|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
181
|
Патент 2682848
|
Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения заключается в том, что сосредоточенным источником тепла является слой воды или слой водного раствор NaCl в концентрации до 5% вблизи торца оптического волокна, который недогрет до температуры насыщения. При этом диаметр волокна составляет 5-1000 мкм, а нагрев осуществляют импульсным лазерным излучением интенсивностью 1-500 кВт/см2, с длительностью импульса 4 нс - 10 мкс, частотой импульсов 1 Гц - 100 МГц с длиной волны в диапазоне 1,4-3 мкм. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения заключается в том, что сосредоточенным источником тепла является слой воды или слой водного раствор NaCl в концентрации до 5% вблизи торца оптического волокна, который недогрет до температуры насыщения. При этом диаметр волокна составляет 5-1000 мкм, а нагрев осуществляют импульсным лазерным излучением интенсивностью 1-500 кВт/см2, с длительностью импульса 4 нс - 10 мкс, частотой импульсов 1 Гц - 100 МГц с длиной волны в диапазоне 1,4-3 мкм. 2 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения заключается в том, что сосредоточенным источником тепла является слой воды или слой водного раствор NaCl в концентрации до 5% вблизи торца оптического волокна, который недогрет до температуры насыщения. При этом диаметр волокна составляет 5-1000 мкм, а нагрев осуществляют импульсным лазерным излучением интенсивностью 1-500 кВт/см2, с длительностью импульса 4 нс - 10 мкс, частотой импульсов 1 Гц - 100 МГц с длиной волны в диапазоне 1,4-3 мкм. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения заключается в том, что сосредоточенным источником тепла является слой воды или слой водного раствор NaCl в концентрации до 5% вблизи торца оптического волокна, который недогрет до температуры насыщения. При этом диаметр волокна составляет 5-1000 мкм, а нагрев осуществляют импульсным лазерным излучением интенсивностью 1-500 кВт/см2, с длительностью импульса 4 нс - 10 мкс, частотой импульсов 1 Гц - 100 МГц с длиной волны в диапазоне 1,4-3 мкм. 2 ил.
|
||
|
182
|
Патент 2566372
|
Изобретение относится к органической химии, а именно к группе галогенацетатов, и непосредственно касается получения монохлорацетата серебра, применяемого, в частности, для получения полимерных материалов, используемых в медицине. Способ получения монохлорацетата серебра включает использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра. Его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой. Получают 1,2 г монохлорацетата серебра с выходом 93,5%. Полученный продукт соответствует требованиям, предъявляемым к реактивам для медицины. Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
Основное назначение
Изобретение относится к органической химии, а именно к группе галогенацетатов, и непосредственно касается получения монохлорацетата серебра, применяемого, в частности, для получения полимерных материалов, используемых в медицине. Способ получения монохлорацетата серебра включает использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра. Его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой. Получают 1,2 г монохлорацетата серебра с выходом 93,5%. Полученный продукт соответствует требованиям, предъявляемым к реактивам для медицины. Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
Основное назначение
Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
|
||
|
183
|
Патент 2673149
|
Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и нейрохирургии, и направлено на повышение эффективности лазерного пункционного лечения дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночника. Для этого чрескожный доступ к межпозвонковому диску L5-S1 выполняют путем чрескожной пункции под флюороскопическим контролем. При этом определяют точку ввода хирургического инструмента на 2-3 см латеральнее остистого отростка позвонка S1 в проекции основания его верхнего суставного отростка. Затем вводят инструмент в основание верхнего суставного отростка, проводят его под углом 30-45° к горизонтальной плоскости и 15-30° к аксиальной плоскости, медиально к верхнему краю задних отделов тела S1 позвонка через основание суставного отростка и корень дуги позвонка в межпозвонковый диск L5-S1. В качестве хирургического инструмента используют тонкостенную пункционную иглу, внутри которой размещают оптическое волокно. При прохождении иглы через костные структуры через это волокно подают лазерное излучение мощностью 1-7 Вт. Способ позволяет при лечении дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночных дисков избавиться от болевого синдрома, связанного с фасеточным суставом. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и нейрохирургии, и направлено на повышение эффективности лазерного пункционного лечения дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночника. Для этого чрескожный доступ к межпозвонковому диску L5-S1 выполняют путем чрескожной пункции под флюороскопическим контролем. При этом определяют точку ввода хирургического инструмента на 2-3 см латеральнее остистого отростка позвонка S1 в проекции основания его верхнего суставного отростка. Затем вводят инструмент в основание верхнего суставного отростка, проводят его под углом 30-45° к горизонтальной плоскости и 15-30° к аксиальной плоскости, медиально к верхнему краю задних отделов тела S1 позвонка через основание суставного отростка и корень дуги позвонка в межпозвонковый диск L5-S1. В качестве хирургического инструмента используют тонкостенную пункционную иглу, внутри которой размещают оптическое волокно. При прохождении иглы через костные структуры через это волокно подают лазерное излучение мощностью 1-7 Вт. Способ позволяет при лечении дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночных дисков избавиться от болевого синдрома, связанного с фасеточным суставом. