Изобретения

Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения заключается в том, что сосредоточенным источником тепла является слой воды или слой водного раствор NaCl в концентрации до 5% вблизи торца оптического волокна, который недогрет до температуры насыщения. При этом диаметр волокна составляет 5-1000 мкм, а нагрев осуществляют импульсным лазерным излучением интенсивностью 1-500 кВт/см2, с длительностью импульса 4 нс - 10 мкс, частотой импульсов 1 Гц - 100 МГц с длиной волны в диапазоне 1,4-3 мкм. 2 ил.

Изобретение относится к технологическому процессу формирования оптических элементов из оптических материалов заданной формы поверхности. Согласно изобретению производят поиск оси вращения оптической детали как внутри апертуры этой детали, так и вне ее, находят глобальный минимум поверхности, перебирая доступные в геометрии установки положения оси вращения. Относительно каждой оси рассчитывают профиль травления, а затем выбирают ось вращения, обеспечивающую минимальный объем ошибки формы поверхности после травления. Изобретение обеспечивает максимальное уменьшение ошибки формы поверхности оптической детали, тем самым уменьшающего время обработки оптической детали. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных пленок. Устройство содержит корпус с размещенной внутри него теплоизоляцией, подложкодержатель и нагреватель, нагреватель содержит два дистанционно расположенных кварцевых кольца, вокруг которых расположены по окружности плотно прилегающие друг к другу цилиндрические трубки, через которые протянута проволока из жаропрочных материалов, выполняющая функцию нагревательной спирали. Кварцевые кольца, расположенные на концах нагревателя, имеют высоту 0,1-0,15Н, внутренний диаметр 1,2-1,3D и внешний диаметр 1,4-1,5D, высота нагревателя hH составляет 1,1-1,2Н, внутренний диаметр 1,4-1,5D и внешний диаметр 1,6-1,7D, где Н - высота подложкодержателя, а D - внешний диаметр подложкодержателя. Изобретение обеспечивает создание равномерного температурного поля в области расположения обрабатываемого материала и удобство сборки и обслуживания нагревателя. 3 ил.

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологиях, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Способ формирования проводящей структуры в диэлектрической матрице включает нанесение маски с отверстиями, образующими требуемый рисунок, на пленку или заготовку окисла металла или полупроводника, облучение маски (заготовки) потоком ускоренных протонов или атомов водорода и последующее воздействие на облученные участки кислородом, при этом отверстия в маске выполняют с аспектным соотношением, обеспечивающим получение элементов структуры меньшего размера, чем поперечный размер отверстий в маске. Изобретение направлено на создание условий, обеспечивающих формирование элементов структуры с размерами, существенно меньшими размеров отверстий в маске, включая создание элементов с размерами ~1 нм. 3 з.п. ф-лы, 5 табл., 1 ил.

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур и может быть использовано в нанотехнологии. Сущность изобретения: способ формирования проводников в наноструктурах включает нанесение на подложку исходного диэлектрического вещества, в молекулы которого входят атомы металла, полное удаление из него атомов неметалла в выбранных участках путем облучения диэлектрического вещества через маску пучком ускоренных частиц и повторное облучение этих же участков пучками ускоренных ионов или атомов неметаллов, входящих в состав исходного диэлектрического вещества с дозой, обеспечивающей уменьшение объема сформированных при первичном облучении металлических проводников. Техническим результатом изобретения является уменьшение размеров формируемых проводников, расширение используемых материалов, упрощение требований к соотношению размеров в маске. 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины. Способ получения радионуклида 212Pb включает эманирование газообразного радионуклида 220Rn из материала, содержащего смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, с последующим удалением радионуклида 220Rn потоком газа-носителя в объем накопителя. Раствор, содержащий смесь радионуклида 228Th и его дочерних продуктов распада, наносят на микрофильтрационную фторопластовую гидрофильную мембрану, проводят сушку мембраны, устанавливают ее в генератор и проводят обдув ламинарным потоком газа-носителя для выноса газообразного радионуклида 220Rn. Затем проводят смыв накопленного радионуклида 212Pb с внутренней поверхности накопителя. Устройство состоит из закрепленных болтовым соединением нижнего и верхнего фланцев, в проточки которых закреплен генератор, представляющий собой закрепленные в проточки верхний и нижний корпусы, в пространстве которых размещено отцентрованное с помощью вставки мембранное устройство. К верхнему и нижнему корпусам сваркой в центральной части приварены выходные штуцера, соединенные силиконовыми трубками со спиралевидным накопителем, а к нижнему корпусу сбоку сваркой приварен входной штуцер, соединенный силиконовыми трубками с мембранным компрессором и регулятором расхода газа. Техническим результатом является достижение высокой степени эманирования ? 95% 220Rn из источника, приводящее к повышению радионуклидной чистоты целевого радионуклида 212Pb. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения радионуклидов для ядерной медицины, в частности для терапии онкологических заболеваний. Раствор, содержащий радионуклиды торий-229, торий-228 и дочерние продукты распада тория-229 и тория-228, барботируют газом, удаляя при этом один из дочерних радионуклидов тория-228 - газообразный радон-220. Направляют газ через аэрозольный фильтр на сорбционное устройство, а очищенный раствор, содержащий смесь радионуклидов торий-228, торий-229, а также дочерних продуктов распада этих радионуклидов направляют на радиохимический передел с помощью ионообменных смол для получения целевого радионуклида висмут-213. В качестве барботирующего газа используют воздух, и/или гелий, и/или аргон, и/или криптон, и/или ксенон. В качестве сорбционного устройства используют пустотелый объем, размеры которого обеспечивают время пребывания радона-220, достаточное для его полного распада в стабильный свинец-208, или ловушку с активированным углем. Технический результат - уменьшение мощности дозы излучения на месте проведения работ. 3 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии получения радиоизотопов для ядерной медицины на ускорителях заряженных частиц. Способ извлечения из мишени радионуклида 123I включает облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I и извлечение после облучения из мишени накопленного за время облучения 123I. Причем для извлечения накопленного за время облучения 123I мишень после облучения заполняют органическим растворителем или смесью органических растворителей, растворяют в них накопленный за время облучения 123I и перемещают полученный раствор с 123I в приемное устройство. Затем проводят вакуумную отгонку растворителей из приемного устройства, а накопленный в приемном устройстве 123I смывают раствором гидроксида натрия. Техническим результатом является увеличение степени извлечения целевого радионуклида 123I из мишени и получение 123I в химической форме йодистого натрия (Na123I), пригодной для производства РФП на его основе. 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8?10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330?39000) А?м-1 (180?490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727?9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40?42 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727?4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60?62 А?м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727?9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.