+7 499 196 95 39
61
Патент 2417388
Объектив может быть использован для обнаружения ультрафиолетового излучения. Объектив содержит корпус, внутри которого установлены оптический блок, имеющий набор фокусирующих линз и стекол-фильтров, и кристаллический фильтр, имеющий полосу пропускания в диапазоне от 220 до 320 нм, за которым размещен фотоприемник. Перед оптическим блоком размещена входная линза. За кристаллическим фильтром размещен дополнительный выходной оптический блок, имеющий набор фокусирующих линз и стекол-фильтров. Внутренняя поверхность корпуса снабжена поглощающим покрытием, а стекла-фильтры обоих блоков снабжены интерференционными покрытиями. Кристаллический фильтр совместно с другими фильтрующими элементами обеспечивает фильтрацию излучения вне полосы пропускания. В качестве кристаллического фильтра возможно использование монокристалла одной из солей Туттона, например монокристалл гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2·6H2O. В качестве поглощающего покрытия может использоваться оптическая черная матовая эмаль. Технический результат - получение солнечно-слепого объектива, позволяющего обнаруживать слабое излучение, например коронный разряд в любых погодных условиях на значительном расстоянии от источника высокого электрического напряжения, например высоковольтной линии электропередачи. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии имени А.В.Шубникова РАН (RU), ЗАО Научно-технический центр "Реагент" (RU)
Объектив может быть использован для обнаружения ультрафиолетового излучения. Объектив содержит корпус, внутри которого установлены оптический блок, имеющий набор фокусирующих линз и стекол-фильтров, и кристаллический фильтр, имеющий полосу пропускания в диапазоне от 220 до 320 нм, за которым размещен фотоприемник. Перед оптическим блоком размещена входная линза. За кристаллическим фильтром размещен дополнительный выходной оптический блок, имеющий набор фокусирующих линз и стекол-фильтров. Внутренняя поверхность корпуса снабжена поглощающим покрытием, а стекла-фильтры обоих блоков снабжены интерференционными покрытиями. Кристаллический фильтр совместно с другими фильтрующими элементами обеспечивает фильтрацию излучения вне полосы пропускания. В качестве кристаллического фильтра возможно использование монокристалла одной из солей Туттона, например монокристалл гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2·6H2O. В качестве поглощающего покрытия может использоваться оптическая черная матовая эмаль. Технический результат - получение солнечно-слепого объектива, позволяющего обнаруживать слабое излучение, например коронный разряд в любых погодных условиях на значительном расстоянии от источника высокого электрического напряжения, например высоковольтной линии электропередачи. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
62
Патент 2447527
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)
Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
63
Патент 2483437
Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.
64
Патент 2483279
Изобретение относится к области приборостроения инерциальных навигационных систем и может использоваться для определения текущих координат объекта и его угловой ориентации. Технический результат - повышение точности определения угловой ориентации объекта и его координат. Для достижения данного результата увеличивают число используемых акселерометров (с 6-ти до 12-ти). При этом взаимное расположение и ориентация их чувствительных осей обеспечивают измерение всех базовых навигационных параметров. Выделение из измеренных данных базовых параметров, составляющих угловой скорости, обеспечивает определение угловой ориентации объекта на основе однократного интегрирования показаний акселерометров. Предложенная система обеспечивает снижение скорости роста погрешностей определения угловой ориентации и координат объекта. 1 ил., 2 табл.
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Изобретение относится к области приборостроения инерциальных навигационных систем и может использоваться для определения текущих координат объекта и его угловой ориентации. Технический результат - повышение точности определения угловой ориентации объекта и его координат. Для достижения данного результата увеличивают число используемых акселерометров (с 6-ти до 12-ти). При этом взаимное расположение и ориентация их чувствительных осей обеспечивают измерение всех базовых навигационных параметров. Выделение из измеренных данных базовых параметров, составляющих угловой скорости, обеспечивает определение угловой ориентации объекта на основе однократного интегрирования показаний акселерометров. Предложенная система обеспечивает снижение скорости роста погрешностей определения угловой ориентации и координат объекта. 1 ил., 2 табл.
65
Патент 2462813
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
66
Патент 2769681
Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов 57FeBO3. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе 57FeBO3 заключается в том, что после синтеза 57FeBO3 раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы 57FeBO3 с размерами более 5 мм в поперечнике без видимых дефектов поверхности и кристаллы 57FeBO3 размерами менее 5 мм в поперечнике и с видимыми дефектами поверхности, далее восстанавливают раствор-расплав путем растворения в нем дефектных кристаллов 57FeBO3 при температуре до 900°С и гомогенизации путем выдержки при 900°С в течение 20 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 30 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 40 ч, затем рентгенофлуоресцентным анализом определяют концентрацию железа W(57Fe) и свинца W(Pb) в восстановленном растворе-расплаве для вычисления параметра состояния раствора-расплава и и при величине параметра 0,05?n?0,1 многократно используют раствор-расплав как пригодный для последующего роста кристаллов 57FeBO3. Технический результат заключается в обеспечении возможности многократного использования раствора-расплава, слитого в процессе синтеза 57FeBO3 методом «с переворотом», путем восстановления исходного содержания кристаллообразующих компонентов, снижении стоимости технологии и увеличении количества полученных кристаллов. 3 пр. 
