|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
361
|
Патент 2781052
|
Изобретение относится к области выработки электрохимической энергии путем рекомбинации водорода в электрохимических устройствах, например, в топливном элементе с твердополимерным электролитом (ТЭ с ТПЭ), а именно к способу изготовления каталитического слоя электрода мембранно-электродного блока водородно-воздушного топливного элемента. Предложен способ изготовления каталитического слоя электродов для твердополимерного топливного элемента, заключающийся в том, что проводят пропитку микропористого слоя, нанесенного на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, путем распыления на него газовой фазы паров водно-органического спирта с содержанием органического компонента от 10 до 50 мас.% раствора гексахлорплатиновой кислоты и иономера; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой; или проводят импрегнацию носителя, в качестве которого могут быть использованы массивы углеродных нанотрубок или графеноподобные материалы, раствором прекурсора - гексахлорплатиновой кислоты H2PtCl6 - в емкости до полного насыщения носителя и последующую его сушку; осуществляют мелкодисперсное распыление на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, суспензии из импрегнированного углеродного носителя, иономера и спирта; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой. Техническим результатом является повышение активной поверхности катализатора, электронной проводимости и деградационной устойчивости каталитического слоя электрода, приводящее к увеличению мощностных характеристик ячейки топливного элемента, изготовленной на основе данного электрокатализатора. Способ изготовления каталитического слоя электродов для твердополимерного топливного элемента, заключающийся в том, что проводят пропитку микропористого слоя, нанесенного на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, путем распыления на него газовой фазы паров водно-органического спирта с содержанием органического компонента от 10 до 50 мас.% раствора гексахлорплатиновой кислоты и иономера; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой; или проводят импрегнацию носителя, в качестве которого могут быть использованы массивы углеродных нанотрубок или графеноподобные материалы, раствором прекурсора - гексахлорплатиновой кислоты H2PtCl6 - в емкости до полного насыщения носителя и последующую его сушку; осуществляют мелкодисперсное распыление на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, суспензии из импрегнированного углеродного носителя, иономера и спирта; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой.
Основное назначение
Изобретение относится к области выработки электрохимической энергии путем рекомбинации водорода в электрохимических устройствах, например, в топливном элементе с твердополимерным электролитом (ТЭ с ТПЭ), а именно к способу изготовления каталитического слоя электрода мембранно-электродного блока водородно-воздушного топливного элемента. Предложен способ изготовления каталитического слоя электродов для твердополимерного топливного элемента, заключающийся в том, что проводят пропитку микропористого слоя, нанесенного на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, путем распыления на него газовой фазы паров водно-органического спирта с содержанием органического компонента от 10 до 50 мас.% раствора гексахлорплатиновой кислоты и иономера; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой; или проводят импрегнацию носителя, в качестве которого могут быть использованы массивы углеродных нанотрубок или графеноподобные материалы, раствором прекурсора - гексахлорплатиновой кислоты H2PtCl6 - в емкости до полного насыщения носителя и последующую его сушку; осуществляют мелкодисперсное распыление на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, суспензии из импрегнированного углеродного носителя, иономера и спирта; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой. Техническим результатом является повышение активной поверхности катализатора, электронной проводимости и деградационной устойчивости каталитического слоя электрода, приводящее к увеличению мощностных характеристик ячейки топливного элемента, изготовленной на основе данного электрокатализатора. Способ изготовления каталитического слоя электродов для твердополимерного топливного элемента, заключающийся в том, что проводят пропитку микропористого слоя, нанесенного на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, путем распыления на него газовой фазы паров водно-органического спирта с содержанием органического компонента от 10 до 50 мас.% раствора гексахлорплатиновой кислоты и иономера; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой; или проводят импрегнацию носителя, в качестве которого могут быть использованы массивы углеродных нанотрубок или графеноподобные материалы, раствором прекурсора - гексахлорплатиновой кислоты H2PtCl6 - в емкости до полного насыщения носителя и последующую его сушку; осуществляют мелкодисперсное распыление на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, суспензии из импрегнированного углеродного носителя, иономера и спирта; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ изготовления каталитического слоя электродов для твердополимерного топливного элемента, заключающийся в том, что проводят пропитку микропористого слоя, нанесенного на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, путем распыления на него газовой фазы паров водно-органического спирта с содержанием органического компонента от 10 до 50 мас.% раствора гексахлорплатиновой кислоты и иономера; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой; или проводят импрегнацию носителя, в качестве которого могут быть использованы массивы углеродных нанотрубок или графеноподобные материалы, раствором прекурсора - гексахлорплатиновой кислоты H2PtCl6 - в емкости до полного насыщения носителя и последующую его сушку; осуществляют мелкодисперсное распыление на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, суспензии из импрегнированного углеродного носителя, иономера и спирта; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой.
Основное назначение
Способ изготовления каталитического слоя электродов для твердополимерного топливного элемента, заключающийся в том, что проводят пропитку микропористого слоя, нанесенного на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, путем распыления на него газовой фазы паров водно-органического спирта с содержанием органического компонента от 10 до 50 мас.% раствора гексахлорплатиновой кислоты и иономера; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой; или проводят импрегнацию носителя, в качестве которого могут быть использованы массивы углеродных нанотрубок или графеноподобные материалы, раствором прекурсора - гексахлорплатиновой кислоты H2PtCl6 - в емкости до полного насыщения носителя и последующую его сушку; осуществляют мелкодисперсное распыление на подложку, представляющую собой гидрофобизированный углеродный газодиффузионный слой, суспензии из импрегнированного углеродного носителя, иономера и спирта; проводят химическое восстановление кислоты-прекурсора от Pt+4 до Pt0 до металлических частиц платинового катализатора в реакционном объеме газообразным водородом в реакторе при температуре выше 130°С с предварительной сушкой-очисткой электродов от органических растворителей или боргидридом натрия при температуре около 80°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой или этиленгликолем при температуре около 180°С с отмывкой электродов деионизированной водой и их сушкой.
