Изобретения

Изобретение относится к наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложен наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние. Изобретение обеспечивает возможность создания наноразмерного логического элемента «НЕ» (инвертор) для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерный логический инвертор для цифровых устройств, включающий подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающийся тем, что он выполнен из двух параллельно размещенных нанопроводов, содержащих резистивные участки, смещенные относительно друг друга по длине, и второй провод содержит суженный участок, расположенный вблизи резистивного участка первого провода, при этом сопротивление резистивного участка второго провода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для узкого участка нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние узкого участка соседнего нанопровода другого логического элемента цифрового устройства, но недостаточного для этого при переходе суженного участка второго провода в нормальное состояние.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем различного назначения где требуется формирование однополярных сигналов прямоугольной формы для работы последующих логических схем с элементами нанометровых размеров. Техническим результатом является создание наноразмерного генератора для цифровых устройств с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Для его достижения предложен наноразмерный генератор импульсов, характеризуемый наличием подключенных к источнику напряжения нечетного количества, но не менее трех, сверхпроводящих нанопроводов, содержащих резистивные участки и размещенных в пространстве так, что резистивный участок каждого предыдущего нанопровода расположен вблизи нагреваемого им участка следующего нанопровода, а резистивный участок последнего нанопровода расположен вблизи нагреваемого участка первого нанопровода. Нагреваемые участки сверхпроводящих нанопроводов выполнены суженными. 1. Наноразмерный генератор импульсов, характеризуемый наличием подключенных к источнику напряжения нечетного количества, но не менее трех, сверхпроводящих нанопроводов, содержащих резистивные участки и размещенных в пространстве так, что резистивный участок каждого предыдущего нанопровода расположен вблизи нагреваемого им участка следующего нанопровода, а резистивный участок последнего нанопровода расположен вблизи нагреваемого участка первого нанопровода. 2. Наноразмерный генератор импульсов по п. 1, отличающийся тем, что нагреваемые участки сверхпроводящих нанопроводов выполнены суженными.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложено наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов, была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Техническим результатом изобретения является создание наноразмерного логического устройства ИЛИ для цифровых схем с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к композиционным полимерным материалам и способу их получения. Нанокомпозиционный полимерный материал получают путем совместной конденсации на подложке паров сульфидов металлов и дихлор-п-ксилилена, полученного пиролизом ?,?'-дихлор-п-ксилола, в вакууме с образованием пленок полимерной пленки. Причем в качестве сульфидов металлов используют PbS, CdS, ZnS. После чего полимерную пленку дополнительно прогревают в вакууме или в протоке инертного газа до получения пленки сопряженного полимера полифениленвинилена, содержащего наночастицы PbS, CdS, ZnS. Материал на основе сопряженного полимера полифениленвинилена содержит 4,2-8 об.% наночастиц сульфидов металлов PbS, CdS, ZnS с размером 4,1-9,5 нм. Полученный материал обладает интенсивной электролюминесценцией с максимумом в интервале длин волн 480-520 нм, мощностью излучения 5-20 мВт и оптическим поглощением в видимой области свыше 90%. 1. Способ получения нанокомпозиционного полимерного материала, путем совместной конденсации на подложке паров сульфидов металлов и дихлор-п-ксилилена в вакууме с образованием полимерной пленки и с последующим прогревом пленки при температуре в диапазоне 200-270°C, отличающийся тем, что в качестве сульфидов металлов используют PbS, CdS, ZnS, пары дихлор-п-ксилилена получают пиролизом ?,?'-дихлор-п-ксилола, а прогрев ведут в потоке инертного газа до образования сопряженного полифениленвинилена. 