Изобретения

Изобретение относится к ядерной энергетике, в частности к исследованиям тепловых режимов активной зоны и осуществлению контроля за полем энерговыделения в реакторе типа ВВЭР. Способ определения энергетических показателей топливной сборки ядерного реактора включает создание компьютерной модели сборки, набранной из реальных ТВЭЛ с параметрами их различных состояний, выполнение нейтронно-физических расчетов для смоделированной и для реальной сборок, определение необходимых поправок для корректировки разности энергетических показателей. При этом с помощью метода Монте-Карло проводят расчет КПД - распределенной по радиусу эмиттера вероятности вылета (без возвращения) электронов из эмиттера детектора прямого заряда, возникающих при захвате эмиттером одного нейтрона. Нейтронно-физические расчеты включают расчет активации не выгорающего родия (эмиттера) в детекторе и средней мощности шести тепловыделяющих элементов, окружающих датчик. Осуществляют аппроксимацию функции перехода от тока детектора к линейному энерговыделению по выгоранию каждого сорта тепловыделяющей сборки и параметрам состояния активной зоны реактора, выполняют расчет линейного энерговыделения шести тепловыделяющих элементов, окружающих детектор и линейного энерговыделения сборки. Изобретение направлено на повышение точности определения полей энерговыделения и температур в тепловыделяющих сборках. 5 з.п. ф-лы. 1. Способ определения энерговыделения в активной зоне по показаниям нейтронных детекторов в процессе эксплуатации реактора типа ВВЭР, характеризующийся тем, что на ЭВМ с помощью ПО (программного обеспечения) формируют виртуальный образ сборки, набранной из реальных ТВЭЛ (тепловыделяющих элементов) и ДПЗ (детекторов прямого заряда или нейтронно-чувствительных детекторов) с параметрами их различных состояний, а также выполнением нейтронно-физических расчетов для смоделированной и для реальной сборок, определением необходимых поправок для корректировки разности энергетических показателей, отличающийся тем, что используют ПО, включающее метод Монте-Карло, проводят расчет КПД - распределенной по радиусу эмиттера вероятности вылета электронов из эмиттера ДПЗ по радиусу родиевой проволоки, возникающих при захвате эмиттером одного нейтрона, нейтронно-физические расчеты включают расчет активации невыгорающего эмиттера в ДПЗ и средней мощности шести ТВЭЛ, окружающих датчик, причем при формировании модели сборки измеряют, фиксируют и учитывают в расчетах параметры выгорания топлива, осуществляют аппроксимацию функции перехода от измеряемого тока ДПЗ к линейному энерговыделению по выгоранию каждого сорта ТВС (тепловыделяющей сборки) и параметрам состояния активной зоны реактора для каждого типа ТВС, рассчитывают выгорание ДПЗ как функцию от протекшего через ДПЗ измеряемого заряда. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметры состояния активной зоны реактора включают мощность ТВС, плотность теплоносителя, концентрацию бора в теплоносителе, положение ДПЗ по высоте ТВС, историю выгорания ТВС с поглощающими элементами и без них. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что для описания выгорания ДПЗ используют следующую зависимость показаний выгоревшего и свежего детекторов по формуле. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что выполняют на ЭВМ с помощью ПО расчеты линейного энерговыделения шести ТВЭЛ, окружающих ДПЗ, и линейного энерговыделения ТВС, при этом линейное энерговыделение шести ТВЭЛ, окружающих ДПЗ, умножают на коэффициент, рассчитанный на ЭВМ с помощью дополнительного специального ПО. 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что осуществляют визуализацию и сохранение данных о распределении поля энерговыделения, значениях интегральной мощности активной зоны реактора. 6. Способ по п.5, отличающийся тем, что при определении среднего линейного энерговыделения шести ТВЭЛ, окружающих ДПЗ, и линейного энерговыделения ТВС измеряют и фиксируют для использования изменения параметров: конструктив (геометрия и состав) ДПЗ и ТВС, их взаимодействия, вариабельные изменения КПД при изменении мощности ТВС, плотности теплоносителя, концентрации бора в теплоносителе, изменения положения ДПЗ по высоте ТВС, истории выгорания (уменьшения массы) ТВС с поглощающими элементами и без них, при этом проводят предварительные систематические корректировки используемых в расчетах измеряемых параметров.