|
||
|
362
|
Патент 2775748
|
Изобретение может быть использовано в сепараторах-пароперегревателях турбоустановок атомных электростанций. Пароперегреватель турбоустановки включает вертикальный корпус (1) с установленным внутри его вертикальным коллектором (5), теплообменные трубы (2), трубопровод (8) подвода греющего пара и трубопровод (9) отвода конденсата. Вертикальный коллектор (5) разделен перегородкой (10) на верхний и нижний отсеки (4) и (7). Теплообменные трубы (2) с поперечными и продольными участками подключены входными и выходными концами к верхнему и нижнему отсекам (4) и (7) коллектора, соответственно. Трубопровод (8) подвода греющего пара подсоединен к верхнему отсеку (4) коллектора. Трубопровод (9) отвода конденсата подключен к нижнему отсеку (7), в котором установлен заданный уровень (14) конденсата выше выходных концов теплообменных труб (2). В продольных участках теплообменных труб (2), расположенных ниже поперечной перегородки (10) коллектора (5), образованы дополнительные уровни конденсата. На трубопроводе (9) отвода конденсата установлен клапан (16), соединенный импульсной линией (17) с измерителем (18) уровня конденсата в нижнем отсеке (7) коллектора. Технический результат заключается в снижении расхода греющего пара через пароперегреватель турбоустановки путем использования для перегрева пара не только тепла конденсации греющего пара, но и тепла охлаждения конденсата. 1. Пароперегреватель турбоустановки, включающий вертикальный корпус с установленным внутри него вертикальным коллектором, разделенным перегородкой на верхний и нижний отсеки, теплообменные трубы с поперечными и продольными участками, подключенные входными и выходными концами к верхнему и нижнему отсекам коллектора, соответственно, а также трубопровод подвода греющего пара, подсоединенный к верхнему отсеку коллектора, и трубопровод отвода конденсата, подключенный к нижнему отсеку, в котором установлен заданный уровень конденсата выше выходных концов теплообменных труб и с образованием в продольных участках теплообменных труб, расположенных ниже поперечной перегородки коллектора, дополнительных уровней конденсата, при этом на трубопроводе отвода конденсата установлен клапан, соединенный импульсной линией с измерителем уровня конденсата в нижнем отсеке коллектора.
2. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что теплообменные трубы выполнены в виде многозаходных змеевиков, в каждом заходе которых продольные участки расположены поочередно со стороны корпуса и коллектора.
3. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что поперечные участки теплообменных труб выполнены с наружным оребрением.
Основное назначение
Изобретение может быть использовано в сепараторах-пароперегревателях турбоустановок атомных электростанций. Пароперегреватель турбоустановки включает вертикальный корпус (1) с установленным внутри его вертикальным коллектором (5), теплообменные трубы (2), трубопровод (8) подвода греющего пара и трубопровод (9) отвода конденсата. Вертикальный коллектор (5) разделен перегородкой (10) на верхний и нижний отсеки (4) и (7). Теплообменные трубы (2) с поперечными и продольными участками подключены входными и выходными концами к верхнему и нижнему отсекам (4) и (7) коллектора, соответственно. Трубопровод (8) подвода греющего пара подсоединен к верхнему отсеку (4) коллектора. Трубопровод (9) отвода конденсата подключен к нижнему отсеку (7), в котором установлен заданный уровень (14) конденсата выше выходных концов теплообменных труб (2). В продольных участках теплообменных труб (2), расположенных ниже поперечной перегородки (10) коллектора (5), образованы дополнительные уровни конденсата. На трубопроводе (9) отвода конденсата установлен клапан (16), соединенный импульсной линией (17) с измерителем (18) уровня конденсата в нижнем отсеке (7) коллектора. Технический результат заключается в снижении расхода греющего пара через пароперегреватель турбоустановки путем использования для перегрева пара не только тепла конденсации греющего пара, но и тепла охлаждения конденсата. 1. Пароперегреватель турбоустановки, включающий вертикальный корпус с установленным внутри него вертикальным коллектором, разделенным перегородкой на верхний и нижний отсеки, теплообменные трубы с поперечными и продольными участками, подключенные входными и выходными концами к верхнему и нижнему отсекам коллектора, соответственно, а также трубопровод подвода греющего пара, подсоединенный к верхнему отсеку коллектора, и трубопровод отвода конденсата, подключенный к нижнему отсеку, в котором установлен заданный уровень конденсата выше выходных концов теплообменных труб и с образованием в продольных участках теплообменных труб, расположенных ниже поперечной перегородки коллектора, дополнительных уровней конденсата, при этом на трубопроводе отвода конденсата установлен клапан, соединенный импульсной линией с измерителем уровня конденсата в нижнем отсеке коллектора.
2. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что теплообменные трубы выполнены в виде многозаходных змеевиков, в каждом заходе которых продольные участки расположены поочередно со стороны корпуса и коллектора.
3. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что поперечные участки теплообменных труб выполнены с наружным оребрением.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Пароперегреватель турбоустановки, включающий вертикальный корпус с установленным внутри него вертикальным коллектором, разделенным перегородкой на верхний и нижний отсеки, теплообменные трубы с поперечными и продольными участками, подключенные входными и выходными концами к верхнему и нижнему отсекам коллектора, соответственно, а также трубопровод подвода греющего пара, подсоединенный к верхнему отсеку коллектора, и трубопровод отвода конденсата, подключенный к нижнему отсеку, в котором установлен заданный уровень конденсата выше выходных концов теплообменных труб и с образованием в продольных участках теплообменных труб, расположенных ниже поперечной перегородки коллектора, дополнительных уровней конденсата, при этом на трубопроводе отвода конденсата установлен клапан, соединенный импульсной линией с измерителем уровня конденсата в нижнем отсеке коллектора.
2. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что теплообменные трубы выполнены в виде многозаходных змеевиков, в каждом заходе которых продольные участки расположены поочередно со стороны корпуса и коллектора.
3. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что поперечные участки теплообменных труб выполнены с наружным оребрением.
Основное назначение
1. Пароперегреватель турбоустановки, включающий вертикальный корпус с установленным внутри него вертикальным коллектором, разделенным перегородкой на верхний и нижний отсеки, теплообменные трубы с поперечными и продольными участками, подключенные входными и выходными концами к верхнему и нижнему отсекам коллектора, соответственно, а также трубопровод подвода греющего пара, подсоединенный к верхнему отсеку коллектора, и трубопровод отвода конденсата, подключенный к нижнему отсеку, в котором установлен заданный уровень конденсата выше выходных концов теплообменных труб и с образованием в продольных участках теплообменных труб, расположенных ниже поперечной перегородки коллектора, дополнительных уровней конденсата, при этом на трубопроводе отвода конденсата установлен клапан, соединенный импульсной линией с измерителем уровня конденсата в нижнем отсеке коллектора.
2. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что теплообменные трубы выполнены в виде многозаходных змеевиков, в каждом заходе которых продольные участки расположены поочередно со стороны корпуса и коллектора.
3. Пароперегреватель по п. 1, отличающийся тем, что поперечные участки теплообменных труб выполнены с наружным оребрением.
|
||
|
363
|
Патент 2781051
|
Изобретение относится к способам оптимизации условий кристаллизации белков для последующего выращивания белкового кристалла в оптимизированных условиях и расшифровки структуры белка с высоким разрешением с помощью рентгеноструктурного анализа и может быть применено в области белковой кристаллографии. Техническим результатом является удешевление и ускорение этапа оптимизационного скрининга условий кристаллизации белков. Для его достижения предложен способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики, заключающийся в том, что выделяют олигомеры, содержащиеся в предкристаллизационном растворе, к полученным олигомерам применяют вычисление молекулярной динамики и изменения свободной энергии при формировании олигомера в различных условиях рН, типа осадителя, концентрации осадителя, температуры согласно следующему протоколу, заключающемуся в том, что для каждых моделируемых условий кристаллизации сначала задают рН системы путем определения состояний протонирования аминокислотных остатков в составе олигомеров с помощью программы PROPKA, после чего все расчеты и подготовку структур к ним выполняют в программном пакете GROMACS, подготовленные структуры помещают в центр ячейки моделирования, при этом минимальное расстояние между ее краем и молекулой белка составляет 1 нм, при этом остальное пространство ячейки заполняют водой, в систему добавляют компоненты осадителя в необходимой концентрации, осуществляют минимизацию энергии и NVT- и NPT-уравновешивание систем, проводят вычисление продуктивной МД в NPT-ансамбле, при этом интегрирование производят по стандартному алгоритму leap-frog с временным шагом интегрирования 2 фс и длительностью рассчитанных траекторий 100 нс, при этом перед анализом полученных траекторий устраняют артефакты, возникающие из-за квазибесконечных периодических граничных условий, по данным полученных траекторий строят графики среднеквадратичных флуктуаций атомов С? (RMSF) и вычисляют изменения энергий при образовании олигомеров белка, при этом для расчетов изменения свободной энергии при образовании олигомеров используют метод MM/GBSA, проводят вычисление свободной энергии для каждой траектории по результатам МД-моделирования, с помощью программы GROMACS, на 1000 фреймах с применением модуля gmx_MMPBSA версии 1.4.0 в сочетании со скриптом MMPBSA.py и пакетом AmberTools20, устанавливают оптимальные для кристаллизации исследуемого белка параметры, при которых наблюдаются наименьшие среднеквадратичные флуктуации атомов олигомеров и наибольшее уменьшение свободной энергии. Способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики, заключающийся в том, что выделяют олигомеры, содержащиеся в предкристаллизационном растворе, к полученным олигомерам применяют вычисление молекулярной динамики и изменения свободной энергии при формировании олигомера в различных условиях рН, типа осадителя, концентрации осадителя, температуры согласно следующему протоколу, заключающемуся в том, что для каждых моделируемых условий кристаллизации сначала задают рН системы путем определения состояний протонирования аминокислотных остатков в составе олигомеров с помощью программы PROPKA, после чего все расчеты и подготовку структур к ним выполняют в программном пакете GROMACS, подготовленные структуры помещают в центр ячейки моделирования, при этом минимальное расстояние между ее краем и молекулой белка составляет 1 нм, при этом остальное пространство ячейки заполняют водой, в систему добавляют компоненты осадителя в необходимой концентрации, осуществляют минимизацию энергии и NVT- и NPT-уравновешивание систем, проводят вычисление продуктивной МД в NPT-ансамбле, при этом интегрирование производят по стандартному алгоритму leap-frog с временным шагом интегрирования 2 фс и длительностью рассчитанных траекторий 100 нс, при этом перед анализом полученных траекторий устраняют артефакты, возникающие из-за квазибесконечных периодических граничных условий, по данным полученных траекторий строят графики среднеквадратичных флуктуаций атомов С? (RMSF) и вычисляют изменения энергий при образовании олигомеров белка, при этом для расчетов изменения свободной энергии при образовании олигомеров используют метод MM/GBSA, проводят вычисление свободной энергии для каждой траектории по результатам МД-моделирования, с помощью программы GROMACS, на 1000 фреймах с применением модуля gmx_MMPBSA версии 1.4.0 в сочетании со скриптом MMPBSA.py и пакетом AmberTools20, устанавливают оптимальные для кристаллизации исследуемого белка параметры, при которых наблюдаются наименьшие среднеквадратичные флуктуации атомов олигомеров и наибольшее уменьшение свободной энергии.
