|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
421
|
Патент 2723427
|
Предлагаемое изобретение относится к области аддитивного производства, а именно стереолитографии, и непосредственно касается составов на основе стабилизированного диоксида циркония для 3D печати. Предлагаемая композиция содержит стабилизированный диоксид циркония, акрилатную органическую основу и УФ-фотоинициатор. Диоксид циркония стабилизирован 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью и может содержать добавку 0,5-5,0 вес.% алюмоиттриевого граната или добавку 0,5-5,0 вес.% диоксида титана или модифицирован 0,1-10,0 вес.% гидроксамида олеиновой кислоты. Входящая в состав акрилатная органическая основа представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнил акрилата (ИБА) или изодецил акрилата (ИДА), в которой соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес.%) 15-17:85-83. В качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3,0 (вес. %) от веса акрилатной основы. Композиция дополнительно содержит реологическую добавку BYK w969 в количестве 0,5-5,0 вес.% от веса сухого стабилизированного диоксида циркония. Соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес.%) 70-75:30-25. Динамическая вязкость композиции 20,0 °С менее 2 Па?с при скорости сдвига 30 с-1. Технический результат изобретения - улучшение реологических свойств, обеспечивающих необходимую глубину отверждения суспензий, хорошую адгезию между слоями и хорошее качество поверхности. 1. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати методом стереолитографии, содержащая стабилизированный диоксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
2. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % алюмоиттриевого граната, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного оксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного оксида циркония к акрилатной основе вкомпозиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
3. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % диоксида титана, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
4. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, модифицированный 0,1-10,0 вес. % гидроксамида олеиновой кислоты, а также содержит акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
Основное назначение
Предлагаемое изобретение относится к области аддитивного производства, а именно стереолитографии, и непосредственно касается составов на основе стабилизированного диоксида циркония для 3D печати. Предлагаемая композиция содержит стабилизированный диоксид циркония, акрилатную органическую основу и УФ-фотоинициатор. Диоксид циркония стабилизирован 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью и может содержать добавку 0,5-5,0 вес.% алюмоиттриевого граната или добавку 0,5-5,0 вес.% диоксида титана или модифицирован 0,1-10,0 вес.% гидроксамида олеиновой кислоты. Входящая в состав акрилатная органическая основа представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнил акрилата (ИБА) или изодецил акрилата (ИДА), в которой соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес.%) 15-17:85-83. В качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3,0 (вес. %) от веса акрилатной основы. Композиция дополнительно содержит реологическую добавку BYK w969 в количестве 0,5-5,0 вес.% от веса сухого стабилизированного диоксида циркония. Соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес.%) 70-75:30-25. Динамическая вязкость композиции 20,0 °С менее 2 Па?с при скорости сдвига 30 с-1. Технический результат изобретения - улучшение реологических свойств, обеспечивающих необходимую глубину отверждения суспензий, хорошую адгезию между слоями и хорошее качество поверхности. 1. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати методом стереолитографии, содержащая стабилизированный диоксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
2. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % алюмоиттриевого граната, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного оксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного оксида циркония к акрилатной основе вкомпозиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
3. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % диоксида титана, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
4. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, модифицированный 0,1-10,0 вес. % гидроксамида олеиновой кислоты, а также содержит акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
1. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати методом стереолитографии, содержащая стабилизированный диоксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
2. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % алюмоиттриевого граната, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного оксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного оксида циркония к акрилатной основе вкомпозиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
3. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % диоксида титана, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
4. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, модифицированный 0,1-10,0 вес. % гидроксамида олеиновой кислоты, а также содержит акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
Основное назначение
1. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати методом стереолитографии, содержащая стабилизированный диоксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
2. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную мономерную основу и УФ-фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % алюмоиттриевого граната, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного оксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного оксида циркония к акрилатной основе вкомпозиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
3. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, и модифицирующую добавку - 0,5-5 вес. % диоксида титана, акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
4. Композиция на основе диоксида циркония для 3D печати, содержащая стабилизированный оксид циркония, акрилатную основу и фотоинициатор, отличающаяся тем, что содержит диоксид циркония, стабилизированный 3-11 мол. % оксида иттрия или оксида скандия или их смесью, модифицированный 0,1-10,0 вес. % гидроксамида олеиновой кислоты, а также содержит акрилатную основу, которая представляет собой смесь триметилолпропан триакрилата (ТМПТА) и изоборнилакрилата (ИБА) или изодецилакрилата (ИДА) и в которой весовое соотношение ТМПТА к ИБА или к ИДА составляет (вес. %) 15-17:85-83, а в качестве УФ-фотоинициатора смесь содержит этил(2,4,6-триметилбензоил)фенилфосфинат в количестве, составляющем 0,5-3 (вес. %) от веса акрилатной основы, и дополнительно содержит реологическую добавку - BYK w969 в количестве 0,5-5 вес. % от веса сухого стабилизированного диоксида циркония, и при этом весовое соотношение стабилизированного диоксида циркония к акрилатной основе в композиции составляет (вес. %) 70-75:30-25.
|
||
|
422
|
Патент 2723473
|
Изобретение относится к дополнительному оборудованию ядерного гомогенного реактора растворного типа, предназначенного, например, для получения медицинских изотопов. Для достижения этого технического результата предложено устройство загрузки жидкого ядерного топлива, представляющее собой систему емкостей и трубопроводов, оснащенных запорной арматурой, размещенных на единой мобильной раме. В состав предлагаемого устройства входит емкость-дозатор объемом не более 3000 см3 с уровнемером на весоизмерительном устройстве (тензометрическом датчике) с точностью не хуже 1%, воздушный фильтр, мановакуумметр и трубопроводы с запорной арматурой для слива топлива в корпус реактора и удаления газов в систему откачки и локализации этих газов. В нижней части устройство имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух. Все элементы, контактирующие с жидким топливом, выполнены из стали 12Х18Н10Т. Техническим результатом является возможность дозированной ядерно-безопасной, дистанционной подачи жидкого ядерного топлива в корпус активной зоны ядерного гомогенного реактора растворного типа. 1. Устройство загрузки жидкого ядерного топлива в ядерный гомогенный реактор, характеризующееся автономной конструкцией, состоящей из рамы с закрепленными на ней: емкостью-дозатором объемом не более 3000 см3 и заправочной емкостью, установленными на весоизмерительных устройствах с точностью не хуже 1%, аэрозольным воздушным фильтром, датчиком давления и трубопроводами с запорной арматурой.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электромагнитные вентили на трубопроводе из заправочной емкости и на трубопроводе в корпус реактора электрически соединены с СУЗ комплекта ядерного реактора.
3. Устройство по п. 1 и 2, отличающееся тем, что рама в нижней части имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух, а все элементы, контактирующие с жидким топливом и кожух, выполнены из стали 12Х18Н10Т.
