|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
381
|
Патент 2829050
|
Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к области создания линейных ускорителей заряженных частиц и представляет собой ускоряющую структуру линейного резонансного ускорителя . Ускоряющая структура с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой линейного резонансного ускорителя выполнена на основе 4-камерного резонатора с системой составных электродов внутри корпуса резонатора. Каждый электрод , установленный внутри корпуса резонатора, разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода . Причем верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода , а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода , соответственно, где верхняя и нижняя части электрода непосредственно соединены между собой разъемным токопроводящим соединением. Технический результат предложенного изобретения состоит в обеспечении возможности ускорения в одной и той же ускоряющей структуре заряженных частиц, в частности ионов, с различным отношением заряда к массе с сохранением основной части резонансной системы. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
|
||
|
382
|
Патент 2711218
|
Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) содержит ампулу высокого давления, выполненную из высокопрочного полимера ПЭЭК (полиэфирэфиркетон), и изготовленное из нержавеющей стали тело реактора. Ампула имеет внешний диаметр 5.0-5.5 мм, внутренний диаметр не более 2 мм, длину 50-150 мм и дно с толщиной не менее 5 мм. Открытый конец ампулы присоединен к телу реактора, которое выполнено с возможностью разъемного присоединения к линии высокого давления через вентиль высокого давления, а также с возможностью присоединения к телу реактора датчика давления. Тело реактора снабжено электронагревателем и термопарой для измерения температуры. Технический результат - повышение надежности работы реактора высокого давления и повышение безопасности, уменьшение трудоемкости изготовления устройства. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) содержит ампулу высокого давления, выполненную из высокопрочного полимера ПЭЭК (полиэфирэфиркетон), и изготовленное из нержавеющей стали тело реактора. Ампула имеет внешний диаметр 5.0-5.5 мм, внутренний диаметр не более 2 мм, длину 50-150 мм и дно с толщиной не менее 5 мм. Открытый конец ампулы присоединен к телу реактора, которое выполнено с возможностью разъемного присоединения к линии высокого давления через вентиль высокого давления, а также с возможностью присоединения к телу реактора датчика давления. Тело реактора снабжено электронагревателем и термопарой для измерения температуры. Технический результат - повышение надежности работы реактора высокого давления и повышение безопасности, уменьшение трудоемкости изготовления устройства. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) содержит ампулу высокого давления, выполненную из высокопрочного полимера ПЭЭК (полиэфирэфиркетон), и изготовленное из нержавеющей стали тело реактора. Ампула имеет внешний диаметр 5.0-5.5 мм, внутренний диаметр не более 2 мм, длину 50-150 мм и дно с толщиной не менее 5 мм. Открытый конец ампулы присоединен к телу реактора, которое выполнено с возможностью разъемного присоединения к линии высокого давления через вентиль высокого давления, а также с возможностью присоединения к телу реактора датчика давления. Тело реактора снабжено электронагревателем и термопарой для измерения температуры. Технический результат - повышение надежности работы реактора высокого давления и повышение безопасности, уменьшение трудоемкости изготовления устройства. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) содержит ампулу высокого давления, выполненную из высокопрочного полимера ПЭЭК (полиэфирэфиркетон), и изготовленное из нержавеющей стали тело реактора. Ампула имеет внешний диаметр 5.0-5.5 мм, внутренний диаметр не более 2 мм, длину 50-150 мм и дно с толщиной не менее 5 мм. Открытый конец ампулы присоединен к телу реактора, которое выполнено с возможностью разъемного присоединения к линии высокого давления через вентиль высокого давления, а также с возможностью присоединения к телу реактора датчика давления. Тело реактора снабжено электронагревателем и термопарой для измерения температуры. Технический результат - повышение надежности работы реактора высокого давления и повышение безопасности, уменьшение трудоемкости изготовления устройства. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
||
|
383
|
Патент 2771009
|
