Изобретения

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам, а именно к способам работы электрохимического актюатора. Импульсы напряжения переменной полярности, подаваемые на электрод, создают нанопузыри в рабочей камере актюатора. При достаточно высокой амплитуде импульсов концентрация нанопузырей достигает критической величины. Они сливаются в микропузырь, взрывающийся и расширяющийся до большого размера. За счет этого достигается большое перемещение мембраны актюатора. Способ включает заземление одного из электродов, подачу на второй электрод серии импульсов напряжения различной формы переменной полярности с амплитудой, превышающей пороговое напряжение, при котором в рабочей камере актюатора происходит взрыв микропузыря. По достижении взрыва серию импульсов прерывают. Прерывание осуществляют по наступлению спада тока, протекающего через электроды. Пороговое напряжение предварительно определяют путем последовательной подачи на электрод серий импульсов с амплитудой, увеличивающейся от серии к серии до взрыва микропузыря. Подают импульсы напряжения с длительностью, выбранной из диапазона от 0,1 мкс до 5 мкс. Технический результат заключается в улучшении работы электрохимического актюатора. 1 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области квантовых вычислений, конкретно к изготовлению квантовых компьютеров по полупроводниковой технологии. Сущность предлагаемого технического решения заключается в следующем. В качестве квантового регистра предлагается формирование полупроводникового провода, окруженного изолятором, с нанесенными на него управляющими электродами. При этом на концах провода расположены контакты для пропускания тока, а в качестве коллективного регистра предлагается использовать несколько полупроводниковых проводов с общими управляющими электродами и контактами. Техническим результатом, достигаемым при осуществлении заявленного изобретения, является обеспечение масштабируемости универсального квантового компьютера на основе двойных квантовых точек, повышение устойчивости регистра к внешним шумам, а также увеличение точности измерения конечного состояния. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимого с кремниевой технологией интегральных микросхем. Технический результат достигается тем, что в способе формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя путем нанесения композитного материала, представляющего собой диэлектрик, в который встроены наноразмерные кластеры кремния, согласно изобретению формирование материала производят химическим анодированием сплава алюминий-кремний. 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов терагерцового диапазона частот с мощностью 1 мВт и более. Сущность: предложен пролетный диод для генерации терагерцового излучения, состоящий из полупроводниковой подложки с двумя областями сильного легирования и нанесенными на них металлическими контактами, между которыми находится нелегированная пролетная щель, в которую включены участки с увеличенной шириной щели, и рядом с каждым расширенным участком щели расположена шунтируюшая емкостная перемычка, соединяющая металлические контакты пролетного диода. Технический результат заключается в обеспечении устойчивой генерации терагерцового излучения, улучшении согласования пролетного диода с антенной, увеличении мощности генерации. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм. ВЧ-источник плазмы содержит цилиндрическую вакуумную камеру, герметично разделенную диэлектрическим окном ввода ВЧ-мощности на два объема. В первом объеме производится обработка полупроводниковых пластин посредством воздействия технологической индуктивно-связанной плазмы, второй объем, цилиндрическая стенка и крышка которого изготовлены из диамагнитного материала, предназначен для размещения планарного спирального ВЧ-индуктора. Когда в технологическом объеме производится генерация плазмы в диапазоне рабочих давлений 1-100 мТорр, в объеме индуктора поддерживается давление инертного газа, обладающего высоким потенциалом ионизации, в диапазоне 5-20 Торр, что препятствует возникновению паразитного газового разряда в объеме индуктора во всем диапазоне ВЧ-мощностей, прикладываемых к индуктору и используемых для генерации плазмы в технологическом объеме.7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области специального технологического оборудования микроэлектроники. Сущность изобретения: способ основан на создании в пристеночной области вакуумной камеры реактора специальной конфигурации магнитного поля, силовые линии которого имеют форму арок, объединенных в кольцевые арочные зоны, сформированные вблизи цилиндрической стенки реактора со стороны вакуумного объема. Зоны расположены последовательно вдоль образующей цилиндрической стенки реактора, количество таких кольцевых зон и протяженность арок управляют настройкой параметров плазмы в области обработки пластины. При этом магнитное поле сосредоточено вблизи стенки реактора и не проникает в область, где расположена обрабатываемая пластина. Для реализации этого способа на внешней стороне цилиндрической вакуумной камеры реактора, изготовленной из диамагнитного материала, устанавливается устройство, представляющее собой систему из постоянных магнитов в виде колец, вектор намагниченности которых направлен вдоль радиуса камеры реактора. Технический результат: предложенный подход позволяет создавать новые и модернизировать существующие плазменные широкоапертурные реакторы с удаленными источниками сильно ионизованной плазмы низкого давления. Способ и устройство обеспечивают высокую латеральную однородность параметров плазмы в зоне обработки пластины и повышение ее плотности при одновременном снижении электронной температуры плазмы и выравнивании ее значений вдоль радиуса реактора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, информация в которых кодируется величиной сопротивления. Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти, включающий помещение структуры проводник - диэлектрик - проводник с открытой в газовую фазу поверхностью диэлектрика, расположенной между проводящими электродами, в вакуум и выдержку ее под напряжением в две стадии: на первой - при напряжении, приводящем к появлению скачкообразно меняющегося тока со средним уровнем порядка микроампер, на второй - в диапазоне напряжений от 4 до 6 В до появления токов на уровне, установленном схемой ограничения тока. При этом согласно изобретению сначала структуру отжигают в безмасляном вакууме при температуре более 60°С, затем осуществляют выдержку под напряжением в течение времени порядка секунды, при этом первую стадию выдержки выполняют в безмасляном вакууме в диапазоне от 9 В до напряжения, не приводящего к электрическому пробою, а вторую стадию выдержки выполняют в вакууме, содержащем пары органических соединений. Вторую стадию выдержки выполняют, например, в масляном вакууме. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности электроформовки за счет снижения вероятности пробоя структуры при резком увеличении тока, т.е. проводимости структуры из-за удаления органических молекул при отжиге. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных затворов, позволяющее создавать более резкие p-n переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, упрощение технологии изготовления нанотранзисторов с нанометровыми затворами, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей нанотранзисторов, увеличение крутизны подпороговой характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается способ изготовления туннельного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки и несколькими управляющими электродами затворов на полупроводниковой подложке с использованием вспомогательного слоя (ВС) диэлектрик-металл, осажденного на предварительно нанесенный на полупроводниковую подложку контактный слой истока/стока, в котором формируется нанометровая щель, с последующим формированием на ее стенках и дне первого и третьего управляющих электродов, их спейсеров и подзатворного диэлектрика путем последовательного осаждения в щель и плазмохимического травления диэлектрика спейсеров и металла, а второй управляющий электрод формируется осаждением в зауженную на суммарную ширину первого и третьего управляющих электродов и их спейсеров щель слоя металла и его ПХТ, при этом вначале формируются диэлектрический спейсер и подзатворный диэлектрик второго управляющего электрода путем осаждения диэлектрика на боковые стенки первого и третьего управляющих электродов и дно щели в ВС. Одновременно с управляющими электродами формируются с использованием фоторезистивной маски, дополнительного слоя металла и метода сухого травления контактные площадки трех управляющих электродов, а контактные площадки истока/стока создаются после завершения технологических операций формирования управляющих электродов. 13 з.п. ф-лы, 10 ил.