|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
161
|
Патент 2527478
|
Изобретение относится к области интегральной электроники и, в частности, к передаче импульсных сигналов в цифровых микросхемах с высокой степенью интеграции. Задачей настоящего изобретения является передача импульсных сигналов в микросхеме с наименьшими затратами энергии для заданной частоты этих сигналов за счет использования универсальных блоков приемника и передатчика с переключаемыми режимами работы. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является уменьшение числа элементов в схеме, снижение потребляемой мощности и уменьшение площади блока на кристалле микросхемы. Отличительные признаки технического решения состоят в том, что передача импульсных сигналов в проводной линии связи импульсами тока или импульсами напряжения осуществляется одними и теми же усилительными узлами. А изменения параметров сигналов, выходного сопротивления передатчика и входного сопротивления приемника достигаются только за счет коммутации резисторов с использованием аналоговых ключей. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области интегральной электроники и, в частности, к передаче импульсных сигналов в цифровых микросхемах с высокой степенью интеграции. Задачей настоящего изобретения является передача импульсных сигналов в микросхеме с наименьшими затратами энергии для заданной частоты этих сигналов за счет использования универсальных блоков приемника и передатчика с переключаемыми режимами работы. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является уменьшение числа элементов в схеме, снижение потребляемой мощности и уменьшение площади блока на кристалле микросхемы. Отличительные признаки технического решения состоят в том, что передача импульсных сигналов в проводной линии связи импульсами тока или импульсами напряжения осуществляется одними и теми же усилительными узлами. А изменения параметров сигналов, выходного сопротивления передатчика и входного сопротивления приемника достигаются только за счет коммутации резисторов с использованием аналоговых ключей. 2 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)
|
Изобретение относится к области интегральной электроники и, в частности, к передаче импульсных сигналов в цифровых микросхемах с высокой степенью интеграции. Задачей настоящего изобретения является передача импульсных сигналов в микросхеме с наименьшими затратами энергии для заданной частоты этих сигналов за счет использования универсальных блоков приемника и передатчика с переключаемыми режимами работы. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является уменьшение числа элементов в схеме, снижение потребляемой мощности и уменьшение площади блока на кристалле микросхемы. Отличительные признаки технического решения состоят в том, что передача импульсных сигналов в проводной линии связи импульсами тока или импульсами напряжения осуществляется одними и теми же усилительными узлами. А изменения параметров сигналов, выходного сопротивления передатчика и входного сопротивления приемника достигаются только за счет коммутации резисторов с использованием аналоговых ключей. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области интегральной электроники и, в частности, к передаче импульсных сигналов в цифровых микросхемах с высокой степенью интеграции. Задачей настоящего изобретения является передача импульсных сигналов в микросхеме с наименьшими затратами энергии для заданной частоты этих сигналов за счет использования универсальных блоков приемника и передатчика с переключаемыми режимами работы. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является уменьшение числа элементов в схеме, снижение потребляемой мощности и уменьшение площади блока на кристалле микросхемы. Отличительные признаки технического решения состоят в том, что передача импульсных сигналов в проводной линии связи импульсами тока или импульсами напряжения осуществляется одними и теми же усилительными узлами. А изменения параметров сигналов, выходного сопротивления передатчика и входного сопротивления приемника достигаются только за счет коммутации резисторов с использованием аналоговых ключей. 2 ил.
