|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
291
|
Патент 2645167
|
Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к способу создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе. Способ включает нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включая меандр, соединительные провода, контактные площадки и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц. На этой же подложке изготавливают и адаптер смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению. Вскрывают окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают окно. Вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие. Технический результат - обеспечение возможности создания сверхпроводникового однофотонного детектора и адаптера смещения как одного целого в одном технологическом цикле 1. Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе, включающий нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом оптической и электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включающих меандр, соединительные провода и контактные площадки, и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц, отличающийся тем, что на упомянутой подложке в сформированных соединительных проводах изготавливают элементы схемы адаптера смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению, вскрывают в нем окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают упомянутое окно, вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из нитрида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода, для чего осуществляют воздействие смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из карбида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных частиц, состоящего из протонов и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
Основное назначение
Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к способу создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе. Способ включает нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включая меандр, соединительные провода, контактные площадки и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц. На этой же подложке изготавливают и адаптер смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению. Вскрывают окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают окно. Вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие. Технический результат - обеспечение возможности создания сверхпроводникового однофотонного детектора и адаптера смещения как одного целого в одном технологическом цикле 1. Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе, включающий нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом оптической и электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включающих меандр, соединительные провода и контактные площадки, и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц, отличающийся тем, что на упомянутой подложке в сформированных соединительных проводах изготавливают элементы схемы адаптера смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению, вскрывают в нем окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают упомянутое окно, вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из нитрида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода, для чего осуществляют воздействие смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из карбида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных частиц, состоящего из протонов и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе, включающий нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом оптической и электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включающих меандр, соединительные провода и контактные площадки, и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц, отличающийся тем, что на упомянутой подложке в сформированных соединительных проводах изготавливают элементы схемы адаптера смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению, вскрывают в нем окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают упомянутое окно, вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из нитрида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода, для чего осуществляют воздействие смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из карбида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных частиц, состоящего из протонов и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
Основное назначение
1. Способ создания интегрированного криогенного адаптера питания на одном чипе, включающий нанесение на подложку слоя сверхпроводника и формирование из него методом оптической и электронной литографии сверхпроводящих элементов детектора, включающих меандр, соединительные провода и контактные площадки, и последующее преобразование участков сверхпроводящих проводов в сопротивления требуемого номинала путем воздействия пучка ускоренных частиц, отличающийся тем, что на упомянутой подложке в сформированных соединительных проводах изготавливают элементы схемы адаптера смещения, для чего на сформированную структуру сверхпроводящих элементов наносят резист, стойкий к ионному облучению, вскрывают в нем окно над будущим сопротивлением адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в металл путем воздействия пучка ускоренных частиц и закрывают упомянутое окно, вскрывают окно над будущим конденсатором адаптера, преобразуют находящийся в окне слой сверхпроводника в диэлектрик путем воздействия пучка ускоренных частиц и наносят защитное покрытие.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из нитрида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов азота на атомы кислорода, для чего осуществляют воздействие смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из нитрида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящие элементы формируют из карбида ниобия, при этом преобразование выбранных участков соединительных проводов в требуемое состояние для создания элементов схемы адаптера смещения осуществляют путем селективного замещения атомов углерода на атомы кислорода путем воздействия смешанного пучка ускоренных протонов или атомов водорода и ионов окислителя.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что сопротивление адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием смешанного пучка ускоренных частиц, состоящего из протонов и ионов окислителя с энергиями 0,1-5 кэВ в течение 10-2000 с.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что конденсатор адаптера смещения формируют в проводах из карбида ниобия воздействием пучка ускоренных ионов или атомов кислорода с энергией 0,1-5 кэВ в течение 10-150 с.
|
||
|
292
|
Патент 2645680
|
Изобретение относится к палладиевому комплексу, а именно к дихлориду ди(фенилацетонитрил)палладия. Комплекс имеет структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000003.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Также предложен способ его получения. Данный палладиевый комплекс может быть применен в качестве катализатора в органическом синтезе . Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
Основное назначение
Изобретение относится к палладиевому комплексу, а именно к дихлориду ди(фенилацетонитрил)палладия. Комплекс имеет структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000003.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Также предложен способ его получения. Данный палладиевый комплекс может быть применен в качестве катализатора в органическом синтезе . Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
. Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
Основное назначение
. Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
|
||
|
293
|
Патент 2646104
|
Изобретение относится к области биохимии. Предложен способ получения гранулированного биокатализатора на основе иммобилизованных клеток дрожжей. Способ включает наращивание биомассы дрожжей Yarrowia lipolytica ВКПМ Y-3600, отделение биомассы, лиофильную сушку биомассы, приготовление суспензии биомассы, путем добавления натрий-фосфатного буфера к биомассе, получение полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой и добавление додецилового спирта к полиакриламидному гелю с биомассой для образования гранул с иммобилизованной биомассой. Причем для получения полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой осуществляют смешение суспензии биомассы с гранулированным порошком полиакриламида марки Superfloc® N-300. Изобретение обеспечивает ускорение и упрощение способа получения биокатализатора. 1. Способ получения гранулированного биокатализатора на основе иммобилизованных клеток дрожжей, характеризующийся тем, что включает наращивание биомассы дрожжей вида Yarrowia lipolytica ВКПМ Y-3600 - продуцента клеточно-связанной липазы, отделение биомассы, лиофильную сушку биомассы, приготовление суспензии биомассы путем добавления натрий-фосфатного буфера к биомассе, получение полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой, причем для этого осуществляют смешение суспензии биомассы с гранулированным порошком полиакриламида марки Superfloc® N-300, и последующее добавление додецилового спирта к полиакриламидному гелю с биомассой для образования гранул с иммобилизованной биомассой.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления суспензии биомассы в полиакриламид в соотношении 0,7 мл на 0,1 г.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления полиакриламида в суспензию биомассы в соотношении 0,1 г на 0,7 мл.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят в течение не менее 24 часов при периодическом перемешивании не менее 2 раз.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят через 15-20 мин после иммобилизации биомассы в полиакриламидном геле.
