выполнен с возможностью подключения реактора со свежим топливом и/отключения реактора с отработавшим топливом от общего контура циркуляции теплоносителя ядерной установки с обеспечением ввода «холодного» и вывода «горячего» теплоносителя через соответствующие патрубки, расположенные совместно на торце корпуса каждого из ядерных реакторов, при этом перемещаемый отражатель установлен с возможностью охвата снаружи корпуса каждого из ядерных реакторов и с возможностью перемещения и независимого взаимодействия с активной зоной каждого из ядерных реакторов. 2. Ядерная установка по п.1, отличающаяся тем, что средством тепловыделения является ядерное топливо сформированной активной зоны, размер которой в направлении перемещения отражателя превышает размер перемещаемого отражателя. 3. Ядерная установка по п.1, отличающаяся тем, что введенные в устройство рабочие органы и приводы систем управления и защиты размещены на перемещаемом отражателе для обеспечения регулирования мощности и реактивности. 4. Способ эксплуатации ядерной установки, заключающийся в том, что в полости корпуса ядерного реактора из средств тепловыделения формируют и размещают с возможностью взаимодействия с имеющимися перемещаемым и неподвижным отражателями нейтронов активную зону, отличающийся тем, что в ядерной установке размещают, по меньшей мере, один, дополнительный ядерный реактор, активную зону каждого из ядерных реакторов формируют размером, превышающим размер перемещаемого отражателя, в направлении его перемещения, при исчерпании запаса реактивности в топливе на участке взаимодействия между перемещаемым отражателем соответствующего участка энерговыработки активной зоны, перемещаемый отражатель смещают в направлении участка топлива, не взаимодействовавшего до этого с перемещаемым отражателем, при этом энерговыработку из средств тепловыделения осуществляют за счет реакции деления топлива на нейтронах.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к дополнительному оборудованию ядерного гомогенного реактора растворного типа, предназначенного, например, для получения медицинских изотопов. Для достижения этого технического результата предложено устройство загрузки жидкого ядерного топлива, представляющее собой систему емкостей и трубопроводов, оснащенных запорной арматурой, размещенных на единой мобильной раме. В состав предлагаемого устройства входит емкость-дозатор объемом не более 3000 см3 с уровнемером на весоизмерительном устройстве (тензометрическом датчике) с точностью не хуже 1%, воздушный фильтр, мановакуумметр и трубопроводы с запорной арматурой для слива топлива в корпус реактора и удаления газов в систему откачки и локализации этих газов. В нижней части устройство имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух. Все элементы, контактирующие с жидким топливом, выполнены из стали 12Х18Н10Т. Техническим результатом является возможность дозированной ядерно-безопасной, дистанционной подачи жидкого ядерного топлива в корпус активной зоны ядерного гомогенного реактора растворного типа. 1. Устройство загрузки жидкого ядерного топлива в ядерный гомогенный реактор, характеризующееся автономной конструкцией, состоящей из рамы с закрепленными на ней: емкостью-дозатором объемом не более 3000 см3 и заправочной емкостью, установленными на весоизмерительных устройствах с точностью не хуже 1%, аэрозольным воздушным фильтром, датчиком давления и трубопроводами с запорной арматурой. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электромагнитные вентили на трубопроводе из заправочной емкости и на трубопроводе в корпус реактора электрически соединены с СУЗ комплекта ядерного реактора. 3. Устройство по п. 1 и 2, отличающееся тем, что рама в нижней части имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух, а все элементы, контактирующие с жидким топливом и кожух, выполнены из стали 12Х18Н10Т.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к лазерной технике. Устройство для формирования мощных коротких импульсов СO2 лазером состоит из последовательно расположенных задающего генератора на линии Р(20) 10-мкм полосы, трехсекционной резонансно-поглощающей ячейки со смесью SF6 и N2, оптической схемы геометрического преобразования пучка задающего генератора и трехпроходового усилителя, образованного активной средой СO2 лазера, которая размещена внутри и на оси конфокального телескопа с внешним фокусом. Поглощающая ячейка выполняется из трех равных секций, наполняемых газами SF6 и N2 независимо. При этом первая секция содержит смесь высокого давления, а в последующих секциях оно по определенному закону снижается при одновременном росте парциального давления поглощающей компоненты. Технический результат заключается в обеспечении возможности генерации коротких импульсов высокой интенсивности. