Изобретения

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных управляющих электродов затворов, позволяющее создавать более резкие p-n-переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны вольт-амперных характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей, увеличение крутизны подпороговой вольтамперной характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов затворов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается конструкция туннельного нелегированного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки, характеризующаяся тем, что на поверхности слоя подзатворного диэлектрика располагаются последовательно два или больше управляющих электродов затворов на участке над каналом нанотранзистора между электродами стока и истока, при этом боковые поверхности управляющих электродов затворов закрыты слоями диэлектрика спейсеров, легирование слоя полупроводника не производится ни под электродами стока и истока, ни в канале нанотранзистора на участке между электродами стока и истока, а необходимые режимы работы нанотранзистора обеспечиваются использованием эффекта туннелирования и соответствующим выбором материалов электродов стока, истока и управляющих электродов затворов, а также прилагаемыми к управляющим электродам затворов напряжениями. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти включает проводящую шину первого уровня, соединенную с ней полупроводниковую структуру (например, диод или транзистор), обеспечивающую электрическую развязку ячеек в матрице и содержащую область с высокой концентрацией носителей тока из полупроводника n+- или р+-типа, перекрещивающуюся с шиной первого уровня проводящую шину второго уровня, расположенный непосредственно под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Под изолирующей щелью между слоем диэлектрика и областью с высокой концентрацией носителей тока полупроводниковой структуры расположен дополнительный проводящий элемент из нитрида титана, электрически изолированный от всех других элементов ячейки памяти. Техническим результатом изобретения является уменьшение напряжения питания, увеличение радиационной стойкости и улучшение технологичности изготовления ячейки памяти методами традиционной кремниевой технологии. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов. Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов и нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника. Технический результат - увеличение степени нейтрализации выходного пучка и его интенсивности.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.

Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой конструкцию токопроводящих котировочных узлов для ускоряющих структур с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя, выполненную на основе 4-х камерного резонатора с системой электродов. Конструкция юстировочного узла выполнена в виде токопроводящей юстировочной опоры цилиндрической формы, которая располагается вблизи приосевой области резонатора и соединяет продольно разделенный на две неравные части электрод таким образом, что верхняя меньшая часть - вершина электрода - и нижняя большая часть - основание электрода - образуют соединение посредством указанной опоры с сохранением электрического контакта всей конструкции разделенного электрода с корпусом резонатора. Техническим результатом является обеспечение и долговременное сохранение требуемой точности юстировки модулированных электродов в приосевой области ускоряющей структуры без существенного снижения ее энергоэффективности. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл.

Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.

Изобретение относится к конструкции узла мишени компактного источника нейтронов для использования в составе комплекса на основе ускорителя протонов. Узел содержит вакуумную камеру, внутри которой расположен вращающийся корпус охлаждаемого барабана мишенной сборки с установленными в нем бериллиевыми ячейками и охлаждаемый барабан мишенной сборки. Причем корпус охлаждаемого барабана мишенной сборки выполнен в виде полого цилиндра с окошками в боковой поверхности, в каждом из которых установлена соответствующая бериллиевая ячейка, охлаждаемый барабан мишенной сборки выполнен с осевым каналом подачи охлаждающей жидкости. Канал разветвляется на радиальные каналы подачи охлаждающей жидкости к каждой упомянутой бериллиевой ячейке, причем место контакта охлаждающей жидкости, поступающей из указанного радиального канала, и бериллиевой ячейки выполнено в виде кармана. В нижней части охлаждаемого барабана мишенной сборки выполнены спиралевидные каналы отведения охлаждающей жидкости от каждого кармана, перенаправляющие ее к центру указанного барабана, а торец указанного барабана в месте кармана выполнен в виде лопасти. Техническим результатом является увеличение отвода тепла с одновременным уменьшением слоя охлаждающей жидкости. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.