Основное назначение
Изобретение относится к области биохимии. Предложен способ получения гранулированного биокатализатора на основе иммобилизованных клеток дрожжей. Способ включает наращивание биомассы дрожжей Yarrowia lipolytica ВКПМ Y-3600, отделение биомассы, лиофильную сушку биомассы, приготовление суспензии биомассы, путем добавления натрий-фосфатного буфера к биомассе, получение полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой и добавление додецилового спирта к полиакриламидному гелю с биомассой для образования гранул с иммобилизованной биомассой. Причем для получения полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой осуществляют смешение суспензии биомассы с гранулированным порошком полиакриламида марки Superfloc® N-300. Изобретение обеспечивает ускорение и упрощение способа получения биокатализатора. 1. Способ получения гранулированного биокатализатора на основе иммобилизованных клеток дрожжей, характеризующийся тем, что включает наращивание биомассы дрожжей вида Yarrowia lipolytica ВКПМ Y-3600 - продуцента клеточно-связанной липазы, отделение биомассы, лиофильную сушку биомассы, приготовление суспензии биомассы путем добавления натрий-фосфатного буфера к биомассе, получение полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой, причем для этого осуществляют смешение суспензии биомассы с гранулированным порошком полиакриламида марки Superfloc® N-300, и последующее добавление додецилового спирта к полиакриламидному гелю с биомассой для образования гранул с иммобилизованной биомассой.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления суспензии биомассы в полиакриламид в соотношении 0,7 мл на 0,1 г.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления полиакриламида в суспензию биомассы в соотношении 0,1 г на 0,7 мл.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят в течение не менее 24 часов при периодическом перемешивании не менее 2 раз.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят через 15-20 мин после иммобилизации биомассы в полиакриламидном геле.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ получения гранулированного биокатализатора на основе иммобилизованных клеток дрожжей, характеризующийся тем, что включает наращивание биомассы дрожжей вида Yarrowia lipolytica ВКПМ Y-3600 - продуцента клеточно-связанной липазы, отделение биомассы, лиофильную сушку биомассы, приготовление суспензии биомассы путем добавления натрий-фосфатного буфера к биомассе, получение полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой, причем для этого осуществляют смешение суспензии биомассы с гранулированным порошком полиакриламида марки Superfloc® N-300, и последующее добавление додецилового спирта к полиакриламидному гелю с биомассой для образования гранул с иммобилизованной биомассой.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления суспензии биомассы в полиакриламид в соотношении 0,7 мл на 0,1 г.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления полиакриламида в суспензию биомассы в соотношении 0,1 г на 0,7 мл.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят в течение не менее 24 часов при периодическом перемешивании не менее 2 раз.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят через 15-20 мин после иммобилизации биомассы в полиакриламидном геле.
Основное назначение
1. Способ получения гранулированного биокатализатора на основе иммобилизованных клеток дрожжей, характеризующийся тем, что включает наращивание биомассы дрожжей вида Yarrowia lipolytica ВКПМ Y-3600 - продуцента клеточно-связанной липазы, отделение биомассы, лиофильную сушку биомассы, приготовление суспензии биомассы путем добавления натрий-фосфатного буфера к биомассе, получение полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой, причем для этого осуществляют смешение суспензии биомассы с гранулированным порошком полиакриламида марки Superfloc® N-300, и последующее добавление додецилового спирта к полиакриламидному гелю с биомассой для образования гранул с иммобилизованной биомассой.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления суспензии биомассы в полиакриламид в соотношении 0,7 мл на 0,1 г.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешение суспензии биомассы с полиакриламидом осуществляют путем добавления полиакриламида в суспензию биомассы в соотношении 0,1 г на 0,7 мл.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят в течение не менее 24 часов при периодическом перемешивании не менее 2 раз.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку полиакриламидного геля с иммобилизованной биомассой додециловым спиртом проводят через 15-20 мин после иммобилизации биомассы в полиакриламидном геле.
|
||
|
294
|
Патент 2646224
|
Изобретение относится к комплексу тетрахлорида титана с N-метилформанилидом формулы:
http://www1.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.02/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000007-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Также предложен способ получения такого комплекса. Комплекс может использоваться в качестве исходного продукта при сольвотермальном синтезе титаноксидных соединений. 1. Комплекс тетрахлорида титана с N-метилформанилидом формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg
в качестве исходного продукта при сольвотермальном синтезе титаноксидных соединений.