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к устройствам для получения монокристаллов тугоплавких фторидов горизонтальной направленной кристаллизацией из расплава. Устройство содержит вакуумную камеру 1 с размещенным в ней тепловым узлом 2, состоящим из углеграфитовых теплоизолирующих модулей 3, верхнего 4 и нижнего 5 нагревателей и тепловых экранов 15, графитового контейнера 6 с шихтой кристаллизуемого материала, установленного с возможностью перемещения в вакуумной камере 1, штуцеров подачи инертного газа 10 и системы вакуумирования и/или откачки газообразных продуктов 9, смотрового окна 11, при этом верхний плоский ленточный нагреватель Г-образной формы 4 и нижний ленточный нагреватель П-образной перевернутой формы 5 выполнены в виде единых с шинами графитовых моноблоков, односторонне закрепленных с водоохлаждаемыми токовводами вакуумной камеры с помощью разъемного соединения. Техническим результатом является упрощение и улучшение технологичности конструкции и надежности нагревательного узла, в том числе за счет устранения влияния термических расширений на нагреватели. 1. Устройство для получения монокристаллов тугоплавких фторидов горизонтальной направленной кристаллизацией, содержащее вакуумную камеру с размещенным в ней тепловым узлом, состоящим из углеграфитовых теплоизолирующих модулей, верхнего и нижнего нагревателей и тепловых экранов, графитового контейнера с шихтой кристаллизуемого материала, установленного с возможностью перемещения в вакуумной камере, штуцеров подачи инертного газа и системы вакуумирования и/или откачки газообразных продуктов, смотрового окна, отличающееся тем, что верхний плоский ленточный нагреватель Г-образной формы и нижний ленточный нагреватель П-образной перевернутой формы выполнены в виде единых с шинами графитовых моноблоков, односторонне закрепленных с водоохлаждаемыми токовводами вакуумной камеры с помощью разъемного соединения. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что водоохлаждаемые токовводы выполнены из меди и соединены с графитовыми шинами с помощью болтового соединения с наружной стороны. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что шины представляют собой утолщенные нижние части нагревателей.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для поворота деталей через герметичную оболочку, например заслонки светового или молекулярного пучка в устройствах для напыления тонких пленок, для смены подложек при напылении путем поворота кассеты и пр., также может использоваться для передачи вращательного движения в объем с заданным составом газовой атмосферы с вредными или радиоактивными веществами. Технический результат состоит в расширении функциональных возможностей и повышении надежности. Устройство содержит герметичный немагнитный корпус, ведущий магнитный компонент, установленный с возможностью перемещения и расположенный с внешней стороны герметичного корпуса, и ведомый магнитный компонент, соединенный с исполнительным элементом, установленные внутри герметичного корпуса. Ведомый магнитный компонент выполнен в форме цилиндра со спиралью из магнитного материала и расположен с минимальным зазором с внутренней поверхностью трубы корпуса так, что ось ведомого магнитного компонента параллельна оси корпуса. Ведущий магнитный компонент выполнен в виде, по меньшей мере, одного постоянного магнита, расположен вплотную к внешней поверхности герметичного корпуса так, что ось движения ведущего магнитного компонента параллельна оси герметичного корпуса. Ведущий магнитный компонент может состоять по крайней мере из трех электромагнитов, соединенных через коммутатор с источником напряжения и расположенных вплотную к внешней поверхности герметичного корпуса так, что когда оба полюса одного электромагнита расположены напротив двух витков магнитной спирали, полюса любого другого электромагнита смещены относительно витков магнитной спирали. 1. Устройство для передачи вращательного движения в герметичный объем, содержащее герметичный корпус из немагнитного материала 3, ведущий магнитный компонент 1, установленный с возможностью перемещения и расположенный с внешней стороны герметичного корпуса 3, и ведомый магнитный компонент 2, соединенный с исполнительным элементом 6, установленные внутри герметичного корпуса 3, отличающееся тем, что ведомый магнитный компонент 2 выполнен в форме цилиндра со спиралью из магнитного материала и расположен с минимальным зазором с внутренней поверхностью трубы корпуса 3 так, что ось ведомого магнитного компонента 2 параллельна оси корпуса 3, а ведущий магнитный компонент 1 выполненный в виде, по меньшей мере, одного постоянного магнита, расположен вплотную к внешней поверхности герметичного корпуса 3 так, что ось движения ведущего магнитного компонента 1 параллельна оси герметичного корпуса 3. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что постоянные магниты ведущего магнитного компонента 1 установлены друг от друга на расстоянии, равном шагу спирали ведомого магнитного компонента 2 или кратном ему. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что внешние полюса постоянных магнитов ведущего магнитного компонента 1 соединены пластиной 8 из магнитно-мягкого материала. 4. Устройство для передачи вращательного движения в герметичный объем, содержащее герметичный корпус из немагнитного материала 3, ведущий магнитный компонент, установленный с внешней стороны герметичного корпуса 9, и ведомый магнитный компонент 2, соединенный с исполнительным элементом 6, установленные внутри герметичного корпуса 3, отличающееся тем, что ведомый магнитный компонент 2 выполнен в форме цилиндра со спиралью из магнитного материала и расположен с минимальным зазором с внутренней поверхностью трубы корпуса 3 так, что ось ведомого магнитного компонента 2 параллельна оси корпуса 3, ведущий магнитный компонент 1 состоит, по крайней мере, из трех электромагнитов 9, соединенных через коммутатор с источником напряжения и расположенных вплотную к внешней поверхности герметичного корпуса 3 так, что когда оба полюса одного электромагнита расположены напротив двух витков магнитной спирали, полюса любого другого электромагнита смещены относительно витков магнитной спирали.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области измерений в физике плазмы и физике заряженных частиц. Технический результат - повышение точности регистрации спектра энергий потока ионов и последующего измерения потока ионов. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы содержит вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса. Между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы, содержащее вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса, отличающееся тем, что между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области техники, связанной с выращиванием кристаллов из расплавов методом горизонтально направленной кристаллизации (ГНК), которые широко используются в качестве сцинтилляторов для детекторов ионизирующего излучения, лазерных кристаллов и элементов оптических приборов, работающих в широкой спектральной области от ультрафиолетового до среднего инфракрасного диапазона длин волн. Предложен тепловой узел установки для выращивания галоидных кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации, состоящий из корпуса, внутри которого размещены центральный и отдельные углеграфитовые теплоизоляционные модули, графитового контейнера 9 с набором тепловых экранов и рамой, установленного с возможностью горизонтального перемещения внутри теплоизоляционных модулей, верхнего нагревателя Г-образной формы 2 и нижнего нагревателя перевернутой П-образной формы 3, расположенных внутри центрального теплоизоляционного модуля, смотрового окна 8, при этом центральный теплоизоляционный модуль выполнен сборно-разборным и состоит из внешнего графитового теплоизоляционного кожуха 4, внутри которого расположены диафрагмы 7, верхняя 5 и нижняя 6 секции внутренних графитовых тепловых экранов, а отдельные углеграфитовые теплоизоляционные модули выполнены в виде внутреннего графитового кожуха, окруженного внешними сборно-разборными графитовыми теплоизолирующими кассетами, каждая из которых состоит из сложенных друг над другом тепловых экранов, между которыми проложены проставки. Технический результат заключается в повышении технологичности конструкции теплового узла, позволяющего варьировать величиной температурного градиента в зоне активного роста кристалла, приводящей к получению оптически однородного кристалла. 1. Тепловой узел установки для выращивания галоидных кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации, состоящий из корпуса, внутри которого размещены центральный и отдельные углеграфитовые теплоизоляционные модули, графитового контейнера с набором тепловых экранов и рамой, установленного с возможностью горизонтального перемещения внутри теплоизоляционных модулей, верхнего нагревателя Г-образной формы и нижнего нагревателя перевернутой П-образной формы, расположенных внутри центрального теплоизоляционного модуля, смотрового окна, отличающийся тем, что центральный теплоизоляционный модуль выполнен сборно-разборным и состоит из внешнего графитового теплоизоляционного кожуха, внутри которого расположены диафрагмы, верхняя и нижняя секции внутренних графитовых тепловых экранов, а отдельные углеграфитовые теплоизоляционные модули выполнены в виде внутреннего графитового кожуха, окруженного внешними сборно-разборными графитовыми теплоизолирующими кассетами, каждая из которых состоит из сложенных друг над другом тепловых экранов, между которыми проложены проставки. 