|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
621
|
Патент 2395133
|
Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов. Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов и нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника. Технический результат - увеличение степени нейтрализации выходного пучка и его интенсивности.
Основное назначение
Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов. Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов и нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника. Технический результат - увеличение степени нейтрализации выходного пучка и его интенсивности.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов. Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов и нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника. Технический результат - увеличение степени нейтрализации выходного пучка и его интенсивности.
Основное назначение
Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов. Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов и нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника. Технический результат - увеличение степени нейтрализации выходного пучка и его интенсивности.
|
||
|
622
|
Патент 2376677
|
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.
|
||