Изобретения

Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к интегральным микросхемам на основе совмещенной биполярной и КМОП (БиКМОП) технологии. Технический результат заключается в стабильности коэффициента усиления и защите выходного транзистора усилителя от перегрева. Согласно изобретению этот технический результат достигается за счет сложения токов двух каналов управления, один из которых формирует составляющую пропорционально току опорного транзистора, а другой - составляющую, зависящую от разницы напряжений база - эмиттер выходного и опорного транзисторов. Для этого в устройство стабилизации тока коллектора выходного транзистора введены дополнительно второй выход «токового зеркала» и дифференциальный усилитель с фильтром нижних частот. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения, заключается в нанесении нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния. Нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени при скорости осаждения 5-7 нм/мин в среде аргона с добавками 3-5% об. кислорода и 6-8% об. азота. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимых с материалами, а также с большинством технологических воздействий, применяемых в традиционной кремниевой технологии интегральных микросхем. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными кластерами кремния - сформированы 1-5 слоев материала на базе кремния толщиной 1-5 нм, отличающихся от материала основного слоя химическим составом и меньшей шириной запрещенной зоны. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев на базе кремния для МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, позволяющее получать МДП структуры малой площади при повышении выхода годных структур. 2 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU)

Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти. 2.з.п. ф-лы, 9 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН) (RU)

Использование: для изготовления микро- и наномеханических балок, обладающих заданным изгибом. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает нанесение жертвенного слоя на подложку, последовательное нанесение двух или более слоев материала балки, отличающихся величиной внутренних механических напряжений, формирование балки на поверхности жертвенного слоя с помощью фотолитографии и травления материала балки, удаление жертвенного слоя из-под балки, нанесение слоев материала балки выполняют методом высокочастотного магнетронного распыления мишени, а разные внутренние механические напряжения в слоях обеспечивают за счет разных значений напряжения постоянного смещения на подложке, при которых наносят слои, при этом заданный изгиб балки достигают путем подбора толщин слоев материала балки, значений напряжения смещения и количества слоев. Технический результат заключается в расширении возможностей изготовления МЭМС/НЭМС балок с заданным изгибом. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН) (RU)

Изобретение относится к органической химии и к области химии материалов, а именно к новому типу соединений - бискраунсодержащим дистирилбензолам общей формулы I, в которой A - бензольный фрагмент формулы II или III: где n=0, 1, а также к способу получения соединений формулы I, заключающемуся в том, что бисфосфонаты общей формулы IV, в которых A имеет вышеуказанные значения, R - низший алкил, подвергают взаимодействию с формильными производными бензокраун-эфиров общей формулы V, где n=0, 1, и процесс проводят в среде органического растворителя или смеси органического растворителя с водой. Соединения формулы I и материалы на их основе могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для флуоресцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Центр фотохимии Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано для ускорения пучков ионов в диапазоне энергий, где используются известные ускоряющие структуры с трубками дрейфа на виде колебаний ?. Заявленный ускоритель может использоваться в качестве промежуточной секции линейного ускорителя ионов высокой энергии. Ускоряюще-фокусирующая система линейного ускорителя (ЛУ) представляет собой комбинацию аксиально-симметричных трубок дрейфа и квадрупольных линз. Для упрощения конструкции ЛУ резонансная структура, создающая на трубках и линзах высокочастотный потенциал, имеет в приосевой области квадрупольную структуру. Трубки дрейфа при этом соединяются с парой электродов резонансной структуры, лежащих в одной плоскости. В ЛУ как к трубкам дрейфа, так и к электродам квадрупольных линз прикладывается полная разность потенциалов, создаваемая резонансной структурой. Техническим результатом является возможность повышения набора энергии ионов на каждом периоде ускорения, упрощение формирования участков с квадрупольным полем, а также увеличение достижимой разности потенциалов за счет оптимизации формы электродов линзы. Линейный ускоритель ионов с высокочастотной квадрупольной фокусировкой, который включает в себя резонансную структуру, аксиально-симметричные трубки дрейфа и участки фокусировки ионов, образованные четырьмя электродами, размещенными попарно в двух перпендикулярных плоскостях параллельно оси ускорителя, на которых резонансной структурой создается разность потенциалов между смежными электродами и смежными трубками, изменяющаяся во времени с собственной частотой резонансной структуры f0, отличающийся тем, что с целью увеличения набора энергии ионами на единице длины ускорителя и упрощения конструкции ускорителя элементы резонансной структуры, на которых установлены трубки дрейфа и электроды участков фокусировки, обладают квадрупольной симметрией, причем расстояние между электродами, формирующими участок фокусировки, расположенными в одной плоскости, равно величине 2a, где a - радиус апертуры, в которой распространяются ионы, а расстояние между электродами, расположенными в перпендикулярной плоскости, равно 2 mа, где m>1.

Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (RU)

Изобретение относится к генераторам ионов, применяемым в плазменной технике и ускорителях заряженных частиц. Технический результат - повышение тока ионов с высоким зарядовым состоянием в пучке на выходе лазерно-плазменного генератора ионов с большим зарядом. Лазерно-плазменный генератор ионов с большим зарядом состоит из лазера, трубчатого пролетного канала, облучаемой лазером мишени, установленной внутри трубчатого пролетного канала со стороны одного из его концов, трубчатого металлического экрана, установленного коаксиально внутри трубчатого пролетного канала между мишенью и точками на стенках этого канала, в которых лазерная плазма при разлете начинает касаться его боковых стенок, и системы отбора ионов, установленной в противоположном месту установки мишени конце трубчатого пролетного канала. Мишень и металлический экран электрически соединены между собой и электрически изолированы от всех других электродов. Электроны из образующейся на мишени лазерной плазмы не могут уходить через материал мишени или окружающие электроды. Оставаясь в этой плазме, они повышают как вероятность ионизации вещества мишени, увеличивая зарядовое состояние плазменных ионов, так и препятствуют росту величины положительного электрического потенциала самой лазерной плазмы относительно окружающих ее электродов, что способствует уменьшению эмиссии ионов из данной плазмы. Лазерно-плазменный генератор ионов с большим зарядом, состоящий из: лазера, трубчатого пролетного канала, облучаемой лазером мишени, установленной внутри трубчатого пролетного канала на одном из его концов, трубчатого металлического экрана, установленного коаксиально внутри трубчатого пролетного канала между мишенью и точками на стенках этого канала, в которых лазерная плазма при разлете начинает касаться его стенок, и системы отбора ионов, установленной в противоположном от мишени конце трубчатого пролетного канала, отличающийся тем, что мишень и трубчатый металлический экран электрически соединены между собой и электрически изолированы от лазера, трубчатого пролетного канала и системы отбора ионов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (RU)