|
||
|
162
|
Патент 2509407
|
Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к интегральным микросхемам на основе совмещенной биполярной и КМОП (БиКМОП) технологии. Технический результат заключается в стабильности коэффициента усиления и защите выходного транзистора усилителя от перегрева. Согласно изобретению этот технический результат достигается за счет сложения токов двух каналов управления, один из которых формирует составляющую пропорционально току опорного транзистора, а другой - составляющую, зависящую от разницы напряжений база - эмиттер выходного и опорного транзисторов. Для этого в устройство стабилизации тока коллектора выходного транзистора введены дополнительно второй выход «токового зеркала» и дифференциальный усилитель с фильтром нижних частот. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к интегральным микросхемам на основе совмещенной биполярной и КМОП (БиКМОП) технологии. Технический результат заключается в стабильности коэффициента усиления и защите выходного транзистора усилителя от перегрева. Согласно изобретению этот технический результат достигается за счет сложения токов двух каналов управления, один из которых формирует составляющую пропорционально току опорного транзистора, а другой - составляющую, зависящую от разницы напряжений база - эмиттер выходного и опорного транзисторов. Для этого в устройство стабилизации тока коллектора выходного транзистора введены дополнительно второй выход «токового зеркала» и дифференциальный усилитель с фильтром нижних частот. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)
|
Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к интегральным микросхемам на основе совмещенной биполярной и КМОП (БиКМОП) технологии. Технический результат заключается в стабильности коэффициента усиления и защите выходного транзистора усилителя от перегрева. Согласно изобретению этот технический результат достигается за счет сложения токов двух каналов управления, один из которых формирует составляющую пропорционально току опорного транзистора, а другой - составляющую, зависящую от разницы напряжений база - эмиттер выходного и опорного транзисторов. Для этого в устройство стабилизации тока коллектора выходного транзистора введены дополнительно второй выход «токового зеркала» и дифференциальный усилитель с фильтром нижних частот. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к интегральным микросхемам на основе совмещенной биполярной и КМОП (БиКМОП) технологии. Технический результат заключается в стабильности коэффициента усиления и защите выходного транзистора усилителя от перегрева. Согласно изобретению этот технический результат достигается за счет сложения токов двух каналов управления, один из которых формирует составляющую пропорционально току опорного транзистора, а другой - составляющую, зависящую от разницы напряжений база - эмиттер выходного и опорного транзисторов. Для этого в устройство стабилизации тока коллектора выходного транзистора введены дополнительно второй выход «токового зеркала» и дифференциальный усилитель с фильтром нижних частот. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
||
|
163
|
Патент 2584159
|
Изобретение относится к способу получения сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) модифицированного наноразмерными частицами оксида циркония, предназначенного для изготовления керамики, катализаторов, биомедицинских материалов. Способ осуществляют в несколько стадий. Сначала получают органическую суспензию путем диспергирования СВМПЭ при интенсивном перемешивании при 80-100?С в течение 4-5 ч в органических растворителях, к которым добавляют бензиловый спирт. Затем к нагретой суспензии вводят органический раствор тетрахлорида циркония в количестве, соответствующем его мольному соотношению к бензиловому спирту, 1:4,0-4,3, при постоянном перемешивании при 80-100?С в течение 5-6 ч. После чего осуществляют стадию выделения СВМПЭ, модифицированного наночастицами оксида циркония. Причем в качестве органических растворителей используют ацетофенон или ацетофенон-ксилольную смесь. Материалы, полученные на основе СВМПЭ, модифицированного оксидом циркония, имеют высокие физико-механические свойства, такие как прочность на разрыв и модуль упругости. 1. Способ получения сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ), модифицированного наноразмерными частицами оксида циркония, включающий стадию диспергирования СВМПЭ в органических растворителях, последующую стадию введения в образовавшуюся органическую суспензию СВМПЭ органического раствора тетрахлорида циркония и стадию выделения СВМПЭ, модифицированного наночастицами оксида циркония, характеризующийся тем, что на начальной стадии процесса к исходному СВМПЭ при интенсивном перемешивании добавляют ацетофенон или ацетофенонксилольную смесь, а затем прикапывают бензиловый спирт, после чего реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 4-5 ч, поддерживая при этом температуру на уровне 80-100°С, после чего к образовавшейся суспензии прикапывают раствор тетрахлорида циркония в ацетофеноне или в ацетофенон-ксилольной смеси, который содержит тетрахлорид циркония в количестве, соответствующем его мольному соотношению к бензиловому спирту, равному 1:4,0-4,3, и образовавшуюся реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 5-6 ч при температуре 80-100°С, после чего образовавшуюся суспензию охлаждают, подвергают фильтрации, обработке хлороформом, отгонке растворителя и сушке.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в ацетофенон-ксилольной смеси, содержание ксилола составляет предпочтительно 15-50% от общего объема смеси.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что перемешивание проводят предпочтительно со скоростью 400-500 об/мин.