2. Материал, полученный по п.1, на основе сопряженного полимера полифениленвинилена, содержащий 4,2-8 об.% наночастиц сульфидов металлов PbS, CdS, ZnS, размером 4,1-9,5 нм, обладающий интенсивной электролюминесценцией с максимумом в интервале длин волн 480-520 нм, мощностью излучения 5-20 мВт, числом звеньев с сопряженными двойными связями 12,1-27,1.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к области биотехнологии. Предложен вариант мутантной рекомбинантной гепариназы I из Pedobacter heparinus, содержащий следующие аминокислотные замены по сравнению с аминокислотной последовательностью исходной гепариназы I: E117Q, Q118P, Е362Р, Y363P. Предложен фрагмент ДНК, кодирующий указанную мутантную гепариназу I. Группа изобретений позволяет получить рекомбинантную мутантную гепариназу I, обладающую повышенной удельной активностью по сравнению с исходной немодифицированной гепариназой I. 1. Мутантная рекомбинантная гепариназа I, характеризующаяся аминокислотной последовательностью соответствующей аминокислотной последовательности гепариназы I Pedobacter heparinus, в которой аминокислотный остаток глутаминовой кислоты в положении 117 заменен на остаток глутамина, аминокислотный остаток глутамина в положении 118 заменен на остаток пролина, аминокислотный остаток глутаминовой кислоты в положении 362 заменен на остаток пролина, аминокислотный остаток тирозина в положении 363 заменен на остаток пролина. 2. Фрагмент ДНК, кодирующий мутантную гепариназу I по п.1, характеризующийся тем, что имеет нуклеотидную последовательность, указанную в списке последовательностей под номером SEQ ID NO: 2, в которой нуклеотиды в положении 349-354 образуют пару кодонов, кодирующих глутамин и пролин, в положении 1084-1089 образуют пару кодонов, кодирующих два пролина, или последовательность, отличающуюся от последовательности SEQ ID NO: 2, вследствие вырожденности генетического кода.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Настоящее изобретение относится к биотехнологии и представляет собой мутантные варианты рекомбинантной L-аспарагиназы, характеризующиеся аминокислотной последовательностью, соответствующей аминокислотной последовательности L-аспарагиназы бактерий Wolinella succinogenes, в которой аминокислотный остаток лизина в положении 24 заменен на остаток серина либо аминокислотный остаток валина в положении 23 заменен на остаток глутамина, а аминокислотный остаток лизина в положении 24 заменен на остаток треонина. Изобретение позволяет получить варианты L-аспарагиназы с улучшенной устойчивостью к протеолизу под действием трипсина по сравнению с немодифицированным рекомбинантным белком и различным уровнем глутаминазной активности при полном сохранении аспарагиназной активности, что делает их привлекательными объектами для разработки на их основе новых противоопухолевых терапевтических препаратов. 1. Мутантный вариант рекомбинантной L-аспарагиназы, характеризующийся аминокислотной последовательностью, соответствующей аминокислотной последовательности L-аспарагиназы бактерий Wolinella succinogenes, в которой аминокислотный остаток лизина в положении 24 заменен на остаток серина. 2. Мутантный вариант рекомбинантной L-аспарагиназы, характеризующийся аминокислотной последовательностью, соответствующей аминокислотной последовательности L-аспарагиназы бактерий Wolinella succinogenes, в которой аминокислотный остаток валина в положении 23 заменен на остаток глутамина, а аминокислотный остаток лизина в положении 24 заменен на остаток треонина.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени. Монокристалл выращивают из маточного раствора методом охлаждения. Предварительно маточный раствор и кристаллизатор с заранее размещенным внутри него затравочным кристаллом перегревают на 8-9°С выше температуры насыщения раствора. Затем заливают раствор в кристаллизатор, понижают температуру раствора до температуры, меньшей температуры насыщения на 0.1-0.5°С, начинают перемешивание раствора, термостатируют раствор при указанной температуре в течение 20-28 часов, после чего производят поэтапное снижение температуры раствора, на первом этапе температуру раствора снижают на 0.5-2°С, а на втором этапе снижение температуры ведут со скоростью от 0.6°С до 4°С в сутки, по завершении второго этапа раствор сливают, снижают температуру внутри кристаллизатора до комнатной и затем извлекают монокристалл из кристаллизатора. Монокристалл сохраняет термостабильность неограниченное время вплоть до температуры 130°С, что повышает эксплуатационную надежность приборов, в которых он используется, и пропускает ультрафиолетовое излучение в диапазоне волн от 220 до 320 нм. Приведены параметры решетки кристалла, (?): а=6.3576(8), b=12.7660(17), с=9.2550(10), ?