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к биофизике, биологии и медицине, а именно к диагностике обменных нарушений, интоксикации организма при различных заболеваниях, в том числе наследственных, генетических, экологических, аутоиммунных. Изобретение представляет собой способ оценки риска хронических аутоиммунных воспалительных процессов, характеризующийся тем, что осаждают микропротеины с помощью ацетона из суточной мочи при времени контакта с ацетоном не более 5-6 минут, определяют количество и фракционный состав микропротеинов в осадке и проводят анализ связанных с микропротеинами микроэлементов (МЭ), в качестве которых выбирают металлы Fe и/или Zn, и в случае увеличения микропротеинурии выше 100 мг за сутки и при повышении относительного содержания связанных с микропротеинами МЭ в 2-7 раз по сравнению с нормой устанавливают наличие риска хронических аутоиммунных воспалительных процессов. Техническим результатом является повышение чувствительности и информативности способа. Способ оценки риска хронических аутоиммунных воспалительных процессов, характеризующийся тем, что осаждают микропротеины с помощью ацетона из суточной мочи при времени контакта с ацетоном не более 5-6 минут, определяют количество и фракционный состав микропротеинов в осадке и проводят анализ связанных с микропротеинами микроэлементов (МЭ), в качестве которых выбирают металлы Fe и/или Zn, и в случае увеличения микропротеинурии выше 100 мг за сутки и при повышении относительного содержания связанных с микропротеинами МЭ в 2-7 раз по сравнению с нормой устанавливают наличие риска хронических аутоиммунных воспалительных процессов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области контроля окружающей среды, а именно к способам обнаружения и выделения горячих частиц (ГЧ) с различных поверхностей и из воздушной среды, загрязненных радиоактивными веществами. Технический результат - повышение скорости (по времени более 7 раз) и эффективности (точности местоположения) обнаружения ГЧ, снижение трудоемкости способа обнаружения ГЧ, расширение функциональных возможностей исследований. Способ обнаружения и выделения горячих частиц (ГЧ) заключается в размещении пробы, содержащей радионуклиды, на подложку, определение наличия ГЧ по регистрации излучения от нее, и последующего анализа ГЧ с помощью микроскопа, при этом в качестве подложки используют пластиковый сцинтиллятор, а наличие и местоположение ГЧ определяют по регистрации бета-излучения с помощью электронно-оптического преобразователя с последующим перемещением пробы для ее анализа с помощью микроскопа и извлечением ГЧ с помощью иглы для дальнейшего определения ее физико-химических характеристик. Способ обнаружения и выделения горячих частиц, заключающийся в размещении пробы, содержащей радионуклиды, на подложку, определение наличия ГЧ по регистрации излучения от нее, и последующего анализа ГЧ с помощью микроскопа, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластиковый сцинтиллятор, а наличие и местоположение ГЧ определяют по регистрации бета-излучения с помощью электронно-оптического преобразователя с последующим перемещением пробы для ее анализа с помощью микроскопа и извлечением ГЧ с помощью иглы для дальнейшего определения ее физико-химических характеристик.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки. В ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана и сильные окислители, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений. В качестве рабочего вещества используют карборандикарбоновую кислоту (C4H12B10O4), в которой атомы сильных окислителей включены в молекулу рабочего вещества. Сильные окислители, при электрическом разряде, высвобождаясь из молекулы рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, образующиеся летучие соединения удаляют вакуумной откачкой. Способ непрерываемого производства пучка ионов карборана с постоянной самоочисткой ионного источника и системы экстракции ионного имплантера, заключающийся в том, что в ионизационную камеру источника ионов подают рабочее вещество на основе карборана и вещества, являющиеся сильными окислителями, такие как кислород или его химические соединения, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, отличающийся тем, что в ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана, а именно карбондикарбоновую кислоту (C4H12B10O4), в котором атомы сильного окислителя, кислорода, включены в молекулу рабочего вещества и в электрическом разряде, высвобождаясь из рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионного имплантера и внутреннюю поверхность ионизационной камеры источника ионов, с образованием летучих соединений, удаляемых при помощи вакуумной откачки.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ") (RU)

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в процессах формирования пленочных элементов микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе нанесения платиновых слоев на подложку, включающем предварительное формирование на поверхности из оксида и/или нитрида кремния промежуточного адгезионного слоя из смеси нанокристаллов диоксида кремния и платины. Промежуточный адгезионный слой может быть сформирован толщиной 1-30 нанометров одновременным магнетронным распылением из двух магнетронов с мишенями из платины и диоксида кремния, соответственно. Изобретение обеспечивает повышение качества элементов, технологичности процессов, надежности при длительных сроках эксплуатации, адгезии наносимых слоев к подложке. 1. Способ нанесения платиновых слоев на подложку, включающий предварительное формирование на поверхности из оксида и/или нитрида кремния промежуточного адгезионного слоя, отличающийся тем, что адгезионный слой формируют из смеси нанокристаллов диоксида кремния и платины. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что адгезионный слой формируют толщиной 1-30 нм. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что адгезионный слой формируют одновременным магнетронным распылением из двух магнетронов с мишенями из платины и диоксида кремния, соответственно. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что адгезионный слой формируют магнетронным распылением с использованием платиновой мишени, часть поверхности которой закрывают пластиной из диоксида кремния. 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что после формирования адгезионного слоя с поверхности мишени удаляют пластину из диоксида кремния и после этого наносят основную часть платинового слоя магнетронным распылением платины. 6. Способ по п.3, отличающийся тем, что после формирования адгезионного слоя с мишенями из платины и диоксида кремния, соответственно, выключают магнетрон с мишенью из диоксида кремния и после этого проводят нанесение основной части платинового слоя. 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение платинового слоя проводят в смеси кислорода и инертного газа, содержащей 5-50 об.% кислорода. 8. Способ по п.5 или 6, отличающийся тем, что после нанесения основной части платинового слоя производят стабилизирующий отжиг, для чего подложку помещают в печь, повышают температуру со скоростью не более 200°С в час до 650°С, затем выдерживают ее при 650°С в течение не менее 2 ч до полного разложения оксидов платины, затем температуру повышают со скоростью не более 200°С в час до 850°С, после чего выдерживают при 850°С в течение 2 ч и понижают температуру до комнатной со скоростью не более 200°С в час.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к вариантам способа микробиологического синтеза гибридного белка E7-HSP70. Синтез белка E7(6)-HSP70, E7(11)-HSP70, E7(16)-HSP70 или E7(18)-HSP70 осуществляют путем культивирования соответственно штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3919, штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3853, штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4057 или штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4058 в подходящих условиях на среде, содержащей в качестве источника углерода сахарозу. Процесс культивирования осуществляют в две фазы. Первую фазу осуществляют при температуре 25-26°C и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л. По достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л проводят вторую фазу процесса культивирования, на которой температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°C, значение pH поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают путем экспоненциальной подпитки на уровне 15 мг/л. Группа изобретений обеспечивает получение целевого продукта в количестве не менее 550 мг/л и позволяет осуществлять процесс культивирования в течение не более 65 ч. 1. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(6)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3919, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки. 2. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(11)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3853, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки. 3. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(16)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4057, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки. 4. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(18)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4058, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Изобретение относится к области химии и биотехнологии. Способ непрерывного выделения и концентрирования водорода из биосингаза, состоящего из пяти и более компонентов, включающий подачу биосингаза из реактора (пиролизного реактора или биореактора) с помощью компрессора в мембранный модуль для предконцентрирования водорода в пермеате или ретентате и последующую подачу пермеата (после дополнительного компремирования) или ретентата (без дополнительного компремирования) в блок короткоцикловой адсорбции с получением на выходе концентрата водорода. При этом мембраны с селективностью H2/CO2>1 используют для предконцентрирования водорода в виде пермеата; мембраны с селективностью H2/CO2<1 используют для предконцентрирования водорода в виде ретентата. Технический результат заключается в обеспечении возможности выделения водорода из биогаза и возможности длительного применения мембраны. 1. Способ мембранно-адсорбционного концентрирования водорода из обедненных газовых смесей, включающий стадии сжатия потока газовых смесей, мембранного предконцентрирования водорода, и концентрирования водорода в блоке короткоцикловой адсорбции КЦА с последующим отводом водорода потребителю, отличающийся тем, что в качестве смеси газов используют биосинтезгаз, осуществляют его сжатие до мембранного предконцентрирования с последующим сжатием пермеата перед блоком короткоцикловой адсорбции КЦА, при этом отводят ретентат после разделения газовой смеси на мембране с селективностью Н2/CO2>1. 