Основное назначение
Изобретение относится к способам оптимизации условий кристаллизации белков для последующего выращивания белкового кристалла в оптимизированных условиях и расшифровки структуры белка с высоким разрешением с помощью рентгеноструктурного анализа и может быть применено в области белковой кристаллографии. Техническим результатом является удешевление и ускорение этапа оптимизационного скрининга условий кристаллизации белков. Для его достижения предложен способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики, заключающийся в том, что выделяют олигомеры, содержащиеся в предкристаллизационном растворе, к полученным олигомерам применяют вычисление молекулярной динамики и изменения свободной энергии при формировании олигомера в различных условиях рН, типа осадителя, концентрации осадителя, температуры согласно следующему протоколу, заключающемуся в том, что для каждых моделируемых условий кристаллизации сначала задают рН системы путем определения состояний протонирования аминокислотных остатков в составе олигомеров с помощью программы PROPKA, после чего все расчеты и подготовку структур к ним выполняют в программном пакете GROMACS, подготовленные структуры помещают в центр ячейки моделирования, при этом минимальное расстояние между ее краем и молекулой белка составляет 1 нм, при этом остальное пространство ячейки заполняют водой, в систему добавляют компоненты осадителя в необходимой концентрации, осуществляют минимизацию энергии и NVT- и NPT-уравновешивание систем, проводят вычисление продуктивной МД в NPT-ансамбле, при этом интегрирование производят по стандартному алгоритму leap-frog с временным шагом интегрирования 2 фс и длительностью рассчитанных траекторий 100 нс, при этом перед анализом полученных траекторий устраняют артефакты, возникающие из-за квазибесконечных периодических граничных условий, по данным полученных траекторий строят графики среднеквадратичных флуктуаций атомов С? (RMSF) и вычисляют изменения энергий при образовании олигомеров белка, при этом для расчетов изменения свободной энергии при образовании олигомеров используют метод MM/GBSA, проводят вычисление свободной энергии для каждой траектории по результатам МД-моделирования, с помощью программы GROMACS, на 1000 фреймах с применением модуля gmx_MMPBSA версии 1.4.0 в сочетании со скриптом MMPBSA.py и пакетом AmberTools20, устанавливают оптимальные для кристаллизации исследуемого белка параметры, при которых наблюдаются наименьшие среднеквадратичные флуктуации атомов олигомеров и наибольшее уменьшение свободной энергии. Способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики, заключающийся в том, что выделяют олигомеры, содержащиеся в предкристаллизационном растворе, к полученным олигомерам применяют вычисление молекулярной динамики и изменения свободной энергии при формировании олигомера в различных условиях рН, типа осадителя, концентрации осадителя, температуры согласно следующему протоколу, заключающемуся в том, что для каждых моделируемых условий кристаллизации сначала задают рН системы путем определения состояний протонирования аминокислотных остатков в составе олигомеров с помощью программы PROPKA, после чего все расчеты и подготовку структур к ним выполняют в программном пакете GROMACS, подготовленные структуры помещают в центр ячейки моделирования, при этом минимальное расстояние между ее краем и молекулой белка составляет 1 нм, при этом остальное пространство ячейки заполняют водой, в систему добавляют компоненты осадителя в необходимой концентрации, осуществляют минимизацию энергии и NVT- и NPT-уравновешивание систем, проводят вычисление продуктивной МД в NPT-ансамбле, при этом интегрирование производят по стандартному алгоритму leap-frog с временным шагом интегрирования 2 фс и длительностью рассчитанных траекторий 100 нс, при этом перед анализом полученных траекторий устраняют артефакты, возникающие из-за квазибесконечных периодических граничных условий, по данным полученных траекторий строят графики среднеквадратичных флуктуаций атомов С? (RMSF) и вычисляют изменения энергий при образовании олигомеров белка, при этом для расчетов изменения свободной энергии при образовании олигомеров используют метод MM/GBSA, проводят вычисление свободной энергии для каждой траектории по результатам МД-моделирования, с помощью программы GROMACS, на 1000 фреймах с применением модуля gmx_MMPBSA версии 1.4.0 в сочетании со скриптом MMPBSA.py и пакетом AmberTools20, устанавливают оптимальные для кристаллизации исследуемого белка параметры, при которых наблюдаются наименьшие среднеквадратичные флуктуации атомов олигомеров и наибольшее уменьшение свободной энергии.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики, заключающийся в том, что выделяют олигомеры, содержащиеся в предкристаллизационном растворе, к полученным олигомерам применяют вычисление молекулярной динамики и изменения свободной энергии при формировании олигомера в различных условиях рН, типа осадителя, концентрации осадителя, температуры согласно следующему протоколу, заключающемуся в том, что для каждых моделируемых условий кристаллизации сначала задают рН системы путем определения состояний протонирования аминокислотных остатков в составе олигомеров с помощью программы PROPKA, после чего все расчеты и подготовку структур к ним выполняют в программном пакете GROMACS, подготовленные структуры помещают в центр ячейки моделирования, при этом минимальное расстояние между ее краем и молекулой белка составляет 1 нм, при этом остальное пространство ячейки заполняют водой, в систему добавляют компоненты осадителя в необходимой концентрации, осуществляют минимизацию энергии и NVT- и NPT-уравновешивание систем, проводят вычисление продуктивной МД в NPT-ансамбле, при этом интегрирование производят по стандартному алгоритму leap-frog с временным шагом интегрирования 2 фс и длительностью рассчитанных траекторий 100 нс, при этом перед анализом полученных траекторий устраняют артефакты, возникающие из-за квазибесконечных периодических граничных условий, по данным полученных траекторий строят графики среднеквадратичных флуктуаций атомов С? (RMSF) и вычисляют изменения энергий при образовании олигомеров белка, при этом для расчетов изменения свободной энергии при образовании олигомеров используют метод MM/GBSA, проводят вычисление свободной энергии для каждой траектории по результатам МД-моделирования, с помощью программы GROMACS, на 1000 фреймах с применением модуля gmx_MMPBSA версии 1.4.0 в сочетании со скриптом MMPBSA.py и пакетом AmberTools20, устанавливают оптимальные для кристаллизации исследуемого белка параметры, при которых наблюдаются наименьшие среднеквадратичные флуктуации атомов олигомеров и наибольшее уменьшение свободной энергии.
