|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
471
|
Патент 2756577
|
Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
Основное назначение
Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
Основное назначение
1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
|
||
|
472
|
Патент 2756757
|
Изобретение относится к фармацевтической технологии и представляет собой способ получения суспензии, содержащей наноразмерные частицы лекарственного вещества, характеризующийся тем, что включает стадии: стадию получения вещества-носителя путем растворения в воде ?-циклодекстрина и гидроксида натрия при мольном соотношении 1:7-1:8 в присутствии этанола 15-25% от объема раствора, перемешивания 2-3 ч при температуре 45-50°C, фильтрования раствора через мембранный фильтр, добавления-наслаивания на поверхность раствора 95%-ного этилового спирта в количестве, равном объему раствора, выдерживания 22-24 ч при комнатной температуре без доступа света до начала образования кристаллов, перемешивания встряхиванием, выдерживания полученной системы 4-6 ч при температуре 50-65°C в герметично закрытом сосуде, дальнейшего охлаждения до комнатной температуры в течение 15-17 ч, выдерживания 46-48 ч при температуре 2-6°C, фильтрования осадка и подсушивания на фильтре, переноса осадка, представляющего собой порошок вещества-носителя, в отдельную тару и досушивания осадка при температуре 45-55°C в течение 4-6 ч, выдерживании порошка вещества-носителя 22-24 ч под вакуумом 0,1-0,01 мБар; стадию получения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, путем смешивания лекарственного вещества, выбранного из доцетаксела и силибина, с веществом-носителем при массовом соотношении 1:10 и добавления растворителя, выбранного из хлористого метилена в случае доцетаксела и ацетона в случае силибина, инкубирования полученной суспензии при комнатной температуре и встряхивании в течение 22-24 ч, фильтрования суспензии с последующей промывкой осадка на фильтре 95%-ным этиловым спиртом, высушивания осадка до постоянной массы под вакуумом; стадию получения суспензии наночастиц путем внесения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, в воду или в невязкие водные растворы хлорида натрия 0,9% для инъекций или глюкозы 5% для инъекций в соотношении 1:1500-1:2000 по массе и перемешивания до растворения. Технический результат заключается в исключении из процесса трудозатратных и энергоемких стадий. Способ получения суспензии, содержащей наноразмерные частицы лекарственного вещества, характеризующийся тем, что включает стадии:
стадию получения вещества-носителя в виде металл-органического каркасного соединения ?-циклодекстрин-натрий путем совместного растворения в воде ?-циклодекстрина и гидроксида натрия при мольном соотношении 1:7-1:8 в присутствии этанола 15-25% от объема раствора, перемешивания полученного раствора при температуре 45-50°C в течение 2-3 ч, фильтрования раствора через мембранный фильтр, постепенного добавления-наслаивания на поверхность раствора 95%-ного этилового спирта в количестве, равном объему раствора, выдерживания полученной системы при комнатной температуре без доступа света в течение 22-24 ч до начала образования кристаллов на границе раздела фаз, перемешивания смеси встряхиванием, выдерживания полученной системы в течение 4-6 ч при температуре 50-65°C в герметично закрытом сосуде, дальнейшего охлаждения до комнатной температуры в течение 15-17 ч, выдерживания при температуре 2-6°C в течение 46-48 ч, фильтрования осадка и подсушивания на фильтре, переноса осадка, представляющего собой порошок вещества-носителя, в отдельную тару и досушивания осадка при температуре 45-55°C в течение 4-6 ч, выдерживании порошка вещества-носителя в течение 22-24 ч под вакуумом 0,1-0,01 мБар,
стадию получения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, путем смешивания лекарственного вещества, выбранного из доцетаксела и силибина, с веществом-носителем при массовом соотношении 1:10 и добавления растворителя, выбранного из хлористого метилена в случае доцетаксела и ацетона в случае силибина, инкубирования полученной суспензии при комнатной температуре и встряхивании в течение 22-24 ч, фильтрования суспензии с последующей промывкой осадка на фильтре 95%-ным этиловым спиртом, высушивания осадка до постоянной массы под вакуумом,
стадию получения суспензии наночастиц путем внесения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, в воду или в невязкие водные растворы хлорида натрия 0,9% для инъекций или глюкозы 5% для инъекций в соотношении 1:1500-1:2000 по массе и перемешивания до растворения.
Основное назначение
Изобретение относится к фармацевтической технологии и представляет собой способ получения суспензии, содержащей наноразмерные частицы лекарственного вещества, характеризующийся тем, что включает стадии: стадию получения вещества-носителя путем растворения в воде ?-циклодекстрина и гидроксида натрия при мольном соотношении 1:7-1:8 в присутствии этанола 15-25% от объема раствора, перемешивания 2-3 ч при температуре 45-50°C, фильтрования раствора через мембранный фильтр, добавления-наслаивания на поверхность раствора 95%-ного этилового спирта в количестве, равном объему раствора, выдерживания 22-24 ч при комнатной температуре без доступа света до начала образования кристаллов, перемешивания встряхиванием, выдерживания полученной системы 4-6 ч при температуре 50-65°C в герметично закрытом сосуде, дальнейшего охлаждения до комнатной температуры в течение 15-17 ч, выдерживания 46-48 ч при температуре 2-6°C, фильтрования осадка и подсушивания на фильтре, переноса осадка, представляющего собой порошок вещества-носителя, в отдельную тару и досушивания осадка при температуре 45-55°C в течение 4-6 ч, выдерживании порошка вещества-носителя 22-24 ч под вакуумом 0,1-0,01 мБар; стадию получения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, путем смешивания лекарственного вещества, выбранного из доцетаксела и силибина, с веществом-носителем при массовом соотношении 1:10 и добавления растворителя, выбранного из хлористого метилена в случае доцетаксела и ацетона в случае силибина, инкубирования полученной суспензии при комнатной температуре и встряхивании в течение 22-24 ч, фильтрования суспензии с последующей промывкой осадка на фильтре 95%-ным этиловым спиртом, высушивания осадка до постоянной массы под вакуумом; стадию получения суспензии наночастиц путем внесения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, в воду или в невязкие водные растворы хлорида натрия 0,9% для инъекций или глюкозы 5% для инъекций в соотношении 1:1500-1:2000 по массе и перемешивания до растворения. Технический результат заключается в исключении из процесса трудозатратных и энергоемких стадий. Способ получения суспензии, содержащей наноразмерные частицы лекарственного вещества, характеризующийся тем, что включает стадии:
стадию получения вещества-носителя в виде металл-органического каркасного соединения ?-циклодекстрин-натрий путем совместного растворения в воде ?-циклодекстрина и гидроксида натрия при мольном соотношении 1:7-1:8 в присутствии этанола 15-25% от объема раствора, перемешивания полученного раствора при температуре 45-50°C в течение 2-3 ч, фильтрования раствора через мембранный фильтр, постепенного добавления-наслаивания на поверхность раствора 95%-ного этилового спирта в количестве, равном объему раствора, выдерживания полученной системы при комнатной температуре без доступа света в течение 22-24 ч до начала образования кристаллов на границе раздела фаз, перемешивания смеси встряхиванием, выдерживания полученной системы в течение 4-6 ч при температуре 50-65°C в герметично закрытом сосуде, дальнейшего охлаждения до комнатной температуры в течение 15-17 ч, выдерживания при температуре 2-6°C в течение 46-48 ч, фильтрования осадка и подсушивания на фильтре, переноса осадка, представляющего собой порошок вещества-носителя, в отдельную тару и досушивания осадка при температуре 45-55°C в течение 4-6 ч, выдерживании порошка вещества-носителя в течение 22-24 ч под вакуумом 0,1-0,01 мБар,
стадию получения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, путем смешивания лекарственного вещества, выбранного из доцетаксела и силибина, с веществом-носителем при массовом соотношении 1:10 и добавления растворителя, выбранного из хлористого метилена в случае доцетаксела и ацетона в случае силибина, инкубирования полученной суспензии при комнатной температуре и встряхивании в течение 22-24 ч, фильтрования суспензии с последующей промывкой осадка на фильтре 95%-ным этиловым спиртом, высушивания осадка до постоянной массы под вакуумом,
стадию получения суспензии наночастиц путем внесения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, в воду или в невязкие водные растворы хлорида натрия 0,9% для инъекций или глюкозы 5% для инъекций в соотношении 1:1500-1:2000 по массе и перемешивания до растворения.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ получения суспензии, содержащей наноразмерные частицы лекарственного вещества, характеризующийся тем, что включает стадии:
стадию получения вещества-носителя в виде металл-органического каркасного соединения ?-циклодекстрин-натрий путем совместного растворения в воде ?-циклодекстрина и гидроксида натрия при мольном соотношении 1:7-1:8 в присутствии этанола 15-25% от объема раствора, перемешивания полученного раствора при температуре 45-50°C в течение 2-3 ч, фильтрования раствора через мембранный фильтр, постепенного добавления-наслаивания на поверхность раствора 95%-ного этилового спирта в количестве, равном объему раствора, выдерживания полученной системы при комнатной температуре без доступа света в течение 22-24 ч до начала образования кристаллов на границе раздела фаз, перемешивания смеси встряхиванием, выдерживания полученной системы в течение 4-6 ч при температуре 50-65°C в герметично закрытом сосуде, дальнейшего охлаждения до комнатной температуры в течение 15-17 ч, выдерживания при температуре 2-6°C в течение 46-48 ч, фильтрования осадка и подсушивания на фильтре, переноса осадка, представляющего собой порошок вещества-носителя, в отдельную тару и досушивания осадка при температуре 45-55°C в течение 4-6 ч, выдерживании порошка вещества-носителя в течение 22-24 ч под вакуумом 0,1-0,01 мБар,
стадию получения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, путем смешивания лекарственного вещества, выбранного из доцетаксела и силибина, с веществом-носителем при массовом соотношении 1:10 и добавления растворителя, выбранного из хлористого метилена в случае доцетаксела и ацетона в случае силибина, инкубирования полученной суспензии при комнатной температуре и встряхивании в течение 22-24 ч, фильтрования суспензии с последующей промывкой осадка на фильтре 95%-ным этиловым спиртом, высушивания осадка до постоянной массы под вакуумом,
стадию получения суспензии наночастиц путем внесения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, в воду или в невязкие водные растворы хлорида натрия 0,9% для инъекций или глюкозы 5% для инъекций в соотношении 1:1500-1:2000 по массе и перемешивания до растворения.
