|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
21
|
Патент 2363068
|
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
|
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
Основное назначение
Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт") (RU)
|
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
|
||
|
22
|
Патент 2371379
|
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
|
||
|
23
|
Патент 2372676
|
Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к конструкциям тепловыделяющих сборок (ТВС) канальных ядерных реакторов РБМК (реактор большой мощности канальный), использующих в своем составе ядерное топливо на основе двуокиси урана с выгорающим поглотителем в виде окиси эрбия. Тепловыделяющая сборка канального ядерного реактора с профилированным топливом содержит тепловыделяющие элементы (ТВЭЛы), заполненные топливными таблетками из диоксида урана, обогащенною ураном-235, с добавлением оксида эрбия (Er2O3). В верхней и нижней частях ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 2,4 мас.% до 2,6 мас.% и содержит от 0,2 мас.% до 0,4 мас.% эрбия. В центральной части ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 3,0 мас.% до 3,3 мас.% и содержит от 0,6 мас.% до 0,8 мас.% эрбия. При использовании изобретения при загрузке в РБМК может быть повышена глубина выгорания топлива, снижен расход топливных сборок на подпитку реактора и объемы хранения отработавшего топлива, уменьшен паровой коэффициент реактивности и, тем самым, повышена экономичность и безопасность работы реактора. 3 з.п. ф-лы.
Основное назначение
Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к конструкциям тепловыделяющих сборок (ТВС) канальных ядерных реакторов РБМК (реактор большой мощности канальный), использующих в своем составе ядерное топливо на основе двуокиси урана с выгорающим поглотителем в виде окиси эрбия. Тепловыделяющая сборка канального ядерного реактора с профилированным топливом содержит тепловыделяющие элементы (ТВЭЛы), заполненные топливными таблетками из диоксида урана, обогащенною ураном-235, с добавлением оксида эрбия (Er2O3). В верхней и нижней частях ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 2,4 мас.% до 2,6 мас.% и содержит от 0,2 мас.% до 0,4 мас.% эрбия. В центральной части ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 3,0 мас.% до 3,3 мас.% и содержит от 0,6 мас.% до 0,8 мас.% эрбия. При использовании изобретения при загрузке в РБМК может быть повышена глубина выгорания топлива, снижен расход топливных сборок на подпитку реактора и объемы хранения отработавшего топлива, уменьшен паровой коэффициент реактивности и, тем самым, повышена экономичность и безопасность работы реактора. 3 з.п. ф-лы.
|
Открытое акционерное общество "Машиностроительный завод" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и конструкторский институт энерготехники имени Н.А.Доллежаля" (RU), Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU), Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" (RU)
Основное назначение
Открытое акционерное общество "Машиностроительный завод" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и конструкторский институт энерготехники имени Н.А.Доллежаля" (RU), Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU), Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" (RU)
|
Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к конструкциям тепловыделяющих сборок (ТВС) канальных ядерных реакторов РБМК (реактор большой мощности канальный), использующих в своем составе ядерное топливо на основе двуокиси урана с выгорающим поглотителем в виде окиси эрбия. Тепловыделяющая сборка канального ядерного реактора с профилированным топливом содержит тепловыделяющие элементы (ТВЭЛы), заполненные топливными таблетками из диоксида урана, обогащенною ураном-235, с добавлением оксида эрбия (Er2O3). В верхней и нижней частях ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 2,4 мас.% до 2,6 мас.% и содержит от 0,2 мас.% до 0,4 мас.% эрбия. В центральной части ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 3,0 мас.% до 3,3 мас.% и содержит от 0,6 мас.% до 0,8 мас.% эрбия. При использовании изобретения при загрузке в РБМК может быть повышена глубина выгорания топлива, снижен расход топливных сборок на подпитку реактора и объемы хранения отработавшего топлива, уменьшен паровой коэффициент реактивности и, тем самым, повышена экономичность и безопасность работы реактора. 3 з.п. ф-лы.