Изобретение относится к области специального технологического оборудования микроэлектроники. Сущность изобретения: способ основан на создании в пристеночной области вакуумной камеры реактора специальной конфигурации магнитного поля, силовые линии которого имеют форму арок, объединенных в кольцевые арочные зоны, сформированные вблизи цилиндрической стенки реактора со стороны вакуумного объема. Зоны расположены последовательно вдоль образующей цилиндрической стенки реактора, количество таких кольцевых зон и протяженность арок управляют настройкой параметров плазмы в области обработки пластины. При этом магнитное поле сосредоточено вблизи стенки реактора и не проникает в область, где расположена обрабатываемая пластина. Для реализации этого способа на внешней стороне цилиндрической вакуумной камеры реактора, изготовленной из диамагнитного материала, устанавливается устройство, представляющее собой систему из постоянных магнитов в виде колец, вектор намагниченности которых направлен вдоль радиуса камеры реактора. Технический результат: предложенный подход позволяет создавать новые и модернизировать существующие плазменные широкоапертурные реакторы с удаленными источниками сильно ионизованной плазмы низкого давления. Способ и устройство обеспечивают высокую латеральную однородность параметров плазмы в зоне обработки пластины и повышение ее плотности при одновременном снижении электронной температуры плазмы и выравнивании ее значений вдоль радиуса реактора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области специального технологического оборудования микроэлектроники. Сущность изобретения: способ основан на создании в пристеночной области вакуумной камеры реактора специальной конфигурации магнитного поля, силовые линии которого имеют форму арок, объединенных в кольцевые арочные зоны, сформированные вблизи цилиндрической стенки реактора со стороны вакуумного объема. Зоны расположены последовательно вдоль образующей цилиндрической стенки реактора, количество таких кольцевых зон и протяженность арок управляют настройкой параметров плазмы в области обработки пластины. При этом магнитное поле сосредоточено вблизи стенки реактора и не проникает в область, где расположена обрабатываемая пластина. Для реализации этого способа на внешней стороне цилиндрической вакуумной камеры реактора, изготовленной из диамагнитного материала, устанавливается устройство, представляющее собой систему из постоянных магнитов в виде колец, вектор намагниченности которых направлен вдоль радиуса камеры реактора. Технический результат: предложенный подход позволяет создавать новые и модернизировать существующие плазменные широкоапертурные реакторы с удаленными источниками сильно ионизованной плазмы низкого давления. Способ и устройство обеспечивают высокую латеральную однородность параметров плазмы в зоне обработки пластины и повышение ее плотности при одновременном снижении электронной температуры плазмы и выравнивании ее значений вдоль радиуса реактора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к области специального технологического оборудования микроэлектроники. Сущность изобретения: способ основан на создании в пристеночной области вакуумной камеры реактора специальной конфигурации магнитного поля, силовые линии которого имеют форму арок, объединенных в кольцевые арочные зоны, сформированные вблизи цилиндрической стенки реактора со стороны вакуумного объема. Зоны расположены последовательно вдоль образующей цилиндрической стенки реактора, количество таких кольцевых зон и протяженность арок управляют настройкой параметров плазмы в области обработки пластины. При этом магнитное поле сосредоточено вблизи стенки реактора и не проникает в область, где расположена обрабатываемая пластина. Для реализации этого способа на внешней стороне цилиндрической вакуумной камеры реактора, изготовленной из диамагнитного материала, устанавливается устройство, представляющее собой систему из постоянных магнитов в виде колец, вектор намагниченности которых направлен вдоль радиуса камеры реактора. Технический результат: предложенный подход позволяет создавать новые и модернизировать существующие плазменные широкоапертурные реакторы с удаленными источниками сильно ионизованной плазмы низкого давления. Способ и устройство обеспечивают высокую латеральную однородность параметров плазмы в зоне обработки пластины и повышение ее плотности при одновременном снижении электронной температуры плазмы и выравнивании ее значений вдоль радиуса реактора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области специального технологического оборудования микроэлектроники. Сущность изобретения: способ основан на создании в пристеночной области вакуумной камеры реактора специальной конфигурации магнитного поля, силовые линии которого имеют форму арок, объединенных в кольцевые арочные зоны, сформированные вблизи цилиндрической стенки реактора со стороны вакуумного объема. Зоны расположены последовательно вдоль образующей цилиндрической стенки реактора, количество таких кольцевых зон и протяженность арок управляют настройкой параметров плазмы в области обработки пластины. При этом магнитное поле сосредоточено вблизи стенки реактора и не проникает в область, где расположена