Основное назначение
Способ оптимизации условий кристаллизации белков с применением метода молекулярной динамики, заключающийся в том, что выделяют олигомеры, содержащиеся в предкристаллизационном растворе, к полученным олигомерам применяют вычисление молекулярной динамики и изменения свободной энергии при формировании олигомера в различных условиях рН, типа осадителя, концентрации осадителя, температуры согласно следующему протоколу, заключающемуся в том, что для каждых моделируемых условий кристаллизации сначала задают рН системы путем определения состояний протонирования аминокислотных остатков в составе олигомеров с помощью программы PROPKA, после чего все расчеты и подготовку структур к ним выполняют в программном пакете GROMACS, подготовленные структуры помещают в центр ячейки моделирования, при этом минимальное расстояние между ее краем и молекулой белка составляет 1 нм, при этом остальное пространство ячейки заполняют водой, в систему добавляют компоненты осадителя в необходимой концентрации, осуществляют минимизацию энергии и NVT- и NPT-уравновешивание систем, проводят вычисление продуктивной МД в NPT-ансамбле, при этом интегрирование производят по стандартному алгоритму leap-frog с временным шагом интегрирования 2 фс и длительностью рассчитанных траекторий 100 нс, при этом перед анализом полученных траекторий устраняют артефакты, возникающие из-за квазибесконечных периодических граничных условий, по данным полученных траекторий строят графики среднеквадратичных флуктуаций атомов С? (RMSF) и вычисляют изменения энергий при образовании олигомеров белка, при этом для расчетов изменения свободной энергии при образовании олигомеров используют метод MM/GBSA, проводят вычисление свободной энергии для каждой траектории по результатам МД-моделирования, с помощью программы GROMACS, на 1000 фреймах с применением модуля gmx_MMPBSA версии 1.4.0 в сочетании со скриптом MMPBSA.py и пакетом AmberTools20, устанавливают оптимальные для кристаллизации исследуемого белка параметры, при которых наблюдаются наименьшие среднеквадратичные флуктуации атомов олигомеров и наибольшее уменьшение свободной энергии.
|
||
|
364
|
Патент 2771880
|
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения параметров дисперсных частиц или капель в потоках газа. Способ определения параметров дисперсной фазы в аэрозольном потоке включает определение скорости дисперсной фазы в аэрозольном потоке путем фокусировки света от одного или двух лазеров в двух точках вдоль оси аэрозольного потока, которые отделены друг от друга на известное расстояние, с последующим направлением рассеянного частицами света на фотодетектор, при этом одномодовое лазерное излучение фокусируют с помощью первой линзы и первой диафрагмы в одной точке аэрозольного потока в перетяжку с заранее измеренным известным гауссовым распределением интенсивности в поперечном сечении луча, рассеянный пролетающими частицами в области перетяжки свет фокусируют с помощью второй линзы и второй диафрагмы на площадке фотодетектора, регистрируют формы импульсов рассеянного света на площадке фотодетектора электронным блоком и быстродействующим аналого-цифровым преобразователем, с помощью специальной программы на компьютере обрабатывают формы импульсов, определяют их амплитуды и полуширины, количество зарегистрированных импульсов, вычисляют скорости частиц, вычисляют распределение по размерам и концентрации частиц, проводят расчет и визуализацию результатов измерений скорости частиц, их размеров и концентрации в аэрозольном облаке с помощью компьютерной программы. Техническим результатом является возможность одновременного определения скоростей, размеров и концентрации частиц в аэрозольном потоке, включая нестационарный поток. Способ определения параметров дисперсной фазы в аэрозольном потоке, заключающийся в том, что определяют скорость дисперсной фазы в аэрозольном потоке путем фокусировки света от одного или двух лазеров в двух точках вдоль оси аэрозольного потока, которые отделены друг от друга на известное расстояние, с последующим направлением рассеянного частицами света на фотодетектор, отличающийся тем, что одномодовое лазерное излучение фокусируют с помощью первой линзы и первой диафрагмы в одной точке аэрозольного потока в перетяжку с заранее измеренным известным гауссовым распределением интенсивности в поперечном сечении луча, рассеянный пролетающими частицами в области перетяжки свет фокусируют с помощью второй линзы и второй диафрагмы на площадке фотодетектора, регистрируют формы импульсов рассеянного света на площадке фотодетектора электронным блоком и быстродействующим аналого-цифровым преобразователем, с помощью специальной программы на компьютере обрабатывают формы импульсов, определяют их амплитуды и полуширины, количество зарегистрированных импульсов, вычисляют скорости частиц, вычисляют распределение по размерам и концентрации частиц, проводят расчет и визуализацию результатов измерений скорости частиц, их размеров и концентрации в аэрозольном облаке с помощью компьютерной программы.