Основное назначение
Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к конструкциям тепловыделяющих сборок (ТВС) канальных ядерных реакторов РБМК (реактор большой мощности канальный), использующих в своем составе ядерное топливо на основе двуокиси урана с выгорающим поглотителем в виде окиси эрбия. Тепловыделяющая сборка канального ядерного реактора с профилированным топливом содержит тепловыделяющие элементы (ТВЭЛы), заполненные топливными таблетками из диоксида урана, обогащенною ураном-235, с добавлением оксида эрбия (Er2O3). В верхней и нижней частях ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 2,4 мас.% до 2,6 мас.% и содержит от 0,2 мас.% до 0,4 мас.% эрбия. В центральной части ТВС топливо имеет обогащение по урану-235 от 3,0 мас.% до 3,3 мас.% и содержит от 0,6 мас.% до 0,8 мас.% эрбия. При использовании изобретения при загрузке в РБМК может быть повышена глубина выгорания топлива, снижен расход топливных сборок на подпитку реактора и объемы хранения отработавшего топлива, уменьшен паровой коэффициент реактивности и, тем самым, повышена экономичность и безопасность работы реактора. 3 з.п. ф-лы.
|
||
|
24
|
Патент 2374704
|
Изобретение к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемы с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом является снижение энергозатрат на считывание хранящейся информации и ее перезапись. Устройство содержит немагнитную матрицу и размещенные в ней разбитые на столбцы и строки дискретные анизотропные однодоменные магнитные элементы для записи и хранения информации, средства для их перемагничивания, средства их нагрева для снижения коэрцитивной силы при перемагничивании и средства для считывания хранимой магнитными элементами информации в момент изменения их намагниченности при нагреве. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемы с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом является снижение энергозатрат на считывание хранящейся информации и ее перезапись. Устройство содержит немагнитную матрицу и размещенные в ней разбитые на столбцы и строки дискретные анизотропные однодоменные магнитные элементы для записи и хранения информации, средства для их перемагничивания, средства их нагрева для снижения коэрцитивной силы при перемагничивании и средства для считывания хранимой магнитными элементами информации в момент изменения их намагниченности при нагреве. 2 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемы с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом является снижение энергозатрат на считывание хранящейся информации и ее перезапись. Устройство содержит немагнитную матрицу и размещенные в ней разбитые на столбцы и строки дискретные анизотропные однодоменные магнитные элементы для записи и хранения информации, средства для их перемагничивания, средства их нагрева для снижения коэрцитивной силы при перемагничивании и средства для считывания хранимой магнитными элементами информации в момент изменения их намагниченности при нагреве. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемы с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом является снижение энергозатрат на считывание хранящейся информации и ее перезапись. Устройство содержит немагнитную матрицу и размещенные в ней разбитые на столбцы и строки дискретные анизотропные однодоменные магнитные элементы для записи и хранения информации, средства для их перемагничивания, средства их нагрева для снижения коэрцитивной силы при перемагничивании и средства для считывания хранимой магнитными элементами информации в момент изменения их намагниченности при нагреве. 2 ил.
|
||
|
25
|
Патент 2376677
|
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
|
||
|
26
|
Патент 2377246
|
Получено синтетическое производное пептида фталил-глицил-аггинил-пиперидида, проявляющее антикоагулянтную активность, оцененную путем ингибирования амидолитической активности тромбина в системе in vitro, и удлинение времени свертывания плазмы крови крыс в 2 раза по сравнению с контролем в тестах активированного частичного тромбопластинового времени и тромбинового времени, и имеющее формулу 1, включая фармацевтически приемлемые соли. 2 табл., 1 ил.
Основное назначение
Получено синтетическое производное пептида фталил-глицил-аггинил-пиперидида, проявляющее антикоагулянтную активность, оцененную путем ингибирования амидолитической активности тромбина в системе in vitro, и удлинение времени свертывания плазмы крови крыс в 2 раза по сравнению с контролем в тестах активированного частичного тромбопластинового времени и тромбинового времени, и имеющее формулу 1, включая фармацевтически приемлемые соли. 2 табл., 1 ил.
|
Государственное учреждение гематологический научный центр Российской академии медицинских наук (ГУ ГНЦ РАМН) (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП ГосНИИгенетика) (RU)
Основное назначение
Государственное учреждение гематологический научный центр Российской академии медицинских наук (ГУ ГНЦ РАМН) (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП ГосНИИгенетика) (RU)
|
Получено синтетическое производное пептида фталил-глицил-аггинил-пиперидида, проявляющее антикоагулянтную активность, оцененную путем ингибирования амидолитической активности тромбина в системе in vitro, и удлинение времени свертывания плазмы крови крыс в 2 раза по сравнению с контролем в тестах активированного частичного тромбопластинового времени и тромбинового времени, и имеющее формулу 1, включая фармацевтически приемлемые соли. 2 табл., 1 ил.