=106.97(01)°, V=718.4 ?3, Z=2, dвыч=2.887 г·см-3. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии Наук (RU), ЗАО Научно-технический центр "Реагент" (RU)

Изобретение относится к модульному ядерному реактору малой мощности на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем. Реактор содержит корпус с крышкой, с расположенными внутри него активной зоной, теплообменниками промежуточного контура, циркуляционными насосами с напорным коллектором, системой СУЗ, при этом корпус выполнен с двойными стенками с внутренней газовой полостью, с установленными в верхней части внутренней стенки корпуса плавками вставками, а наружная стенка корпуса выполнена с оребрением. Возможны варианты конструкции активной зоны реактора, сформированной вертикально установленными бесчехловыми тепловыделяющими сборками (ТВС), в том числе гетерогенными бесчехловыми ТВС, в которых применены топливные твэлы с МОКС - топливом и воспроизводящие твэлов с воспроизводящим материалом из сплава U-Zr или металлического урана с оксидным покрытием. Причем воспроизводящие твэлы равномерно распределены между топливными твэлами и их количество находится в соотношении 1 к 2 соответственно, а диаметр воспроизводящих твэлов больше диаметра топливных твэлов. Техническим результатом является повышение радиационной и пожарной безопасности реактора в режимах тяжелых аварий с потерей охлаждения активной зоны, его внутренней самозащищенности, возможность гибкого управления величиной характеристик активной зоны и работы с широким спектром изотопного состава и типов топлива и воспроизводящих материалов. 1. Модульный ядерный реактор на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий корпус с крышкой, с расположенными внутри него активной зоной, теплообменниками промежуточного контура, циркуляционными насосами с напорным коллектором, системой СУЗ, при этом корпус выполнен с двойными стенками с внутренней газовой полостью, с установленными в верхней части внутренней стенки корпуса плавками вставками, а наружная стенка корпуса выполнена с оребрением. 2. Ядерный реактор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве жидкометаллического теплоносителя используют натрий. 3. Ядерный реактор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве жидкометаллического теплоносителя используют эвтектику Na-Tl 92.9 и 7.1 атомных % соответственно. 4. Активная зона модульного ядерного реактора на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем, сформированная вертикально установленными бесчехловыми тепловыделяющими сборками (ТВС) с силовыми элементами и расположенными в верхней части дистанционирующими поясками, с треугольной решеткой цилиндрических тепловыделящих элементах с дистанционирующими решетками со смешанным U-Pu-Zr топливом, с нижней и верхней торцевыми зонами воспроизводства, сформированными за счет помещения над и под U-Pu-Zr топливом в тепловыделящих элементах воспроизводящего материала из металлического обедненного уран/тория или диоксида обедненного урана/тория, и боковой зоны воспроизводства с чехловыми тепловыделяющими сборками (ТВС) с цилиндрическими тепловыделящими элементами большого диаметра, в которых размещен воспроизводящий материал из диоксида обедненного урана/тория или металлического обедненного урана/тория. 5. Активная зона по п. 4, отличающаяся тем, что силовые элементы представляют собой размещенные в углах ТВС шесть стальных стержней, прикрепленных к хвостовикам и головкам ТВС. 6. Активная зона по п. 4, отличающаяся тем, что часть ТВС выполнена с центральной полостью для размещения органов регулирования СУЗ с установленным в ней силовым элементом в виде стального чехла. 