Основное назначение
Изобретение относится к способу получения сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) модифицированного наноразмерными частицами оксида циркония, предназначенного для изготовления керамики, катализаторов, биомедицинских материалов. Способ осуществляют в несколько стадий. Сначала получают органическую суспензию путем диспергирования СВМПЭ при интенсивном перемешивании при 80-100?С в течение 4-5 ч в органических растворителях, к которым добавляют бензиловый спирт. Затем к нагретой суспензии вводят органический раствор тетрахлорида циркония в количестве, соответствующем его мольному соотношению к бензиловому спирту, 1:4,0-4,3, при постоянном перемешивании при 80-100?С в течение 5-6 ч. После чего осуществляют стадию выделения СВМПЭ, модифицированного наночастицами оксида циркония. Причем в качестве органических растворителей используют ацетофенон или ацетофенон-ксилольную смесь. Материалы, полученные на основе СВМПЭ, модифицированного оксидом циркония, имеют высокие физико-механические свойства, такие как прочность на разрыв и модуль упругости. 1. Способ получения сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ), модифицированного наноразмерными частицами оксида циркония, включающий стадию диспергирования СВМПЭ в органических растворителях, последующую стадию введения в образовавшуюся органическую суспензию СВМПЭ органического раствора тетрахлорида циркония и стадию выделения СВМПЭ, модифицированного наночастицами оксида циркония, характеризующийся тем, что на начальной стадии процесса к исходному СВМПЭ при интенсивном перемешивании добавляют ацетофенон или ацетофенонксилольную смесь, а затем прикапывают бензиловый спирт, после чего реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 4-5 ч, поддерживая при этом температуру на уровне 80-100°С, после чего к образовавшейся суспензии прикапывают раствор тетрахлорида циркония в ацетофеноне или в ацетофенон-ксилольной смеси, который содержит тетрахлорид циркония в количестве, соответствующем его мольному соотношению к бензиловому спирту, равному 1:4,0-4,3, и образовавшуюся реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 5-6 ч при температуре 80-100°С, после чего образовавшуюся суспензию охлаждают, подвергают фильтрации, обработке хлороформом, отгонке растворителя и сушке.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в ацетофенон-ксилольной смеси, содержание ксилола составляет предпочтительно 15-50% от общего объема смеси.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что перемешивание проводят предпочтительно со скоростью 400-500 об/мин.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
1. Способ получения сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ), модифицированного наноразмерными частицами оксида циркония, включающий стадию диспергирования СВМПЭ в органических растворителях, последующую стадию введения в образовавшуюся органическую суспензию СВМПЭ органического раствора тетрахлорида циркония и стадию выделения СВМПЭ, модифицированного наночастицами оксида циркония, характеризующийся тем, что на начальной стадии процесса к исходному СВМПЭ при интенсивном перемешивании добавляют ацетофенон или ацетофенонксилольную смесь, а затем прикапывают бензиловый спирт, после чего реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 4-5 ч, поддерживая при этом температуру на уровне 80-100°С, после чего к образовавшейся суспензии прикапывают раствор тетрахлорида циркония в ацетофеноне или в ацетофенон-ксилольной смеси, который содержит тетрахлорид циркония в количестве, соответствующем его мольному соотношению к бензиловому спирту, равному 1:4,0-4,3, и образовавшуюся реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 5-6 ч при температуре 80-100°С, после чего образовавшуюся суспензию охлаждают, подвергают фильтрации, обработке хлороформом, отгонке растворителя и сушке.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в ацетофенон-ксилольной смеси, содержание ксилола составляет предпочтительно 15-50% от общего объема смеси.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что перемешивание проводят предпочтительно со скоростью 400-500 об/мин.
Основное назначение
1. Способ получения сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ), модифицированного наноразмерными частицами оксида циркония, включающий стадию диспергирования СВМПЭ в органических растворителях, последующую стадию введения в образовавшуюся органическую суспензию СВМПЭ органического раствора тетрахлорида циркония и стадию выделения СВМПЭ, модифицированного наночастицами оксида циркония, характеризующийся тем, что на начальной стадии процесса к исходному СВМПЭ при интенсивном перемешивании добавляют ацетофенон или ацетофенонксилольную смесь, а затем прикапывают бензиловый спирт, после чего реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 4-5 ч, поддерживая при этом температуру на уровне 80-100°С, после чего к образовавшейся суспензии прикапывают раствор тетрахлорида циркония в ацетофеноне или в ацетофенон-ксилольной смеси, который содержит тетрахлорид циркония в количестве, соответствующем его мольному соотношению к бензиловому спирту, равному 1:4,0-4,3, и образовавшуюся реакционную массу интенсивно перемешивают в течение 5-6 ч при температуре 80-100°С, после чего образовавшуюся суспензию охлаждают, подвергают фильтрации, обработке хлороформом, отгонке растворителя и сушке.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в ацетофенон-ксилольной смеси, содержание ксилола составляет предпочтительно 15-50% от общего объема смеси.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что перемешивание проводят предпочтительно со скоростью 400-500 об/мин.