Основное назначение
Изобретение относится к дополнительному оборудованию ядерного гомогенного реактора растворного типа, предназначенного, например, для получения медицинских изотопов. Для достижения этого технического результата предложено устройство загрузки жидкого ядерного топлива, представляющее собой систему емкостей и трубопроводов, оснащенных запорной арматурой, размещенных на единой мобильной раме. В состав предлагаемого устройства входит емкость-дозатор объемом не более 3000 см3 с уровнемером на весоизмерительном устройстве (тензометрическом датчике) с точностью не хуже 1%, воздушный фильтр, мановакуумметр и трубопроводы с запорной арматурой для слива топлива в корпус реактора и удаления газов в систему откачки и локализации этих газов. В нижней части устройство имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух. Все элементы, контактирующие с жидким топливом, выполнены из стали 12Х18Н10Т. Техническим результатом является возможность дозированной ядерно-безопасной, дистанционной подачи жидкого ядерного топлива в корпус активной зоны ядерного гомогенного реактора растворного типа. 1. Устройство загрузки жидкого ядерного топлива в ядерный гомогенный реактор, характеризующееся автономной конструкцией, состоящей из рамы с закрепленными на ней: емкостью-дозатором объемом не более 3000 см3 и заправочной емкостью, установленными на весоизмерительных устройствах с точностью не хуже 1%, аэрозольным воздушным фильтром, датчиком давления и трубопроводами с запорной арматурой.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электромагнитные вентили на трубопроводе из заправочной емкости и на трубопроводе в корпус реактора электрически соединены с СУЗ комплекта ядерного реактора.
3. Устройство по п. 1 и 2, отличающееся тем, что рама в нижней части имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух, а все элементы, контактирующие с жидким топливом и кожух, выполнены из стали 12Х18Н10Т.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Устройство загрузки жидкого ядерного топлива в ядерный гомогенный реактор, характеризующееся автономной конструкцией, состоящей из рамы с закрепленными на ней: емкостью-дозатором объемом не более 3000 см3 и заправочной емкостью, установленными на весоизмерительных устройствах с точностью не хуже 1%, аэрозольным воздушным фильтром, датчиком давления и трубопроводами с запорной арматурой.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электромагнитные вентили на трубопроводе из заправочной емкости и на трубопроводе в корпус реактора электрически соединены с СУЗ комплекта ядерного реактора.
3. Устройство по п. 1 и 2, отличающееся тем, что рама в нижней части имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух, а все элементы, контактирующие с жидким топливом и кожух, выполнены из стали 12Х18Н10Т.
Основное назначение
1. Устройство загрузки жидкого ядерного топлива в ядерный гомогенный реактор, характеризующееся автономной конструкцией, состоящей из рамы с закрепленными на ней: емкостью-дозатором объемом не более 3000 см3 и заправочной емкостью, установленными на весоизмерительных устройствах с точностью не хуже 1%, аэрозольным воздушным фильтром, датчиком давления и трубопроводами с запорной арматурой.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что электромагнитные вентили на трубопроводе из заправочной емкости и на трубопроводе в корпус реактора электрически соединены с СУЗ комплекта ядерного реактора.
3. Устройство по п. 1 и 2, отличающееся тем, что рама в нижней части имеет поддон и опоры, а по периметру защитный кожух, а все элементы, контактирующие с жидким топливом и кожух, выполнены из стали 12Х18Н10Т.
|
||
|
423
|
Патент 2723481
|
Изобретение относится к способу получения 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, который осуществляется реакцией взаимодействия эквимолярных количеств 4-хлорхиназолина с гидрохлоридом метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, проводимой при комнатной температуре и интенсивном перемешивании при прибавлении по каплям к раствору 4-хлорхиназолина в хлороформе раствора гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата в хлороформе, содержащего триэтиламин в количестве 2-10 молей на моль гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата. Полученная реакционная масса перемешивается при комнатной температуре до образования конечного продукта при контроле степени превращения исходных реагентов в целевой продукт методом тонкослойной хроматографии при использовании в качестве элюента смеси, содержащей хлороформ: метанол, взятые в объемном соотношении 10:1. Последующее выделение 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина осуществляется поэтапно и включает фильтрацию, промывку фильтрата водой и насыщенным раствором хлорида натрия, повторную промывку водой, высушивание сульфатом натрия, упаривание в вакууме, обработку диэтиловым эфиром, повторную фильтрацию и вакуумное высушивание отфильтрованного осадка 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина. Выход конечного продукта 85%. Полученное соединение может быть использовано в качестве прекурсора для синтеза потенциально активных ингибиторов пролилпептидазы, применямых при лечении онкологических заболеваний. 1. Способ получения 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, имющего структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/723/481/ИЗ-02723481-00001/00000011.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
осуществляемый реакцией взаимодействия эквимолярных количеств 4-хлорхиназолина с гидрохлоридом метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, проводимой при комнатной температуре и интенсивном перемешивании при прибавлении по каплям к раствору 4-хлорхиназолина в хлороформе смеси гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата в хлороформе, содержащей триэтиламин в количестве 2-10 молей на моль гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, и перемешиванием полученной реакционной массы при комнатной температуре до образования конечного продукта, контролируя степень превращения исходных реагентов в целевой продукт методом тонкослойной хроматографии, и последующим выделением 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, включающим поэтапно: фильтрацию, промывку фильтрата водой и насыщенным раствором хлорида натрия, повторную промывку водой, высушивание сульфатом натрия, упаривание в вакууме, обработку диэтиловым эфиром, повторную фильтрацию и вакуумное высушивание отфильтрованного осадка 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина.
2. Способ по п. 1, в котором степень превращения исходных реагентов в 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолин контролируют методом тонкослойной хроматографии с использованием в качестве элюента смеси, содержащей хлороформ : метанол, взятые в объемном соотношении 10:1.
3. Способ по п. 1, в котором после фиксирования окончания реакции отфильтровывают осадок гидрохлорида триэтиламина и промывают его на фильтре хлороформом, объединяют фильтраты и обрабатывают их.