Основное назначение
Получено синтетическое производное пептида фталил-глицил-аггинил-пиперидида, проявляющее антикоагулянтную активность, оцененную путем ингибирования амидолитической активности тромбина в системе in vitro, и удлинение времени свертывания плазмы крови крыс в 2 раза по сравнению с контролем в тестах активированного частичного тромбопластинового времени и тромбинового времени, и имеющее формулу 1, включая фармацевтически приемлемые соли. 2 табл., 1 ил.
|
||
|
27
|
Патент 2377599
|
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в системах исследования радиоактивного распада нейтронов. Технический результат - повышение точности измерений. Для достижения данного результата в предложенном способе использована ступенчатая вариация потока радиоактивных частиц через область контроля, просматриваемую детектором частиц-продуктов распада. Многократно измеряются скорости счета частиц-продуктов на всех ступенях потока. Скорости счета пропорциональны числу исходных частиц в зоне видимости детектора с коэффициентом, равным константе распада. При k уровнях потока обеспечено столько же уровней чисел частиц, кратных наибольшему общему делителю. Предложена последовательность поиска шкалы для чисел частиц, которая позволяет определить этот параметр. 6 ил.
|
||
|
28
|
Патент 2377687
|
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. Лазерный источник ионов высокой зарядности состоит из мишени, лазера, пролетного канала, выполненного в виде металлической трубы, центральная продольная ось которого совпадает с первоначальным направлением гидродинамического движения плазменного потока от мишени, на поверхности которого установлены магниты таким образом, что они формируют внутри пролетного канала мультипольное магнитное поле, силовые линии которого перпендикулярны продольной оси пролетного канала, а напряженность этого поля, приближаясь к нулю на его центральной продольной оси, резко нарастает в области стенок пролетного канала и системы отбора ионов, установленной на центральной продольной оси в конце пролетного канала, причем магниты установлены в зоне между началом пролетного канала и точками, в которых лазерная плазма начинает касаться стенок пролетного канала таким образом, что пары магнитов находящиеся на диаметрально противоположных боковых сторонах пролетного канала формируют магнитные поля, силовые линии которых направлены в противоположные стороны, а поперечные размеры мишени меньше поперечных размеров пролетного канала, причем ее область, облучаемая лазером, располагается на центральной продольной оси пролетного канала и удалена от его начала. Технический результат - повышение тока высокозарядных ионов в ионном пучке, генерируемом лазерным источником ионов. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. Лазерный источник ионов высокой зарядности состоит из мишени, лазера, пролетного канала, выполненного в виде металлической трубы, центральная продольная ось которого совпадает с первоначальным направлением гидродинамического движения плазменного потока от мишени, на поверхности которого установлены магниты таким образом, что они формируют внутри пролетного канала мультипольное магнитное поле, силовые линии которого перпендикулярны продольной оси пролетного канала, а напряженность этого поля, приближаясь к нулю на его центральной продольной оси, резко нарастает в области стенок пролетного канала и системы отбора ионов, установленной на центральной продольной оси в конце пролетного канала, причем магниты установлены в зоне между началом пролетного канала и точками, в которых лазерная плазма начинает касаться стенок пролетного канала таким образом, что пары магнитов находящиеся на диаметрально противоположных боковых сторонах пролетного канала формируют магнитные поля, силовые линии которых направлены в противоположные стороны, а поперечные размеры мишени меньше поперечных размеров пролетного канала, причем ее область, облучаемая лазером, располагается на центральной продольной оси пролетного канала и удалена от его начала. Технический результат - повышение тока высокозарядных ионов в ионном пучке, генерируемом лазерным источником ионов. 3 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. Лазерный источник ионов высокой зарядности состоит из мишени, лазера, пролетного канала, выполненного в виде металлической трубы, центральная продольная ось которого совпадает с первоначальным направлением гидродинамического движения плазменного потока от мишени, на поверхности которого установлены магниты таким образом, что они формируют внутри пролетного канала мультипольное магнитное поле, силовые линии которого перпендикулярны продольной оси пролетного канала, а напряженность этого поля, приближаясь к нулю на его центральной продольной оси, резко нарастает в области стенок пролетного канала и системы отбора ионов, установленной на центральной продольной оси в конце пролетного канала, причем магниты установлены в зоне между началом пролетного канала и точками, в которых лазерная плазма начинает касаться стенок пролетного канала таким образом, что пары магнитов находящиеся на диаметрально противоположных боковых сторонах пролетного канала формируют магнитные поля, силовые линии которых направлены в противоположные стороны, а поперечные размеры мишени меньше поперечных размеров пролетного канала, причем ее область, облучаемая лазером, располагается на центральной продольной оси пролетного канала и удалена от его начала. Технический результат - повышение тока высокозарядных ионов в ионном пучке, генерируемом лазерным источником ионов. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к источникам ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц. Лазерный источник ионов высокой зарядности состоит из мишени, лазера, пролетного канала, выполненного в виде металлической трубы, центральная продольная ось которого совпадает с первоначальным направлением гидродинамического движения плазменного потока от мишени, на поверхности которого установлены магниты таким образом, что они формируют внутри пролетного канала мультипольное магнитное поле, силовые линии которого перпендикулярны продольной оси пролетного канала, а напряженность этого поля, приближаясь к нулю на его центральной продольной оси, резко нарастает в области стенок пролетного канала и системы отбора ионов, установленной на центральной продольной оси в конце пролетного канала, причем магниты установлены в зоне между началом пролетного канала и точками, в которых лазерная плазма начинает касаться стенок пролетного канала таким образом, что пары магнитов находящиеся на диаметрально противоположных боковых сторонах пролетного канала формируют магнитные поля, силовые линии которых направлены в противоположные стороны, а поперечные размеры мишени меньше поперечных размеров пролетного канала, причем ее область, облучаемая лазером, располагается на центральной продольной оси пролетного канала и удалена от его начала. Технический результат - повышение тока высокозарядных ионов в ионном пучке, генерируемом лазерным источником ионов. 3 ил.
|
||
|
29
|
Патент 2383944
|
Изобретение относится к технике производства магнитных носителей информации. Способ позволяет в процессе перемагничивания носителя повысить амплитуду и уменьшить длительность электромагнитного импульса. Для этого в способе формирования магнитного носителя подложку носителя деформируют путем приложения к ней растягивающих усилий вдоль одной оси. После этого напыляют на нее слой немагнитного вещества. Затем придают участкам напыленного слоя магнитные свойства за счет изменения их химического состава путем облучения ускоренными частицами, обеспечивающими селективное удаление требуемых атомов. Наконец, с подложки снимают растягивающие усилия. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технике производства магнитных носителей информации. Способ позволяет в процессе перемагничивания носителя повысить амплитуду и уменьшить длительность электромагнитного импульса. Для этого в способе формирования магнитного носителя подложку носителя деформируют путем приложения к ней растягивающих усилий вдоль одной оси. После этого напыляют на нее слой немагнитного вещества. Затем придают участкам напыленного слоя магнитные свойства за счет изменения их химического состава путем облучения ускоренными частицами, обеспечивающими селективное удаление требуемых атомов. Наконец, с подложки снимают растягивающие усилия. 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к технике производства магнитных носителей информации. Способ позволяет в процессе перемагничивания носителя повысить амплитуду и уменьшить длительность электромагнитного импульса. Для этого в способе формирования магнитного носителя подложку носителя деформируют путем приложения к ней растягивающих усилий вдоль одной оси. После этого напыляют на нее слой немагнитного вещества. Затем придают участкам напыленного слоя магнитные свойства за счет изменения их химического состава путем облучения ускоренными частицами, обеспечивающими селективное удаление требуемых атомов. Наконец, с подложки снимают растягивающие усилия. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технике производства магнитных носителей информации. Способ позволяет в процессе перемагничивания носителя повысить амплитуду и уменьшить длительность электромагнитного импульса. Для этого в способе формирования магнитного носителя подложку носителя деформируют путем приложения к ней растягивающих усилий вдоль одной оси. После этого напыляют на нее слой немагнитного вещества. Затем придают участкам напыленного слоя магнитные свойства за счет изменения их химического состава путем облучения ускоренными частицами, обеспечивающими селективное удаление требуемых атомов. Наконец, с подложки снимают растягивающие усилия. 1 ил.
|
||
|
30
|
Патент 2386186
|
Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||