2. Способ получения комплекса тетрахлорида титана с N-метилформанилидом структурной формулы: Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана, используемыми в виде их растворов в насыщенных галоидуглеводородах в количествах, соответствующих 2,5 кратному мольному избытку N-метилформанилида по отношению к тетрахлориду титана, который осуществляют прикапыванием при интенсивном перемешивании раствора тетрахлорида титана к раствору N-метилформанилина, с последующим интенсивным перемешиванием кипящей реакционной массы, охлаждением и выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой растворителем и вакуумной сушкой.
3. Способ по п. 2, осуществляемый взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана в виде их растворов в растворителях, предпочтительно выбранных из группы следующих соединений: четыреххлористый углерод, дихлорметан, трихлорметан.
Основное назначение
Изобретение относится к комплексу тетрахлорида титана с N-метилформанилидом формулы:
http://www1.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.02/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000007-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Также предложен способ получения такого комплекса. Комплекс может использоваться в качестве исходного продукта при сольвотермальном синтезе титаноксидных соединений. 1. Комплекс тетрахлорида титана с N-метилформанилидом формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg
в качестве исходного продукта при сольвотермальном синтезе титаноксидных соединений.
2. Способ получения комплекса тетрахлорида титана с N-метилформанилидом структурной формулы: Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана, используемыми в виде их растворов в насыщенных галоидуглеводородах в количествах, соответствующих 2,5 кратному мольному избытку N-метилформанилида по отношению к тетрахлориду титана, который осуществляют прикапыванием при интенсивном перемешивании раствора тетрахлорида титана к раствору N-метилформанилина, с последующим интенсивным перемешиванием кипящей реакционной массы, охлаждением и выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой растворителем и вакуумной сушкой.
3. Способ по п. 2, осуществляемый взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана в виде их растворов в растворителях, предпочтительно выбранных из группы следующих соединений: четыреххлористый углерод, дихлорметан, трихлорметан.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
1. Комплекс тетрахлорида титана с N-метилформанилидом формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg
в качестве исходного продукта при сольвотермальном синтезе титаноксидных соединений.
2. Способ получения комплекса тетрахлорида титана с N-метилформанилидом структурной формулы: Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана, используемыми в виде их растворов в насыщенных галоидуглеводородах в количествах, соответствующих 2,5 кратному мольному избытку N-метилформанилида по отношению к тетрахлориду титана, который осуществляют прикапыванием при интенсивном перемешивании раствора тетрахлорида титана к раствору N-метилформанилина, с последующим интенсивным перемешиванием кипящей реакционной массы, охлаждением и выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой растворителем и вакуумной сушкой.
3. Способ по п. 2, осуществляемый взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана в виде их растворов в растворителях, предпочтительно выбранных из группы следующих соединений: четыреххлористый углерод, дихлорметан, трихлорметан.
Основное назначение
1. Комплекс тетрахлорида титана с N-метилформанилидом формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg
в качестве исходного продукта при сольвотермальном синтезе титаноксидных соединений.
2. Способ получения комплекса тетрахлорида титана с N-метилформанилидом структурной формулы: Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) https://www1.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/646/224/ИЗ-02646224-00001/00000005.jpg взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана, используемыми в виде их растворов в насыщенных галоидуглеводородах в количествах, соответствующих 2,5 кратному мольному избытку N-метилформанилида по отношению к тетрахлориду титана, который осуществляют прикапыванием при интенсивном перемешивании раствора тетрахлорида титана к раствору N-метилформанилина, с последующим интенсивным перемешиванием кипящей реакционной массы, охлаждением и выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой растворителем и вакуумной сушкой.
3. Способ по п. 2, осуществляемый взаимодействием N-метилформанилина с тетрахлоридом титана в виде их растворов в растворителях, предпочтительно выбранных из группы следующих соединений: четыреххлористый углерод, дихлорметан, трихлорметан.