Основное назначение
Изобретение относится к способу получения 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, который осуществляется реакцией взаимодействия эквимолярных количеств 4-хлорхиназолина с гидрохлоридом метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, проводимой при комнатной температуре и интенсивном перемешивании при прибавлении по каплям к раствору 4-хлорхиназолина в хлороформе раствора гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата в хлороформе, содержащего триэтиламин в количестве 2-10 молей на моль гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата. Полученная реакционная масса перемешивается при комнатной температуре до образования конечного продукта при контроле степени превращения исходных реагентов в целевой продукт методом тонкослойной хроматографии при использовании в качестве элюента смеси, содержащей хлороформ: метанол, взятые в объемном соотношении 10:1. Последующее выделение 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина осуществляется поэтапно и включает фильтрацию, промывку фильтрата водой и насыщенным раствором хлорида натрия, повторную промывку водой, высушивание сульфатом натрия, упаривание в вакууме, обработку диэтиловым эфиром, повторную фильтрацию и вакуумное высушивание отфильтрованного осадка 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина. Выход конечного продукта 85%. Полученное соединение может быть использовано в качестве прекурсора для синтеза потенциально активных ингибиторов пролилпептидазы, применямых при лечении онкологических заболеваний. 1. Способ получения 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, имющего структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/723/481/ИЗ-02723481-00001/00000011.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
осуществляемый реакцией взаимодействия эквимолярных количеств 4-хлорхиназолина с гидрохлоридом метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, проводимой при комнатной температуре и интенсивном перемешивании при прибавлении по каплям к раствору 4-хлорхиназолина в хлороформе смеси гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата в хлороформе, содержащей триэтиламин в количестве 2-10 молей на моль гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, и перемешиванием полученной реакционной массы при комнатной температуре до образования конечного продукта, контролируя степень превращения исходных реагентов в целевой продукт методом тонкослойной хроматографии, и последующим выделением 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, включающим поэтапно: фильтрацию, промывку фильтрата водой и насыщенным раствором хлорида натрия, повторную промывку водой, высушивание сульфатом натрия, упаривание в вакууме, обработку диэтиловым эфиром, повторную фильтрацию и вакуумное высушивание отфильтрованного осадка 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина.
2. Способ по п. 1, в котором степень превращения исходных реагентов в 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолин контролируют методом тонкослойной хроматографии с использованием в качестве элюента смеси, содержащей хлороформ : метанол, взятые в объемном соотношении 10:1.
3. Способ по п. 1, в котором после фиксирования окончания реакции отфильтровывают осадок гидрохлорида триэтиламина и промывают его на фильтре хлороформом, объединяют фильтраты и обрабатывают их.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
1. Способ получения 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, имющего структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/723/481/ИЗ-02723481-00001/00000011.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
осуществляемый реакцией взаимодействия эквимолярных количеств 4-хлорхиназолина с гидрохлоридом метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, проводимой при комнатной температуре и интенсивном перемешивании при прибавлении по каплям к раствору 4-хлорхиназолина в хлороформе смеси гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата в хлороформе, содержащей триэтиламин в количестве 2-10 молей на моль гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, и перемешиванием полученной реакционной массы при комнатной температуре до образования конечного продукта, контролируя степень превращения исходных реагентов в целевой продукт методом тонкослойной хроматографии, и последующим выделением 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, включающим поэтапно: фильтрацию, промывку фильтрата водой и насыщенным раствором хлорида натрия, повторную промывку водой, высушивание сульфатом натрия, упаривание в вакууме, обработку диэтиловым эфиром, повторную фильтрацию и вакуумное высушивание отфильтрованного осадка 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина.
2. Способ по п. 1, в котором степень превращения исходных реагентов в 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолин контролируют методом тонкослойной хроматографии с использованием в качестве элюента смеси, содержащей хлороформ : метанол, взятые в объемном соотношении 10:1.
3. Способ по п. 1, в котором после фиксирования окончания реакции отфильтровывают осадок гидрохлорида триэтиламина и промывают его на фильтре хлороформом, объединяют фильтраты и обрабатывают их.
Основное назначение
1. Способ получения 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, имющего структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/723/481/ИЗ-02723481-00001/00000011.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне),
осуществляемый реакцией взаимодействия эквимолярных количеств 4-хлорхиназолина с гидрохлоридом метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, проводимой при комнатной температуре и интенсивном перемешивании при прибавлении по каплям к раствору 4-хлорхиназолина в хлороформе смеси гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата в хлороформе, содержащей триэтиламин в количестве 2-10 молей на моль гидрохлорида метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилата, и перемешиванием полученной реакционной массы при комнатной температуре до образования конечного продукта, контролируя степень превращения исходных реагентов в целевой продукт методом тонкослойной хроматографии, и последующим выделением 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина, включающим поэтапно: фильтрацию, промывку фильтрата водой и насыщенным раствором хлорида натрия, повторную промывку водой, высушивание сульфатом натрия, упаривание в вакууме, обработку диэтиловым эфиром, повторную фильтрацию и вакуумное высушивание отфильтрованного осадка 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолина.
2. Способ по п. 1, в котором степень превращения исходных реагентов в 4-[метил 4-(аминометил)циклогексанкарбоксилат]хиназолин контролируют методом тонкослойной хроматографии с использованием в качестве элюента смеси, содержащей хлороформ : метанол, взятые в объемном соотношении 10:1.
3. Способ по п. 1, в котором после фиксирования окончания реакции отфильтровывают осадок гидрохлорида триэтиламина и промывают его на фильтре хлороформом, объединяют фильтраты и обрабатывают их.
|
||
|
424
|
Патент 2724133
|
Изобретение относится к способам регистрации реакторных антинейтрино сцинтилляционным методом. Сущность изобретения заключается в том, что регистрацию антинейтрино осуществляют по реакции обратного бета-распада на протонах, при котором в слоях сегментированного гадолиний-содержащего неорганического сцинтиллятора, чередующихся со слоями органического сцинтиллятора, регистрируют фотоны сцинтилляций от аннигиляции рождающихся в ходе реакции обратного бета-распада позитронов (мгновенный сигнал), а также фотоны сцинтилляций от каскада гамма-квантов, испущенных при поглощении нейтронов, возникших в ходе реакции обратного бета-распада (задержанный сигнал). Технический результат – возможность детектирования реакторных антинейтрино. 1. Способ регистрации реакторных антинейтрино, заключающийся в том, что регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании аннигиляционных гамма-квантов и нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, а гамма-лучевой сцинтиллятор на основе органического материала, содержащего атомы водорода и находящийся в непосредственной близости к сцинтиллятору на основе неорганического материала, используют в качестве протон-содержащей мишени, среды для замедления позитронов и нейтронов, а также активной защиты от заряженной и нейтронной компоненты фонового космического излучения, отличающийся тем, что в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, определяют координату взаимодействия гамма-квантов, момент взаимодействия во времени и выделенную в результате взаимодействия энергию и отделяют полезные события от фоновых, регистрируя энерговыделение от аннигиляционных гамма-квантов в энергетическом диапазоне 400-3000 кэВ, от нейтронов в энергетическом диапазоне 5000-8000 кэВ, регистрируют мгновенные совпадения от ионизационных потерь энергии позитрона и/или аннигиляционных гамма-квантов во временном окне 10-8 с и задержанные на время 10-5 - 10-6 с сигналы от нейтронов и анализируют на соответствие заранее рассчитанным компьютерным моделям пространственные области в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, в которых мгновенно либо в определенных временных интервалах было зарегистрировано указанное энерговыделение.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се и/или Tb и/или Eu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат.%.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического сцинтилляционного материала, содержащего атомы водорода, используют пластиковые сцинтилляторы или жидкие сцинтилляторы, не содержащие в своем составе гадолиний.