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и нейрохирургии, и направлено на повышение эффективности лазерного пункционного лечения дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночника. Для этого чрескожный доступ к межпозвонковому диску L5-S1 выполняют путем чрескожной пункции под флюороскопическим контролем. При этом определяют точку ввода хирургического инструмента на 2-3 см латеральнее остистого отростка позвонка S1 в проекции основания его верхнего суставного отростка. Затем вводят инструмент в основание верхнего суставного отростка, проводят его под углом 30-45° к горизонтальной плоскости и 15-30° к аксиальной плоскости, медиально к верхнему краю задних отделов тела S1 позвонка через основание суставного отростка и корень дуги позвонка в межпозвонковый диск L5-S1. В качестве хирургического инструмента используют тонкостенную пункционную иглу, внутри которой размещают оптическое волокно. При прохождении иглы через костные структуры через это волокно подают лазерное излучение мощностью 1-7 Вт. Способ позволяет при лечении дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночных дисков избавиться от болевого синдрома, связанного с фасеточным суставом. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и нейрохирургии, и направлено на повышение эффективности лазерного пункционного лечения дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночника. Для этого чрескожный доступ к межпозвонковому диску L5-S1 выполняют путем чрескожной пункции под флюороскопическим контролем. При этом определяют точку ввода хирургического инструмента на 2-3 см латеральнее остистого отростка позвонка S1 в проекции основания его верхнего суставного отростка. Затем вводят инструмент в основание верхнего суставного отростка, проводят его под углом 30-45° к горизонтальной плоскости и 15-30° к аксиальной плоскости, медиально к верхнему краю задних отделов тела S1 позвонка через основание суставного отростка и корень дуги позвонка в межпозвонковый диск L5-S1. В качестве хирургического инструмента используют тонкостенную пункционную иглу, внутри которой размещают оптическое волокно. При прохождении иглы через костные структуры через это волокно подают лазерное излучение мощностью 1-7 Вт. Способ позволяет при лечении дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночных дисков избавиться от болевого синдрома, связанного с фасеточным суставом. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.
|
||
|
184
|
Патент 2665314
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
|
||
|
185
|
Патент 2660588
|
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.
|
||
|
186
|
Патент 2639882
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
|
||
|
187
|
Патент 2636713
|
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
|
||
|
188
|
Патент 2635494
|
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
|
||
|
189
|
Патент 2627394
|
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации. Способ получения кристаллов дифторида европия (II) EuF2 осуществляют в две стадии, на первой из которых предварительно плавят EuF3 и для удаления примеси кислорода фторируют его расплав, после охлаждения расплава фторированный EuF3 перемалывают и смешивают с предварительно приготовленным кристаллическим порошком кремния (Si) для получения шихты нужного состава в соответствии с уравнением . На второй стадии полученную шихту плавят, гомогенизируют и кристаллизуют расплав шихты методом направленной кристаллизации с использованием фторсодержащей атмосферы, получая монокристаллические були дифторида европия EuF2. В качестве метода направленной кристаллизации используют, например, способ Бриджмена-Стокбаргера. Фторсодержащую атмосферу в процессе кристаллизации создают разложением гидрофторидов аммония или щелочноземельных элементов. На первой стадии порошок кремния может быть введен непосредственно в расплав EuF3 с помощью дозатора, обеспечивающего соблюдение заданного соотношения между EuF3 и кремнием. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
|
||
|
190
|
Патент 2611395
|
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным источником света ближнего ИК-диапазона, что приводит к активации процесса полимеризации посредством безызлучательного резонансного переноса энергии от наночастицы на фотоинициатор, при этом фотоактиватор представляет собой молекулярный комплекс, состоящий из апконвертирующей наночастицы NaYF4:Yb3+,Tm3+, обладающей антистоксовой люминесценцией в ультрафиолетовой (УФ) и синей области спектра. Способ позволяет исключить радиационную нагрузку цитотоксичного ультрафиолетового излучения и применять фотоактиватор для создания полимерных композиций в объеме, содержащем клеточные культуры. Изобретение может быть использовано для создания различных тканеинженерных конструкций, матриц для индивидуальных биоактивных имплантов и искусственных органов. 3 ил.
|
||