Основное назначение
Способ получения суспензии, содержащей наноразмерные частицы лекарственного вещества, характеризующийся тем, что включает стадии:
стадию получения вещества-носителя в виде металл-органического каркасного соединения ?-циклодекстрин-натрий путем совместного растворения в воде ?-циклодекстрина и гидроксида натрия при мольном соотношении 1:7-1:8 в присутствии этанола 15-25% от объема раствора, перемешивания полученного раствора при температуре 45-50°C в течение 2-3 ч, фильтрования раствора через мембранный фильтр, постепенного добавления-наслаивания на поверхность раствора 95%-ного этилового спирта в количестве, равном объему раствора, выдерживания полученной системы при комнатной температуре без доступа света в течение 22-24 ч до начала образования кристаллов на границе раздела фаз, перемешивания смеси встряхиванием, выдерживания полученной системы в течение 4-6 ч при температуре 50-65°C в герметично закрытом сосуде, дальнейшего охлаждения до комнатной температуры в течение 15-17 ч, выдерживания при температуре 2-6°C в течение 46-48 ч, фильтрования осадка и подсушивания на фильтре, переноса осадка, представляющего собой порошок вещества-носителя, в отдельную тару и досушивания осадка при температуре 45-55°C в течение 4-6 ч, выдерживании порошка вещества-носителя в течение 22-24 ч под вакуумом 0,1-0,01 мБар,
стадию получения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, путем смешивания лекарственного вещества, выбранного из доцетаксела и силибина, с веществом-носителем при массовом соотношении 1:10 и добавления растворителя, выбранного из хлористого метилена в случае доцетаксела и ацетона в случае силибина, инкубирования полученной суспензии при комнатной температуре и встряхивании в течение 22-24 ч, фильтрования суспензии с последующей промывкой осадка на фильтре 95%-ным этиловым спиртом, высушивания осадка до постоянной массы под вакуумом,
стадию получения суспензии наночастиц путем внесения вещества-носителя, нагруженного лекарственным веществом, в воду или в невязкие водные растворы хлорида натрия 0,9% для инъекций или глюкозы 5% для инъекций в соотношении 1:1500-1:2000 по массе и перемешивания до растворения.
|
||
|
473
|
Патент 2756847
|
Изобретение относится к области электротехники, в частности к системам для передачи оптической энергии для последующего преобразования в другую форму энергии. Технический результат заключается в создании комплекса с системой распределения электроэнергии и преобразовании энергии в лазерное излучение с передачей его на приемную поверхность преобразователя тепловой энергии в электрическую. Достигается тем, что система распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок включает систему производства и распределения электрической энергии, устройство генерации лазерного излучения, систему приема и преобразования электроэнергии на удаленной платформе, при этом система производства электрической энергии посредством токопроводящих линий, соединена с по меньшей мере тремя преобразователями мощности, которые соединены токопроводящими линиями с по меньшей мере одним устройством генерации лазерного излучения, полезной нагрузкой и электролизером, который посредством трубопровода соединен с емкостью для хранения водорода, посредством трубопровода - с емкостью для хранения кислорода, посредством трубопровода - с емкостью для хранения воды, соединённой с заправочно-сливным трубопроводом, и посредством трубопровода - с топливным элементом. 1. Система распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, включающая систему производства и распределения электрической энергии, устройство генерации лазерного излучения, систему приема и преобразования электроэнергии на удаленной платформе, отличающаяся тем, что система производства электрической энергии 1 посредством токопроводящих линий 7-11 соединена с по меньшей мере тремя преобразователями мощности 2-6, которые соединены токопроводящими линиями 10-14 с по меньшей мере одним устройством генерации лазерного излучения 18, полезной нагрузкой 34 и электролизером 27, который посредством трубопровода 33 соединен с емкостью для хранения водорода 28, посредством трубопровода 31 с емкостью для хранения кислорода 26, посредством трубопровода 32 с емкостью для хранения воды 29, соединенной с заправочно-сливным трубопроводом 30, и посредством трубопровода 41 с топливным элементом 33, который посредством системы теплопередачи 35 и токопроводящей линии 36 соединен с полезной нагрузкой 34, соединенной посредством газопровода 38 с емкостью для хранения кислорода 26 и посредством трубопровода 62 с емкостью для хранения воды 29, при этом топливный элемент 33 посредством трубопроводов 60, 61 соединен с трубопроводом 37, подключенным к емкости для хранения водорода 28, и трубопроводом 38, который подключен к емкости для хранения кислорода 26, к газопроводу 38 подключен газопровод 40, соединенный со станцией заправки кислородом 32 с заправочным каналом 59, так же к газопроводу 37 подключен газопровод 39, который соединен со станцией заправки водородом 31 с заправочным каналом 58, устройство генерации лазерного излучения не содержит оптоволоконных катушек и соединено с системой слежения за объектом передачи энергии.
2. Способ распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, заключающийся в вырабатывании электрической энергии, распределении ее по токопроводящим линиям высокого напряжения, преобразовании под параметры, необходимые для работы лазера с системой охлаждения, генерировании лазерного луча, передаче электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы с последующим преобразованием тепловой энергии в электрическую, отличающийся тем, что электроэнергия от системы производства электрической энергии преобразуется под требования полезной нагрузки и поступает на нее, в период избытка электроэнергии от системы производства электрической энергии электроэнергия преобразуется под параметры работы электролизера и поступает на него, передача электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы осуществляется посредством лазерного луча и системы слежения за объектом передачи электроэнергии.