обрабатываемая пластина. Для реализации этого способа на внешней стороне цилиндрической вакуумной камеры реактора, изготовленной из диамагнитного материала, устанавливается устройство, представляющее собой систему из постоянных магнитов в виде колец, вектор намагниченности которых направлен вдоль радиуса камеры реактора. Технический результат: предложенный подход позволяет создавать новые и модернизировать существующие плазменные широкоапертурные реакторы с удаленными источниками сильно ионизованной плазмы низкого давления. Способ и устройство обеспечивают высокую латеральную однородность параметров плазмы в зоне обработки пластины и повышение ее плотности при одновременном снижении электронной температуры плазмы и выравнивании ее значений вдоль радиуса реактора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
||
|
384
|
Патент 2649854
|
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
385
|
Патент 2502063
|
Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, причем в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 B, а на другую - переменное напряжение - меандр амплитудой ±15 B и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы. Технический результат - упрощение конструкции и повышение надежности измерения. 1. Способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, отличающийся тем, что в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 В, а на другую - переменное напряжение - меандр, амплитудой ±15 В и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что диапазон измерения электронной температуры термоядерной плазмы регулируют подбором толщины и материала фильтра, при этом для измерения температуры в диапазоне 0.5-5 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 10-12 мкм, а для измерения температуры в диапазоне 5-20 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 17-20 мкм.
Основное назначение
Изобретение относится к физике высокотемпературной плазмы и может найти применение в управляемом термоядерном синтезе. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, причем в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 B, а на другую - переменное напряжение - меандр амплитудой ±15 B и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы. Технический результат - упрощение конструкции и повышение надежности измерения. 1. Способ измерения электронной температуры термоядерной плазмы, включающий операции, заключающиеся в том, что поток рентгеновских квантов из установки пропускают через средства детектирования, включающие фильтрующие элементы, отличающийся тем, что в качестве средств детектирования используют две низковольтные ионизационные камеры (НИК), на входе одной из которых помещают алюминиевый фильтрующий элемент, который выполняют толщиной 10-20 мкм, сигналы с НИК подают на один общий анод, при этом на катоды одной из НИК подают постоянное смещение величиной +15 В, а на другую - переменное напряжение - меандр, амплитудой ±15 В и полученные сигналы используют для определения показателей прозрачности фильтра для излучения данного спектрального состава для соотнесения с определяемой температурой термоядерной плазмы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что диапазон измерения электронной температуры термоядерной плазмы регулируют подбором толщины и материала фильтра, при этом для измерения температуры в диапазоне 0.5-5 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 10-12 мкм, а для измерения температуры в диапазоне 5-20 кэВ используют алюминиевый фильтр толщиной 17-20 мкм.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
386
|
Патент 2776093
|
Изобретение относится к области физики элементарных частиц, в частности к прецизионным измерительным системам параметров пучка излучаемых частиц. Сущность изобретения состоит в измерении плотности пучка путем интегрального счета количества следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры за одно измерение, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, при этом измерение проводят в пороговом режиме ПЗС камеры в сочетании с использованием численного значения порога. Техническим результатом изобретения является возможность определения распределения плотности излучения по поперечному сечению пучка частиц с высокой достоверностью. 1. Способ измерения плотности пучка излучаемых частиц, зарегистрированных плоским твердотельным детектором, основанный на обработке изображений с использованием автоматизированного измерительного микроскопа, оснащенного компьютерной видеосистемой с телевизионной ПЗС-камерой, обработка кадров которой осуществляется с применением технологии машинного зрения, отличающийся тем, что плотность пучка измеряют путем интегрального счета числа следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, где измерения проводят в пороговом изображении кадра ПЗС-камеры в сочетании с использованием численного значения порога.