Основное назначение
Изобретение относится к способам регистрации реакторных антинейтрино сцинтилляционным методом. Сущность изобретения заключается в том, что регистрацию антинейтрино осуществляют по реакции обратного бета-распада на протонах, при котором в слоях сегментированного гадолиний-содержащего неорганического сцинтиллятора, чередующихся со слоями органического сцинтиллятора, регистрируют фотоны сцинтилляций от аннигиляции рождающихся в ходе реакции обратного бета-распада позитронов (мгновенный сигнал), а также фотоны сцинтилляций от каскада гамма-квантов, испущенных при поглощении нейтронов, возникших в ходе реакции обратного бета-распада (задержанный сигнал). Технический результат – возможность детектирования реакторных антинейтрино. 1. Способ регистрации реакторных антинейтрино, заключающийся в том, что регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании аннигиляционных гамма-квантов и нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, а гамма-лучевой сцинтиллятор на основе органического материала, содержащего атомы водорода и находящийся в непосредственной близости к сцинтиллятору на основе неорганического материала, используют в качестве протон-содержащей мишени, среды для замедления позитронов и нейтронов, а также активной защиты от заряженной и нейтронной компоненты фонового космического излучения, отличающийся тем, что в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, определяют координату взаимодействия гамма-квантов, момент взаимодействия во времени и выделенную в результате взаимодействия энергию и отделяют полезные события от фоновых, регистрируя энерговыделение от аннигиляционных гамма-квантов в энергетическом диапазоне 400-3000 кэВ, от нейтронов в энергетическом диапазоне 5000-8000 кэВ, регистрируют мгновенные совпадения от ионизационных потерь энергии позитрона и/или аннигиляционных гамма-квантов во временном окне 10-8 с и задержанные на время 10-5 - 10-6 с сигналы от нейтронов и анализируют на соответствие заранее рассчитанным компьютерным моделям пространственные области в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, в которых мгновенно либо в определенных временных интервалах было зарегистрировано указанное энерговыделение.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се и/или Tb и/или Eu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат.%.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического сцинтилляционного материала, содержащего атомы водорода, используют пластиковые сцинтилляторы или жидкие сцинтилляторы, не содержащие в своем составе гадолиний.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ регистрации реакторных антинейтрино, заключающийся в том, что регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании аннигиляционных гамма-квантов и нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, а гамма-лучевой сцинтиллятор на основе органического материала, содержащего атомы водорода и находящийся в непосредственной близости к сцинтиллятору на основе неорганического материала, используют в качестве протон-содержащей мишени, среды для замедления позитронов и нейтронов, а также активной защиты от заряженной и нейтронной компоненты фонового космического излучения, отличающийся тем, что в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, определяют координату взаимодействия гамма-квантов, момент взаимодействия во времени и выделенную в результате взаимодействия энергию и отделяют полезные события от фоновых, регистрируя энерговыделение от аннигиляционных гамма-квантов в энергетическом диапазоне 400-3000 кэВ, от нейтронов в энергетическом диапазоне 5000-8000 кэВ, регистрируют мгновенные совпадения от ионизационных потерь энергии позитрона и/или аннигиляционных гамма-квантов во временном окне 10-8 с и задержанные на время 10-5 - 10-6 с сигналы от нейтронов и анализируют на соответствие заранее рассчитанным компьютерным моделям пространственные области в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, в которых мгновенно либо в определенных временных интервалах было зарегистрировано указанное энерговыделение.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се и/или Tb и/или Eu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат.%.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического сцинтилляционного материала, содержащего атомы водорода, используют пластиковые сцинтилляторы или жидкие сцинтилляторы, не содержащие в своем составе гадолиний.
Основное назначение
1. Способ регистрации реакторных антинейтрино, заключающийся в том, что регистрируют фотоны сцинтилляций, образующиеся при попадании аннигиляционных гамма-квантов и нейтронов в гамма-лучевой сцинтиллятор на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, а гамма-лучевой сцинтиллятор на основе органического материала, содержащего атомы водорода и находящийся в непосредственной близости к сцинтиллятору на основе неорганического материала, используют в качестве протон-содержащей мишени, среды для замедления позитронов и нейтронов, а также активной защиты от заряженной и нейтронной компоненты фонового космического излучения, отличающийся тем, что в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, содержащего атомы гадолиния, определяют координату взаимодействия гамма-квантов, момент взаимодействия во времени и выделенную в результате взаимодействия энергию и отделяют полезные события от фоновых, регистрируя энерговыделение от аннигиляционных гамма-квантов в энергетическом диапазоне 400-3000 кэВ, от нейтронов в энергетическом диапазоне 5000-8000 кэВ, регистрируют мгновенные совпадения от ионизационных потерь энергии позитрона и/или аннигиляционных гамма-квантов во временном окне 10-8 с и задержанные на время 10-5 - 10-6 с сигналы от нейтронов и анализируют на соответствие заранее рассчитанным компьютерным моделям пространственные области в гамма-лучевом сцинтилляторе на основе неорганического материала, в которых мгновенно либо в определенных временных интервалах было зарегистрировано указанное энерговыделение.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют материалы из ряда: Gd2SiO5, Gd2Si2O7, GdBr3, Gd3Al2Ga3O12 в форме монокристаллического или поликристаллического материала, содержащие в качестве активатора атомы Се и/или Tb и/или Eu, которые вводят в состав материала, замещая один или несколько элементов в количестве до 2 ат.%.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в неорганических сцинтилляционных материалах, содержащих атомы гадолиния, замещают до 60% атомов Gd атомами Y или лантаноидами.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве неорганического сцинтилляционного материала, содержащего атомы гадолиния, используют сцинтилляционное стекло, содержащее оксиды Gd, Si, а в качестве активатора атомы Се и/или Tb.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического сцинтилляционного материала, содержащего атомы водорода, используют пластиковые сцинтилляторы или жидкие сцинтилляторы, не содержащие в своем составе гадолиний.
|
||
|
425
|
Патент 2724206
|
Изобретение относится к энергосистемам на основе прямого преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано, в частности, для энергоснабжения лунной базы. Установка содержит два замкнутых контура жидкометаллического теплоносителя (ЖМТ). Контур горячего ЖМТ включает в себя по меньшей мере один солнечный коллектор, соединенный трубопроводами ЖМТ с последовательно установленными теплообменником горячего спая термоэлектрического преобразователя (ТЭП) и циркуляционным насосом. Контур отвода тепла включает в себя теплообменник холодного спая ТЭП, соединенный трубопроводами ЖМТ с холодильником-излучателем и циркуляционным насосом. Электрические выходы ТЭП соединены с накопителями и потребителями энергии. Техническим результатом является стабильное энергоснабжение оборудования и персонала в экстремальных условиях внешней среды, в частности на лунной базе. 1. Автономная космическая энергетическая установка, содержащая замкнутый контур горячего жидкометаллического теплоносителя, включающий по меньшей мере один солнечный коллектор, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с последовательно установленными теплообменником горячего спая термоэлектрического преобразователя и электромагнитным насосом, замкнутый контур отвода тепла, включающий теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с холодильником-излучателем и циркуляционным насосом, при этом теплообменник горячего спая термоэлектрического преобразователя и теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя примыкают к термоэлектрическому генератору, электрические выходы которого соединены с накопителем и потребителем энергии.
