Изобретения

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимого с кремниевой технологией интегральных микросхем. Технический результат достигается тем, что в способе формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя путем нанесения композитного материала, представляющего собой диэлектрик, в который встроены наноразмерные кластеры кремния, согласно изобретению формирование материала производят химическим анодированием сплава алюминий-кремний. 2 ил.

ФТИАН

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными кластерами кремния - сформированы 1-5 слоев материала на базе кремния толщиной 1-5 нм, отличающихся от материала основного слоя химическим составом и меньшей шириной запрещенной зоны. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев на базе кремния для МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, позволяющее получать МДП структуры малой площади при повышении выхода годных структур. 2 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов терагерцового диапазона частот с мощностью 1 мВт и более. Сущность: предложен пролетный диод для генерации терагерцового излучения, состоящий из полупроводниковой подложки с двумя областями сильного легирования и нанесенными на них металлическими контактами, между которыми находится нелегированная пролетная щель, в которую включены участки с увеличенной шириной щели, и рядом с каждым расширенным участком щели расположена шунтируюшая емкостная перемычка, соединяющая металлические контакты пролетного диода. Технический результат заключается в обеспечении устойчивой генерации терагерцового излучения, улучшении согласования пролетного диода с антенной, увеличении мощности генерации. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

ФТИАН

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.

ФТИАН

Изобретение относится к области механики и может быть использовано для крепления объектов. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение надежности удержания объектов на штатных местах при приложении к ним сил без использования крепежных устройств в виде резьбовых соединений или точных закладных конструкций, а также увеличение надежности и ресурса работы устройства. Устройство крепления содержит опорную площадку, расположенную внутри камеры, посадочные стержни и запорное устройство, которое включает в себя штангу с байонетными головками, расположенными с обоих концов штанги, размещенную внутри проходки, соединенную с одной стороны с байонетной втулкой, закрепляемой на прикрепляемом объекте, а с другой стороны соединенную с силовым устройством, опирающимся на внешний фланец проходки и включающим в себя силовую головку, внутри которой размещены поворотный механизм и байонетная поворотная втулка, прикрепленная к силовому узлу, выполненному в виде подвижного фланца, силового цилиндра и силовой фермы, а также винтовые домкраты, установленные между внешним фланцем и силовым подвижным фланцем. 1. Устройство крепления, содержащее опорную площадку, расположенную внутри камеры, посадочные стержни и запорное устройство, отличающееся тем, что запорное устройство включает в себя штангу с байонетными головками, расположенными с обоих концов штанги, размещенную внутри проходки, соединенную с одной стороны с байонетной втулкой, закрепляемой на прикрепляемом объекте, а с другой стороны соединенную с силовым устройством, опирающимся на внешний фланец проходки и включающим в себя силовую головку, внутри которой размещены поворотный механизм и байонетная поворотная втулка, прикрепленная к силовому узлу, выполненному в виде подвижного фланца, силового цилиндра и силовой фермы, а также винтовые домкраты, установленные между внешним фланцем и силовым подвижным фланцем. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что винтовые домкраты имеют привод в виде планетарных механизмов. 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что между внешним фланцем и силовым подвижным фланцем установлен сильфон. 4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что снабжено защитой от излучений нейтронов, расположенной внутри и снаружи проходки. 5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что байонетные втулки кассеты и поворотного устройства содержат наружные и внутренние вырезы. 6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что содержит трубопровод откачки.

Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с последующим наращиванием слоя до толщины 3-7 мкм в гальванической ванне с медным купоросом, приготовление гальванической ванны из смеси Н3ВО3 - 25-35 г/л; CuSO4?5H2O - 4-8 г/л; NiSO4?7H2O - 160-220 г/л при соотношении солей никеля и меди в диапазоне от 20:1 до 30:1, заполнение пор матрицы чередующимися слоями меди и никеля путем осаждения металлов в гальванической ванне из смеси, при этом циклически изменяют напряжение 0,7 В и 1,8 В для осаждения по отдельности слоев меди и никеля, после заполнения пор слоями меди и никеля трековую полимерную матрицу растворяют в NaOH с концентрацией от 220 г/л до 260 г/л при температуре от 60 до 80°С. Полученные нанопроволоки промывают, а затем растворяют слой меди подложки и одновременно вытравливают из нанопроволок слои меди в растворе NH4OH (150-200 г/л) и CuSO4?5H2O (1 г/л) при комнатной температуре, полученную взвесь из слоев никеля, образующих никелевые стержни, из травильного раствора переносят в воду с помощью магнита. 1 ил., 2 пр.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к области медицины, в частности молекулярной биологии и онкологии, и касается системы маркеров, представляющую собой группу генов микроРНК: miR-129-2, miR-125b1, miR-137 и miR-375, для диагностики немелкоклеточного рака легкого, включая плоскоклеточный рак и аденокарциному. Выявление метилирования по крайней мере одного маркера из этой системы служит диагностическим признаком. Система маркеров позволяет выявить немелкоклеточный рак легкого на ранних клинических стадиях заболевания с высокой клинической чувствительностью и специфичностью. Система маркеров на основе группы генов микроРНК для диагностики немелкоклеточного рака легкого, включая плоскоклеточный рак и аденокарциному, путем выявления метилирования, по крайней мере, одного маркера из этой группы, отличающаяся тем, что маркерами являются гены: miR-129-2, miR-125b1, miR-137 и miR-375.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано для изготовления полимерных скаффолдов, предназначенных для регенерации дефектов костных и хрящевых тканей. Предложен способ упрочнения полимерных скаффолдов из полилактида путем химической сшивки, согласно которому образец полимерного скаффолда из полилактида вымачивают в 0,3-3 мас.% водном растворе фотоинициатора 2-гидрокси-1-(4-(2-гидроксиэтокси)фенил)-2-метилпропан-1-она в течение 60 мин, после чего указанный образец облучают ультрафиолетовым светом с длиной волны в диапазоне 200-400 нм с интенсивностью в диапазоне 3-20 мВт/см2 в течение от 20 до 250 мин. Изобретение обеспечивает увеличение механических характеристик во всем объеме скаффолда без деформации и изменения пространственной структуры образца. 1 пр., 1 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к области лазерной физики и технике формирования мощных импульсов СО2 лазера. Оно обеспечивает генерацию коротких импульсов большой энергии, имеющих минимальную угловую расходимость, что позволяет получать высокоинтенсивные пучки СО2 лазера, предназначенные, в частности, для создания лазерно-плазменного источника ионов. Устройство состоит из одномодового задающего генератора, работающего на линии Р(20) 10-мкм полосы СО2, оптической системы согласования и трехпроходового СО2-усилителя, образованного широкоапертурной активной средой СО2 лазера и резонансно-поглощающей ячейкой SF6+N2 (воздух) атмосферного давления, которые последовательно размещены внутри и на оси конфокального телескопа, включающего большое вогнутое и малое выпуклое зеркала. Изобретение базируется на многократном прохождении импульса задающего генератора последовательно через резонансно-усиливающую и резонансно-поглощающую среду, что увеличивает крутизну нарастания начального импульса и приводит к компрессии импульса по длительности при нелинейном усилении, эффективно повышая его мощность. Трехкратное прохождение резонансных сред поглотителя и усилителя в аксиально-симметричной геометрии, во-первых, позволяет многократно применить описанный способ, а во-вторых, позволяет использовать пространственные эффекты повышения светового поля в соответствующих точках среды за счет интерференции, что повышает эффективность компрессии импульса в усилителе. 1. Устройство для формирования мощных импульсов CO2 лазером, содержащее одномодовый задающий генератор, работающий на линии Р(20) 10-мкм полосы усиления молекулы СО2, оптическую схему согласования пучков и трехпроходовый усилитель, образованный конфокальным телескопом, внутри и на оси которого последовательно размещены активная среда и резонансно-поглощающая ячейка со смесью SF6+N2, а в большом зеркале выполнено вводное осевое отверстие, равное диаметру малого зеркала, отличающееся тем, что отношение диаметра большого вогнутого зеркала к диаметру малого выпуклого устанавливается в диапазоне 8?10. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что резонансно-поглощающая ячейка наполняется газовой смесью до полного давления, равного атмосферному, величина парциального давления газа SF6 устанавливается в диапазоне 1?5 мм рт.ст., а длина ячейки имеет возможность варьироваться в интервале 0.5?1.5 м. 3. Способ формирования мощных импульсов СО2 лазера посредством устройства по пп. 1, 2, включающий схему трехкратного прохождения импульса задающего генератора через последовательно расположенные активную среду и резонансно-поглощающую ячейку,посредством конфокального телескопа и аксиально-симметрично его оси, отличающийся тем, что давление SF6 и длина ячейки выбираются такими, что поглощенная данной ячейкой за первые два прохода энергия составляет не менее 20%?30% от энергии на ее входе.

Федеральное государственное бюджетное учреждение Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (RU)

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава. Беспроводное устройство для измерения температуры, содержащее термодатчик, блок питания и блок аналого-цифрового преобразования, выполнено в виде большой интегральной схемы, заключенной в корпусе, размещенном внутри объема вакуумной камеры. В качестве термодатчика применена термопара, сигнал от рабочего спая которой поступает в первый блок - блок первичной фильтрации аналогового сигнала, содержащий блок фильтрации входного сигнала, блок усиления входного сигнала и блок фильтрации входного сигнала после его усиления. К названному блоку подключен датчик ненулевой температуры рабочего спая термопары. Первый блок подключен ко второму блоку - блоку цифровой обработки сигнала, выполненному в виде контроллера, который преобразует аналоговые сигналы в цифровую информацию, производит обработку этой информации и направляет данные, полученные в результате обработки информации, в третий блок - блок приемопередачи. Все названные блоки подключены к четвертому блоку - блоку стабилизации и фильтрации питающего напряжения, который подключен к источнику питания. В качестве третьего блока применен блок приемопередачи сигналов на основе bluetooth модуля НС-05, передающий по протоколу последовательного порта RFCOMM. За пределами вакуумной камеры размещен приемник сигналов, поступающих по беспроводной связи от блока приемопередачи, который подключен к конечному потребителю информации о замеряемом параметре внутри вакуумной камеры. В качестве конечного потребителя используется компьютер или смартфон. Технический результат – расширение функциональных возможностей устройства. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)