|
||
|
295
|
Патент 2646416
|
Изобретение может быть использовано при производстве катализаторов, присадок к дизельному топливу, люминофоров, а также в оптическом стекловарении. Для осуществления способа проводят обработку высокочистого диоксида церия при 70-80оС концентрированной азотной кислотой, содержащей 1,5-5 мас.% плавиковой кислоты от стехиометрического, последующее добавление перекиси водорода в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества, нагрев реакционной массы до 90-100°С при перемешивании, охлаждение и фильтрацию полученного раствора. Затем фильтрат, содержащий нитрат церия, нагревают до 50-60°С, добавляют щавелевую кислоту в избытке 10-20% относительно стехиометрического количества. Выпавший осадок оксалата церия подвергают термообработке на воздухе при 320-370°С. Продукт термообработки растворяют при 80-90°С в концентрированной азотной кислоте, используемой в избытке 5-20% от стехиометрического количества, и при добавлении перекиси водорода, взятой в 1,5-5 кратном избытке от стехиометрического количества по отношению к диоксиду церия до образования конечного продукта - водного раствора нитрата церия(III). Способ обеспечивает получение высокочистого продукта, удовлетворяющего требованиям современных отраслей техники. Способ получения высокочистого раствора нитрата церия(III), включающий следующие последовательные стадии процесса: обработку высокочистого диоксида церия при 70-80oС концентрированной азотной кислотой, содержащей 1,5-5 мас.% плавиковой кислоты от стехиометрического, и последующее добавление перекиси водорода в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества, нагрев реакционной массы до 90-100°С при перемешивании, охлаждение и фильтрацию полученного раствора, нагревание его до 50-60°С и добавление к нему щавелевой кислоты в избытке 10-20% относительно стехиометрического количества, отделение и термообработку выпавшего осадка на воздухе при 320-370°С и последующее растворение продукта термообработки при 80-90°С в концентрированной азотной кислоте, используемой в избытке 5-20% от стехиометрического количества и при добавлении перекиси водорода, взятой в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества по отношению к диоксиду церия до образования конечного продукта.
Основное назначение
Изобретение может быть использовано при производстве катализаторов, присадок к дизельному топливу, люминофоров, а также в оптическом стекловарении. Для осуществления способа проводят обработку высокочистого диоксида церия при 70-80оС концентрированной азотной кислотой, содержащей 1,5-5 мас.% плавиковой кислоты от стехиометрического, последующее добавление перекиси водорода в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества, нагрев реакционной массы до 90-100°С при перемешивании, охлаждение и фильтрацию полученного раствора. Затем фильтрат, содержащий нитрат церия, нагревают до 50-60°С, добавляют щавелевую кислоту в избытке 10-20% относительно стехиометрического количества. Выпавший осадок оксалата церия подвергают термообработке на воздухе при 320-370°С. Продукт термообработки растворяют при 80-90°С в концентрированной азотной кислоте, используемой в избытке 5-20% от стехиометрического количества, и при добавлении перекиси водорода, взятой в 1,5-5 кратном избытке от стехиометрического количества по отношению к диоксиду церия до образования конечного продукта - водного раствора нитрата церия(III). Способ обеспечивает получение высокочистого продукта, удовлетворяющего требованиям современных отраслей техники. Способ получения высокочистого раствора нитрата церия(III), включающий следующие последовательные стадии процесса: обработку высокочистого диоксида церия при 70-80oС концентрированной азотной кислотой, содержащей 1,5-5 мас.% плавиковой кислоты от стехиометрического, и последующее добавление перекиси водорода в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества, нагрев реакционной массы до 90-100°С при перемешивании, охлаждение и фильтрацию полученного раствора, нагревание его до 50-60°С и добавление к нему щавелевой кислоты в избытке 10-20% относительно стехиометрического количества, отделение и термообработку выпавшего осадка на воздухе при 320-370°С и последующее растворение продукта термообработки при 80-90°С в концентрированной азотной кислоте, используемой в избытке 5-20% от стехиометрического количества и при добавлении перекиси водорода, взятой в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества по отношению к диоксиду церия до образования конечного продукта.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
Способ получения высокочистого раствора нитрата церия(III), включающий следующие последовательные стадии процесса: обработку высокочистого диоксида церия при 70-80oС концентрированной азотной кислотой, содержащей 1,5-5 мас.% плавиковой кислоты от стехиометрического, и последующее добавление перекиси водорода в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества, нагрев реакционной массы до 90-100°С при перемешивании, охлаждение и фильтрацию полученного раствора, нагревание его до 50-60°С и добавление к нему щавелевой кислоты в избытке 10-20% относительно стехиометрического количества, отделение и термообработку выпавшего осадка на воздухе при 320-370°С и последующее растворение продукта термообработки при 80-90°С в концентрированной азотной кислоте, используемой в избытке 5-20% от стехиометрического количества и при добавлении перекиси водорода, взятой в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества по отношению к диоксиду церия до образования конечного продукта.
Основное назначение
Способ получения высокочистого раствора нитрата церия(III), включающий следующие последовательные стадии процесса: обработку высокочистого диоксида церия при 70-80oС концентрированной азотной кислотой, содержащей 1,5-5 мас.% плавиковой кислоты от стехиометрического, и последующее добавление перекиси водорода в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества, нагрев реакционной массы до 90-100°С при перемешивании, охлаждение и фильтрацию полученного раствора, нагревание его до 50-60°С и добавление к нему щавелевой кислоты в избытке 10-20% относительно стехиометрического количества, отделение и термообработку выпавшего осадка на воздухе при 320-370°С и последующее растворение продукта термообработки при 80-90°С в концентрированной азотной кислоте, используемой в избытке 5-20% от стехиометрического количества и при добавлении перекиси водорода, взятой в 1,5-5-кратном избытке от стехиометрического количества по отношению к диоксиду церия до образования конечного продукта.
|
||
|
296
|
Патент 2646795
|
Изобретение относится к медицине и касается коротких пептидов, обладающих цитотоксическим действием, общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу; R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил. Изобретение обеспечивает высокую устойчивостью пептидов к ферментативному разложению; возможность как орального, так и парентерального введения в организм. 1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и касается коротких пептидов, обладающих цитотоксическим действием, общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу; R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил. Изобретение обеспечивает высокую устойчивостью пептидов к ферментативному разложению; возможность как орального, так и парентерального введения в организм. 1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
Основное назначение
1. Короткий пептид, обладающий цитотоксическим действием, общей формулы:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.07/RUNWC1/000/000/002/646/795/ИЗ-02646795-00001/00000007-m.jpg
где R1 представляет собой Н или трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой 1-аминоадамантильную, 1-амино-(1-адамантил)этильную группу;
R3 представляет собой R4-Cys(R5)- или 3-R4-тиазолидин-4-карбонил,
где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил или ацетомидометил.