2. Способ по п. 1, где способ включает следующие этапы:
1) определение уровня почернения величины порога Р и его численного значения;
2) переход от измерений количества черного в кадре к его измерению в пикселях;
3) подсчет количества следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров;
4) определение значения ?0, которое используется для расчетов количества следов частиц в каждом кадре последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора;
5) сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора и вычисление значения (K) количества следов частиц в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры;
6) вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры.
3. Способ по п. 2, где на первом этапе способа проводят выделение короткой серии кадров ПЗС-камеры, зафиксированных в нескольких различных точках заданной области измерения с последующим определением величины Р порога изображения в одном из кадров этой серии с последующим проведением перехода от серого изображения, генерируемого ПЗС-камерой в основном состоянии, к оцифрованному черно-белому пороговому изображению с единым численным значением Р уровня почернения порога в каждом кадре короткой серии изображений ПЗС-камеры, позволяющему перейти от измерений количества черного в изображении следов частиц в кадре ПЗС-камеры к определению количества черных пикселей ПЗС-матрицы в кадре ПЗС-камеры в изображении следов частиц, и интегральным счетом количества следов частиц во всем кадре в целом.
4. Способ по п. 2, где на втором этапе способа осуществляют определение числа n пикселей в пороговом изображении следов частиц в каждом из кадров ПЗС-камеры расчетным путем по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000045-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: М - численное значение количества черного в каждом кадре порогового изображения следов частиц, измеряемое суммой численных значений уровней почернения пикселей в кадре, каждое из которых равно численному значению Р уровня почернения порога;
Р - численное значение порога, которому равен уровень почернения пикселя в каждом кадре;
n - число черных пикселей в каждом кадре.
5. Способ по п. 2, где на третьем этапе способа проводят подсчет числа следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров путем визуально-ручного способа, предполагающего проставление метки рядом со следом частицы при очередном отсчете на экране монитора.
6. Способ по п. 2, где на четвертом этапе способа рассчитывают число пикселей (?) в одном следе в каждом из m кадров короткой серии кадров ПЗС-камеры по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000046-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m, m - число кадров в короткой серии кадров,
ni - число черных пикселей в каждом i-м кадре;
ki - число следов в каждом i-м кадре короткой серии кадров, полученное визуально-поштучным счетом;
?i - число пикселей в изображении одного следа в каждом i-м кадре;
с последующим вычислением расчетных значений K' числа следов частиц в каждом i-м кадре короткой серии кадров ПЗС-камеры, при поочередно фиксируемых значениях Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) и переменном значении ni по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000048-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m в короткой серии кадров, m - число кадров в короткой серии кадров, Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - выделенный номер кадра в короткой серии кадров;
ni - число пикселей в каждом очередном для расчета кадре короткой серии кадров при каждом фиксированном значении Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне);
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - число пикселей в изображении одного следа в i-м кадре с выделенным номером кадра i';
и определением среднего значения ?0, общего для каждого кадра короткой серии кадров, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - сумма значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) в пределах от 1 до t,
t - число суммируемых значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), относящихся к тем кадрам короткой серии кадров, для каждого из которых разница между расчетным значением K и счетным значением k не превышает задаваемого предела Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где ? - принятая величина, при этом всегда t?m,
при этом полученное значение ?0 используется для расчетов числа следов частиц в каждом кадре короткой серии кадров и последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора.
7. Способ по п. 2, где на пятом этапе способа осуществляют сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора с использованием общего значения ?0, ранее установленного с помощью кадров короткой серии кадров на этапе (4), и вычисление числа следов (K) в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: n - число черных пикселей в пороговом изображении следов частиц в кадре.
8. Способ по п. 2, где на шестом этапе способа проводят вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры, с использованием значения (K), ранее установленного на этапе (5), по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: S - площадь плоскости детектора, захватываемая кадром ПЗС-камеры - величина постоянная;
D - численное значение плотности пучка частиц в поперечном сечении пучка излучения в области плоскости детектора, захваченной каждым из кадров ПЗС-камеры.