Основное назначение
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения параметров дисперсных частиц или капель в потоках газа. Способ определения параметров дисперсной фазы в аэрозольном потоке включает определение скорости дисперсной фазы в аэрозольном потоке путем фокусировки света от одного или двух лазеров в двух точках вдоль оси аэрозольного потока, которые отделены друг от друга на известное расстояние, с последующим направлением рассеянного частицами света на фотодетектор, при этом одномодовое лазерное излучение фокусируют с помощью первой линзы и первой диафрагмы в одной точке аэрозольного потока в перетяжку с заранее измеренным известным гауссовым распределением интенсивности в поперечном сечении луча, рассеянный пролетающими частицами в области перетяжки свет фокусируют с помощью второй линзы и второй диафрагмы на площадке фотодетектора, регистрируют формы импульсов рассеянного света на площадке фотодетектора электронным блоком и быстродействующим аналого-цифровым преобразователем, с помощью специальной программы на компьютере обрабатывают формы импульсов, определяют их амплитуды и полуширины, количество зарегистрированных импульсов, вычисляют скорости частиц, вычисляют распределение по размерам и концентрации частиц, проводят расчет и визуализацию результатов измерений скорости частиц, их размеров и концентрации в аэрозольном облаке с помощью компьютерной программы. Техническим результатом является возможность одновременного определения скоростей, размеров и концентрации частиц в аэрозольном потоке, включая нестационарный поток. Способ определения параметров дисперсной фазы в аэрозольном потоке, заключающийся в том, что определяют скорость дисперсной фазы в аэрозольном потоке путем фокусировки света от одного или двух лазеров в двух точках вдоль оси аэрозольного потока, которые отделены друг от друга на известное расстояние, с последующим направлением рассеянного частицами света на фотодетектор, отличающийся тем, что одномодовое лазерное излучение фокусируют с помощью первой линзы и первой диафрагмы в одной точке аэрозольного потока в перетяжку с заранее измеренным известным гауссовым распределением интенсивности в поперечном сечении луча, рассеянный пролетающими частицами в области перетяжки свет фокусируют с помощью второй линзы и второй диафрагмы на площадке фотодетектора, регистрируют формы импульсов рассеянного света на площадке фотодетектора электронным блоком и быстродействующим аналого-цифровым преобразователем, с помощью специальной программы на компьютере обрабатывают формы импульсов, определяют их амплитуды и полуширины, количество зарегистрированных импульсов, вычисляют скорости частиц, вычисляют распределение по размерам и концентрации частиц, проводят расчет и визуализацию результатов измерений скорости частиц, их размеров и концентрации в аэрозольном облаке с помощью компьютерной программы.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ определения параметров дисперсной фазы в аэрозольном потоке, заключающийся в том, что определяют скорость дисперсной фазы в аэрозольном потоке путем фокусировки света от одного или двух лазеров в двух точках вдоль оси аэрозольного потока, которые отделены друг от друга на известное расстояние, с последующим направлением рассеянного частицами света на фотодетектор, отличающийся тем, что одномодовое лазерное излучение фокусируют с помощью первой линзы и первой диафрагмы в одной точке аэрозольного потока в перетяжку с заранее измеренным известным гауссовым распределением интенсивности в поперечном сечении луча, рассеянный пролетающими частицами в области перетяжки свет фокусируют с помощью второй линзы и второй диафрагмы на площадке фотодетектора, регистрируют формы импульсов рассеянного света на площадке фотодетектора электронным блоком и быстродействующим аналого-цифровым преобразователем, с помощью специальной программы на компьютере обрабатывают формы импульсов, определяют их амплитуды и полуширины, количество зарегистрированных импульсов, вычисляют скорости частиц, вычисляют распределение по размерам и концентрации частиц, проводят расчет и визуализацию результатов измерений скорости частиц, их размеров и концентрации в аэрозольном облаке с помощью компьютерной программы.
Основное назначение
Способ определения параметров дисперсной фазы в аэрозольном потоке, заключающийся в том, что определяют скорость дисперсной фазы в аэрозольном потоке путем фокусировки света от одного или двух лазеров в двух точках вдоль оси аэрозольного потока, которые отделены друг от друга на известное расстояние, с последующим направлением рассеянного частицами света на фотодетектор, отличающийся тем, что одномодовое лазерное излучение фокусируют с помощью первой линзы и первой диафрагмы в одной точке аэрозольного потока в перетяжку с заранее измеренным известным гауссовым распределением интенсивности в поперечном сечении луча, рассеянный пролетающими частицами в области перетяжки свет фокусируют с помощью второй линзы и второй диафрагмы на площадке фотодетектора, регистрируют формы импульсов рассеянного света на площадке фотодетектора электронным блоком и быстродействующим аналого-цифровым преобразователем, с помощью специальной программы на компьютере обрабатывают формы импульсов, определяют их амплитуды и полуширины, количество зарегистрированных импульсов, вычисляют скорости частиц, вычисляют распределение по размерам и концентрации частиц, проводят расчет и визуализацию результатов измерений скорости частиц, их размеров и концентрации в аэрозольном облаке с помощью компьютерной программы.