2. Установка по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве накопителей энергии могут быть использованы электрохимическая аккумуляторная батарея, или механическая система аккумулирования, или суперконденсаторы.
Основное назначение
Изобретение относится к энергосистемам на основе прямого преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано, в частности, для энергоснабжения лунной базы. Установка содержит два замкнутых контура жидкометаллического теплоносителя (ЖМТ). Контур горячего ЖМТ включает в себя по меньшей мере один солнечный коллектор, соединенный трубопроводами ЖМТ с последовательно установленными теплообменником горячего спая термоэлектрического преобразователя (ТЭП) и циркуляционным насосом. Контур отвода тепла включает в себя теплообменник холодного спая ТЭП, соединенный трубопроводами ЖМТ с холодильником-излучателем и циркуляционным насосом. Электрические выходы ТЭП соединены с накопителями и потребителями энергии. Техническим результатом является стабильное энергоснабжение оборудования и персонала в экстремальных условиях внешней среды, в частности на лунной базе. 1. Автономная космическая энергетическая установка, содержащая замкнутый контур горячего жидкометаллического теплоносителя, включающий по меньшей мере один солнечный коллектор, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с последовательно установленными теплообменником горячего спая термоэлектрического преобразователя и электромагнитным насосом, замкнутый контур отвода тепла, включающий теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с холодильником-излучателем и циркуляционным насосом, при этом теплообменник горячего спая термоэлектрического преобразователя и теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя примыкают к термоэлектрическому генератору, электрические выходы которого соединены с накопителем и потребителем энергии.
2. Установка по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве накопителей энергии могут быть использованы электрохимическая аккумуляторная батарея, или механическая система аккумулирования, или суперконденсаторы.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Автономная космическая энергетическая установка, содержащая замкнутый контур горячего жидкометаллического теплоносителя, включающий по меньшей мере один солнечный коллектор, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с последовательно установленными теплообменником горячего спая термоэлектрического преобразователя и электромагнитным насосом, замкнутый контур отвода тепла, включающий теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с холодильником-излучателем и циркуляционным насосом, при этом теплообменник горячего спая термоэлектрического преобразователя и теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя примыкают к термоэлектрическому генератору, электрические выходы которого соединены с накопителем и потребителем энергии.
2. Установка по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве накопителей энергии могут быть использованы электрохимическая аккумуляторная батарея, или механическая система аккумулирования, или суперконденсаторы.
Основное назначение
1. Автономная космическая энергетическая установка, содержащая замкнутый контур горячего жидкометаллического теплоносителя, включающий по меньшей мере один солнечный коллектор, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с последовательно установленными теплообменником горячего спая термоэлектрического преобразователя и электромагнитным насосом, замкнутый контур отвода тепла, включающий теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя, соединенный трубопроводами с жидкометаллическим теплоносителем с холодильником-излучателем и циркуляционным насосом, при этом теплообменник горячего спая термоэлектрического преобразователя и теплообменник холодного спая термоэлектрического преобразователя примыкают к термоэлектрическому генератору, электрические выходы которого соединены с накопителем и потребителем энергии.
2. Установка по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве накопителей энергии могут быть использованы электрохимическая аккумуляторная батарея, или механическая система аккумулирования, или суперконденсаторы.
|
||
|
426
|
Патент 2724264
|
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с последующим наращиванием слоя до толщины 3-7 мкм в гальванической ванне с медным купоросом, приготовление гальванической ванны из смеси Н3ВО3 - 25-35 г/л; CuSO4?5H2O - 4-8 г/л; NiSO4?7H2O - 160-220 г/л при соотношении солей никеля и меди в диапазоне от 20:1 до 30:1, заполнение пор матрицы чередующимися слоями меди и никеля путем осаждения металлов в гальванической ванне из смеси, при этом циклически изменяют напряжение 0,7 В и 1,8 В для осаждения по отдельности слоев меди и никеля, после заполнения пор слоями меди и никеля трековую полимерную матрицу растворяют в NaOH с концентрацией от 220 г/л до 260 г/л при температуре от 60 до 80°С. Полученные нанопроволоки промывают, а затем растворяют слой меди подложки и одновременно вытравливают из нанопроволок слои меди в растворе NH4OH (150-200 г/л) и CuSO4?5H2O (1 г/л) при комнатной температуре, полученную взвесь из слоев никеля, образующих никелевые стержни, из травильного раствора переносят в воду с помощью магнита. 1 ил., 2 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с последующим наращиванием слоя до толщины 3-7 мкм в гальванической ванне с медным купоросом, приготовление гальванической ванны из смеси Н3ВО3 - 25-35 г/л; CuSO4?5H2O - 4-8 г/л; NiSO4?7H2O - 160-220 г/л при соотношении солей никеля и меди в диапазоне от 20:1 до 30:1, заполнение пор матрицы чередующимися слоями меди и никеля путем осаждения металлов в гальванической ванне из смеси, при этом циклически изменяют напряжение 0,7 В и 1,8 В для осаждения по отдельности слоев меди и никеля, после заполнения пор слоями меди и никеля трековую полимерную матрицу растворяют в NaOH с концентрацией от 220 г/л до 260 г/л при температуре от 60 до 80°С. Полученные нанопроволоки промывают, а затем растворяют слой меди подложки и одновременно вытравливают из нанопроволок слои меди в растворе NH4OH (150-200 г/л) и CuSO4?5H2O (1 г/л) при комнатной температуре, полученную взвесь из слоев никеля, образующих никелевые стержни, из травильного раствора переносят в воду с помощью магнита. 1 ил., 2 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с последующим наращиванием слоя до толщины 3-7 мкм в гальванической ванне с медным купоросом, приготовление гальванической ванны из смеси Н3ВО3 - 25-35 г/л; CuSO4?5H2O - 4-8 г/л; NiSO4?7H2O - 160-220 г/л при соотношении солей никеля и меди в диапазоне от 20:1 до 30:1, заполнение пор матрицы чередующимися слоями меди и никеля путем осаждения металлов в гальванической ванне из смеси, при этом циклически изменяют напряжение 0,7 В и 1,8 В для осаждения по отдельности слоев меди и никеля, после заполнения пор слоями меди и никеля трековую полимерную матрицу растворяют в NaOH с концентрацией от 220 г/л до 260 г/л при температуре от 60 до 80°С. Полученные нанопроволоки промывают, а затем растворяют слой меди подложки и одновременно вытравливают из нанопроволок слои меди в растворе NH4OH (150-200 г/л) и CuSO4?5H2O (1 г/л) при комнатной температуре, полученную взвесь из слоев никеля, образующих никелевые стержни, из травильного раствора переносят в воду с помощью магнита. 1 ил., 2 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с последующим наращиванием слоя до толщины 3-7 мкм в гальванической ванне с медным купоросом, приготовление гальванической ванны из смеси Н3ВО3 - 25-35 г/л; CuSO4?5H2O - 4-8 г/л; NiSO4?7H2O - 160-220 г/л при соотношении солей никеля и меди в диапазоне от 20:1 до 30:1, заполнение пор матрицы чередующимися слоями меди и никеля путем осаждения металлов в гальванической ванне из смеси, при этом циклически изменяют напряжение 0,7 В и 1,8 В для осаждения по отдельности слоев меди и никеля, после заполнения пор слоями меди и никеля трековую полимерную матрицу растворяют в NaOH с концентрацией от 220 г/л до 260 г/л при температуре от 60 до 80°С. Полученные нанопроволоки промывают, а затем растворяют слой меди подложки и одновременно вытравливают из нанопроволок слои меди в растворе NH4OH (150-200 г/л) и CuSO4?5H2O (1 г/л) при комнатной температуре, полученную взвесь из слоев никеля, образующих никелевые стержни, из травильного раствора переносят в воду с помощью магнита. 1 ил., 2 пр.