3. Система распределения и передачи электроэнергии по п. 1, отличающаяся тем, что удаленная платформа содержит обратимый топливный элемент и электролизер, соединенный с баллонами водорода, кислорода и с емкостью для хранения воды
Основное назначение
Изобретение относится к области электротехники, в частности к системам для передачи оптической энергии для последующего преобразования в другую форму энергии. Технический результат заключается в создании комплекса с системой распределения электроэнергии и преобразовании энергии в лазерное излучение с передачей его на приемную поверхность преобразователя тепловой энергии в электрическую. Достигается тем, что система распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок включает систему производства и распределения электрической энергии, устройство генерации лазерного излучения, систему приема и преобразования электроэнергии на удаленной платформе, при этом система производства электрической энергии посредством токопроводящих линий, соединена с по меньшей мере тремя преобразователями мощности, которые соединены токопроводящими линиями с по меньшей мере одним устройством генерации лазерного излучения, полезной нагрузкой и электролизером, который посредством трубопровода соединен с емкостью для хранения водорода, посредством трубопровода - с емкостью для хранения кислорода, посредством трубопровода - с емкостью для хранения воды, соединённой с заправочно-сливным трубопроводом, и посредством трубопровода - с топливным элементом. 1. Система распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, включающая систему производства и распределения электрической энергии, устройство генерации лазерного излучения, систему приема и преобразования электроэнергии на удаленной платформе, отличающаяся тем, что система производства электрической энергии 1 посредством токопроводящих линий 7-11 соединена с по меньшей мере тремя преобразователями мощности 2-6, которые соединены токопроводящими линиями 10-14 с по меньшей мере одним устройством генерации лазерного излучения 18, полезной нагрузкой 34 и электролизером 27, который посредством трубопровода 33 соединен с емкостью для хранения водорода 28, посредством трубопровода 31 с емкостью для хранения кислорода 26, посредством трубопровода 32 с емкостью для хранения воды 29, соединенной с заправочно-сливным трубопроводом 30, и посредством трубопровода 41 с топливным элементом 33, который посредством системы теплопередачи 35 и токопроводящей линии 36 соединен с полезной нагрузкой 34, соединенной посредством газопровода 38 с емкостью для хранения кислорода 26 и посредством трубопровода 62 с емкостью для хранения воды 29, при этом топливный элемент 33 посредством трубопроводов 60, 61 соединен с трубопроводом 37, подключенным к емкости для хранения водорода 28, и трубопроводом 38, который подключен к емкости для хранения кислорода 26, к газопроводу 38 подключен газопровод 40, соединенный со станцией заправки кислородом 32 с заправочным каналом 59, так же к газопроводу 37 подключен газопровод 39, который соединен со станцией заправки водородом 31 с заправочным каналом 58, устройство генерации лазерного излучения не содержит оптоволоконных катушек и соединено с системой слежения за объектом передачи энергии.
2. Способ распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, заключающийся в вырабатывании электрической энергии, распределении ее по токопроводящим линиям высокого напряжения, преобразовании под параметры, необходимые для работы лазера с системой охлаждения, генерировании лазерного луча, передаче электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы с последующим преобразованием тепловой энергии в электрическую, отличающийся тем, что электроэнергия от системы производства электрической энергии преобразуется под требования полезной нагрузки и поступает на нее, в период избытка электроэнергии от системы производства электрической энергии электроэнергия преобразуется под параметры работы электролизера и поступает на него, передача электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы осуществляется посредством лазерного луча и системы слежения за объектом передачи электроэнергии.
3. Система распределения и передачи электроэнергии по п. 1, отличающаяся тем, что удаленная платформа содержит обратимый топливный элемент и электролизер, соединенный с баллонами водорода, кислорода и с емкостью для хранения воды
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Система распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, включающая систему производства и распределения электрической энергии, устройство генерации лазерного излучения, систему приема и преобразования электроэнергии на удаленной платформе, отличающаяся тем, что система производства электрической энергии 1 посредством токопроводящих линий 7-11 соединена с по меньшей мере тремя преобразователями мощности 2-6, которые соединены токопроводящими линиями 10-14 с по меньшей мере одним устройством генерации лазерного излучения 18, полезной нагрузкой 34 и электролизером 27, который посредством трубопровода 33 соединен с емкостью для хранения водорода 28, посредством трубопровода 31 с емкостью для хранения кислорода 26, посредством трубопровода 32 с емкостью для хранения воды 29, соединенной с заправочно-сливным трубопроводом 30, и посредством трубопровода 41 с топливным элементом 33, который посредством системы теплопередачи 35 и токопроводящей линии 36 соединен с полезной нагрузкой 34, соединенной посредством газопровода 38 с емкостью для хранения кислорода 26 и посредством трубопровода 62 с емкостью для хранения воды 29, при этом топливный элемент 33 посредством трубопроводов 60, 61 соединен с трубопроводом 37, подключенным к емкости для хранения водорода 28, и трубопроводом 38, который подключен к емкости для хранения кислорода 26, к газопроводу 38 подключен газопровод 40, соединенный со станцией заправки кислородом 32 с заправочным каналом 59, так же к газопроводу 37 подключен газопровод 39, который соединен со станцией заправки водородом 31 с заправочным каналом 58, устройство генерации лазерного излучения не содержит оптоволоконных катушек и соединено с системой слежения за объектом передачи энергии.
2. Способ распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, заключающийся в вырабатывании электрической энергии, распределении ее по токопроводящим линиям высокого напряжения, преобразовании под параметры, необходимые для работы лазера с системой охлаждения, генерировании лазерного луча, передаче электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы с последующим преобразованием тепловой энергии в электрическую, отличающийся тем, что электроэнергия от системы производства электрической энергии преобразуется под требования полезной нагрузки и поступает на нее, в период избытка электроэнергии от системы производства электрической энергии электроэнергия преобразуется под параметры работы электролизера и поступает на него, передача электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы осуществляется посредством лазерного луча и системы слежения за объектом передачи электроэнергии.
3. Система распределения и передачи электроэнергии по п. 1, отличающаяся тем, что удаленная платформа содержит обратимый топливный элемент и электролизер, соединенный с баллонами водорода, кислорода и с емкостью для хранения воды
Основное назначение
1. Система распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, включающая систему производства и распределения электрической энергии, устройство генерации лазерного излучения, систему приема и преобразования электроэнергии на удаленной платформе, отличающаяся тем, что система производства электрической энергии 1 посредством токопроводящих линий 7-11 соединена с по меньшей мере тремя преобразователями мощности 2-6, которые соединены токопроводящими линиями 10-14 с по меньшей мере одним устройством генерации лазерного излучения 18, полезной нагрузкой 34 и электролизером 27, который посредством трубопровода 33 соединен с емкостью для хранения водорода 28, посредством трубопровода 31 с емкостью для хранения кислорода 26, посредством трубопровода 32 с емкостью для хранения воды 29, соединенной с заправочно-сливным трубопроводом 30, и посредством трубопровода 41 с топливным элементом 33, который посредством системы теплопередачи 35 и токопроводящей линии 36 соединен с полезной нагрузкой 34, соединенной посредством газопровода 38 с емкостью для хранения кислорода 26 и посредством трубопровода 62 с емкостью для хранения воды 29, при этом топливный элемент 33 посредством трубопроводов 60, 61 соединен с трубопроводом 37, подключенным к емкости для хранения водорода 28, и трубопроводом 38, который подключен к емкости для хранения кислорода 26, к газопроводу 38 подключен газопровод 40, соединенный со станцией заправки кислородом 32 с заправочным каналом 59, так же к газопроводу 37 подключен газопровод 39, который соединен со станцией заправки водородом 31 с заправочным каналом 58, устройство генерации лазерного излучения не содержит оптоволоконных катушек и соединено с системой слежения за объектом передачи энергии.
2. Способ распределения и передачи электроэнергии для удаленных нагрузок, заключающийся в вырабатывании электрической энергии, распределении ее по токопроводящим линиям высокого напряжения, преобразовании под параметры, необходимые для работы лазера с системой охлаждения, генерировании лазерного луча, передаче электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы с последующим преобразованием тепловой энергии в электрическую, отличающийся тем, что электроэнергия от системы производства электрической энергии преобразуется под требования полезной нагрузки и поступает на нее, в период избытка электроэнергии от системы производства электрической энергии электроэнергия преобразуется под параметры работы электролизера и поступает на него, передача электроэнергии на тепловой аккумулятор транспортной платформы осуществляется посредством лазерного луча и системы слежения за объектом передачи электроэнергии.
