Изобретение относится к технологии создания сложных структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологии, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Изобретение обеспечивает уменьшение размеров магнитных элементов. Способ формирования магнитной паттернированной структуры в немагнитной матрице включает формирование на подложке рабочего слоя из оксидов или нитридов магнитных материалов, нанесение на него промежуточного слоя из вещества с параметром кристаллической решетки, отличающимся от параметра кристаллической решетки вещества рабочего слоя на величину не более 15%, и с толщиной не менее 5 нм, последующее нанесение на промежуточный слой защитной маски с заданной топологией и облучение через нее потоком ускоренных частиц с энергией, достаточной для селективного удаления атомов кислорода или азота. 1. Способ формирования магнитной паттернированной структуры в немагнитной матрице, включающий формирование на подложке рабочего слоя из оксидов или нитридов магнитных материалов, нанесение на него промежуточного слоя из вещества с параметром кристаллической решетки, отличающимся от параметра кристаллической решетки вещества рабочего слоя на величину не более 15%, и с толщиной не менее 5 нм, последующее нанесение на промежуточный слой защитной маски с заданной топологией и облучение через нее потоком ускоренных частиц с энергией, достаточной для селективного удаления атомов кислорода или азота.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве вещества промежуточного слоя используют нитрид кремния Si3N4.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве ускоренных частиц используют протоны или атомы водорода.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве вещества промежуточного слоя используют нитрид кремния Si3N4.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве ускоренных частиц используют протоны или атомы водорода.