|
||
|
427
|
Патент 2724804
|
Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание средств проведения испытаний способов построения цифровых микросхем на основе постоянного поэлементного резервирования с целью получения экспериментальных оценок их отказоустойчивости к облучению. Используются теоретические способы вычисления отказоустойчивости микросхем на основе оценки вероятности отказа облучаемых микросхем «по площадям». Используется среднее время работы микросхемы до ее отказа от момента облучения, принятого за начальный, до момента фиксации числа последовательных отказов облучаемой микросхемы в заданном числе соседних циклов работы испытательных микросхем. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения,
tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы,
а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы:
Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W),
где j - идентификатор номер способа построения микросхемы,
Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость,
?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы,
N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме,
W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы,
отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.
Основное назначение
Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание средств проведения испытаний способов построения цифровых микросхем на основе постоянного поэлементного резервирования с целью получения экспериментальных оценок их отказоустойчивости к облучению. Используются теоретические способы вычисления отказоустойчивости микросхем на основе оценки вероятности отказа облучаемых микросхем «по площадям». Используется среднее время работы микросхемы до ее отказа от момента облучения, принятого за начальный, до момента фиксации числа последовательных отказов облучаемой микросхемы в заданном числе соседних циклов работы испытательных микросхем. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения,
tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы,
а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы:
Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W),
где j - идентификатор номер способа построения микросхемы,
Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость,
?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы,
N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме,
W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы,
отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения,
tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы,
а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы:
Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W),
где j - идентификатор номер способа построения микросхемы,
Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость,
?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы,
N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме,
W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы,
отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.
Основное назначение
1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения,
tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы,
а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы:
Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W),
где j - идентификатор номер способа построения микросхемы,
Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость,
?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы,
N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме,
W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы,
отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.
|
||
|
428
|
Патент 2725666
|
Изобретение относится к области органической химии и медицины, а именно к способу получения 5- и 6-аминофлуоресцеинов реакцией 4-нитрофталевой кислоты с резорцином, взятых в мольном соотношении 1:2, протекающей в среде ортофосфорной кислоты, взятой в соотношении к массе 4-нитрофталевой кислоты как 1:2,5 (уд. вес ортофосфорной кислоты - 1,75 г/мл) при температуре 135°С до образования смеси изомеров 5- и 6-нитрофлуоресцеинов и ее выделением и разделением через образование 5- и 6-нитрофлуоресцеин дипропионатов, с последующим восстановлением каждого из них до образования соответствующих аминопроизводных, отличающийся тем, что для разделения смеси изомеров нитрофлуоресцеина (5- и 6-) используют пропионовый ангидрид в количестве 1:8, который смешивают со смесью изомеров, кипятят полученную смесь в течение 2,5 часов, охлаждают, фильтруют и выпавший осадок 5-нитрофлуоресцеин дипропионата промывают этиловым спиртом, высушивают и подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 5-нитрофлуоресцеин дипропионату, и выделяют 5-аминофлуоресцеин, а отделенный после фильтрации маточный раствор, содержащий 6-нитрофлуоресцеин дипропионат, обрабатывают дистиллированной водой до получения маслянистого осадка, его закристаллизовывают растиранием, кристаллический осадок отделяют фильтрованием и промывают этанолом, сушат и перекристаллизовывают из бензола, после чего полученный 6-нитрофлуоресцеин дипропионат также подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 6-нитрофлуоресцеин дипропионату и выделяют 6-аминофлуоресцеин. Технический результат: описан способ получения, который исключает использование в качестве сырья прекурса в производстве наркотиков опиойдного ряда, что делает данный способ более доступный для массового производства нитропроизводных флуоресцеина. Данные соединения могут быть использованы в синтезе различных флуоресцентных соединений, таких как 5-изотиоцианат флуоресцеина (ФИТЦ), флуоресцеин лизикол (CFL), 5-[4,6-дихлортриазинил] аминофлуоресцеина (5-DATF), применяемых в медицине для диагностики и лечения заболеваний. Способ получения 5- и 6-аминофлуоресцеинов реакцией 4-нитрофталевой кислоты с резорцином взятых в мольном соотношении 1:2, протекающей в среде ортофосфорной кислоты, взятой в соотношении к массе 4-нитрофталевой кислоты как 1:2,5 (уд. вес ортофосфорной кислоты - 1,75 г/мл) при температуре 135°С до образования смеси изомеров 5- и 6-нитрофлуоресцеинов и ее выделением и разделением через образование 5- и 6-нитрофлуоресцеин дипропионатов, с последующим восстановлением каждого из них до образования соответствующих аминопроизводных, отличающийся тем, что для разделения смеси изомеров нитрофлуоресцеина (5- и 6-) используют пропионовый ангидрид в количестве 1:8, который смешивают со смесью изомеров, кипятят полученную смесь в течение 2,5 часов, охлаждают, фильтруют и выпавший осадок 5-нитрофлуоресцеин дипропионата промывают этиловым спиртом, высушивают и подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 5-нитрофлуоресцеин дипропионату и выделяют 5-аминофлуоресцеин, а отделенный после фильтрации маточный раствор, содержащий 6-нитрофлуоресцеин дипропионат, обрабатывают дистиллированной водой до получения маслянистого осадка, его закристаллизовывают растиранием, кристаллический осадок отделяют фильтрованием и промывают этанолом, сушат и перекристаллизовывают из бензола, после чего полученный 6-нитрофлуоресцеин дипропионат также подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 6-нитрофлуоресцеин дипропионату, и выделяют 6-аминофлуоресцеин.