3. Система распределения и передачи электроэнергии по п. 1, отличающаяся тем, что удаленная платформа содержит обратимый топливный элемент и электролизер, соединенный с баллонами водорода, кислорода и с емкостью для хранения воды
|
||
|
474
|
Патент 2756917
|
Изобретение относится к способу получения радиоизотопа 123I по реакции 124Xe(p,2n)123Cs?123Xe?123I и(или) по реакции 124Хе(р,pn)123Хе?123I. Способ включает облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I. Причем в мишень с изотопом 124Хе добавляют водород, проводят облучение протонами газовой смеси изотопа 124Хе и водорода, извлекают после облучения из мишени дополнительно 123I в составе йодида водорода H123I одним из известных методов. Техническим результатом является значительное (в 2-3 раза) увеличение технологического выхода 123I без изменения основных условий эксплуатации и увеличения временной загрузки циклотрона за счет дополнительного по сравнению с прототипом извлечения из мишени 123I, образовавшегося в мишени за время облучения в результате распада 123Хе. 1. Способ получения радиоизотопа 123I по реакции 124Xe(p,2n)123Cs?123Xe?123I и(или) по реакции 124Xe(p,pn)123Xe?123I, включающий облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I, отличающийся тем, что в мишень с изотопом 124Хе добавляют водород, проводят облучение протонами газовой смеси изотопа 124Хе и водорода, извлекают после облучения из мишени дополнительно 123I в составе йодида водорода H123I одним из известных методов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени, путем осуществления контакта газовой смеси водорода, ксенона и йодида водорода (H123I) с водой или раствором щелочи.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени криогенным способом.
Основное назначение
Изобретение относится к способу получения радиоизотопа 123I по реакции 124Xe(p,2n)123Cs?123Xe?123I и(или) по реакции 124Хе(р,pn)123Хе?123I. Способ включает облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I. Причем в мишень с изотопом 124Хе добавляют водород, проводят облучение протонами газовой смеси изотопа 124Хе и водорода, извлекают после облучения из мишени дополнительно 123I в составе йодида водорода H123I одним из известных методов. Техническим результатом является значительное (в 2-3 раза) увеличение технологического выхода 123I без изменения основных условий эксплуатации и увеличения временной загрузки циклотрона за счет дополнительного по сравнению с прототипом извлечения из мишени 123I, образовавшегося в мишени за время облучения в результате распада 123Хе. 1. Способ получения радиоизотопа 123I по реакции 124Xe(p,2n)123Cs?123Xe?123I и(или) по реакции 124Xe(p,pn)123Xe?123I, включающий облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I, отличающийся тем, что в мишень с изотопом 124Хе добавляют водород, проводят облучение протонами газовой смеси изотопа 124Хе и водорода, извлекают после облучения из мишени дополнительно 123I в составе йодида водорода H123I одним из известных методов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени, путем осуществления контакта газовой смеси водорода, ксенона и йодида водорода (H123I) с водой или раствором щелочи.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени криогенным способом.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ получения радиоизотопа 123I по реакции 124Xe(p,2n)123Cs?123Xe?123I и(или) по реакции 124Xe(p,pn)123Xe?123I, включающий облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I, отличающийся тем, что в мишень с изотопом 124Хе добавляют водород, проводят облучение протонами газовой смеси изотопа 124Хе и водорода, извлекают после облучения из мишени дополнительно 123I в составе йодида водорода H123I одним из известных методов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени, путем осуществления контакта газовой смеси водорода, ксенона и йодида водорода (H123I) с водой или раствором щелочи.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени криогенным способом.
Основное назначение
1. Способ получения радиоизотопа 123I по реакции 124Xe(p,2n)123Cs?123Xe?123I и(или) по реакции 124Xe(p,pn)123Xe?123I, включающий облучение протонами мишени с изотопом 124Хе, извлечение после облучения из мишени стартового 124Хе с наработанным 123Хе, выдержку 123Хе для распада его в 123I, отличающийся тем, что в мишень с изотопом 124Хе добавляют водород, проводят облучение протонами газовой смеси изотопа 124Хе и водорода, извлекают после облучения из мишени дополнительно 123I в составе йодида водорода H123I одним из известных методов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени, путем осуществления контакта газовой смеси водорода, ксенона и йодида водорода (H123I) с водой или раствором щелочи.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что йодид водорода H123I извлекают из мишени криогенным способом.
|
||
|
475
|
Патент 2757450
|
Настоящее изобретение относится к технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводящих соединений, а именно полигидридов металлов, и может найти применение в слаботочной сверхпроводящей электронике, для изготовления однофотонных детекторов, СКВИД-магнетометров и квантовых кубитов, размещенных на поверхности алмазной наковальни. Уменьшение стехиометрического соотношения между металлом и водородом в сверхпроводнике является техническим результатом изобретения. Высокотемпературный сверхпроводящий гидрид имеет формулу AxY1-xH6, где А лантан или магний, x находится в диапазоне от 0 до 1, а содержание H составляет не менее 86 атомных процентов. Сверхпроводник получен путем сжатия под сверхвысоким давлением гидридообразующего элемента с источником водорода с последующим нагревом лазерным импульсом, при этом в качестве гидридообразующего элемента используют сплавы LaxY1-x или MgxY1-x, где x находится в диапазоне от 0 до 1. Указанные сплавы получают путем спекания La и Y или Mg и Y в инертной атмосфере, после чего сплав и источник водорода размещают в алмазной наковальне, сжимают до давления 150-200 ГПа и нагревают посредством импульсов лазера в инфракрасном диапазоне до температуры 1500-3000 K. В качестве источника водорода возможно использование соединения NH3BH3. Получен сверхпроводник с критической температурой до 253 K, критическим магнитным полем до 140 Тл и критической плотностью тока не менее 2000 А/мм2. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 8 ил., 4 пр.
Основное назначение
Настоящее изобретение относится к технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводящих соединений, а именно полигидридов металлов, и может найти применение в слаботочной сверхпроводящей электронике, для изготовления однофотонных детекторов, СКВИД-магнетометров и квантовых кубитов, размещенных на поверхности алмазной наковальни. Уменьшение стехиометрического соотношения между металлом и водородом в сверхпроводнике является техническим результатом изобретения. Высокотемпературный сверхпроводящий гидрид имеет формулу AxY1-xH6, где А лантан или магний, x находится в диапазоне от 0 до 1, а содержание H составляет не менее 86 атомных процентов. Сверхпроводник получен путем сжатия под сверхвысоким давлением гидридообразующего элемента с источником водорода с последующим нагревом лазерным импульсом, при этом в качестве гидридообразующего элемента используют сплавы LaxY1-x или MgxY1-x, где x находится в диапазоне от 0 до 1. Указанные сплавы получают путем спекания La и Y или Mg и Y в инертной атмосфере, после чего сплав и источник водорода размещают в алмазной наковальне, сжимают до давления 150-200 ГПа и нагревают посредством импульсов лазера в инфракрасном диапазоне до температуры 1500-3000 K. В качестве источника водорода возможно использование соединения NH3BH3. Получен сверхпроводник с критической температурой до 253 K, критическим магнитным полем до 140 Тл и критической плотностью тока не менее 2000 А/мм2. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 8 ил., 4 пр.
|
Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Настоящее изобретение относится к технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводящих соединений, а именно полигидридов металлов, и может найти применение в слаботочной сверхпроводящей электронике, для изготовления однофотонных детекторов, СКВИД-магнетометров и квантовых кубитов, размещенных на поверхности алмазной наковальни. Уменьшение стехиометрического соотношения между металлом и водородом в сверхпроводнике является техническим результатом изобретения. Высокотемпературный сверхпроводящий гидрид имеет формулу AxY1-xH6, где А лантан или магний, x находится в диапазоне от 0 до 1, а содержание H составляет не менее 86 атомных процентов. Сверхпроводник получен путем сжатия под сверхвысоким давлением гидридообразующего элемента с источником водорода с последующим нагревом лазерным импульсом, при этом в качестве гидридообразующего элемента используют сплавы LaxY1-x или MgxY1-x, где x находится в диапазоне от 0 до 1. Указанные сплавы получают путем спекания La и Y или Mg и Y в инертной атмосфере, после чего сплав и источник водорода размещают в алмазной наковальне, сжимают до давления 150-200 ГПа и нагревают посредством импульсов лазера в инфракрасном диапазоне до температуры 1500-3000 K. В качестве источника водорода возможно использование соединения NH3BH3. Получен сверхпроводник с критической температурой до 253 K, критическим магнитным полем до 140 Тл и критической плотностью тока не менее 2000 А/мм2. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 8 ил., 4 пр.
