СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ МНОГОСЛОЙНОГО СИЛИЦЕНА, ИНТЕРКАЛИРОВАННОГО ЕВРОПИЕМ

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ?32/m1 со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки. Способ основан на стабилизации требуемой фазы EuSi2 путем ее эпитаксиального роста на предварительно сформированном на Si(001) или Si(111) буферном слое SrSi2. Способ заключается в осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 торр на предварительно очищенную и нагретую до Ts=500±20°С поверхность подложки кремния до формирования пленки дисилицида стронция, а затем в осаждении атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5?10)?10-8 торр на подложку при температуре Ts=430?550°С до формирования пленки дисилицида европия толщиной не более 8 нм. При этом слои силицидов образуются за счет диффузии атомов. Изобретение позволяет получать однородные, не содержащие посторонних фаз эпитаксиальные магнитные пленки, позволяющие изучать физические свойства двумерных кремниевых решеток с гексагональной ячеистой структурой. 1. Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием, методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока стронция с давлением PSr=(0,5?3)?10-8 торр на предварительно очищенную поверхность подложки кремния, нагретую до Ts=500±20°С, до формирования пленки дисилицида стронция, с последующим осаждением атомарного потока европия с давлением PEu=(0,5?10)?10-8 торр на подложку при температуре Ts=430?550°С до формирования пленки дисилицида европия толщиной не более 8 нм.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si (001).
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний имеет ориентацию подложки Si (111).