|
||
|
365
|
Патент 2767298
|
Изобретение относится к способу обеспечения ядерной безопасности высокотемпературного реактора на быстрых нейтронах и может быть использовано в ядерных реакторах, в частности с шаровыми микротвэлами. Способ включает полную загрузку металлического корпуса активной зоны топливными сборками, содержащими поглотитель нейтронов, торий и ядерное топливо из окиси урана-235 в виде микротвэлов, а также поглощающие стержни из карбида бора. Причем в промежутки между микротвэлами вводится поглотитель нейтронов, представляющий собой жидкий кадмий, обогащенный не менее чем на 90% по изотопу 113Cd. На внешнюю поверхность металлического корпуса активной зоны ядерного реактора нанесен тонкий 2-6 мм твердый слой карбида бора. Техническим результатом является повышение безопасности реактора при транспортировке, а также возможность снижения количества управляющих органов, блоков СУЗ и снижения массы требуемого обогащенного топлива для обеспечения критичности в нормальных условиях при высоких температурах в активной зоне. 1. Способ обеспечения ядерной безопасности высокотемпературного реактора на быстрых нейтронах, включающий полную загрузку металлического корпуса активной зоны топливными сборками, содержащими поглотитель нейтронов, торий и ядерное топливо из окиси урана-235 в виде микротвэлов, и поглощающие стержни из карбида бора, отличающийся тем, что в промежутки между микротвэлами вводится поглотитель нейтронов, представляющий собой жидкий кадмий, обогащенный по изотопу 113Cd не менее чем на 90%, на внешнюю поверхность металлического корпуса активной зоны ядерного реактора нанесен тонкий 2-6 мм твердый слой карбида бора.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что топливные сборки выполняют различной формы для включения в активную зону, содержащую шаровые микротвэлы из окиси урана и окиси тория, и заливают расплавом кадмия, после чего формы охлаждают и устанавливают по месту в металлический корпус под контролем системы управления защитой.
Основное назначение
Изобретение относится к способу обеспечения ядерной безопасности высокотемпературного реактора на быстрых нейтронах и может быть использовано в ядерных реакторах, в частности с шаровыми микротвэлами. Способ включает полную загрузку металлического корпуса активной зоны топливными сборками, содержащими поглотитель нейтронов, торий и ядерное топливо из окиси урана-235 в виде микротвэлов, а также поглощающие стержни из карбида бора. Причем в промежутки между микротвэлами вводится поглотитель нейтронов, представляющий собой жидкий кадмий, обогащенный не менее чем на 90% по изотопу 113Cd. На внешнюю поверхность металлического корпуса активной зоны ядерного реактора нанесен тонкий 2-6 мм твердый слой карбида бора. Техническим результатом является повышение безопасности реактора при транспортировке, а также возможность снижения количества управляющих органов, блоков СУЗ и снижения массы требуемого обогащенного топлива для обеспечения критичности в нормальных условиях при высоких температурах в активной зоне. 1. Способ обеспечения ядерной безопасности высокотемпературного реактора на быстрых нейтронах, включающий полную загрузку металлического корпуса активной зоны топливными сборками, содержащими поглотитель нейтронов, торий и ядерное топливо из окиси урана-235 в виде микротвэлов, и поглощающие стержни из карбида бора, отличающийся тем, что в промежутки между микротвэлами вводится поглотитель нейтронов, представляющий собой жидкий кадмий, обогащенный по изотопу 113Cd не менее чем на 90%, на внешнюю поверхность металлического корпуса активной зоны ядерного реактора нанесен тонкий 2-6 мм твердый слой карбида бора.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что топливные сборки выполняют различной формы для включения в активную зону, содержащую шаровые микротвэлы из окиси урана и окиси тория, и заливают расплавом кадмия, после чего формы охлаждают и устанавливают по месту в металлический корпус под контролем системы управления защитой.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ обеспечения ядерной безопасности высокотемпературного реактора на быстрых нейтронах, включающий полную загрузку металлического корпуса активной зоны топливными сборками, содержащими поглотитель нейтронов, торий и ядерное топливо из окиси урана-235 в виде микротвэлов, и поглощающие стержни из карбида бора, отличающийся тем, что в промежутки между микротвэлами вводится поглотитель нейтронов, представляющий собой жидкий кадмий, обогащенный по изотопу 113Cd не менее чем на 90%, на внешнюю поверхность металлического корпуса активной зоны ядерного реактора нанесен тонкий 2-6 мм твердый слой карбида бора.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что топливные сборки выполняют различной формы для включения в активную зону, содержащую шаровые микротвэлы из окиси урана и окиси тория, и заливают расплавом кадмия, после чего формы охлаждают и устанавливают по месту в металлический корпус под контролем системы управления защитой.
Основное назначение
1. Способ обеспечения ядерной безопасности высокотемпературного реактора на быстрых нейтронах, включающий полную загрузку металлического корпуса активной зоны топливными сборками, содержащими поглотитель нейтронов, торий и ядерное топливо из окиси урана-235 в виде микротвэлов, и поглощающие стержни из карбида бора, отличающийся тем, что в промежутки между микротвэлами вводится поглотитель нейтронов, представляющий собой жидкий кадмий, обогащенный по изотопу 113Cd не менее чем на 90%, на внешнюю поверхность металлического корпуса активной зоны ядерного реактора нанесен тонкий 2-6 мм твердый слой карбида бора.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что топливные сборки выполняют различной формы для включения в активную зону, содержащую шаровые микротвэлы из окиси урана и окиси тория, и заливают расплавом кадмия, после чего формы охлаждают и устанавливают по месту в металлический корпус под контролем системы управления защитой.
|
||
|
366
|
Патент 2768948
|
Изобретение относится к способам формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, которые могут быть использованы в устройствах спинтроники. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge включает осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при этом поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20?150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1?100)?10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм. Техническим результатом заявляемого изобретения является формирование эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge с атомно-резким интерфейсом без использования буферных слоев. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, включающий осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20?150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1?100)?10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм.
Основное назначение
Изобретение относится к способам формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, которые могут быть использованы в устройствах спинтроники. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge включает осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при этом поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20?150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1?100)?10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм. Техническим результатом заявляемого изобретения является формирование эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge с атомно-резким интерфейсом без использования буферных слоев. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, включающий осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20?150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1?100)?10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, включающий осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20?150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1?100)?10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм.