Основное назначение
Настоящее изобретение относится к технологии изготовления высокотемпературных сверхпроводящих соединений, а именно полигидридов металлов, и может найти применение в слаботочной сверхпроводящей электронике, для изготовления однофотонных детекторов, СКВИД-магнетометров и квантовых кубитов, размещенных на поверхности алмазной наковальни. Уменьшение стехиометрического соотношения между металлом и водородом в сверхпроводнике является техническим результатом изобретения. Высокотемпературный сверхпроводящий гидрид имеет формулу AxY1-xH6, где А лантан или магний, x находится в диапазоне от 0 до 1, а содержание H составляет не менее 86 атомных процентов. Сверхпроводник получен путем сжатия под сверхвысоким давлением гидридообразующего элемента с источником водорода с последующим нагревом лазерным импульсом, при этом в качестве гидридообразующего элемента используют сплавы LaxY1-x или MgxY1-x, где x находится в диапазоне от 0 до 1. Указанные сплавы получают путем спекания La и Y или Mg и Y в инертной атмосфере, после чего сплав и источник водорода размещают в алмазной наковальне, сжимают до давления 150-200 ГПа и нагревают посредством импульсов лазера в инфракрасном диапазоне до температуры 1500-3000 K. В качестве источника водорода возможно использование соединения NH3BH3. Получен сверхпроводник с критической температурой до 253 K, критическим магнитным полем до 140 Тл и критической плотностью тока не менее 2000 А/мм2. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 8 ил., 4 пр.
|
||
|
476
|
Патент 2760079
|
Изобретение относится к области ракетной техники, а именно к ракетным двигателям с ядерным источником нагревания рабочего тела - ядерным реактором (ЯРД). Ядерный ракетный двигатель многоразового использования включает ядерный реактор, заключенный в несущий корпус со слоем внутренней радиационной защиты. К корпусу ядерного реактора присоединено сверхзвуковое сопло, турбонасосный агрегат, работающий на отводимом из каналов охлаждения конструкции ядерного реактора рабочем теле, бортовые электрогенераторы и двигатели ориентации со своими мини-насосами. Ферменная конструкция закреплена на корпусе реактора с расположенными в ней баками рабочего тела и системами управления. Двигатель содержит тракт отвода остаточного тепловыделения от реактора, закрепленный с одной стороны на корпусе ядерного реактора, с другой на ферменной конструкции. Тракт включает контур с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий электромагнитный насос, компенсационный бак, панели-излучатели тепла, пластинчатый теплообменник-испаритель. На ферменной конструкции закреплены стыковочный узел с полезной нагрузкой, содержащий узел перекачки рабочего тела, приводы стержней регулирования, бак с аварийным запасом рабочего тела, теплообменник-испаритель рабочего тела пластинчатого типа, являющийся и тяжелой компонентой теневой защитой, ядерный реактор с винтовыми твэлами из модифицированной окиси урана. Корпус реактора имеет установленную с зазором для протекания жидкометаллического теплоносителя обечайку с внешними ребрами, которые покрыты материалом, имеющим высокий коэффициент излучения (?>0,95). При реализации заявленного изобретения обеспечивается многоразовая работа ЯРД в космосе. 1. Ядерный ракетный двигатель многоразового использования, включающий ядерный реактор, заключенный в несущий корпус, с слоем внутренней радиационной защиты, присоединенное к корпусу ядерного реактора сверхзвуковое сопло, турбонасосный агрегат, (ТНА) работающий на отводимом рабочем теле, бортовые электрогенераторы и двигатели ориентации со своими мини-насосами, ферменную конструкцию, закрепленную на корпусе реактора с расположенными в ней баками рабочего тела и системами управления, отличающийся тем, что в качестве реактора использован реактор на быстрых нейтронах, управление реактивностью которого осуществляется при помощи стержней, отвод газообразного рабочего тела для привода ТНА осуществляется из активной зоны ядерного реактора, при этом ЯРД содержит тракт отвода остаточного тепловыделения от реактора, закрепленный с одной стороны на корпусе ядерного реактора, с другой на ферменной конструкции, включающий контур с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий электромагнитный насос, компенсационный бак, панели-излучатели тепла, пластинчатый теплообменник-испаритель рабочего тела, в котором жидкометаллический теплоноситель нагревает и испаряет рабочее тело, при этом на ферменной конструкции закреплены стыковочный узел с полезной нагрузкой, содержащий узел перекачки рабочего тела, приводы стержней регулирования, бак с аварийным запасом рабочего тела, теплообменник-испаритель рабочего тела является компонентой теневой защиты, выполненной из тяжелого металла, корпус реактора имеет установленную с зазором для протекания жидкометаллического теплоносителя обечайку с внешними ребрами, которые покрыты материалом, имеющим коэффициент излучения больше 0,95.
2. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что бортовой электрогенератор выполнен в виде термоэмиссионного или термоэлектрического генератора, к которому тепло подводится теплоносителем от тракта отвода остаточного тепловыделения, а отводится тепло панелями-излучателями.
3. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что панели-излучатели выполнены из высокотемпературных тепловых труб.
Основное назначение
Изобретение относится к области ракетной техники, а именно к ракетным двигателям с ядерным источником нагревания рабочего тела - ядерным реактором (ЯРД). Ядерный ракетный двигатель многоразового использования включает ядерный реактор, заключенный в несущий корпус со слоем внутренней радиационной защиты. К корпусу ядерного реактора присоединено сверхзвуковое сопло, турбонасосный агрегат, работающий на отводимом из каналов охлаждения конструкции ядерного реактора рабочем теле, бортовые электрогенераторы и двигатели ориентации со своими мини-насосами. Ферменная конструкция закреплена на корпусе реактора с расположенными в ней баками рабочего тела и системами управления. Двигатель содержит тракт отвода остаточного тепловыделения от реактора, закрепленный с одной стороны на корпусе ядерного реактора, с другой на ферменной конструкции. Тракт включает контур с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий электромагнитный насос, компенсационный бак, панели-излучатели тепла, пластинчатый теплообменник-испаритель. На ферменной конструкции закреплены стыковочный узел с полезной нагрузкой, содержащий узел перекачки рабочего тела, приводы стержней регулирования, бак с аварийным запасом рабочего тела, теплообменник-испаритель рабочего тела пластинчатого типа, являющийся и тяжелой компонентой теневой защитой, ядерный реактор с винтовыми твэлами из модифицированной окиси урана. Корпус реактора имеет установленную с зазором для протекания жидкометаллического теплоносителя обечайку с внешними ребрами, которые покрыты материалом, имеющим высокий коэффициент излучения (?>0,95). При реализации заявленного изобретения обеспечивается многоразовая работа ЯРД в космосе. 1. Ядерный ракетный двигатель многоразового использования, включающий ядерный реактор, заключенный в несущий корпус, с слоем внутренней радиационной защиты, присоединенное к корпусу ядерного реактора сверхзвуковое сопло, турбонасосный агрегат, (ТНА) работающий на отводимом рабочем теле, бортовые электрогенераторы и двигатели ориентации со своими мини-насосами, ферменную конструкцию, закрепленную на корпусе реактора с расположенными в ней баками рабочего тела и системами управления, отличающийся тем, что в качестве реактора использован реактор на быстрых нейтронах, управление реактивностью которого осуществляется при помощи стержней, отвод газообразного рабочего тела для привода ТНА осуществляется из активной зоны ядерного реактора, при этом ЯРД содержит тракт отвода остаточного тепловыделения от реактора, закрепленный с одной стороны на корпусе ядерного реактора, с другой на ферменной конструкции, включающий контур с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий электромагнитный насос, компенсационный бак, панели-излучатели тепла, пластинчатый теплообменник-испаритель рабочего тела, в котором жидкометаллический теплоноситель нагревает и испаряет рабочее тело, при этом на ферменной конструкции закреплены стыковочный узел с полезной нагрузкой, содержащий узел перекачки рабочего тела, приводы стержней регулирования, бак с аварийным запасом рабочего тела, теплообменник-испаритель рабочего тела является компонентой теневой защиты, выполненной из тяжелого металла, корпус реактора имеет установленную с зазором для протекания жидкометаллического теплоносителя обечайку с внешними ребрами, которые покрыты материалом, имеющим коэффициент излучения больше 0,95.
2. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что бортовой электрогенератор выполнен в виде термоэмиссионного или термоэлектрического генератора, к которому тепло подводится теплоносителем от тракта отвода остаточного тепловыделения, а отводится тепло панелями-излучателями.
3. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что панели-излучатели выполнены из высокотемпературных тепловых труб.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Ядерный ракетный двигатель многоразового использования, включающий ядерный реактор, заключенный в несущий корпус, с слоем внутренней радиационной защиты, присоединенное к корпусу ядерного реактора сверхзвуковое сопло, турбонасосный агрегат, (ТНА) работающий на отводимом рабочем теле, бортовые электрогенераторы и двигатели ориентации со своими мини-насосами, ферменную конструкцию, закрепленную на корпусе реактора с расположенными в ней баками рабочего тела и системами управления, отличающийся тем, что в качестве реактора использован реактор на быстрых нейтронах, управление реактивностью которого осуществляется при помощи стержней, отвод газообразного рабочего тела для привода ТНА осуществляется из активной зоны ядерного реактора, при этом ЯРД содержит тракт отвода остаточного тепловыделения от реактора, закрепленный с одной стороны на корпусе ядерного реактора, с другой на ферменной конструкции, включающий контур с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий электромагнитный насос, компенсационный бак, панели-излучатели тепла, пластинчатый теплообменник-испаритель рабочего тела, в котором жидкометаллический теплоноситель нагревает и испаряет рабочее тело, при этом на ферменной конструкции закреплены стыковочный узел с полезной нагрузкой, содержащий узел перекачки рабочего тела, приводы стержней регулирования, бак с аварийным запасом рабочего тела, теплообменник-испаритель рабочего тела является компонентой теневой защиты, выполненной из тяжелого металла, корпус реактора имеет установленную с зазором для протекания жидкометаллического теплоносителя обечайку с внешними ребрами, которые покрыты материалом, имеющим коэффициент излучения больше 0,95.
2. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что бортовой электрогенератор выполнен в виде термоэмиссионного или термоэлектрического генератора, к которому тепло подводится теплоносителем от тракта отвода остаточного тепловыделения, а отводится тепло панелями-излучателями.
3. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что панели-излучатели выполнены из высокотемпературных тепловых труб.
Основное назначение
1. Ядерный ракетный двигатель многоразового использования, включающий ядерный реактор, заключенный в несущий корпус, с слоем внутренней радиационной защиты, присоединенное к корпусу ядерного реактора сверхзвуковое сопло, турбонасосный агрегат, (ТНА) работающий на отводимом рабочем теле, бортовые электрогенераторы и двигатели ориентации со своими мини-насосами, ферменную конструкцию, закрепленную на корпусе реактора с расположенными в ней баками рабочего тела и системами управления, отличающийся тем, что в качестве реактора использован реактор на быстрых нейтронах, управление реактивностью которого осуществляется при помощи стержней, отвод газообразного рабочего тела для привода ТНА осуществляется из активной зоны ядерного реактора, при этом ЯРД содержит тракт отвода остаточного тепловыделения от реактора, закрепленный с одной стороны на корпусе ядерного реактора, с другой на ферменной конструкции, включающий контур с жидкометаллическим теплоносителем, содержащий электромагнитный насос, компенсационный бак, панели-излучатели тепла, пластинчатый теплообменник-испаритель рабочего тела, в котором жидкометаллический теплоноситель нагревает и испаряет рабочее тело, при этом на ферменной конструкции закреплены стыковочный узел с полезной нагрузкой, содержащий узел перекачки рабочего тела, приводы стержней регулирования, бак с аварийным запасом рабочего тела, теплообменник-испаритель рабочего тела является компонентой теневой защиты, выполненной из тяжелого металла, корпус реактора имеет установленную с зазором для протекания жидкометаллического теплоносителя обечайку с внешними ребрами, которые покрыты материалом, имеющим коэффициент излучения больше 0,95.
2. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что бортовой электрогенератор выполнен в виде термоэмиссионного или термоэлектрического генератора, к которому тепло подводится теплоносителем от тракта отвода остаточного тепловыделения, а отводится тепло панелями-излучателями.
3. Двигатель по п. 1, отличающийся тем, что панели-излучатели выполнены из высокотемпературных тепловых труб.
|
||
|
477
|
Патент 2760276
|
Изобретение относится к области ускорителей заряженных частиц с большой массой и с малым электрическим зарядом и может использоваться при создании ускорителей кластерных ионов для применения в областях ядерной энергетики, решения проблем управляемого термоядерного синтеза и для изучения свойств материи при сверхвысокой плотности энергии. Технический результат - увеличение тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ предусматривает использование инжектора для ускорителя кластерных ионов, в котором реализована одновременная экстракция заряженных частиц из плазмы нескольких источников кластерных ионов по нескольким каналам, формирование ионных пучков, ускорение их компрессии и ввода в ускоряющую ВЧ структуру ускорителя. Инжектор содержит несколько разнесенных в пространстве каналов, входная апертура каждого из которых соединена с отдельным источником кластерных ионов. Процесс формирования ионного пучка, ускорения, фокусировки и изменения траектории его движения, для заряженных частиц с большой массой и малым электрическим зарядом при помощи только электрического поля, связан с необходимостью создания больших напряженностей такого поля. Для более эффективной реализации процессов формовки и ускорения пучков кластерных ионов в инжекторе использована комбинация скрещенных силовых полей: аксиально-симметричного электрического поля и мультипольного магнитного поля со сложной конфигурацией силовых линий. Примененная комбинация полей такого типа, позволяет как ускорять, так и эффективно удерживать на заданной траектории движения, а также осуществлять радиальную компрессию пучков кластерных ионов в каждом канале для кластеров, обладающих широким диапазоном масс и малым зарядом. Суперпозиция электрического поля и мультипольного магнитного поля позволяет уменьшать поперечные размеры ионного пучка, увеличивать площади апертур для экстракции кластерных ионов из ИИ и способствует увеличению тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.
Основное назначение
Изобретение относится к области ускорителей заряженных частиц с большой массой и с малым электрическим зарядом и может использоваться при создании ускорителей кластерных ионов для применения в областях ядерной энергетики, решения проблем управляемого термоядерного синтеза и для изучения свойств материи при сверхвысокой плотности энергии. Технический результат - увеличение тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ предусматривает использование инжектора для ускорителя кластерных ионов, в котором реализована одновременная экстракция заряженных частиц из плазмы нескольких источников кластерных ионов по нескольким каналам, формирование ионных пучков, ускорение их компрессии и ввода в ускоряющую ВЧ структуру ускорителя. Инжектор содержит несколько разнесенных в пространстве каналов, входная апертура каждого из которых соединена с отдельным источником кластерных ионов. Процесс формирования ионного пучка, ускорения, фокусировки и изменения траектории его движения, для заряженных частиц с большой массой и малым электрическим зарядом при помощи только электрического поля, связан с необходимостью создания больших напряженностей такого поля. Для более эффективной реализации процессов формовки и ускорения пучков кластерных ионов в инжекторе использована комбинация скрещенных силовых полей: аксиально-симметричного электрического поля и мультипольного магнитного поля со сложной конфигурацией силовых линий. Примененная комбинация полей такого типа, позволяет как ускорять, так и эффективно удерживать на заданной траектории движения, а также осуществлять радиальную компрессию пучков кластерных ионов в каждом канале для кластеров, обладающих широким диапазоном масс и малым зарядом. Суперпозиция электрического поля и мультипольного магнитного поля позволяет уменьшать поперечные размеры ионного пучка, увеличивать площади апертур для экстракции кластерных ионов из ИИ и способствует увеличению тока в пучке кластерных ионов с различной массой на выходе ускорителя. Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.