Основное назначение
Изобретение относится к области органической химии и медицины, а именно к способу получения 5- и 6-аминофлуоресцеинов реакцией 4-нитрофталевой кислоты с резорцином, взятых в мольном соотношении 1:2, протекающей в среде ортофосфорной кислоты, взятой в соотношении к массе 4-нитрофталевой кислоты как 1:2,5 (уд. вес ортофосфорной кислоты - 1,75 г/мл) при температуре 135°С до образования смеси изомеров 5- и 6-нитрофлуоресцеинов и ее выделением и разделением через образование 5- и 6-нитрофлуоресцеин дипропионатов, с последующим восстановлением каждого из них до образования соответствующих аминопроизводных, отличающийся тем, что для разделения смеси изомеров нитрофлуоресцеина (5- и 6-) используют пропионовый ангидрид в количестве 1:8, который смешивают со смесью изомеров, кипятят полученную смесь в течение 2,5 часов, охлаждают, фильтруют и выпавший осадок 5-нитрофлуоресцеин дипропионата промывают этиловым спиртом, высушивают и подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 5-нитрофлуоресцеин дипропионату, и выделяют 5-аминофлуоресцеин, а отделенный после фильтрации маточный раствор, содержащий 6-нитрофлуоресцеин дипропионат, обрабатывают дистиллированной водой до получения маслянистого осадка, его закристаллизовывают растиранием, кристаллический осадок отделяют фильтрованием и промывают этанолом, сушат и перекристаллизовывают из бензола, после чего полученный 6-нитрофлуоресцеин дипропионат также подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 6-нитрофлуоресцеин дипропионату и выделяют 6-аминофлуоресцеин. Технический результат: описан способ получения, который исключает использование в качестве сырья прекурса в производстве наркотиков опиойдного ряда, что делает данный способ более доступный для массового производства нитропроизводных флуоресцеина. Данные соединения могут быть использованы в синтезе различных флуоресцентных соединений, таких как 5-изотиоцианат флуоресцеина (ФИТЦ), флуоресцеин лизикол (CFL), 5-[4,6-дихлортриазинил] аминофлуоресцеина (5-DATF), применяемых в медицине для диагностики и лечения заболеваний. Способ получения 5- и 6-аминофлуоресцеинов реакцией 4-нитрофталевой кислоты с резорцином взятых в мольном соотношении 1:2, протекающей в среде ортофосфорной кислоты, взятой в соотношении к массе 4-нитрофталевой кислоты как 1:2,5 (уд. вес ортофосфорной кислоты - 1,75 г/мл) при температуре 135°С до образования смеси изомеров 5- и 6-нитрофлуоресцеинов и ее выделением и разделением через образование 5- и 6-нитрофлуоресцеин дипропионатов, с последующим восстановлением каждого из них до образования соответствующих аминопроизводных, отличающийся тем, что для разделения смеси изомеров нитрофлуоресцеина (5- и 6-) используют пропионовый ангидрид в количестве 1:8, который смешивают со смесью изомеров, кипятят полученную смесь в течение 2,5 часов, охлаждают, фильтруют и выпавший осадок 5-нитрофлуоресцеин дипропионата промывают этиловым спиртом, высушивают и подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 5-нитрофлуоресцеин дипропионату и выделяют 5-аминофлуоресцеин, а отделенный после фильтрации маточный раствор, содержащий 6-нитрофлуоресцеин дипропионат, обрабатывают дистиллированной водой до получения маслянистого осадка, его закристаллизовывают растиранием, кристаллический осадок отделяют фильтрованием и промывают этанолом, сушат и перекристаллизовывают из бензола, после чего полученный 6-нитрофлуоресцеин дипропионат также подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 6-нитрофлуоресцеин дипропионату, и выделяют 6-аминофлуоресцеин.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
Способ получения 5- и 6-аминофлуоресцеинов реакцией 4-нитрофталевой кислоты с резорцином взятых в мольном соотношении 1:2, протекающей в среде ортофосфорной кислоты, взятой в соотношении к массе 4-нитрофталевой кислоты как 1:2,5 (уд. вес ортофосфорной кислоты - 1,75 г/мл) при температуре 135°С до образования смеси изомеров 5- и 6-нитрофлуоресцеинов и ее выделением и разделением через образование 5- и 6-нитрофлуоресцеин дипропионатов, с последующим восстановлением каждого из них до образования соответствующих аминопроизводных, отличающийся тем, что для разделения смеси изомеров нитрофлуоресцеина (5- и 6-) используют пропионовый ангидрид в количестве 1:8, который смешивают со смесью изомеров, кипятят полученную смесь в течение 2,5 часов, охлаждают, фильтруют и выпавший осадок 5-нитрофлуоресцеин дипропионата промывают этиловым спиртом, высушивают и подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 5-нитрофлуоресцеин дипропионату и выделяют 5-аминофлуоресцеин, а отделенный после фильтрации маточный раствор, содержащий 6-нитрофлуоресцеин дипропионат, обрабатывают дистиллированной водой до получения маслянистого осадка, его закристаллизовывают растиранием, кристаллический осадок отделяют фильтрованием и промывают этанолом, сушат и перекристаллизовывают из бензола, после чего полученный 6-нитрофлуоресцеин дипропионат также подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 6-нитрофлуоресцеин дипропионату, и выделяют 6-аминофлуоресцеин.
Основное назначение
Способ получения 5- и 6-аминофлуоресцеинов реакцией 4-нитрофталевой кислоты с резорцином взятых в мольном соотношении 1:2, протекающей в среде ортофосфорной кислоты, взятой в соотношении к массе 4-нитрофталевой кислоты как 1:2,5 (уд. вес ортофосфорной кислоты - 1,75 г/мл) при температуре 135°С до образования смеси изомеров 5- и 6-нитрофлуоресцеинов и ее выделением и разделением через образование 5- и 6-нитрофлуоресцеин дипропионатов, с последующим восстановлением каждого из них до образования соответствующих аминопроизводных, отличающийся тем, что для разделения смеси изомеров нитрофлуоресцеина (5- и 6-) используют пропионовый ангидрид в количестве 1:8, который смешивают со смесью изомеров, кипятят полученную смесь в течение 2,5 часов, охлаждают, фильтруют и выпавший осадок 5-нитрофлуоресцеин дипропионата промывают этиловым спиртом, высушивают и подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 5-нитрофлуоресцеин дипропионату и выделяют 5-аминофлуоресцеин, а отделенный после фильтрации маточный раствор, содержащий 6-нитрофлуоресцеин дипропионат, обрабатывают дистиллированной водой до получения маслянистого осадка, его закристаллизовывают растиранием, кристаллический осадок отделяют фильтрованием и промывают этанолом, сушат и перекристаллизовывают из бензола, после чего полученный 6-нитрофлуоресцеин дипропионат также подвергают кипячению в водном растворе сульфида натрия, взятого в мольном соотношении 1:3,3 к 6-нитрофлуоресцеин дипропионату, и выделяют 6-аминофлуоресцеин.
|
||
|
429
|
Патент 2726954
|
Изобретение относится к области измерений в физике плазмы и физике заряженных частиц. Технический результат - повышение точности регистрации спектра энергий потока ионов и последующего измерения потока ионов. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы содержит вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса. Между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы, содержащее вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса, отличающееся тем, что между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V.
Основное назначение
Изобретение относится к области измерений в физике плазмы и физике заряженных частиц. Технический результат - повышение точности регистрации спектра энергий потока ионов и последующего измерения потока ионов. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы содержит вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса. Между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V. Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы, содержащее вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса, отличающееся тем, что между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы, содержащее вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса, отличающееся тем, что между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V.