Основное назначение
Изобретение относится к области физики элементарных частиц, в частности к прецизионным измерительным системам параметров пучка излучаемых частиц. Сущность изобретения состоит в измерении плотности пучка путем интегрального счета количества следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры за одно измерение, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, при этом измерение проводят в пороговом режиме ПЗС камеры в сочетании с использованием численного значения порога. Техническим результатом изобретения является возможность определения распределения плотности излучения по поперечному сечению пучка частиц с высокой достоверностью. 1. Способ измерения плотности пучка излучаемых частиц, зарегистрированных плоским твердотельным детектором, основанный на обработке изображений с использованием автоматизированного измерительного микроскопа, оснащенного компьютерной видеосистемой с телевизионной ПЗС-камерой, обработка кадров которой осуществляется с применением технологии машинного зрения, отличающийся тем, что плотность пучка измеряют путем интегрального счета числа следов частиц в изображении каждого из кадров ПЗС-камеры, зарегистрированных твердотельным детектором в поперечном сечении пучка квазиоднородного излучения, с использованием ЭВМ, где измерения проводят в пороговом изображении кадра ПЗС-камеры в сочетании с использованием численного значения порога.
2. Способ по п. 1, где способ включает следующие этапы:
1) определение уровня почернения величины порога Р и его численного значения;
2) переход от измерений количества черного в кадре к его измерению в пикселях;
3) подсчет количества следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров;
4) определение значения ?0, которое используется для расчетов количества следов частиц в каждом кадре последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора;
5) сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора и вычисление значения (K) количества следов частиц в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры;
6) вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры.
3. Способ по п. 2, где на первом этапе способа проводят выделение короткой серии кадров ПЗС-камеры, зафиксированных в нескольких различных точках заданной области измерения с последующим определением величины Р порога изображения в одном из кадров этой серии с последующим проведением перехода от серого изображения, генерируемого ПЗС-камерой в основном состоянии, к оцифрованному черно-белому пороговому изображению с единым численным значением Р уровня почернения порога в каждом кадре короткой серии изображений ПЗС-камеры, позволяющему перейти от измерений количества черного в изображении следов частиц в кадре ПЗС-камеры к определению количества черных пикселей ПЗС-матрицы в кадре ПЗС-камеры в изображении следов частиц, и интегральным счетом количества следов частиц во всем кадре в целом.
4. Способ по п. 2, где на втором этапе способа осуществляют определение числа n пикселей в пороговом изображении следов частиц в каждом из кадров ПЗС-камеры расчетным путем по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000045-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: М - численное значение количества черного в каждом кадре порогового изображения следов частиц, измеряемое суммой численных значений уровней почернения пикселей в кадре, каждое из которых равно численному значению Р уровня почернения порога;
Р - численное значение порога, которому равен уровень почернения пикселя в каждом кадре;
n - число черных пикселей в каждом кадре.
5. Способ по п. 2, где на третьем этапе способа проводят подсчет числа следов (k) в каждом из кадров изображения ПЗС-камеры короткой серии кадров путем визуально-ручного способа, предполагающего проставление метки рядом со следом частицы при очередном отсчете на экране монитора.
6. Способ по п. 2, где на четвертом этапе способа рассчитывают число пикселей (?) в одном следе в каждом из m кадров короткой серии кадров ПЗС-камеры по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000046-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m, m - число кадров в короткой серии кадров,
ni - число черных пикселей в каждом i-м кадре;
ki - число следов в каждом i-м кадре короткой серии кадров, полученное визуально-поштучным счетом;
?i - число пикселей в изображении одного следа в каждом i-м кадре;
с последующим вычислением расчетных значений K' числа следов частиц в каждом i-м кадре короткой серии кадров ПЗС-камеры, при поочередно фиксируемых значениях Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) и переменном значении ni по формуле:
https://new.fips.ru/ofpstorage/IZPM/2022.07.13/RUNWC1/000/000/002/776/093/ИЗ-02776093-00001/00000048-m.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: i - порядковый номер кадра от 1 до m в короткой серии кадров, m - число кадров в короткой серии кадров, Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - выделенный номер кадра в короткой серии кадров;
ni - число пикселей в каждом очередном для расчета кадре короткой серии кадров при каждом фиксированном значении Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне);
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - число пикселей в изображении одного следа в i-м кадре с выделенным номером кадра i';
и определением среднего значения ?0, общего для каждого кадра короткой серии кадров, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) - сумма значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне) в пределах от 1 до t,
t - число суммируемых значений Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), относящихся к тем кадрам короткой серии кадров, для каждого из которых разница между расчетным значением K и счетным значением k не превышает задаваемого предела Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне), где ? - принятая величина, при этом всегда t?m,
при этом полученное значение ?0 используется для расчетов числа следов частиц в каждом кадре короткой серии кадров и последующего измерительного процесса при поточном сканировании плоскости детектора.
