Изобретения

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов терагерцового диапазона частот с мощностью 1 мВт и более. Сущность: предложен пролетный диод для генерации терагерцового излучения, состоящий из полупроводниковой подложки с двумя областями сильного легирования и нанесенными на них металлическими контактами, между которыми находится нелегированная пролетная щель, в которую включены участки с увеличенной шириной щели, и рядом с каждым расширенным участком щели расположена шунтируюшая емкостная перемычка, соединяющая металлические контакты пролетного диода. Технический результат заключается в обеспечении устойчивой генерации терагерцового излучения, улучшении согласования пролетного диода с антенной, увеличении мощности генерации. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными кластерами кремния - сформированы 1-5 слоев материала на базе кремния толщиной 1-5 нм, отличающихся от материала основного слоя химическим составом и меньшей шириной запрещенной зоны. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев на базе кремния для МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, позволяющее получать МДП структуры малой площади при повышении выхода годных структур. 2 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к способу изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости на основе пленок анодированного сплава алюминий-кремний. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является создание способа формирования диэлектрических пленок анодированного сплава алюминий-кремний, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимого с кремниевой технологией интегральных микросхем. Технический результат достигается тем, что в способе формирования обладающего эффектом переключения проводимости диэлектрического слоя путем нанесения композитного материала, представляющего собой диэлектрик, в который встроены наноразмерные кластеры кремния, согласно изобретению формирование материала производят химическим анодированием сплава алюминий-кремний. 2 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения, заключается в нанесении нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния. Нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени при скорости осаждения 5-7 нм/мин в среде аргона с добавками 3-5% об. кислорода и 6-8% об. азота. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимых с материалами, а также с большинством технологических воздействий, применяемых в традиционной кремниевой технологии интегральных микросхем. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области микробиологической промышленности и касается бактерии Escherichia coli - продуцента янтарной кислоты и способа получения янтарной кислоты с использованием такой бактерии. Описанная бактерия модифицирована путем изменения нуклеотидной последовательности промотора и сайта связывания рибосом, контролирующих экспрессию генов aceEF-lpdA оперона в хромосоме бактерии, таким образом, что экспрессия генов асеЕ, aceF и lpdA в указанной бактерии усилена. Способ получения янтарной кислоты заключается в культивировании такой бактерии в питательной среде и выделении янтарной кислоты из культуральной жидкости. Представленные изобретения позволяют получить повышенное количество янтарной кислоты микробиологическим путем. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области микроэлектроники и, в частности, к сенсорным и микромощным микросхемам. Технический результат заключается в повышении эффективности обработки сигналов за счет исключения влияния паразитной инжекции электронов в подложку при подключении индуктивной нагрузки и достигается за счет управляемого установления скорости изменения выходного тока формирователя импульсов напряжения. Формирователь импульсов напряжения включает выходной каскад на комплементарных транзисторах, реализованный на основе КМОП-транзисторов и разделенный на несколько секций, каждая из которых содержит два элемента задержки сигнала, Р-МОП-транзистор и N-МОП-транзистор, и логический блок управления выходными транзисторами, включающий асинхронный D-триггер, логический элемент совпадения состояний, логические элементы «ИЛИ», «И». 1 ил.

Изобретение относится к области нанооксидных материалов, конкретно к методу получения нанопорошка триоксида молибдена, применяемого для изготовления сцинтилляторов сложного состава, как катализатора для селективного окисления в качестве присадки в масла для снижения трения и как промежуточного продукта для получения тонких прозрачных оксидных пленок. Способ получения нанопорошка MoO3 в реакторе путем испарения порошка MoO3 и осаждения его паров на подложку характеризуется тем, что реактор, внутри которого размещена подложка с порошком MoO3, заполняют гелием под давлением 6-8 МПа, нагревают порошок до 650-700°C в течение 10-20 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры и извлекают из реактора. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа изготовления целевого материала с диаметром стержней 5-10 нм на простом по конструкции оборудовании. 2 ил., 6 пр.

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к технологиям структурирования пластин кремния и создания на них методами химической и лазерной обработки структур для исследования жидких сред методами гигантского комбинационного рассеяния и эквивалентных аналитических методов. Технической задачей способа является создание устройства, позволяющего обеспечить получение стабильных и воспроизводимых результатов при проведении измерений гигантского комбинационного рассеяния. Задача достигается в результате того, что в способе изготовления плазмонного микротитрационного планшета, включающем создание многослойной комплексной плазмонной структуры на подложке, методом лазерной абляции на подложке создают заранее выбранное количество ячеек, в центре каждой ячейки методом лазерной абляции создают кольцо с диаметром ? диаметра апертуры спектрометра комбинационного рассеяния (?50-100 мкм), которое является гидрофильным. 6 ил.

Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов 57FeBO3. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе 57FeBO3 заключается в том, что после синтеза 57FeBO3 раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы 57FeBO3 с размерами более 5 мм в поперечнике без видимых дефектов поверхности и кристаллы 57FeBO3 размерами менее 5 мм в поперечнике и с видимыми дефектами поверхности, далее восстанавливают раствор-расплав путем растворения в нем дефектных кристаллов 57FeBO3 при температуре до 900°С и гомогенизации путем выдержки при 900°С в течение 20 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 30 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 40 ч, затем рентгенофлуоресцентным анализом определяют концентрацию железа W(57Fe) и свинца W(Pb) в восстановленном растворе-расплаве для вычисления параметра состояния раствора-расплава и и при величине параметра 0,05?n?0,1 многократно используют раствор-расплав как пригодный для последующего роста кристаллов 57FeBO3. Технический результат заключается в обеспечении возможности многократного использования раствора-расплава, слитого в процессе синтеза 57FeBO3 методом «с переворотом», путем восстановления исходного содержания кристаллообразующих компонентов, снижении стоимости технологии и увеличении количества полученных кристаллов. 3 пр.