+7 499 196 95 39
41
Патент 2679148
Изобретение относится к области биохимии. Предложен неконкурентный ингибитор тимидинфосфорилаз пептидной природы H-Trp-Met(О2)-Phe-NH2. Изобретение обеспечивает получение неконкурентного ингибитора тимидинфосфорилаз пептидной природы, который потенциально можно использовать для лечения онкологических заболеваний. 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к области биохимии. Предложен неконкурентный ингибитор тимидинфосфорилаз пептидной природы H-Trp-Met(О2)-Phe-NH2. Изобретение обеспечивает получение неконкурентного ингибитора тимидинфосфорилаз пептидной природы, который потенциально можно использовать для лечения онкологических заболеваний. 3 ил.
42
Патент 2674584
Использование: для исследования совершенства монокристаллических слоев. Сущность изобретения заключается в том, что установка для исследования образцов содержит источник рентгеновского излучения и установленные по ходу рентгеновского луча блок с кристаллом-монохроматором, гониометр с установленным на нем образцом, щелевую диафрагму и детектор, при этом между блоком с кристаллом-монохроматором и щелевой диафрагмой дополнительно введен коллиматор трубчатой формы длиной от 80 до 100 см, внутренняя полость которого посредством вакуумного насоса откачена до давления не ниже 100 Па, гониометрическая головка выполнена с возможностью изменения пространственного положения в трех плоскостях посредством шаговых электродвигателей, щелевая диафрагма выполнена с возможностью изменения размера пучка излучения по горизонтали и вертикали, узел детектора выполнен с возможностью перемещения и снабжен системой охлаждения. Технический результат: обеспечение возможности регистрации трехмерной карты расположения дефектов внутри кристалла. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Использование: для исследования совершенства монокристаллических слоев. Сущность изобретения заключается в том, что установка для исследования образцов содержит источник рентгеновского излучения и установленные по ходу рентгеновского луча блок с кристаллом-монохроматором, гониометр с установленным на нем образцом, щелевую диафрагму и детектор, при этом между блоком с кристаллом-монохроматором и щелевой диафрагмой дополнительно введен коллиматор трубчатой формы длиной от 80 до 100 см, внутренняя полость которого посредством вакуумного насоса откачена до давления не ниже 100 Па, гониометрическая головка выполнена с возможностью изменения пространственного положения в трех плоскостях посредством шаговых электродвигателей, щелевая диафрагма выполнена с возможностью изменения размера пучка излучения по горизонтали и вертикали, узел детектора выполнен с возможностью перемещения и снабжен системой охлаждения. Технический результат: обеспечение возможности регистрации трехмерной карты расположения дефектов внутри кристалла. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
43
Патент 2673870
Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр
44
Патент 2659274
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF2-CeF3, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Способ включает кристаллизацию из расплава шихты, состоящей из смеси фторидов одного или нескольких фторидов щелочноземельных металлов M=Са, Sr, Ва и церия при мольном содержании фторида церия от 0,05 до 50% в атмосфере фторирующих агентов с последующим послеростовым охлаждением до температуры 400-500°С, после достижения этой температуры из ростовой зоны удаляют газообразные фторирующие агенты и ведут термообработку в неокисительной атмосфере при температуре 400-500°С не менее 5 часов, а затем медленно охлаждают кристалл до комнатной температуры. Изобретение направлено на получение кристаллов с высоким оптическим качеством при отсутствии экологически вредных выбросов легколетучих фторидов. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF2-CeF3, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Способ включает кристаллизацию из расплава шихты, состоящей из смеси фторидов одного или нескольких фторидов щелочноземельных металлов M=Са, Sr, Ва и церия при мольном содержании фторида церия от 0,05 до 50% в атмосфере фторирующих агентов с последующим послеростовым охлаждением до температуры 400-500°С, после достижения этой температуры из ростовой зоны удаляют газообразные фторирующие агенты и ведут термообработку в неокисительной атмосфере при температуре 400-500°С не менее 5 часов, а затем медленно охлаждают кристалл до комнатной температуры. Изобретение направлено на получение кристаллов с высоким оптическим качеством при отсутствии экологически вредных выбросов легколетучих фторидов. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
45
Патент 2654375
Изобретение относится к устройствам для проведения рентгенодифракционных исследований материалов. Дифрактометр содержит источник рентгеновского излучения, размещенные за ним последовательно по ходу рентгеновского луча первую щелевую диафрагму, первый гониометр, вторую щелевую диафрагму, второй гониометр, а также детектор излучения, дополнительно содержит отдельный съемный блок. Данный блок имеет электромеханический рентгенооптический элемент на основе кристалла кремния, соединенного с безгистерезисным монолитным биморфом. Съемный блок подключен к блоку модуляции напряжения на названном элементе и в зависимости от поставленной задачи исследования может размещаться как на первом по ходу рентгеновских лучей гониометре, так и на втором гониометре. При этом второй гониометр дополнительно снабжен блоком для установки исследуемого образца, позволяющим проводить дополнительную подстройку положения исследуемого образца относительно пучка излучения, а также юстировку путем подстройки углов наклона и азимутального угла. Детектор излучения и второй гониометр электрически связаны с блоком управления. В качестве безгистерезисного монолитного биморфа электромеханического рентгенооптического элемента может быть применен бидоменный кристалл ниобата лития, соединение кристалла кремния с безгистерезисным монолитным биморфом может осуществляться посредством склейки. Техническим результатом является создание устройства, в котором реализована электронно-управляемая перестройка углового положения рентгенгоптического монохроматора, что обеспечивает оперативный и прецизионный анализ исследуемых объектов. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к устройствам для проведения рентгенодифракционных исследований материалов. Дифрактометр содержит источник рентгеновского излучения, размещенные за ним последовательно по ходу рентгеновского луча первую щелевую диафрагму, первый гониометр, вторую щелевую диафрагму, второй гониометр, а также детектор излучения, дополнительно содержит отдельный съемный блок. Данный блок имеет электромеханический рентгенооптический элемент на основе кристалла кремния, соединенного с безгистерезисным монолитным биморфом. Съемный блок подключен к блоку модуляции напряжения на названном элементе и в зависимости от поставленной задачи исследования может размещаться как на первом по ходу рентгеновских лучей гониометре, так и на втором гониометре. При этом второй гониометр дополнительно снабжен блоком для установки исследуемого образца, позволяющим проводить дополнительную подстройку положения исследуемого образца относительно пучка излучения, а также юстировку путем подстройки углов наклона и азимутального угла. Детектор излучения и второй гониометр электрически связаны с блоком управления. В качестве безгистерезисного монолитного биморфа электромеханического рентгенооптического элемента может быть применен бидоменный кристалл ниобата лития, соединение кристалла кремния с безгистерезисным монолитным биморфом может осуществляться посредством склейки. Техническим результатом является создание устройства, в котором реализована электронно-управляемая перестройка углового положения рентгенгоптического монохроматора, что обеспечивает оперативный и прецизионный анализ исследуемых объектов. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
46
Патент 2607226
Изобретение может быть использовано для создания матриц для индивидуальных биоактивных имплантатов и искусственных органов. Для получения трехмерных матриц используют установку, состоящую из системы управления, трехкоординатной системы перемещения шприцевого диспенсера и рабочего резервуара. В управляющее программное обеспечение системы управления загружают цифровую трехмерную модель матрицы. Раствор полилактогликолида в тетраэтиленгликоле перемешивают при температуре 20-60°С в течение не менее 3 ч. Затем раствор инъекционно послойно наносят сначала на дно рабочего резервуара с жидкостью. Каждый последующий слой наносят на поверхность формирующейся трехмерной матрицы путем перемещения шприцевого диспенсера при формировании каждого слоя в горизонтальных направлениях. Шприцевой диспенсер каждый раз перед началом формирования последующего слоя поднимают на высоту, равную толщине отдельного слоя. Скорость перемещения шприцевого диспенсера в горизонтальных направлениях выбирают 3-7 мм/с. После завершения формирования трехмерную матрицу выдерживают в течение 2-3 ч в жидкости для окончательной фиксации, затем высушивают на воздухе при комнатной температуре. Изобретение позволяет получить не обладающие цитотоксичностью трехмерные матрицы заданной структуры и формы на основе их цифровых трехмерных моделей. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение может быть использовано для создания матриц для индивидуальных биоактивных имплантатов и искусственных органов. Для получения трехмерных матриц используют установку, состоящую из системы управления, трехкоординатной системы перемещения шприцевого диспенсера и рабочего резервуара. В управляющее программное обеспечение системы управления загружают цифровую трехмерную модель матрицы. Раствор полилактогликолида в тетраэтиленгликоле перемешивают при температуре 20-60°С в течение не менее 3 ч. Затем раствор инъекционно послойно наносят сначала на дно рабочего резервуара с жидкостью. Каждый последующий слой наносят на поверхность формирующейся трехмерной матрицы путем перемещения шприцевого диспенсера при формировании каждого слоя в горизонтальных направлениях. Шприцевой диспенсер каждый раз перед началом формирования последующего слоя поднимают на высоту, равную толщине отдельного слоя. Скорость перемещения шприцевого диспенсера в горизонтальных направлениях выбирают 3-7 мм/с. После завершения формирования трехмерную матрицу выдерживают в течение 2-3 ч в жидкости для окончательной фиксации, затем высушивают на воздухе при комнатной температуре. Изобретение позволяет получить не обладающие цитотоксичностью трехмерные матрицы заданной структуры и формы на основе их цифровых трехмерных моделей. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
47
Патент 2808945
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
48
Патент 2808903
Изобретение относится к области нанооксидных материалов, конкретно к методу получения нанопорошка триоксида молибдена, применяемого для изготовления сцинтилляторов сложного состава, как катализатора для селективного окисления в качестве присадки в масла для снижения трения и как промежуточного продукта для получения тонких прозрачных оксидных пленок. Способ получения нанопорошка MoO3 в реакторе путем испарения порошка MoO3 и осаждения его паров на подложку характеризуется тем, что реактор, внутри которого размещена подложка с порошком MoO3, заполняют гелием под давлением 6-8 МПа, нагревают порошок до 650-700°C в течение 10-20 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры и извлекают из реактора. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа изготовления целевого материала с диаметром стержней 5-10 нм на простом по конструкции оборудовании. 2 ил., 6 пр.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к области нанооксидных материалов, конкретно к методу получения нанопорошка триоксида молибдена, применяемого для изготовления сцинтилляторов сложного состава, как катализатора для селективного окисления в качестве присадки в масла для снижения трения и как промежуточного продукта для получения тонких прозрачных оксидных пленок. Способ получения нанопорошка MoO3 в реакторе путем испарения порошка MoO3 и осаждения его паров на подложку характеризуется тем, что реактор, внутри которого размещена подложка с порошком MoO3, заполняют гелием под давлением 6-8 МПа, нагревают порошок до 650-700°C в течение 10-20 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры и извлекают из реактора. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа изготовления целевого материала с диаметром стержней 5-10 нм на простом по конструкции оборудовании. 2 ил., 6 пр.