7. Способ по п. 2, где на пятом этапе способа осуществляют сканирование выделенной для измерений области плоскости детектора с использованием общего значения ?0, ранее установленного с помощью кадров короткой серии кадров на этапе (4), и вычисление числа следов (K) в области плоскости детектора, захватываемой каждым из кадров изображения ПЗС-камеры, по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: n - число черных пикселей в пороговом изображении следов частиц в кадре.
8. Способ по п. 2, где на шестом этапе способа проводят вычисление плотности пучка излучаемых частиц в области плоскости детектора, захватываемой кадром ПЗС-камеры, с использованием значения (K), ранее установленного на этапе (5), по формуле:
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
где: S - площадь плоскости детектора, захватываемая кадром ПЗС-камеры - величина постоянная;
D - численное значение плотности пучка частиц в поперечном сечении пучка излучения в области плоскости детектора, захваченной каждым из кадров ПЗС-камеры.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области термоядерной техники, в частности к бланкетам гибридных термоядерных реакторов. Модуль бланкета гибридного термоядерного реактора с жидкометаллическим теплоносителем содержит тепловыделяющие сборки с тепловыделяющими элементами. Топливо тепловыделяющих элементов изготовлено из оксида минорных актинидов. Тепловыделяющие сборки выполнены прямоугольного сечения. Технический результат - увеличение размножающих свойств ядерной зоны модуля бланкета термоядерного реактора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
387
|
Патент 2422928
|
Изобретение относится к области физики пучков заряженных частиц и ускорительной технике и может быть использовано для создания полого квазитрубчатого пучка тяжелых ионов высокой энергии, вращающегося вокруг продольной оси с высокой частотой. Устройство для вращения пучка тяжелых ионов высокой энергии состоит из цилиндрического кожухарезонатора, торцевых фланцев с отверстиями для ввода и вывода пучка, нескольких пар отклоняющих пластин, закрепленных на опорах, источника ВЧ питания и фокусирующей системы. Каждая отклоняющая пластина имеет корректирующие выступы, расположенные на краях параллельно продольной оси. Общий объем резонатора образован скрепленными вместе конструктивно независимыми секциями, в центре каждой из которых располагается пара отклоняющих пластин. При этом расстояние между центрами пластин вдоль оси резонатора выбирается равным D=V/2f, где V - скорость отклоняемых ионов, a f - рабочая частота резонатора. Вдоль удаленного от оси внешнего края каждой из отклоняющих пластин выполнен выступ, сокращающий расстояние между пластинами на периферии отклоняющего зазора; дефлектор может содержать различное количество секций. Изобретение позволяет получить результирующее отклонение ионов, пропорциональное общему количеству пройденных ячеек, которое может достигать любой необходимой величины при выборе достаточной длины отклоняющего резонатора. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области физики пучков заряженных частиц и ускорительной технике и может быть использовано для создания полого квазитрубчатого пучка тяжелых ионов высокой энергии, вращающегося вокруг продольной оси с высокой частотой. Устройство для вращения пучка тяжелых ионов высокой энергии состоит из цилиндрического кожухарезонатора, торцевых фланцев с отверстиями для ввода и вывода пучка, нескольких пар отклоняющих пластин, закрепленных на опорах, источника ВЧ питания и фокусирующей системы. Каждая отклоняющая пластина имеет корректирующие выступы, расположенные