2. Короткий пептид, обладающий цитотоксической активностью по п. 1, выбранный из группы:
Boc-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-(1 адамантил)-этиламид
Boc-Cys(Boc)-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-1-адамантиламид,
Вос-Cys(Acm)-Phe-D-Trp-Lys(Вос)-Thr-1-адамантиламид,
Boc-Thz-Phe-D-Trp-Lys(Boc)-Thr-NH-1-адамантиламид,
где Boc обозначает трет-бутилкарбоксильную группу, Acm - ацетамидометильную группу,
Thz - остаток тиазолидин-4-карбоновой кислоты
|
||
|
297
|
Патент 2647222
|
Изобретение относится к способам контроля характеристик порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, полученных одним из известных способов, например, методами со-осаждения, твердофазного синтеза и др., и применяемых в качестве самостоятельного материала. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров содержит этапы, на которых возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами. Технический результат – упрощение пробоподготовки, повышение производительности и повышение точности измерений. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.
Основное назначение
Изобретение относится к способам контроля характеристик порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, полученных одним из известных способов, например, методами со-осаждения, твердофазного синтеза и др., и применяемых в качестве самостоятельного материала. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров содержит этапы, на которых возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами. Технический результат – упрощение пробоподготовки, повышение производительности и повышение точности измерений. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.
Основное назначение
Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.
|
||
|
298
|
Патент 2647546
|
Изобретение относится к строительной области, включая дорожное строительство, а также к смежным областям и непосредственно касается методов и устройств, используемых для определения устойчивости покрытий, применяемых в условиях воздействия климатических перепадов температур и воздействия противогололедных материалов. Предлагаемый способ осуществляется при попеременном нагревании-охлаждении исследуемых образцов, достигаемом при подключении модулей Пельтье при следующих показателях процесса: при количестве циклов охлаждения-нагрева не менее 2, напряжении на модулях Пельтье 5-12 В, диапазоне температур минус 30°С до плюс 30°С. Способ определения проводят по следующей схеме: образцы погружают в емкость с водой или противогололедным реагентом и помещают туда температурный датчик, теплоизолируют емкость с образцами, устанавливают температуру теплоносителя на уровне минус 20°С - минус 30°С, затем при подключении модулей Пельтье устанавливают температурный рабочий диапазон, лежащий в пределах минус 30°С до плюс 30°С, по окончании заданного количества циклов отключают блок управления и сопоставляют испытуемые образцы с исходными визуально и по величине капиллярного влагонасыщения. Для испытаний могут быть использованы пластины из стекла, керамики, металла, формованные бетонные изделия, образцы (керны) асфальтобетона с нанесенным покрытием для испытаний. Устройство для осуществления данного способа содержит криостат с плоским дном, выполненный из нержавеющей стали, внутреннюю ванну для образцов, выполненную из меди и погруженную в открытую часть криостата, внешнюю ванну, покрытую слоем термопасты и выполненную из меди или нержавеющей стали, также погруженную в криостат, модули Пельтье, имеющие силиконовое или эпоксидное покрытие и равномерно распределенные по всему дну внешней ванны, на которые устанавливается внутренняя ванна для образцов, теплоизоляцию, установленную между стенками внутренней и внешней ванн, крышку с теплоизоляцией, установленной на верху ванн, термодатчик, вставленный в крышку с теплоизоляцией, блок питания с регулятором напряжения. Технический результат – повышение быстродействия процесса определения устойчивости покрытий и повышение точности получаемых результатов. 1. Способ определения устойчивости покрытий в условиях воздействия перепадов температуры и/или противогололедных материалов, осуществляемый при попеременном нагревании-охлаждении исследуемых образцов, отличающийся тем, что попеременное нагревание-охлаждение достигается при подключении модулей Пельтье при следующих показателях процесса: при количестве циклов охлаждения-нагрева не менее 2, напряжении на модулях Пельтье 5-12 В, диапазоне температур от минус 30°C до плюс 30°C и при этом процесс проводят по следующей схеме: образцы погружают в емкость с водой или противогололедным реагентом и помещают туда температурный датчик, теплоизолируют емкость с образцами, устанавливают температуру теплоносителя на уровне минус 20° - минус 30°C, затем при подключении модулей Пельтье устанавливают температурный рабочий диапазон, лежащий в пределах от минус 30°C до плюс 30°C, по окончании заданного количества циклов отключают блок управления и сопоставляют испытуемые образцы с исходными визуально и по величине капиллярного влагонасыщения.
2. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве низкотемпературного теплоносителя растворители с температурой кипения более 100°C и температурой плавления ниже 50°C.
3. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве образцов для испытаний могут быть пластины из стекла, керамики, металла, формованные бетонные изделия, образцы (керны) асфальтобетона с нанесенным покрытием для испытаний.
4. Устройство для осуществления способа определения устойчивости покрытий, содержащее криостат с плоским дном, выполненный из нержавеющей стали, внутреннюю ванну для образцов, выполненную из меди и погруженную в открытую часть криостата, внешнюю ванну, покрытую слоем термопасты и выполненную из меди или нержавеющей стали, также погруженную в криостат, модули Пельтье, равномерно распределенные по всему дну внешней ванны, на которые устанавливается внутренняя ванна для образцов, теплоизоляцию, установленную между стенками внутренней и внешней ванн, крышку с теплоизоляцией, установленную на верхнюю часть ванн, термодатчик, вставленный в крышку с теплоизоляцией, блок питания с регулятором напряжения.
5. Устройство по п. 4, характеризующееся тем, что термопаста, наносимая на внешнюю ванну, имеет удельную теплопроводность не ниже 4 Вт/мК.
6. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье устанавливаются в количестве, необходимом для обеспечения соотношения площади охлаждаемой поверхности к модулям Пельтье не более 4.
7. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье имеют силиконовое или эпоксидное покрытие.
Основное назначение
Изобретение относится к строительной области, включая дорожное строительство, а также к смежным областям и непосредственно касается методов и устройств, используемых для определения устойчивости покрытий, применяемых в условиях воздействия климатических перепадов температур и воздействия противогололедных материалов. Предлагаемый способ осуществляется при попеременном нагревании-охлаждении исследуемых образцов, достигаемом при подключении модулей Пельтье при следующих показателях процесса: при количестве циклов охлаждения-нагрева не менее 2, напряжении на модулях Пельтье 5-12 В, диапазоне температур минус 30°С до плюс 30°С. Способ определения проводят по следующей схеме: образцы погружают в емкость с водой или противогололедным реагентом и помещают туда температурный датчик, теплоизолируют емкость с образцами, устанавливают температуру теплоносителя на уровне минус 20°С - минус 30°С, затем при подключении модулей Пельтье устанавливают температурный рабочий диапазон, лежащий в пределах минус 30°С до плюс 30°С, по окончании заданного количества циклов отключают блок управления и сопоставляют испытуемые образцы с исходными визуально и по величине капиллярного влагонасыщения. Для испытаний могут быть использованы пластины из стекла, керамики, металла, формованные бетонные изделия, образцы (керны) асфальтобетона с нанесенным покрытием для испытаний. Устройство для осуществления данного способа содержит криостат с плоским дном, выполненный из нержавеющей стали, внутреннюю ванну для образцов, выполненную из меди и погруженную в открытую часть криостата, внешнюю ванну, покрытую слоем термопасты и выполненную из меди или нержавеющей стали, также погруженную в криостат, модули Пельтье, имеющие силиконовое или эпоксидное покрытие и равномерно распределенные по всему дну внешней ванны, на которые устанавливается внутренняя ванна для образцов, теплоизоляцию, установленную между стенками внутренней и внешней ванн, крышку с теплоизоляцией, установленной на верху ванн, термодатчик, вставленный в крышку с теплоизоляцией, блок питания с регулятором напряжения. Технический результат – повышение быстродействия процесса определения устойчивости покрытий и повышение точности получаемых результатов. 1. Способ определения устойчивости покрытий в условиях воздействия перепадов температуры и/или противогололедных материалов, осуществляемый при попеременном нагревании-охлаждении исследуемых образцов, отличающийся тем, что попеременное нагревание-охлаждение достигается при подключении модулей Пельтье при следующих показателях процесса: при количестве циклов охлаждения-нагрева не менее 2, напряжении на модулях Пельтье 5-12 В, диапазоне температур от минус 30°C до плюс 30°C и при этом процесс проводят по следующей схеме: образцы погружают в емкость с водой или противогололедным реагентом и помещают туда температурный датчик, теплоизолируют емкость с образцами, устанавливают температуру теплоносителя на уровне минус 20° - минус 30°C, затем при подключении модулей Пельтье устанавливают температурный рабочий диапазон, лежащий в пределах от минус 30°C до плюс 30°C, по окончании заданного количества циклов отключают блок управления и сопоставляют испытуемые образцы с исходными визуально и по величине капиллярного влагонасыщения.
2. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве низкотемпературного теплоносителя растворители с температурой кипения более 100°C и температурой плавления ниже 50°C.
3. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве образцов для испытаний могут быть пластины из стекла, керамики, металла, формованные бетонные изделия, образцы (керны) асфальтобетона с нанесенным покрытием для испытаний.