|
||
|
164
|
Патент 2483437
|
Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.
|
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Основное назначение
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
|
Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.
|
||
|
165
|
Патент 2483279
|
Изобретение относится к области приборостроения инерциальных навигационных систем и может использоваться для определения текущих координат объекта и его угловой ориентации. Технический результат - повышение точности определения угловой ориентации объекта и его координат. Для достижения данного результата увеличивают число используемых акселерометров (с 6-ти до 12-ти). При этом взаимное расположение и ориентация их чувствительных осей обеспечивают измерение всех базовых навигационных параметров. Выделение из измеренных данных базовых параметров, составляющих угловой скорости, обеспечивает определение угловой ориентации объекта на основе однократного интегрирования показаний акселерометров. Предложенная система обеспечивает снижение скорости роста погрешностей определения угловой ориентации и координат объекта. 1 ил., 2 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к области приборостроения инерциальных навигационных систем и может использоваться для определения текущих координат объекта и его угловой ориентации. Технический результат - повышение точности определения угловой ориентации объекта и его координат. Для достижения данного результата увеличивают число используемых акселерометров (с 6-ти до 12-ти). При этом взаимное расположение и ориентация их чувствительных осей обеспечивают измерение всех базовых навигационных параметров. Выделение из измеренных данных базовых параметров, составляющих угловой скорости, обеспечивает определение угловой ориентации объекта на основе однократного интегрирования показаний акселерометров. Предложенная система обеспечивает снижение скорости роста погрешностей определения угловой ориентации и координат объекта. 1 ил., 2 табл.
|
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Основное назначение
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
|
Изобретение относится к области приборостроения инерциальных навигационных систем и может использоваться для определения текущих координат объекта и его угловой ориентации. Технический результат - повышение точности определения угловой ориентации объекта и его координат. Для достижения данного результата увеличивают число используемых акселерометров (с 6-ти до 12-ти). При этом взаимное расположение и ориентация их чувствительных осей обеспечивают измерение всех базовых навигационных параметров. Выделение из измеренных данных базовых параметров, составляющих угловой скорости, обеспечивает определение угловой ориентации объекта на основе однократного интегрирования показаний акселерометров. Предложенная система обеспечивает снижение скорости роста погрешностей определения угловой ориентации и координат объекта. 1 ил., 2 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к области приборостроения инерциальных навигационных систем и может использоваться для определения текущих координат объекта и его угловой ориентации. Технический результат - повышение точности определения угловой ориентации объекта и его координат. Для достижения данного результата увеличивают число используемых акселерометров (с 6-ти до 12-ти). При этом взаимное расположение и ориентация их чувствительных осей обеспечивают измерение всех базовых навигационных параметров. Выделение из измеренных данных базовых параметров, составляющих угловой скорости, обеспечивает определение угловой ориентации объекта на основе однократного интегрирования показаний акселерометров. Предложенная система обеспечивает снижение скорости роста погрешностей определения угловой ориентации и координат объекта. 1 ил., 2 табл.