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов 57FeBO3. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе 57FeBO3 заключается в том, что после синтеза 57FeBO3 раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы 57FeBO3 с размерами более 5 мм в поперечнике без видимых дефектов поверхности и кристаллы 57FeBO3 размерами менее 5 мм в поперечнике и с видимыми дефектами поверхности, далее восстанавливают раствор-расплав путем растворения в нем дефектных кристаллов 57FeBO3 при температуре до 900°С и гомогенизации путем выдержки при 900°С в течение 20 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 30 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 40 ч, затем рентгенофлуоресцентным анализом определяют концентрацию железа W(57Fe) и свинца W(Pb) в восстановленном растворе-расплаве для вычисления параметра состояния раствора-расплава и и при величине параметра 0,05?n?0,1 многократно используют раствор-расплав как пригодный для последующего роста кристаллов 57FeBO3. Технический результат заключается в обеспечении возможности многократного использования раствора-расплава, слитого в процессе синтеза 57FeBO3 методом «с переворотом», путем восстановления исходного содержания кристаллообразующих компонентов, снижении стоимости технологии и увеличении количества полученных кристаллов. 3 пр. 
67
Патент 2778971
Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт глазных болезней" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр
68
Патент 2533194
Изобретение относится к ускорителям заряженных частиц и может быть использовано в медицине и технологии. Технический результат - увеличение интенсивности в ускоренном пучке ионов на выходе ускоряющей ВЧ-структуры ускорителя, использующего лазерные источники ионов, в которых плазма образуется при облучении материала мишени оптическим излучением лазера. В высокочастотной ускоряющей структуре для пучков ионов, экстрагированных из лазерной плазмы, состоящей из ВЧ-резонатора с ускоряющим электрическим полем и трубками дрейфа, расстояние между центрами смежных зазоров которых изменяется по определенному закону, на входных и выходных торцах всех трубок дрейфа установлены металлические сетки, выполненные в виде аксиально-симметричных концентрических колец с радиальными перемычками, величина равновесной фазы ускоряющего электрического поля в центре ускоряющих зазоров соответствует максимальному значению напряженности данного поля. Между трубками дрейфа отсутствует поперечное электрическое поле и формируется только аксиально-симметричное продольное, ускоряющее ионы, электрическое поле, величина которого не зависит от расстояния до центральной продольной оси. Высокочастотная ускоряющая структура для пучков ионов, экстрагированных из лазерной плазмы, состоящая из ВЧ-резонатора с ускоряющим электрическим полем и трубок дрейфа, отличающаяся тем, что на входных и выходных торцах всех трубок дрейфа установлены металлические сетки, выполненные в виде аксиально-симметричных концентрических колец с радиальными перемычками, и величина равновесной фазы ускоряющего электрического поля в центре ускоряющих зазоров выбирается соответствующей максимальному значению напряженности данного поля.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ") (RU)
Высокочастотная ускоряющая структура для пучков ионов, экстрагированных из лазерной плазмы, состоящая из ВЧ-резонатора с ускоряющим электрическим полем и трубок дрейфа, отличающаяся тем, что на входных и выходных торцах всех трубок дрейфа установлены металлические сетки, выполненные в виде аксиально-симметричных концентрических колец с радиальными перемычками, и величина равновесной фазы ускоряющего электрического поля в центре ускоряющих зазоров выбирается соответствующей максимальному значению напряженности данного поля.
69
Патент 2522662
Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки. В ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана и сильные окислители, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений. В качестве рабочего вещества используют карборандикарбоновую кислоту (C4H12B10O4), в которой атомы сильных окислителей включены в молекулу рабочего вещества. Сильные окислители, при электрическом разряде, высвобождаясь из молекулы рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, образующиеся летучие соединения удаляют вакуумной откачкой. Способ непрерываемого производства пучка ионов карборана с постоянной самоочисткой ионного источника и системы экстракции ионного имплантера, заключающийся в том, что в ионизационную камеру источника ионов подают рабочее вещество на основе карборана и вещества, являющиеся сильными окислителями, такие как кислород или его химические соединения, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, отличающийся тем, что в ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана, а именно карбондикарбоновую кислоту (C4H12B10O4), в котором атомы сильного окислителя, кислорода, включены в молекулу рабочего вещества и в электрическом разряде, высвобождаясь из рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионного имплантера и внутреннюю поверхность ионизационной камеры источника ионов, с образованием летучих соединений, удаляемых при помощи вакуумной откачки.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ") (RU)
Способ непрерываемого производства пучка ионов карборана с постоянной самоочисткой ионного источника и системы экстракции ионного имплантера, заключающийся в том, что в ионизационную камеру источника ионов подают рабочее вещество на основе карборана и вещества, являющиеся сильными окислителями, такие как кислород или его химические соединения, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, отличающийся тем, что в ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана, а именно карбондикарбоновую кислоту (C4H12B10O4), в котором атомы сильного окислителя, кислорода, включены в молекулу рабочего вещества и в электрическом разряде, высвобождаясь из рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионного имплантера и внутреннюю поверхность ионизационной камеры источника ионов, с образованием летучих соединений, удаляемых при помощи вакуумной откачки.
70
Патент 2643525
Изобретение относится к плазменному экспандеру изменяемого объема и к устройствам для формирования плазмы для получения электронных или ионных пучков. Плазменный экспандер изменяемого объема имеет цилиндрическую форму, изготовлен из проводящих материалов, плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны происходит частичное ограничение плазмы. Конструкция экспандера состоит из 1 - цилиндрического основания, 2 - вставки, выполненной в виде кольца (А), выбираемого из набора колец с толщиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм, сильфона (В) или резьбового соединения (С), 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц предусматривает использование указанного плазменного экспандера, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера. При этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5С) собирают экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5А) собирают экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и снижая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской. Техническим результатом является упрощение настройки системы формирования пучка с одновременным повышением ее точности, что обеспечивает получение плоскопараллельного пучка заряженных частиц. 1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов. 2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца. 3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм. 4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона. 5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения. 6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов. 2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца. 3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм. 4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона. 5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения. 6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.