7. Активная зона модульного ядерного реактора на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем сформирована вертикально установленными гетерогенными бесчехловыми тепловыделяющими сборками (ТВС) с силовыми элементами и расположенными в верхней части дистанционирующими поясками, с треугольной решеткой цилиндрических тепловыделящих элементов (твэлов) с дистанционирующими решетками, при этом твэлы в гетерогенных ТВС выполнены в виде топливных твэлов с МОКС - топливом и воспроизводящих твэлов с воспроизводящим материалом из сплава U-Zr или металлического урана с оксидным покрытием, при этом воспроизводящие твэлы равномерно распределены между топливными твэлами и их количество находится в соотношении 1 к 2 соответственно, а диаметр воспроизводящих твэлов больше диаметра топливных твэлов, а нижняя и верхняя торцевые зоны воспроизводства сформированы из металлического обедненного уран/тория или диоксида обедненного урана/тория, а боковая зона воспроизводства сформирована чехловыми тепловыделяющими сборками (ТВС) с цилиндрическими тепловыделящими элементами большого диаметра, в которых размещен воспроизводящий материал из диоксида обедненного урана/тория или металлического обедненного урана/тория. 8. Активная зона по п. 7 отличающаяся тем, что силовые элементы представляют собой размещенные в углах ТВС шесть стальных стержней, прикрепленных к хвостовикам и головкам ТВС. 9. Активная зона по п. 7 отличающаяся тем, что часть ТВС выполнена с центральной полостью для размещения органов регулирования СУЗ с установленным в ней силовым элементом в виде стального чехла.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к конструкции узла мишени компактного источника нейтронов и может использоваться в составе комплекса на основе ускорителя протонов. Техническим результатом является снижение толщины системы мишени при увеличении количества собираемых с поверхности крышки нейтронов. Узел содержит вакуумную камеру, состоящую из крышки и основания, внутри которой расположен вращающийся барабан мишенной сборки, выполненный в виде сборной полой конструкции из обода с трапециевидным сечением с установленными в нем бериллиевыми сегментами. Барабан имеет осевой канал подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы. Причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного канала и бериллиевого сегмента, выполнено в виде кармана. Барабан выполнен из двух крышек: верхней и нижней, и инжекторного диска, установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы. Причем крышки на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости. Ребра верхней крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана 1. Узел мишени компактного источника нейтронов, содержащий вакуумную камеру, выполненную из крышки (1) и основания (16), внутри которой расположен вращающийся барабан (4) мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами (3), где вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен с осевым каналом подачи охлаждающей жидкости, который разветвляется на радиальные каналы подачи охлаждающей жидкости к каждому упомянутому бериллиевому сегменту (3), причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного радиального канала и бериллиевого сегмента (3), выполнено в виде кармана, отличающийся тем, что вращающийся барабан (4) мишенной сборки выполнен в виде сборной полой конструкции из обода, имеющего трапециевидное сечение, на внешней стороне которого установлены бериллиевые сегменты (3), двух крышек: верхней (7) и нижней (8), и инжекторного диска (5), установленного по центру барабана и содержащего упомянутые радиальные каналы, где упомянутые крышки (7) и (8) на своих внутренних поверхностях содержат ребра жесткости, при этом ребра верхней (7) крышки выполнены изогнутыми по направлению вращения барабана для дополнительной подачи охлаждающей жидкости, а ребра нижней (8) крышки выполнены изогнутыми против вращения барабана для отведения жидкости после охлаждения указанных сегментов (3). 2. Узел по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно содержит бериллиевые отражатели (2), а крышка (1) вакуумной камеры дополнительно содержит ребра жесткости (6), между которыми установлены указанные бериллиевые отражатели (2). 3. Узел по п. 1, отличающийся тем, что указанное вращение барабана мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми сегментами осуществляют по часовой стрелке.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)