Основное назначение
Способ инжекции кластерных ионов, предусматривающий одновременную инжекцию в ускоритель ионов, экстрагированных с большой площади плазменной поверхности, за счет использования инжектора для ускорителя кластерных ионов, содержащего обечайки, в которых выполнены апертуры, соосно-сходящиеся к его центральной оси, в направлении от источника ионов (ИИ) к ускоряющей высокочастотной (ВЧ) системе, с диаметрами, уменьшающимися по мере приближения обечаек к указанной ВЧ системе, отличающийся тем, что для увеличения тока пучка кластерных ионов при инжекции кластерных ионов в ускоритель обечайки в указанном инжекторе выполнены из диэлектрического материала, и каждая апертура на ближайшей к источнику кластерных ионов обечайке соединена с выходом соответствующего источника кластерных ионов, и во все апертуры всех обечаек установлены тонкостенные металлические трубки дрейфа таким образом, чтобы между соответствующими трубками дрейфа соседних обечаек существовали зазоры, причем диаметр каждой трубки дрейфа должен соответствовать диаметру апертуры в данной обечайке, при этом все трубки дрейфа на каждой обечайке электрически соединены между собой и с отдельным источником электропитания, а между обечайками, симметрично центральной продольной оси зазоров между трубками дрейфа, вокруг этих трубок дрейфа, на одинаковом расстоянии от стенок трубок дрейфа, установлены по шесть постоянных магнитов, электрически изолированных от трубок дрейфа и сдвинутых по окружности относительно друг друга на 60 градусов так, чтобы в трубках дрейфа и в зазорах между ними существовало мультипольное магнитное поле, величина которого на центральной продольной оси зазоров равнялась нулю и резко нарастала вблизи поверхностей постоянных магнитов и в зазорах между ними.
|
||
|
478
|
Патент 2760731
|
Изобретение относится к устройствам, которые управляют аниматронными системами. Техническим результатом является упрощение процесса задания алгоритма функционирования аниматронной системы за счет применения модульной структуры. Система содержит главный и подчиненный контроллеры, каждый из которых предназначен для конкретной группы движителей и/или датчиков. Главный контроллер содержит процессор, индикатор питания, LCD-дисплей, блок питания и плату коннектора, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, подчиненные контроллеры содержат процессор, индикатор питания, модуль управления движителями или сенсорами, датчики, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков. Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
Основное назначение
Изобретение относится к устройствам, которые управляют аниматронными системами. Техническим результатом является упрощение процесса задания алгоритма функционирования аниматронной системы за счет применения модульной структуры. Система содержит главный и подчиненный контроллеры, каждый из которых предназначен для конкретной группы движителей и/или датчиков. Главный контроллер содержит процессор, индикатор питания, LCD-дисплей, блок питания и плату коннектора, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, подчиненные контроллеры содержат процессор, индикатор питания, модуль управления движителями или сенсорами, датчики, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков. Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
Основное назначение
Система управления аниматронными устройствами, включающая главный контроллер, соединенный кабелями связи и электропитания с подчиненными контроллерами и каналом связи с внешним устройством, состоящим из консольного приложения и устройства ввода, подключенные к терминалу компьютера, при этом главный контроллер состоит из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на главном контроллере, и LCD-дисплем, отображающим информацию о работе системы, блока питания, питающего процессор и плату коннектора главного контроллера, осуществляющую соединение через кабели связи и управления с коннекторами подчиненных контроллеров, при этом подчиненные контроллеры состоят из процессора, соединенного с индикатором питания, показывающим напряжение на подчиненном контроллере, модуля управления движителями или сенсорами, датчиков, пороги значений которых настраиваются при помощи регулятора датчиков и регулятора порогов датчиков, сигналы с которых передаются через процессор на дисплей для настройки датчиков.
|
||
|
479
|
Патент 2760740
|
Изобретение относится к области биотехнологии. Предлагается питательная среда, содержащая (мг/л): неорганические соединения из группы: аммоний азотнокислый, калий азотнокислый, кальций хлористый, магний сернокислый, калий фосфорнокислый, борная кислота, калий йодистый, а также комплексы марганца (II), цинка(II), молибдена (VI), меди(П), кобальта(П) с оксиэтилидендифосфоновой кислотой (ОЭДФ), комплекс железа (III) с трилоном Б, и органическую составляющую, включающую миоинозит, тиамин гидрохлорид, пиродоксин гидрохлорид, никотинамид, индолилмасляную кислоту, при следующем весовом соотношении компонентов смеси, мг/л: аммоний азотнокислый 825.0, калий азотнокислый 950.0, кальций хлористый 220.0, магний сернокислый 185.0, калий фосфорнокислый 85.0, борную кислоту 6.2, калий йодистый 0.83, комплексы микроэлементов с оксиэтилидендифосфоновой кислотой: железный(III) 24.5- 27.6, марганцевый 26.4-29.3, цинковый 8.2- 9.1, молибденовокислый 0.33-0.37, медный 0.027-0.030, кобальтовый 0.029 -0.032, а также органическую составляющую, включающую миоинозит 0.5, тиамин гидрохлорид 0.5, пиродоксин гидрохлорид 0.5, индолилмасляную кислоту 0.2, сахарозу 15000, агар-агар 6000 и остальное - вода до 1 л. Предлагаемая питательная среда характеризуется высокой эффективностью для размножения вишни ВЦ-13 in vitro на стадии ризогенеза, которая заключается в обеспечении практически количественной степени укоренения растений-регенерантов с образованием коротких прочных корней, которые легко отмываются. Питательная среда для размножения in vitro косточковой культуры ВЦ-13 (вишня) на стадии ризогенеза, содержащая аммоний азотнокислый, калий азотнокислый, кальций хлористый, магний сернокислый, калий фосфорнокислый, борную кислоту, калий йодистый, а также комплексы железа (III), марганца (II), цинка(II), молибдена (VI), меди(II) и кобальта(II) с оксиэтилидендифосфоновой кислотой и органическую составляющую, включающую миоинозит, тиамин гидрохлорид, пиродоксин гидрохлорид, никотинамид, индолилмасляную кислоту, при следующем весовом соотношении компонентов, мг/л:
• Аммоний азотнокислый 825.0
• Калий азотнокислый 950.0
• Кальций хлористый 220.0
• Магний сернокислый 185.0
• Калий фосфорнокислый 85.0
• Борная кислота 6.2
• Калий йодистый 0.83
• Комплексы микроэлементов с оксиэтилидендифосфоновой кислотой:
• железный(III) 24.5-27.6
• марганцевый 26.4-29.3
• цинковый 8.2-9.1
• молибденовокислый 0.33-0.37
• медный 0.027-0.030
• кобальтовый 0.029-0.032
• Миоинозит, 100.0
• Никотинамид, 0.5
• Тиамин гидрохдорид, 0.5
• Пиродоксин гидрохлорид 0.5
• Индолилмасляная кислота 0.2
• Сахароза 30000
• Агар-агар 6000
• Вода до 1 л
Основное назначение