Основное назначение
Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, включающий осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, отличающийся тем, что поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20?150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1?100)?10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2?ФEu/ФO2?2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм.
|
||
|
367
|
Патент 2772078
|
Использование: для измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах. Сущность изобретения заключается в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС содержащих изотоп 12С ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гама-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС. Технический результат: обеспечение возможности с повышенной точностью и достоверностью измерить массовое содержания УС в жидкой, твердой, газообразной и органической среде без разрушения структуры образцов. Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
Основное назначение
Использование: для измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах. Сущность изобретения заключается в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС содержащих изотоп 12С ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гама-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС. Технический результат: обеспечение возможности с повышенной точностью и достоверностью измерить массовое содержания УС в жидкой, твердой, газообразной и органической среде без разрушения структуры образцов. Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
Основное назначение
Способ измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах с помощью гамма-излучающей метки 7Ве, заключающийся в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС, содержащих изотоп 12С, ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гамма-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС.
|
||
|
368
|
Патент 2781053
|
Изобретение относится к способам маркировки нефти и продуктов ее переработки. Описан способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора. Технический результат - маркировка нефти и продуктов ее переработки для идентификации и контроля качества продукции Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.
Основное назначение
Изобретение относится к способам маркировки нефти и продуктов ее переработки. Описан способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора. Технический результат - маркировка нефти и продуктов ее переработки для идентификации и контроля качества продукции Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.
Основное назначение
Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.
|
||
|
369
|
Патент 2762083
|
Изобретение относится к технологии выращивания сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100 %-ным содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) и может быть использовано при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения. Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида CeBr3 включает плавление исходной шихты и выращивание кристаллов в кварцевых ампулах или в графитовой лодочке в установке для ГНК путем их перемещения через зону нагрева, при этом ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откачанного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99 %, подогревают до температуры более 100°C в течение 2 ч, откачивают до 10-3 мм рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, далее ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм рт.ст. нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 ч до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/ч, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, а при выращивании в графитовой лодочке исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм рт.ст., сушат при температуре 200°C в течение 24 ч, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2 до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 732°C, поднимают температуру на 50°C и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/ч, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15°/ч. Техническим результатом является получение материалов стехиометрического состава CeBr3 с чистотой 99,99 % в виде монокристаллических образцов либо поликристаллов. Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида, включающий плавление исходной шихты в контейнере и выращивание кристаллов в установке для горизонтальной направленной кристаллизации путем перемещения контейнера через зону нагрева, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов CeBr3 осуществляют в кварцевых ампулах или в графитовой лодочке, при этом ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откачанного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99 %, подогревают до температуры более 100°C в течение 2 ч, откачивают до 10-3 мм рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, далее ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм рт.ст. нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 ч до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/ч, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, а при выращивании в графитовой лодочке исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм рт.ст., сушат при температуре 200°C в течение 24 ч, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2, до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 732°C, поднимают температуру на 50°C и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/ч, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15°/ч.
Основное назначение
Изобретение относится к технологии выращивания сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100 %-ным содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) и может быть использовано при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения. Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида CeBr3 включает плавление исходной шихты и выращивание кристаллов в кварцевых ампулах или в графитовой лодочке в установке для ГНК путем их перемещения через зону нагрева, при этом ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откачанного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99 %, подогревают до температуры более 100°C в течение 2 ч, откачивают до 10-3 мм рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, далее ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм рт.ст. нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 ч до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/ч, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, а при выращивании в графитовой лодочке исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм рт.ст., сушат при температуре 200°C в течение 24 ч, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2 до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 732°C, поднимают температуру на 50°C и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/ч, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15°/ч. Техническим результатом является получение материалов стехиометрического состава CeBr3 с чистотой 99,99 % в виде монокристаллических образцов либо поликристаллов. Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида, включающий плавление исходной шихты в контейнере и выращивание кристаллов в установке для горизонтальной направленной кристаллизации путем перемещения контейнера через зону нагрева, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов CeBr3 осуществляют в кварцевых ампулах или в графитовой лодочке, при этом ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откачанного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99 %, подогревают до температуры более 100°C в течение 2 ч, откачивают до 10-3 мм рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, далее ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм рт.ст. нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 ч до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/ч, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, а при выращивании в графитовой лодочке исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм рт.ст., сушат при температуре 200°C в течение 24 ч, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2, до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 732°C, поднимают температуру на 50°C и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/ч, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15°/ч.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида, включающий плавление исходной шихты в контейнере и выращивание кристаллов в установке для горизонтальной направленной кристаллизации путем перемещения контейнера через зону нагрева, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов CeBr3 осуществляют в кварцевых ампулах или в графитовой лодочке, при этом ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откачанного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99 %, подогревают до температуры более 100°C в течение 2 ч, откачивают до 10-3 мм рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, далее ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм рт.ст. нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 ч до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/ч, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, а при выращивании в графитовой лодочке исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм рт.ст., сушат при температуре 200°C в течение 24 ч, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2, до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 732°C, поднимают температуру на 50°C и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/ч, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15°/ч.
Основное назначение
Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида, включающий плавление исходной шихты в контейнере и выращивание кристаллов в установке для горизонтальной направленной кристаллизации путем перемещения контейнера через зону нагрева, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов CeBr3 осуществляют в кварцевых ампулах или в графитовой лодочке, при этом ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откачанного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99 %, подогревают до температуры более 100°C в течение 2 ч, откачивают до 10-3 мм рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, далее ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм рт.ст. нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 ч до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/ч, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, а при выращивании в графитовой лодочке исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм рт.ст., сушат при температуре 200°C в течение 24 ч, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2, до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 732°C, поднимают температуру на 50°C и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/ч, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15°/ч.
|
||
|
370
|
Патент 2756577
|
Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
Основное назначение
Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
Основное назначение
1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле:
Ф=I?tотк,,
где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы,
измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы,
время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы.
7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.
|
||