Основное назначение
Устройство для исследования энергетического спектра ионов плазмы, содержащее вакуумную камеру с мишенью, в которую с помощью оптического окна и объектива фокусируется лазерный пучок, присоединенную к ней по оси разлета пролетную трубу, электростатический цилиндрический анализатор энергоспектра ионов и детектор заряженных частиц (ВЭУ) с нагрузочным сопротивлением, напряжение с которого заводится на вход осциллографа, а на второй вход заводится реперный сигнал лазерного импульса, отличающееся тем, что между пролетной трубой и анализатором размещаются электродная система, включающая два электрода под земляным потенциалом, и третий электрод, изолированный от них и размещенный симметрично между ними под отрицательным потенциалом -V.
|
||
|
430
|
Патент 2727036
|
Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего инструмента создают замкнутую полость, давление в которой давление меньше внутриглазного давления, находящейся внутри полости. Направляют лазерное излучение. Замеряют величину интенсивности отраженного от склеры лазерного излучения для определения ее минимальной и максимальной величины, когда коэффициент отношения указанных величин принимает значение в диапазоне 2,5-3,0 лазерное излучение прекращают и указанную последовательность операции повторяют в соседней точке склеры вдоль периметра цилиарного тела. Устройство содержит лазер с подключенным к нему через оптический волновод рабочим инструментом. Лазер через контроллер подключен по электрической линии к электронному блоку и по одной из двух оптических линий к оптикоэлектронному блоку, а по другой оптической линии через обратный ответвитель к рабочему инструменту, подключенному через обратный ответвитель к оптикоэлектронному блоку. При этом рабочий инструмент электрическими линиями связан с электронным блоком, а в линии связи лазера с контроллером установлен выключатель. Рабочий инструмент содержит корпус, внутри размещена металлическая трубка, внутри которой проходит оптический волновод, имеющий металлизированный внутренний слой, торцевая поверхность которого может соприкасаться с глазным яблоком. На конце трубки размещена упругая полусферическая присоска, имеющая с внутренней стороны металлизированную поверхность, причем металлизированные поверхности волновода и присоски подключены по электрическим линиям к контактным разъемам, предназначенным для подключения к электронному блоку устройства. Применение данной группы изобретений позволит повысить эффективность и безопасность лечения открытоугольной формы глаукомы. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
Основное назначение
Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего инструмента создают замкнутую полость, давление в которой давление меньше внутриглазного давления, находящейся внутри полости. Направляют лазерное излучение. Замеряют величину интенсивности отраженного от склеры лазерного излучения для определения ее минимальной и максимальной величины, когда коэффициент отношения указанных величин принимает значение в диапазоне 2,5-3,0 лазерное излучение прекращают и указанную последовательность операции повторяют в соседней точке склеры вдоль периметра цилиарного тела. Устройство содержит лазер с подключенным к нему через оптический волновод рабочим инструментом. Лазер через контроллер подключен по электрической линии к электронному блоку и по одной из двух оптических линий к оптикоэлектронному блоку, а по другой оптической линии через обратный ответвитель к рабочему инструменту, подключенному через обратный ответвитель к оптикоэлектронному блоку. При этом рабочий инструмент электрическими линиями связан с электронным блоком, а в линии связи лазера с контроллером установлен выключатель. Рабочий инструмент содержит корпус, внутри размещена металлическая трубка, внутри которой проходит оптический волновод, имеющий металлизированный внутренний слой, торцевая поверхность которого может соприкасаться с глазным яблоком. На конце трубки размещена упругая полусферическая присоска, имеющая с внутренней стороны металлизированную поверхность, причем металлизированные поверхности волновода и присоски подключены по электрическим линиям к контактным разъемам, предназначенным для подключения к электронному блоку устройства. Применение данной группы изобретений позволит повысить эффективность и безопасность лечения открытоугольной формы глаукомы. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего инструмента создают замкнутую полость, давление в которой давление меньше внутриглазного давления, находящейся внутри полости. Направляют лазерное излучение. Замеряют величину интенсивности отраженного от склеры лазерного излучения для определения ее минимальной и максимальной величины, когда коэффициент отношения указанных величин принимает значение в диапазоне 2,5-3,0 лазерное излучение прекращают и указанную последовательность операции повторяют в соседней точке склеры вдоль периметра цилиарного тела. Устройство содержит лазер с подключенным к нему через оптический волновод рабочим инструментом. Лазер через контроллер подключен по электрической линии к электронному блоку и по одной из двух оптических линий к оптикоэлектронному блоку, а по другой оптической линии через обратный ответвитель к рабочему инструменту, подключенному через обратный ответвитель к оптикоэлектронному блоку. При этом рабочий инструмент электрическими линиями связан с электронным блоком, а в линии связи лазера с контроллером установлен выключатель. Рабочий инструмент содержит корпус, внутри размещена металлическая трубка, внутри которой проходит оптический волновод, имеющий металлизированный внутренний слой, торцевая поверхность которого может соприкасаться с глазным яблоком. На конце трубки размещена упругая полусферическая присоска, имеющая с внутренней стороны металлизированную поверхность, причем металлизированные поверхности волновода и присоски подключены по электрическим линиям к контактным разъемам, предназначенным для подключения к электронному блоку устройства. Применение данной группы изобретений позволит повысить эффективность и безопасность лечения открытоугольной формы глаукомы. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
Основное назначение
Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего инструмента создают замкнутую полость, давление в которой давление меньше внутриглазного давления, находящейся внутри полости. Направляют лазерное излучение. Замеряют величину интенсивности отраженного от склеры лазерного излучения для определения ее минимальной и максимальной величины, когда коэффициент отношения указанных величин принимает значение в диапазоне 2,5-3,0 лазерное излучение прекращают и указанную последовательность операции повторяют в соседней точке склеры вдоль периметра цилиарного тела. Устройство содержит лазер с подключенным к нему через оптический волновод рабочим инструментом. Лазер через контроллер подключен по электрической линии к электронному блоку и по одной из двух оптических линий к оптикоэлектронному блоку, а по другой оптической линии через обратный ответвитель к рабочему инструменту, подключенному через обратный ответвитель к оптикоэлектронному блоку. При этом рабочий инструмент электрическими линиями связан с электронным блоком, а в линии связи лазера с контроллером установлен выключатель. Рабочий инструмент содержит корпус, внутри размещена металлическая трубка, внутри которой проходит оптический волновод, имеющий металлизированный внутренний слой, торцевая поверхность которого может соприкасаться с глазным яблоком. На конце трубки размещена упругая полусферическая присоска, имеющая с внутренней стороны металлизированную поверхность, причем металлизированные поверхности волновода и присоски подключены по электрическим линиям к контактным разъемам, предназначенным для подключения к электронному блоку устройства. Применение данной группы изобретений позволит повысить эффективность и безопасность лечения открытоугольной формы глаукомы. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
||