Изобретение относится к ускорителям заряженных частиц и может быть использовано в ускорительной технике, энергетике, промышленности, медицине. Технический результат - увеличение тока пучка ускоренных ионов на выходе ускорителя. Диафрагмированный волновод с фокусирующим магнитным полем состоит из ускоряющего волновода, выполненного в виде цилиндрического бака из немагнитного материала, в котором возбуждается высокочастотная, аксиально-симметричная электромагнитная E-волна бегущего типа и ускоряющих зазоров между диафрагмами, имеющих апертуры на центральной продольной оси ускоряющего волновода, диафрагмы выполнены из проводящего магнитный поток материала и между ними установлены магниты таким образом, что между диафрагмами создается продольное, аксиально-симметричное магнитное поле, провисающее в ускоряющих зазорах в области ускоряющих апертур в сторону центральной продольной оси ускоряющего волновода. В ускоряющих зазорах наряду с фокусировкой пучка поперечной компонентой провисающего в сторону центральной продольной оси ускоряющего электрического поля E-волны и удержанием пучка заряженных частиц от углового расхождения горизонтальной составляющей созданного магнитного поля, появляется дополнительная фокусировка радиальным магнитным давлением, возникающим в результате провисания в сторону центральной продольной оси ускоряющего волновода силовых линий магнитного поля, что уменьшает потерю заряженных частиц при их ускорении и способствует увеличению тока пучка ионов на выходе ускорителя. Изобретение позволяет эффективно ускорять не только интенсивные пучки ионов, но и интенсивные пучки электронов с большой плотностью зарядов, он отличается надежностью в работе, простотой изготовления и малой стоимостью. Диафрагмированный волновод с фокусирующим магнитным полем, состоящий из ускоряющего волновода, выполненного в виде цилиндрического бака из немагнитного материала, в котором возбуждается высокочастотная, аксиально-симметричная электромагнитная E-волна бегущего типа, и ускоряющих зазоров между диафрагмами, которые имеют апертуры на центральной продольной оси ускоряющего волновода, отличающийся тем, что диафрагмы выполнены из проводящего магнитный поток материала и между ними установлены магниты таким образом, что между диафрагмами создается продольное, аксиально-симметричное магнитное поле, провисающее в ускоряющих зазорах в области апертур в сторону центральной продольной оси ускоряющего волновода.

Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (RU)

Изобретение относится к области лазерной физики и технике формирования мощных импульсов СО2 лазера. Оно обеспечивает генерацию коротких импульсов большой энергии, имеющих минимальную угловую расходимость, что позволяет получать высокоинтенсивные пучки СО2 лазера, предназначенные, в частности, для создания лазерно-плазменного источника ионов. Устройство состоит из одномодового задающего генератора, работающего на линии Р(20) 10-мкм полосы СО2, оптической системы согласования и трехпроходового СО2-усилителя, образованного широкоапертурной активной средой СО2 лазера и резонансно-поглощающей ячейкой SF6+N2 (воздух) атмосферного давления, которые последовательно размещены внутри и на оси конфокального телескопа, включающего большое вогнутое и малое выпуклое зеркала. Изобретение базируется на многократном прохождении импульса задающего генератора последовательно через резонансно-усиливающую и резонансно-поглощающую среду, что увеличивает крутизну нарастания начального импульса и приводит к компрессии импульса по длительности при нелинейном усилении, эффективно повышая его мощность. Трехкратное прохождение резонансных сред поглотителя и усилителя в аксиально-симметричной геометрии, во-первых, позволяет многократно применить описанный способ, а во-вторых, позволяет использовать пространственные эффекты повышения светового поля в соответствующих точках среды за счет интерференции, что повышает эффективность компрессии импульса в усилителе. 1. Устройство для формирования мощных импульсов CO2 лазером, содержащее одномодовый задающий генератор, работающий на линии Р(20) 10-мкм полосы усиления молекулы СО2, оптическую схему согласования пучков и трехпроходовый усилитель, образованный конфокальным телескопом, внутри и на оси которого последовательно размещены активная среда и резонансно-поглощающая ячейка со смесью SF6+N2, а в большом зеркале выполнено вводное осевое отверстие, равное диаметру малого зеркала, отличающееся тем, что отношение диаметра большого вогнутого зеркала к диаметру малого выпуклого устанавливается в диапазоне 8?10. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что резонансно-поглощающая ячейка наполняется газовой смесью до полного давления, равного атмосферному, величина парциального давления газа SF6 устанавливается в диапазоне 1?5 мм рт.ст., а длина ячейки имеет возможность варьироваться в интервале 0.5?1.5 м. 3. Способ формирования мощных импульсов СО2 лазера посредством устройства по пп. 1, 2, включающий схему трехкратного прохождения импульса задающего генератора через последовательно расположенные активную среду и резонансно-поглощающую ячейку,посредством конфокального телескопа и аксиально-симметрично его оси, отличающийся тем, что давление SF6 и длина ячейки выбираются такими, что поглощенная данной ячейкой за первые два прохода энергия составляет не менее 20%?30% от энергии на ее входе.

Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (RU)