49
Патент 2802925
Изобретение относится к микроскопии, а именно к рентгеновской микроскопии и может применяться, например, для создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. Технический результат - обеспечение возможности создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. В микрофокусном рентгеновском источнике, содержащем фемтосекундный лазер, зеркало, объектив, установленную на позиционере, снабженном двигателем, мишень и детектор излучения, по ходу лазерного луча установлено диэлектрическое зеркало, которое отражает инфракрасное излучение лазера в сторону мишени и пропускает излучение видимого диапазона в сторону цифровой камеры, за зеркалом по ходу инфракрасного излучения размещен объектив, снабженный соплом для поддувки газом, за которым по ходу инфракрасного излучения размещена на позиционере мишень в форме диска. Мишень обращена к излучению боковой поверхностью и совершает вращательное и возвратно-поступательное движение в направлении оси вращения. Лазер, цифровая камера, детектор рентгеновского излучения и двигатель позиционера подключены к управляющему компьютеру. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Изобретение относится к микроскопии, а именно к рентгеновской микроскопии и может применяться, например, для создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. Технический результат - обеспечение возможности создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. В микрофокусном рентгеновском источнике, содержащем фемтосекундный лазер, зеркало, объектив, установленную на позиционере, снабженном двигателем, мишень и детектор излучения, по ходу лазерного луча установлено диэлектрическое зеркало, которое отражает инфракрасное излучение лазера в сторону мишени и пропускает излучение видимого диапазона в сторону цифровой камеры, за зеркалом по ходу инфракрасного излучения размещен объектив, снабженный соплом для поддувки газом, за которым по ходу инфракрасного излучения размещена на позиционере мишень в форме диска. Мишень обращена к излучению боковой поверхностью и совершает вращательное и возвратно-поступательное движение в направлении оси вращения. Лазер, цифровая камера, детектор рентгеновского излучения и двигатель позиционера подключены к управляющему компьютеру. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
50
Патент 2793078
Способ изготовления зонных пластин, в котором формируют блок из стеклянных пластин двух сортов, имеющих различную плотность и диэлектрическую проницаемость, но одинаковую площадь и объем, располагая пластины первого и второго сорта поочередно. С обеих сторон блока находятся пакеты пластин из слоев стекла первого сорта. Блок размещают внутри контейнера, который устанавливают в формовочный узел внутри теплового узла, обеспечивающего нагрев блока пластин распределенным температурным полем, что приводит к последовательному выдавливанию расплава стекла нижних слоев через фильеру формовочного узла. Осуществляют оттяжку полученной «луковицы» посредством тянущего механизма и вытяжку для получения кольцевой заготовки, которую перетягивают в подобии для достижения требуемых геометрических размеров последней зоны. Перетянутую заготовку режут на отдельные пластины и подвергают механической обработке. Технический результат - обеспечение изготовления зонных пластин, которые формируют монохроматические и полихроматические рентгеновские пучки в очень широком диапазоне энергий и сохраняют свойства под действием мощных пучков синхротронного излучения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Способ изготовления зонных пластин, в котором формируют блок из стеклянных пластин двух сортов, имеющих различную плотность и диэлектрическую проницаемость, но одинаковую площадь и объем, располагая пластины первого и второго сорта поочередно. С обеих сторон блока находятся пакеты пластин из слоев стекла первого сорта. Блок размещают внутри контейнера, который устанавливают в формовочный узел внутри теплового узла, обеспечивающего нагрев блока пластин распределенным температурным полем, что приводит к последовательному выдавливанию расплава стекла нижних слоев через фильеру формовочного узла. Осуществляют оттяжку полученной «луковицы» посредством тянущего механизма и вытяжку для получения кольцевой заготовки, которую перетягивают в подобии для достижения требуемых геометрических размеров последней зоны. Перетянутую заготовку режут на отдельные пластины и подвергают механической обработке. Технический результат - обеспечение изготовления зонных пластин, которые формируют монохроматические и полихроматические рентгеновские пучки в очень широком диапазоне энергий и сохраняют свойства под действием мощных пучков синхротронного излучения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.