на краях параллельно продольной оси. Общий объем резонатора образован скрепленными вместе конструктивно независимыми секциями, в центре каждой из которых располагается пара отклоняющих пластин. При этом расстояние между центрами пластин вдоль оси резонатора выбирается равным D=V/2f, где V - скорость отклоняемых ионов, a f - рабочая частота резонатора. Вдоль удаленного от оси внешнего края каждой из отклоняющих пластин выполнен выступ, сокращающий расстояние между пластинами на периферии отклоняющего зазора; дефлектор может содержать различное количество секций. Изобретение позволяет получить результирующее отклонение ионов, пропорциональное общему количеству пройденных ячеек, которое может достигать любой необходимой величины при выборе достаточной длины отклоняющего резонатора. 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к области физики пучков заряженных частиц и ускорительной технике и может быть использовано для создания полого квазитрубчатого пучка тяжелых ионов высокой энергии, вращающегося вокруг продольной оси с высокой частотой. Устройство для вращения пучка тяжелых ионов высокой энергии состоит из цилиндрического кожухарезонатора, торцевых фланцев с отверстиями для ввода и вывода пучка, нескольких пар отклоняющих пластин, закрепленных на опорах, источника ВЧ питания и фокусирующей системы. Каждая отклоняющая пластина имеет корректирующие выступы, расположенные на краях параллельно продольной оси. Общий объем резонатора образован скрепленными вместе конструктивно независимыми секциями, в центре каждой из которых располагается пара отклоняющих пластин. При этом расстояние между центрами пластин вдоль оси резонатора выбирается равным D=V/2f, где V - скорость отклоняемых ионов, a f - рабочая частота резонатора. Вдоль удаленного от оси внешнего края каждой из отклоняющих пластин выполнен выступ, сокращающий расстояние между пластинами на периферии отклоняющего зазора; дефлектор может содержать различное количество секций. Изобретение позволяет получить результирующее отклонение ионов, пропорциональное общему количеству пройденных ячеек, которое может достигать любой необходимой величины при выборе достаточной длины отклоняющего резонатора. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области физики пучков заряженных частиц и ускорительной технике и может быть использовано для создания полого квазитрубчатого пучка тяжелых ионов высокой энергии, вращающегося вокруг продольной оси с высокой частотой. Устройство для вращения пучка тяжелых ионов высокой энергии состоит из цилиндрического кожухарезонатора, торцевых фланцев с отверстиями для ввода и вывода пучка, нескольких пар отклоняющих пластин, закрепленных на опорах, источника ВЧ питания и фокусирующей системы. Каждая отклоняющая пластина имеет корректирующие выступы, расположенные на краях параллельно продольной оси. Общий объем резонатора образован скрепленными вместе конструктивно независимыми секциями, в центре каждой из которых располагается пара отклоняющих пластин. При этом расстояние между центрами пластин вдоль оси резонатора выбирается равным D=V/2f, где V - скорость отклоняемых ионов, a f - рабочая частота резонатора. Вдоль удаленного от оси внешнего края каждой из отклоняющих пластин выполнен выступ, сокращающий расстояние между пластинами на периферии отклоняющего зазора; дефлектор может содержать различное количество секций. Изобретение позволяет получить результирующее отклонение ионов, пропорциональное общему количеству пройденных ячеек, которое может достигать любой необходимой величины при выборе достаточной длины отклоняющего резонатора. 1 ил.