Изобретение относится к области биотехнологии. Предлагается питательная среда, содержащая (мг/л): неорганические соединения из группы: аммоний азотнокислый, калий азотнокислый, кальций хлористый, магний сернокислый, калий фосфорнокислый, борная кислота, калий йодистый, а также комплексы марганца (II), цинка(II), молибдена (VI), меди(П), кобальта(П) с оксиэтилидендифосфоновой кислотой (ОЭДФ), комплекс железа (III) с трилоном Б, и органическую составляющую, включающую миоинозит, тиамин гидрохлорид, пиродоксин гидрохлорид, никотинамид, индолилмасляную кислоту, при следующем весовом соотношении компонентов смеси, мг/л: аммоний азотнокислый 825.0, калий азотнокислый 950.0, кальций хлористый 220.0, магний сернокислый 185.0, калий фосфорнокислый 85.0, борную кислоту 6.2, калий йодистый 0.83, комплексы микроэлементов с оксиэтилидендифосфоновой кислотой: железный(III) 24.5- 27.6, марганцевый 26.4-29.3, цинковый 8.2- 9.1, молибденовокислый 0.33-0.37, медный 0.027-0.030, кобальтовый 0.029 -0.032, а также органическую составляющую, включающую миоинозит 0.5, тиамин гидрохлорид 0.5, пиродоксин гидрохлорид 0.5, индолилмасляную кислоту 0.2, сахарозу 15000, агар-агар 6000 и остальное - вода до 1 л. Предлагаемая питательная среда характеризуется высокой эффективностью для размножения вишни ВЦ-13 in vitro на стадии ризогенеза, которая заключается в обеспечении практически количественной степени укоренения растений-регенерантов с образованием коротких прочных корней, которые легко отмываются. Питательная среда для размножения in vitro косточковой культуры ВЦ-13 (вишня) на стадии ризогенеза, содержащая аммоний азотнокислый, калий азотнокислый, кальций хлористый, магний сернокислый, калий фосфорнокислый, борную кислоту, калий йодистый, а также комплексы железа (III), марганца (II), цинка(II), молибдена (VI), меди(II) и кобальта(II) с оксиэтилидендифосфоновой кислотой и органическую составляющую, включающую миоинозит, тиамин гидрохлорид, пиродоксин гидрохлорид, никотинамид, индолилмасляную кислоту, при следующем весовом соотношении компонентов, мг/л:
• Аммоний азотнокислый 825.0
• Калий азотнокислый 950.0
• Кальций хлористый 220.0
• Магний сернокислый 185.0
• Калий фосфорнокислый 85.0
• Борная кислота 6.2
• Калий йодистый 0.83
• Комплексы микроэлементов с оксиэтилидендифосфоновой кислотой:
• железный(III) 24.5-27.6
• марганцевый 26.4-29.3
• цинковый 8.2-9.1
• молибденовокислый 0.33-0.37
• медный 0.027-0.030
• кобальтовый 0.029-0.032
• Миоинозит, 100.0
• Никотинамид, 0.5
• Тиамин гидрохдорид, 0.5
• Пиродоксин гидрохлорид 0.5
• Индолилмасляная кислота 0.2
• Сахароза 30000
• Агар-агар 6000
• Вода до 1 л
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
Питательная среда для размножения in vitro косточковой культуры ВЦ-13 (вишня) на стадии ризогенеза, содержащая аммоний азотнокислый, калий азотнокислый, кальций хлористый, магний сернокислый, калий фосфорнокислый, борную кислоту, калий йодистый, а также комплексы железа (III), марганца (II), цинка(II), молибдена (VI), меди(II) и кобальта(II) с оксиэтилидендифосфоновой кислотой и органическую составляющую, включающую миоинозит, тиамин гидрохлорид, пиродоксин гидрохлорид, никотинамид, индолилмасляную кислоту, при следующем весовом соотношении компонентов, мг/л:
• Аммоний азотнокислый 825.0
• Калий азотнокислый 950.0
• Кальций хлористый 220.0
• Магний сернокислый 185.0
• Калий фосфорнокислый 85.0
• Борная кислота 6.2
• Калий йодистый 0.83
• Комплексы микроэлементов с оксиэтилидендифосфоновой кислотой:
• железный(III) 24.5-27.6
• марганцевый 26.4-29.3
• цинковый 8.2-9.1
• молибденовокислый 0.33-0.37
• медный 0.027-0.030
• кобальтовый 0.029-0.032
• Миоинозит, 100.0
• Никотинамид, 0.5
• Тиамин гидрохдорид, 0.5
• Пиродоксин гидрохлорид 0.5
• Индолилмасляная кислота 0.2
• Сахароза 30000
• Агар-агар 6000
• Вода до 1 л
Основное назначение
Питательная среда для размножения in vitro косточковой культуры ВЦ-13 (вишня) на стадии ризогенеза, содержащая аммоний азотнокислый, калий азотнокислый, кальций хлористый, магний сернокислый, калий фосфорнокислый, борную кислоту, калий йодистый, а также комплексы железа (III), марганца (II), цинка(II), молибдена (VI), меди(II) и кобальта(II) с оксиэтилидендифосфоновой кислотой и органическую составляющую, включающую миоинозит, тиамин гидрохлорид, пиродоксин гидрохлорид, никотинамид, индолилмасляную кислоту, при следующем весовом соотношении компонентов, мг/л:
• Аммоний азотнокислый 825.0
• Калий азотнокислый 950.0
• Кальций хлористый 220.0
• Магний сернокислый 185.0
• Калий фосфорнокислый 85.0
• Борная кислота 6.2
• Калий йодистый 0.83
• Комплексы микроэлементов с оксиэтилидендифосфоновой кислотой:
• железный(III) 24.5-27.6
• марганцевый 26.4-29.3
• цинковый 8.2-9.1
• молибденовокислый 0.33-0.37
• медный 0.027-0.030
• кобальтовый 0.029-0.032
• Миоинозит, 100.0
• Никотинамид, 0.5
• Тиамин гидрохдорид, 0.5
• Пиродоксин гидрохлорид 0.5
• Индолилмасляная кислота 0.2
• Сахароза 30000
• Агар-агар 6000
• Вода до 1 л
|
||
|
480
|
Патент 2761867
|
Изобретение относится к технологии термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных пленок. Устройство содержит корпус с размещенной внутри него теплоизоляцией, подложкодержатель и нагреватель, нагреватель содержит два дистанционно расположенных кварцевых кольца, вокруг которых расположены по окружности плотно прилегающие друг к другу цилиндрические трубки, через которые протянута проволока из жаропрочных материалов, выполняющая функцию нагревательной спирали. Кварцевые кольца, расположенные на концах нагревателя, имеют высоту 0,1-0,15Н, внутренний диаметр 1,2-1,3D и внешний диаметр 1,4-1,5D, высота нагревателя hH составляет 1,1-1,2Н, внутренний диаметр 1,4-1,5D и внешний диаметр 1,6-1,7D, где Н - высота подложкодержателя, а D - внешний диаметр подложкодержателя. Изобретение обеспечивает создание равномерного температурного поля в области расположения обрабатываемого материала и удобство сборки и обслуживания нагревателя. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных пленок. Устройство содержит корпус с размещенной внутри него теплоизоляцией, подложкодержатель и нагреватель, нагреватель содержит два дистанционно расположенных кварцевых кольца, вокруг которых расположены по окружности плотно прилегающие друг к другу цилиндрические трубки, через которые протянута проволока из жаропрочных материалов, выполняющая функцию нагревательной спирали. Кварцевые кольца, расположенные на концах нагревателя, имеют высоту 0,1-0,15Н, внутренний диаметр 1,2-1,3D и внешний диаметр 1,4-1,5D, высота нагревателя hH составляет 1,1-1,2Н, внутренний диаметр 1,4-1,5D и внешний диаметр 1,6-1,7D, где Н - высота подложкодержателя, а D - внешний диаметр подложкодержателя. Изобретение обеспечивает создание равномерного температурного поля в области расположения обрабатываемого материала и удобство сборки и обслуживания нагревателя. 3 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к технологии термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных пленок. Устройство содержит корпус с размещенной внутри него теплоизоляцией, подложкодержатель и нагреватель, нагреватель содержит два дистанционно расположенных кварцевых кольца, вокруг которых расположены по окружности плотно прилегающие друг к другу цилиндрические трубки, через которые протянута проволока из жаропрочных материалов, выполняющая функцию нагревательной спирали. Кварцевые кольца, расположенные на концах нагревателя, имеют высоту 0,1-0,15Н, внутренний диаметр 1,2-1,3D и внешний диаметр 1,4-1,5D, высота нагревателя hH составляет 1,1-1,2Н, внутренний диаметр 1,4-1,5D и внешний диаметр 1,6-1,7D, где Н - высота подложкодержателя, а D - внешний диаметр подложкодержателя. Изобретение обеспечивает создание равномерного температурного поля в области расположения обрабатываемого материала и удобство сборки и обслуживания нагревателя. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии термической обработки металлических, полупроводниковых подложек и аморфных пленок. Устройство содержит корпус с размещенной внутри него теплоизоляцией, подложкодержатель и нагреватель, нагреватель содержит два дистанционно расположенных кварцевых кольца, вокруг которых расположены по окружности плотно прилегающие друг к другу цилиндрические трубки, через которые протянута проволока из жаропрочных материалов, выполняющая функцию нагревательной спирали. Кварцевые кольца, расположенные на концах нагревателя, имеют высоту 0,1-0,15Н, внутренний диаметр 1,2-1,3D и внешний диаметр 1,4-1,5D, высота нагревателя hH составляет 1,1-1,2Н, внутренний диаметр 1,4-1,5D и внешний диаметр 1,6-1,7D, где Н - высота подложкодержателя, а D - внешний диаметр подложкодержателя. Изобретение обеспечивает создание равномерного температурного поля в области расположения обрабатываемого материала и удобство сборки и обслуживания нагревателя. 3 ил.
|
||