2. Тепловой узел по п. 1, отличающийся тем, что количество отдельных углеграфитовых теплоизоляционных модулей составляет 4 шт. 3. Тепловой узел по п. 1, отличающийся тем, что внешние сборно-разборные графитовые теплоизолирующие кассеты каждого отдельного углеграфитового теплоизоляционного модуля включают тепловые экраны в количестве от 2 до 5 штук и толщиной от 8 до 20 мм из графита марки МПГ-6, или МПГ-7, или МПГ-8, или GS-1900 и проставки из графита марки SIGRABOND Standard или УККМ-2, образующие зазоры между тепловыми экранами от 2 до 5 мм. 4. Тепловой узел по п. 1, отличающийся тем, что диафрагмы выполнены из графита марки GS-1900 или SIGRABOND Standard, а тепловые экраны верхней и нижней секций внутренних графитовых тепловых экранов центрального теплоизоляционного модуля выполнены из графита марок: МПГ-6 или МПГ-7, МПГ-8 или из твердых войлоков марок: Sigratherm, или SGL, или ТУВ. 5. Тепловой узел по п. 4, отличающийся тем, что количество диафрагм и тепловых экранов в верхней и нижней секциях внутренних графитовых тепловых экранов центрального теплоизоляционного модуля составляет 1-4 шт.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Использование: для создания счетного компонента в наноразмерных цифровых устройствах в различных областях науки и техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержит подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, при этом сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное. Технический результат - увеличение числа дискретных равновесных кодируемых состояний. 1. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент, характеризующийся дискретным набором равновесных состояний, содержащий подключаемый к источнику тока или к источнику напряжения сверхпроводниковый элемент, переводимый из сверхпроводящего состояния в нормальное, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из последовательно соединенных фрагментов, характеризующихся ступенчато увеличивающимися значениями прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное. 2. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов со ступенчато увеличивающимся сечением в плоскости, перпендикулярной направлению протекания тока. 3. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 2, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим сечением снабжен резистивным участком. 4. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводниковый элемент выполнен из фрагментов, подвергнутых корпускулярному излучению низкоэнергетическим потоком ионов или атомов с различной энергией и дозой, достаточной для образования различного количества дефектов кристаллической структуры и/или различной степени изменения стехиометрии материала сверхпроводника. 5. Сверхпроводниковый дискретный счетный компонент по п. 4, отличающийся тем, что фрагмент сверхпроводникового элемента с наименьшим значением прямого критического тока, необходимого для перевода фрагментов из сверхпроводящего состояния в нормальное, снабжен резистивным участком.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением, формируют путем имплантации ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью указанных носителей заряда и создают в этом дефектном слое термостабильные микропоры. В качестве подложки может использоваться изолятор, в качестве изолятора - сапфир, в качестве полупроводника - кремний, а в качестве легкого газа - гелий. Изобретение обеспечивает повышение радиационной стойкости, улучшение электрических свойств этих структур и упрощение способа их изготовления. 1. Структура полупроводник-на-изоляторе, содержащая изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе вблизи от поверхностного слоя полупроводника дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением, отличающаяся тем, что указанный дефектный слой сформирован имплантацией ионов легкого газа в изолятор и последующим высокотемпературным отжигом, содержит термостабильные микропоры и расположен на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при указанном облучении. 2. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве подложки использован изолятор. 3. Структура по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве изолятора использован сапфир, а в качестве полупроводника использован кремний. 4. Способ изготовления структуры полупроводник-на-изоляторе, при котором в изоляторе вблизи от поверхностного слоя полупроводника формируют путем имплантации и высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением, отличающийся тем, что перед созданием этого дефектного слоя формируют поверхностный слой полупроводника, а затем имплантируют ионы легкого газа в изолятор со стороны поверхностного слоя полупроводника и в результате последующего высокотемпературного отжига формируют содержащий микропоры дефектный термостабильный слой на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при указанном облучении. 5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что при имплантации в качестве ионов легкого газа используют ионы гелия. 6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что в качестве полупроводника используют кремний, а в качестве изолятора используют сапфир.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)