4. Устройство для осуществления способа определения устойчивости покрытий, содержащее криостат с плоским дном, выполненный из нержавеющей стали, внутреннюю ванну для образцов, выполненную из меди и погруженную в открытую часть криостата, внешнюю ванну, покрытую слоем термопасты и выполненную из меди или нержавеющей стали, также погруженную в криостат, модули Пельтье, равномерно распределенные по всему дну внешней ванны, на которые устанавливается внутренняя ванна для образцов, теплоизоляцию, установленную между стенками внутренней и внешней ванн, крышку с теплоизоляцией, установленную на верхнюю часть ванн, термодатчик, вставленный в крышку с теплоизоляцией, блок питания с регулятором напряжения.
5. Устройство по п. 4, характеризующееся тем, что термопаста, наносимая на внешнюю ванну, имеет удельную теплопроводность не ниже 4 Вт/мК.
6. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье устанавливаются в количестве, необходимом для обеспечения соотношения площади охлаждаемой поверхности к модулям Пельтье не более 4.
7. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье имеют силиконовое или эпоксидное покрытие.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
1. Способ определения устойчивости покрытий в условиях воздействия перепадов температуры и/или противогололедных материалов, осуществляемый при попеременном нагревании-охлаждении исследуемых образцов, отличающийся тем, что попеременное нагревание-охлаждение достигается при подключении модулей Пельтье при следующих показателях процесса: при количестве циклов охлаждения-нагрева не менее 2, напряжении на модулях Пельтье 5-12 В, диапазоне температур от минус 30°C до плюс 30°C и при этом процесс проводят по следующей схеме: образцы погружают в емкость с водой или противогололедным реагентом и помещают туда температурный датчик, теплоизолируют емкость с образцами, устанавливают температуру теплоносителя на уровне минус 20° - минус 30°C, затем при подключении модулей Пельтье устанавливают температурный рабочий диапазон, лежащий в пределах от минус 30°C до плюс 30°C, по окончании заданного количества циклов отключают блок управления и сопоставляют испытуемые образцы с исходными визуально и по величине капиллярного влагонасыщения.
2. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве низкотемпературного теплоносителя растворители с температурой кипения более 100°C и температурой плавления ниже 50°C.
3. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве образцов для испытаний могут быть пластины из стекла, керамики, металла, формованные бетонные изделия, образцы (керны) асфальтобетона с нанесенным покрытием для испытаний.
4. Устройство для осуществления способа определения устойчивости покрытий, содержащее криостат с плоским дном, выполненный из нержавеющей стали, внутреннюю ванну для образцов, выполненную из меди и погруженную в открытую часть криостата, внешнюю ванну, покрытую слоем термопасты и выполненную из меди или нержавеющей стали, также погруженную в криостат, модули Пельтье, равномерно распределенные по всему дну внешней ванны, на которые устанавливается внутренняя ванна для образцов, теплоизоляцию, установленную между стенками внутренней и внешней ванн, крышку с теплоизоляцией, установленную на верхнюю часть ванн, термодатчик, вставленный в крышку с теплоизоляцией, блок питания с регулятором напряжения.
5. Устройство по п. 4, характеризующееся тем, что термопаста, наносимая на внешнюю ванну, имеет удельную теплопроводность не ниже 4 Вт/мК.
6. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье устанавливаются в количестве, необходимом для обеспечения соотношения площади охлаждаемой поверхности к модулям Пельтье не более 4.
7. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье имеют силиконовое или эпоксидное покрытие.
Основное назначение
1. Способ определения устойчивости покрытий в условиях воздействия перепадов температуры и/или противогололедных материалов, осуществляемый при попеременном нагревании-охлаждении исследуемых образцов, отличающийся тем, что попеременное нагревание-охлаждение достигается при подключении модулей Пельтье при следующих показателях процесса: при количестве циклов охлаждения-нагрева не менее 2, напряжении на модулях Пельтье 5-12 В, диапазоне температур от минус 30°C до плюс 30°C и при этом процесс проводят по следующей схеме: образцы погружают в емкость с водой или противогололедным реагентом и помещают туда температурный датчик, теплоизолируют емкость с образцами, устанавливают температуру теплоносителя на уровне минус 20° - минус 30°C, затем при подключении модулей Пельтье устанавливают температурный рабочий диапазон, лежащий в пределах от минус 30°C до плюс 30°C, по окончании заданного количества циклов отключают блок управления и сопоставляют испытуемые образцы с исходными визуально и по величине капиллярного влагонасыщения.
2. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве низкотемпературного теплоносителя растворители с температурой кипения более 100°C и температурой плавления ниже 50°C.
3. Способ по п. 1, осуществляемый при использовании в качестве образцов для испытаний могут быть пластины из стекла, керамики, металла, формованные бетонные изделия, образцы (керны) асфальтобетона с нанесенным покрытием для испытаний.
4. Устройство для осуществления способа определения устойчивости покрытий, содержащее криостат с плоским дном, выполненный из нержавеющей стали, внутреннюю ванну для образцов, выполненную из меди и погруженную в открытую часть криостата, внешнюю ванну, покрытую слоем термопасты и выполненную из меди или нержавеющей стали, также погруженную в криостат, модули Пельтье, равномерно распределенные по всему дну внешней ванны, на которые устанавливается внутренняя ванна для образцов, теплоизоляцию, установленную между стенками внутренней и внешней ванн, крышку с теплоизоляцией, установленную на верхнюю часть ванн, термодатчик, вставленный в крышку с теплоизоляцией, блок питания с регулятором напряжения.