|
||
|
166
|
Патент 2462813
|
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
|
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Основное назначение
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
|
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
|
||
|
167
|
Патент 2447527
|
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Основное назначение
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
|
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
168
|
Патент 2672410
|
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к способу получения упорядоченных пленок лизоцима на твердых подложках. Готовят маточный раствор лизоцима в буфере с концентрацией, соответствующей началу кристаллизации лизоцима. Фильтруют раствор лизоцима и центрифугируют. Параллельно готовят маточный раствор хлорида натрия - осадителя для лизоцима. Раствор осадителя фильтруют. Затем маточные растворы лизоцима и осадителя смешивают в объемном соотношении 1:1. Полученную смесь выдерживают в течение 1 ч для образования олигомеров. Далее смесь наносят на водную субфазу ленгмюровской ванны, формируют монослой и переносят сформированный монослой на твердую подложку. Изобретение позволяет получать более однородные и плотноупакованные пленки лизоцима толщиной 7,5 нм. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к способу получения упорядоченных пленок лизоцима на твердых подложках. Готовят маточный раствор лизоцима в буфере с концентрацией, соответствующей началу кристаллизации лизоцима. Фильтруют раствор лизоцима и центрифугируют. Параллельно готовят маточный раствор хлорида натрия - осадителя для лизоцима. Раствор осадителя фильтруют. Затем маточные растворы лизоцима и осадителя смешивают в объемном соотношении 1:1. Полученную смесь выдерживают в течение 1 ч для образования олигомеров. Далее смесь наносят на водную субфазу ленгмюровской ванны, формируют монослой и переносят сформированный монослой на твердую подложку. Изобретение позволяет получать более однородные и плотноупакованные пленки лизоцима толщиной 7,5 нм. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл., 1 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к способу получения упорядоченных пленок лизоцима на твердых подложках. Готовят маточный раствор лизоцима в буфере с концентрацией, соответствующей началу кристаллизации лизоцима. Фильтруют раствор лизоцима и центрифугируют. Параллельно готовят маточный раствор хлорида натрия - осадителя для лизоцима. Раствор осадителя фильтруют. Затем маточные растворы лизоцима и осадителя смешивают в объемном соотношении 1:1. Полученную смесь выдерживают в течение 1 ч для образования олигомеров. Далее смесь наносят на водную субфазу ленгмюровской ванны, формируют монослой и переносят сформированный монослой на твердую подложку. Изобретение позволяет получать более однородные и плотноупакованные пленки лизоцима толщиной 7,5 нм. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл., 1 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к биотехнологии, в частности к способу получения упорядоченных пленок лизоцима на твердых подложках. Готовят маточный раствор лизоцима в буфере с концентрацией, соответствующей началу кристаллизации лизоцима. Фильтруют раствор лизоцима и центрифугируют. Параллельно готовят маточный раствор хлорида натрия - осадителя для лизоцима. Раствор осадителя фильтруют. Затем маточные растворы лизоцима и осадителя смешивают в объемном соотношении 1:1. Полученную смесь выдерживают в течение 1 ч для образования олигомеров. Далее смесь наносят на водную субфазу ленгмюровской ванны, формируют монослой и переносят сформированный монослой на твердую подложку. Изобретение позволяет получать более однородные и плотноупакованные пленки лизоцима толщиной 7,5 нм. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл., 1 пр.
|
||
|
169
|
Патент 2626576
|
Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров. Первую часть полученных после центрифугирования белковых растворов смешивают с буферным раствором в равных объемах, а оставшуюся вторую часть впоследствии используют для смешения с осадителем. Проводят исследование первой части белковых растворов методом малоуглового рентгеновского рассеяния для получения серии кривых рассеяния, анализируют названные кривые и вычисляют размер отдельной белковой субъединицы в каждом из растворов различной концентрации. Готовят маточные растворы осадителя, в качестве которого используют вещества, способные оказать влияние на конформацию молекул, фильтруют маточный раствор осадителя, смешивают вторую часть белковых растворов в равных объемах с маточными растворами осадителя, получая коллекцию кристаллизационных растворов. Проводят исследование каждого из растворов названной коллекции методом малоуглового рентгеновского рассеяния в диапазоне температур от температуры, при которой не происходит денатурации молекулы данного белка, до 0°С с выбранным шагом изменения температуры, получая в результате графики кривых малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества белковых субъединиц и их олигомеров в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Если в кристаллизационных растворах не выявлены частицы, большие по размерам, чем мономеры, то ступенчато производят понижение температуры исследуемых растворов до 0°С, на каждой из ступеней понижения температуры раствора производят исследование каждого из растворов методом малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества частиц в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, операцию ступенчатого понижения температуры завершают при выявлении наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Изобретение позволяет сократить время для образования кристаллов, а также создать прямой способ определения образования единиц роста, обеспечивающего получение надежной и оперативной информации о начальной стадии кристаллизации белка. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров. Первую часть полученных после центрифугирования белковых растворов смешивают с буферным раствором в равных объемах, а оставшуюся вторую часть впоследствии используют для смешения с осадителем. Проводят исследование первой части белковых растворов методом малоуглового рентгеновского рассеяния для получения серии кривых рассеяния, анализируют названные кривые и вычисляют размер отдельной белковой субъединицы в каждом из растворов различной концентрации. Готовят маточные растворы осадителя, в качестве которого используют вещества, способные оказать влияние на конформацию молекул, фильтруют маточный раствор осадителя, смешивают вторую часть белковых растворов в равных объемах с маточными растворами осадителя, получая коллекцию кристаллизационных растворов. Проводят исследование каждого из растворов названной коллекции методом малоуглового рентгеновского рассеяния в диапазоне температур от температуры, при которой не происходит денатурации молекулы данного белка, до 0°С с выбранным шагом изменения температуры, получая в результате графики кривых малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества белковых субъединиц и их олигомеров в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Если в кристаллизационных растворах не выявлены частицы, большие по размерам, чем мономеры, то ступенчато производят понижение температуры исследуемых растворов до 0°С, на каждой из ступеней понижения температуры раствора производят исследование каждого из растворов методом малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества частиц в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, операцию ступенчатого понижения температуры завершают при выявлении наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Изобретение позволяет сократить время для образования кристаллов, а также создать прямой способ определения образования единиц роста, обеспечивающего получение надежной и оперативной информации о начальной стадии кристаллизации белка. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров. Первую часть полученных после центрифугирования белковых растворов смешивают с буферным раствором в равных объемах, а оставшуюся вторую часть впоследствии используют для смешения с осадителем. Проводят исследование первой части белковых растворов методом малоуглового рентгеновского рассеяния для получения серии кривых рассеяния, анализируют названные кривые и вычисляют размер отдельной белковой субъединицы в каждом из растворов различной концентрации. Готовят маточные растворы осадителя, в качестве которого используют вещества, способные оказать влияние на конформацию молекул, фильтруют маточный раствор осадителя, смешивают вторую часть белковых растворов в равных объемах с маточными растворами осадителя, получая коллекцию кристаллизационных растворов. Проводят исследование каждого из растворов названной коллекции методом малоуглового рентгеновского рассеяния в диапазоне температур от температуры, при которой не происходит денатурации молекулы данного белка, до 0°С с выбранным шагом изменения температуры, получая в результате графики кривых малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества белковых субъединиц и их олигомеров в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Если в кристаллизационных растворах не выявлены частицы, большие по размерам, чем мономеры, то ступенчато производят понижение температуры исследуемых растворов до 0°С, на каждой из ступеней понижения температуры раствора производят исследование каждого из растворов методом малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества частиц в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, операцию ступенчатого понижения температуры завершают при выявлении наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Изобретение позволяет сократить время для образования кристаллов, а также создать прямой способ определения образования единиц роста, обеспечивающего получение надежной и оперативной информации о начальной стадии кристаллизации белка. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров. Первую часть полученных после центрифугирования белковых растворов смешивают с буферным раствором в равных объемах, а оставшуюся вторую часть впоследствии используют для смешения с осадителем. Проводят исследование первой части белковых растворов методом малоуглового рентгеновского рассеяния для получения серии кривых рассеяния, анализируют названные кривые и вычисляют размер отдельной белковой субъединицы в каждом из растворов различной концентрации. Готовят маточные растворы осадителя, в качестве которого используют вещества, способные оказать влияние на конформацию молекул, фильтруют маточный раствор осадителя, смешивают вторую часть белковых растворов в равных объемах с маточными растворами осадителя, получая коллекцию кристаллизационных растворов. Проводят исследование каждого из растворов названной коллекции методом малоуглового рентгеновского рассеяния в диапазоне температур от температуры, при которой не происходит денатурации молекулы данного белка, до 0°С с выбранным шагом изменения температуры, получая в