2. Способ мембранно-адсорбционного концентрирования водорода из обедненных газовых смесей, включающий стадии сжатия потока газовых смесей, мембранного предконцентрирования водорода, и концентрирования водорода в блоке короткоцикловой адсорбции КЦА с последующим отводом водорода потребителю, отличающийся тем, что в качестве смеси газов используют биосинтезгаз, осуществляют его сжатие до мембранного предконцентрирования с последующим отводом пермеата, и подачей ретентата в блок короткоцикловой адсорбции КЦА, при этом селективность мембраны должна быть H2/CO2<1.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области биотехнологии, в частности к технологии выращивания фототрофных микроорганизмов. Способ культивирования фототрофных микроорганизмов включает приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма. Последующую подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора. Затем осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием. При этом заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор. Осуществляют поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000008.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В. Изобретение обеспечивает достижение технического результата, заключающегося в повышении энергетической эффективности и снижении энергетических затрат на процесс культивирования за счет обеспечения возможности использования режимов адаптивного освещения и повышения уровня освещенности в культуральной жидкости в фотобиореакторе при использовании отражающей пластины из гидрогедя с высоким альбедо. Способ культивирования фотосинтезирующих микроорганизмов в фотобиореакторе, включающий приготовление посевного материала, питательной среды для выбранного вида фототрофного микроорганизма, подачу атмосферного воздуха в рабочую камеру фотобиореактора, осуществление перемешивания культуральной жидкости перекачиванием помпой и барботированием, отличающийся тем, что заранее подготовленную клеточную суспензию фототрофных микроорганизмов и отражающую пластину из гидрогеля с высоким альбедо помещают в фотобиореактор, поддержание освещенности на уровне 100±5 мкмоль/м2*с в разное время суток осуществляют автоматически путем изменения электронапряжения на источниках искусственного освещения от 3,6 до 5 В в зависимости от изменения напряжения на фоторезисторах по формуле: https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/732/225/ИЗ-02732225-00001/00000007.jpg Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) где V - напряжение, подаваемое на источники искусственного освещения, В; Е - напряжение на фоторезисторах, В.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание средств проведения испытаний способов построения цифровых микросхем на основе постоянного поэлементного резервирования с целью получения экспериментальных оценок их отказоустойчивости к облучению. Используются теоретические способы вычисления отказоустойчивости микросхем на основе оценки вероятности отказа облучаемых микросхем «по площадям». Используется среднее время работы микросхемы до ее отказа от момента облучения, принятого за начальный, до момента фиксации числа последовательных отказов облучаемой микросхемы в заданном числе соседних циклов работы испытательных микросхем. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы: Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W), где j - идентификатор номер способа построения микросхемы, Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость, ?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы, N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме, W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области хранения ядерного топлива и может быть использовано для расчетно-экспериментального определения и контроля эффективного коэффициента размножения бассейнов выдержки (БВ) хранилищ отработавшего ядерного топлива АЭС. Технический результат - повышение ядерной безопасности бассейнов выдержки за счет повышения достоверности определения и постоянного контроля эффективного коэффициента размножения бассейнов. Способ контроля безопасности бассейнов выдержки заключается в том, что расчетным путем выбирают область БВ с максимальными размножающими свойствами, проводят модельный и реальный импульсный эксперимент. Для этого помещают в данной области импульсный источник нейтронов (ИНГ) и детектор нейтронов, определяют поток нейтронов во времени после импульса ИНГ как число отсчетов детектора n?(t), вычисляют постоянные спада. На основании сопоставления измеренного значения постоянной спада ? с ее рассчитанным предельным значением ?пр осуществляют контроль безопасности. При этом за постоянно контролируемую характеристику безопасности БВ принимают текущую величину эффективного коэффициента размножения, а в качестве характеристики размножающих свойств берут эффективную плотность источников нейтронов в данной области. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)