|
||
|
388
|
Патент 2810726
|
Изобретение относится к области формирования сильноточных непрерывных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - возможность работы источника в непрерывном режиме, снижая вероятность электрического пробоя и негативного влияния паразитного разряда между трубой разрядной камеры и ускоряющим электродом системы формирования ионного пучка. Это достигается добавлением вставки из диэлектрического материала, изолирующего большую часть трубы разрядной камеры, находящуюся в непосредственной близости от ускоряющего электрода, и часть поверхности плазменного электрода за исключением зоны, непосредственно примыкающей к области ускорения ионного пучка около отверстия. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области формирования сильноточных непрерывных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - возможность работы источника в непрерывном режиме, снижая вероятность электрического пробоя и негативного влияния паразитного разряда между трубой разрядной камеры и ускоряющим электродом системы формирования ионного пучка. Это достигается добавлением вставки из диэлектрического материала, изолирующего большую часть трубы разрядной камеры, находящуюся в непосредственной близости от ускоряющего электрода, и часть поверхности плазменного электрода за исключением зоны, непосредственно примыкающей к области ускорения ионного пучка около отверстия. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к области формирования сильноточных непрерывных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - возможность работы источника в непрерывном режиме, снижая вероятность электрического пробоя и негативного влияния паразитного разряда между трубой разрядной камеры и ускоряющим электродом системы формирования ионного пучка. Это достигается добавлением вставки из диэлектрического материала, изолирующего большую часть трубы разрядной камеры, находящуюся в непосредственной близости от ускоряющего электрода, и часть поверхности плазменного электрода за исключением зоны, непосредственно примыкающей к области ускорения ионного пучка около отверстия. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области формирования сильноточных непрерывных пучков ионов путем их экстракции из плотной плазмы ЭЦР разряда, создаваемой в открытой магнитной ловушке мощным излучением миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - возможность работы источника в непрерывном режиме, снижая вероятность электрического пробоя и негативного влияния паразитного разряда между трубой разрядной камеры и ускоряющим электродом системы формирования ионного пучка. Это достигается добавлением вставки из диэлектрического материала, изолирующего большую часть трубы разрядной камеры, находящуюся в непосредственной близости от ускоряющего электрода, и часть поверхности плазменного электрода за исключением зоны, непосредственно примыкающей к области ускорения ионного пучка около отверстия. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
||
|
389
|
Патент 2639882
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты M1-xRxV2+x с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного (М) и редкоземельного (R) металлов. Подбирают состав, обеспечивающий их конгруэнтность. Для этого их составы выбирают соответствующими максимумам на кривых плавления флюоритовых фаз на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3 и содержат: дифторид CaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=Sm, Gd, Tb, Ho, Er, Y) при соотношении CaF2 89-96 мол. % и KF 4-11 мол. %; дифторид SrF2 с добавками трифторидов RY3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y) при соотношении SrF2 69-90 мол. % и RF3 10-31 мол. %, а также дифторид BaF2 с добавками трифторидов RF3 (R=La, Се, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb) при соотношении BaF2 69-96 мол. % и RF2 4-31 мол. %, что обеспечивает получение величин фтор-ионной проводимости ?, превышающих 1?10-1 Ом-1см-1 при температурах 450-1570°С. Изобретение позволяет создать перспективные ФТЭЛ, которые позволяют увеличить в ~5 раз функционирование твердотельных гальванических элементов для термодинамических исследований. 3 ил
|
||
|
390
|
Патент 2665314
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF2+InF3+BaF2 имеет состав, мол. %: PbF2 7-54, InF3 11-49, BaF2 7-32, AlF3 2-20 и LiF 10-20. Электролиты получают следующим образом: плавят по отдельности PbF2, BaF2, AlF3 и LiF; фторируют полученные расплавы; охлаждают полученные растворы до комнатной температуры; к полученным фторированным реагентам PbF2, BaF2, AlF3, LiF, которые взяты в соотношении PbF2 7-54 мол. %, BaF2 7-32 мол. %, AlF3 2-20 мол. %, LiF 10-20 мол. %, добавляют пятый реагент (NH4)3InF6 в количестве 11-49 мол. %, все пять ингредиентов смешивают и перемалывают совместно для получения шихты PbF2+(NH4)3InF6+BaF2+AlF3+LiF; к полученной шихте добавляют NH4F, взятый в количестве 1/5-1/4 части от массы шихты; шихту расплавляют при 850-950°C, после чего гомогенизируют в течение 1-2 мин до образования однородной стекломассы. Изобретение позволяет обеспечить высокую устойчивость фторидного стекла к процессу кристаллизации и достижение стабильных значений фтор-ионной проводимости 1?10-5-7?10-5 Ом-1?см-1 при температуре 150°C. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
|
||