5. Устройство по п. 4, характеризующееся тем, что термопаста, наносимая на внешнюю ванну, имеет удельную теплопроводность не ниже 4 Вт/мК.
6. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье устанавливаются в количестве, необходимом для обеспечения соотношения площади охлаждаемой поверхности к модулям Пельтье не более 4.
7. Устройство по п. 4, в котором модули Пельтье имеют силиконовое или эпоксидное покрытие.
|
||
|
299
|
Патент 2647887
|
Изобретение относится к источникам газовых ионов, применяемых в ускорителях заряженных частиц. Дуоплазматронный источник газовых ионов состоит из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии. Между анодом и промежуточным электродом размещен трубчатый металлический цилиндр, один торец которого закреплен на промежуточном электроде, а противоположный торец перекрыт диафрагмой с отверстием, площадь которого выбирают меньше площади внутренней поверхности трубчатого металлического цилиндра как отношение корня квадратного удвоенной массы электрона к корню квадратному массы иона рабочего газа. Технический результат - увеличение фазовой плотности тока инжектируемого ионного пучка. Дуоплазматронный источник газовых ионов, состоящий из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии, отличающийся тем, что между анодом и промежуточным электродом размещен трубчатый металлический цилиндр, один торец которого закреплен на промежуточном электроде, а противоположный торец перекрыт диафрагмой с отверстием, площадь которого выбирают меньше площади внутренней поверхности трубчатого металлического цилиндра как отношение корня квадратного удвоенной массы электрона к корню квадратному массы иона рабочего газа.
Основное назначение
Изобретение относится к источникам газовых ионов, применяемых в ускорителях заряженных частиц. Дуоплазматронный источник газовых ионов состоит из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии. Между анодом и промежуточным электродом размещен трубчатый металлический цилиндр, один торец которого закреплен на промежуточном электроде, а противоположный торец перекрыт диафрагмой с отверстием, площадь которого выбирают меньше площади внутренней поверхности трубчатого металлического цилиндра как отношение корня квадратного удвоенной массы электрона к корню квадратному массы иона рабочего газа. Технический результат - увеличение фазовой плотности тока инжектируемого ионного пучка. Дуоплазматронный источник газовых ионов, состоящий из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии, отличающийся тем, что между анодом и промежуточным электродом размещен трубчатый металлический цилиндр, один торец которого закреплен на промежуточном электроде, а противоположный торец перекрыт диафрагмой с отверстием, площадь которого выбирают меньше площади внутренней поверхности трубчатого металлического цилиндра как отношение корня квадратного удвоенной массы электрона к корню квадратному массы иона рабочего газа.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
|
Дуоплазматронный источник газовых ионов, состоящий из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии, отличающийся тем, что между анодом и промежуточным электродом размещен трубчатый металлический цилиндр, один торец которого закреплен на промежуточном электроде, а противоположный торец перекрыт диафрагмой с отверстием, площадь которого выбирают меньше площади внутренней поверхности трубчатого металлического цилиндра как отношение корня квадратного удвоенной массы электрона к корню квадратному массы иона рабочего газа.
Основное назначение
Дуоплазматронный источник газовых ионов, состоящий из соосно расположенных: катода, промежуточного электрода с отверстием и анода с отверстием эмиссии, отличающийся тем, что между анодом и промежуточным электродом размещен трубчатый металлический цилиндр, один торец которого закреплен на промежуточном электроде, а противоположный торец перекрыт диафрагмой с отверстием, площадь которого выбирают меньше площади внутренней поверхности трубчатого металлического цилиндра как отношение корня квадратного удвоенной массы электрона к корню квадратному массы иона рабочего газа.
|
||
|
300
|
Патент 2648357
|
Изобретение относится к медицине и касается короткого пептида с цитотоксической активностью общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу; R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил. Изобретение обеспечивает высокую цитотоксическую активность и устойчивость к ферментативному разложению, что дает возможность орального введения в организм, дополнительно к парентеральному, осуществляемому подкожно, внутривенно, внутримышечно и внутрибрюшинно Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине и касается короткого пептида с цитотоксической активностью общей формулы R3-Phe-D-Trp-Lys(R1)-Thr-R2, где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил; R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу; R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил; R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил. Изобретение обеспечивает высокую цитотоксическую активность и устойчивость к ферментативному разложению, что дает возможность орального введения в организм, дополнительно к парентеральному, осуществляемому подкожно, внутривенно, внутримышечно и внутрибрюшинно Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
Основное назначение
Короткий пептид с цитотоксической активностью общей формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2018.03.23/RUNWC1/000/000/002/648/357/ИЗ-02648357-00001/00000008-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
где R1 представляет собой Н, трет-бутилоксикарбонил;
R2 представляет собой гидрокси, метокси, амино, гидроксиамино, аминобензильную, 1-аминонафтильную группу;
R3 - трет-бутилоксикарбонил-Cys(R4) или 3-R5-тиазолидин-4-карбонил, где R4 - Н или трет-бутилоксикарбонил, ацетамидометил;
R5 - Н или трет-бутилоксикарбонил.
|
||