результате графики кривых малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества белковых субъединиц и их олигомеров в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Если в кристаллизационных растворах не выявлены частицы, большие по размерам, чем мономеры, то ступенчато производят понижение температуры исследуемых растворов до 0°С, на каждой из ступеней понижения температуры раствора производят исследование каждого из растворов методом малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества частиц в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, операцию ступенчатого понижения температуры завершают при выявлении наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Изобретение позволяет сократить время для образования кристаллов, а также создать прямой способ определения образования единиц роста, обеспечивающего получение надежной и оперативной информации о начальной стадии кристаллизации белка. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
||
|
170
|
Патент 2787291
|
Изобретение относится к способам получения катализатора для окисления СО в СO2 в различных очистных системах промышленности и может найти применение, в частности, при доочистке выхлопных газов двигателей внутреннего сгорания. Получение катализатора для окисления СО на основе медных нанопроволок включает изготовление ростовой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, создание на одной из поверхностей ростовой матрицы контактного слоя меди толщиной до 50 нм путем вакуумно-термического напыления, приготовление водного раствора электролита для осаждения меди, наращивание контактного слоя меди до толщины 50-70 мкм в гальванической ванне. Водный раствор электролита содержит CuSO4 от 100 до 200 г/л, H2SO4 от 10 до 20 г/л. Гальваническое осаждение меди в поры ростовой матрицы проводят в гальванической ячейке с использованием медного анода в потенциостатическом режиме при потенциале от 0,4 до 0,6 В, контролируя степень заполнения пор по протекшему заряду. После заполнения пор ростовой матрицы медью ее удаляют с помощью раствора едкого натрия. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1
Основное назначение
Изобретение относится к способам получения катализатора для окисления СО в СO2 в различных очистных системах промышленности и может найти применение, в частности, при доочистке выхлопных газов двигателей внутреннего сгорания. Получение катализатора для окисления СО на основе медных нанопроволок включает изготовление ростовой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, создание на одной из поверхностей ростовой матрицы контактного слоя меди толщиной до 50 нм путем вакуумно-термического напыления, приготовление водного раствора электролита для осаждения меди, наращивание контактного слоя меди до толщины 50-70 мкм в гальванической ванне. Водный раствор электролита содержит CuSO4 от 100 до 200 г/л, H2SO4 от 10 до 20 г/л. Гальваническое осаждение меди в поры ростовой матрицы проводят в гальванической ячейке с использованием медного анода в потенциостатическом режиме при потенциале от 0,4 до 0,6 В, контролируя степень заполнения пор по протекшему заряду. После заполнения пор ростовой матрицы медью ее удаляют с помощью раствора едкого натрия. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к способам получения катализатора для окисления СО в СO2 в различных очистных системах промышленности и может найти применение, в частности, при доочистке выхлопных газов двигателей внутреннего сгорания. Получение катализатора для окисления СО на основе медных нанопроволок включает изготовление ростовой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, создание на одной из поверхностей ростовой матрицы контактного слоя меди толщиной до 50 нм путем вакуумно-термического напыления, приготовление водного раствора электролита для осаждения меди, наращивание контактного слоя меди до толщины 50-70 мкм в гальванической ванне. Водный раствор электролита содержит CuSO4 от 100 до 200 г/л, H2SO4 от 10 до 20 г/л. Гальваническое осаждение меди в поры ростовой матрицы проводят в гальванической ячейке с использованием медного анода в потенциостатическом режиме при потенциале от 0,4 до 0,6 В, контролируя степень заполнения пор по протекшему заряду. После заполнения пор ростовой матрицы медью ее удаляют с помощью раствора едкого натрия. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1
Основное назначение
Изобретение относится к способам получения катализатора для окисления СО в СO2 в различных очистных системах промышленности и может найти применение, в частности, при доочистке выхлопных газов двигателей внутреннего сгорания. Получение катализатора для окисления СО на основе медных нанопроволок включает изготовление ростовой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, создание на одной из поверхностей ростовой матрицы контактного слоя меди толщиной до 50 нм путем вакуумно-термического напыления, приготовление водного раствора электролита для осаждения меди, наращивание контактного слоя меди до толщины 50-70 мкм в гальванической ванне. Водный раствор электролита содержит CuSO4 от 100 до 200 г/л, H2SO4 от 10 до 20 г/л. Гальваническое осаждение меди в поры ростовой матрицы проводят в гальванической ячейке с использованием медного анода в потенциостатическом режиме при потенциале от 0,4 до 0,6 В, контролируя степень заполнения пор по протекшему заряду. После заполнения пор ростовой матрицы медью ее удаляют с помощью раствора едкого натрия. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1
|
||