Изобретения

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего уровня 11, каждая из кристаллизационных установок 1 каждого блока кластера нижнего уровня 11 подключена к блоку индикации и управления 13 кристаллизационными установками 1 нижнего уровня 11, снабженному одним или более контроллером 14 и одним или более средством индикации функционирования 15 кристаллизационных установок блока, входящих в кластер, и коммутатором 16 нижнего уровня, совокупность кластеров нижнего уровня 11 образует кластер верхнего уровня 12, содержащий, например, десять кластеров нижнего уровня 11, каждый из коммутаторов 16 блока индикации и управления 13 кристаллизационных установок 1 нижнего уровня 11 подключен к коммутатору 17 верхнего уровня, который подключен к центральному серверу 18 и автоматизированным рабочим местам 19, служащим для загрузки и редактирования технологической программы в каждую кристаллизационную установку 1 и контроля за функционированием кластеров нижнего уровня 11, входящих в состав кластера верхнего уровня 12 любой из кристаллизационных установок 1, входящих в кластер 11. При этом кластеры нижнего уровня 11 могут быть дистанционно размещены на значительном расстоянии от автоматизированных рабочих мест 19, осуществляющих управление работой кристаллизационных установок. Технический результат – возможность массового выращивания кристаллов высокого качества для оптико-электронных приборов в промышленных объемах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к области спинтроники. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, создание на одной из поверхностей матрицы слоя меди в две стадии, на первой термическим способом наносят первый тонкий слой меди, а на второй - гальваническим осаждением, при этом электролит состоит из смеси водных растворов солей магнитного и немагнитного металла, матрицу размещают в ячейке, заполненной смесью электролитов и подключенной к программируемому источнику тока для подачи на ячейку циклически изменяющегося напряжения. Одновременно проводят синхронизованный с изменением напряжения поворот ячейки в поле постоянного магнита, по достижении заданного количества слоев нанопроволок подачу напряжения прекращают и удаляют из ячейки матрицу с нанопроволоками. Устройство содержит ячейку с электролитом, в которой размещена матрица с проводящим слоем меди, выполняющим функцию электрода. Этот слой и второй электрод подключены к программируемому потенциостату-гальваностату, связанному с блоком управления, ячейка размещена между полюсами магнита с возможностью поворота посредством сервопривода, подключенного к микроконтроллеру, который электрически связан с блоком управления и потенциостатом-гальваностатом. Технический результат - реализация возможности эффективного производства спинтронных слоевых нанопроволок из ферромагнитных материалов с программируемой структурой. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 пр., 3 ил.

Изобретение относится к области интегральной электроники и, в частности, к передаче импульсных сигналов в цифровых микросхемах с высокой степенью интеграции. Задачей настоящего изобретения является передача импульсных сигналов в микросхеме с наименьшими затратами энергии для заданной частоты этих сигналов за счет использования универсальных блоков приемника и передатчика с переключаемыми режимами работы. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является уменьшение числа элементов в схеме, снижение потребляемой мощности и уменьшение площади блока на кристалле микросхемы. Отличительные признаки технического решения состоят в том, что передача импульсных сигналов в проводной линии связи импульсами тока или импульсами напряжения осуществляется одними и теми же усилительными узлами. А изменения параметров сигналов, выходного сопротивления передатчика и входного сопротивления приемника достигаются только за счет коммутации резисторов с использованием аналоговых ключей. 2 ил.

Изобретение относится к области квантовых вычислений, конкретно к изготовлению квантовых компьютеров по полупроводниковой технологии. Сущность предлагаемого технического решения заключается в следующем. В качестве квантового регистра предлагается формирование полупроводникового провода, окруженного изолятором, с нанесенными на него управляющими электродами. При этом на концах провода расположены контакты для пропускания тока, а в качестве коллективного регистра предлагается использовать несколько полупроводниковых проводов с общими управляющими электродами и контактами. Техническим результатом, достигаемым при осуществлении заявленного изобретения, является обеспечение масштабируемости универсального квантового компьютера на основе двойных квантовых точек, повышение устойчивости регистра к внешним шумам, а также увеличение точности измерения конечного состояния. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени. Монокристалл выращивают из маточного раствора методом охлаждения. Предварительно маточный раствор и кристаллизатор с заранее размещенным внутри него затравочным кристаллом перегревают на 8-9°С выше температуры насыщения раствора. Затем заливают раствор в кристаллизатор, понижают температуру раствора до температуры, меньшей температуры насыщения на 0.1-0.5°С, начинают перемешивание раствора, термостатируют раствор при указанной температуре в течение 20-28 часов, после чего производят поэтапное снижение температуры раствора, на первом этапе температуру раствора снижают на 0.5-2°С, а на втором этапе снижение температуры ведут со скоростью от 0.6°С до 4°С в сутки, по завершении второго этапа раствор сливают, снижают температуру внутри кристаллизатора до комнатной и затем извлекают монокристалл из кристаллизатора. Монокристалл сохраняет термостабильность неограниченное время вплоть до температуры 130°С, что повышает эксплуатационную надежность приборов, в которых он используется, и пропускает ультрафиолетовое излучение в диапазоне волн от 220 до 320 нм. Приведены параметры решетки кристалла, (?): а=6.3576(8), b=12.7660(17), с=9.2550(10), ?=106.97(01)°, V=718.4 ?3, Z=2, dвыч=2.887 г·см-3. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава. Беспроводное устройство для измерения температуры, содержащее термодатчик, блок питания и блок аналого-цифрового преобразования, выполнено в виде большой интегральной схемы, заключенной в корпусе, размещенном внутри объема вакуумной камеры. В качестве термодатчика применена термопара, сигнал от рабочего спая которой поступает в первый блок - блок первичной фильтрации аналогового сигнала, содержащий блок фильтрации входного сигнала, блок усиления входного сигнала и блок фильтрации входного сигнала после его усиления. К названному блоку подключен датчик ненулевой температуры рабочего спая термопары. Первый блок подключен ко второму блоку - блоку цифровой обработки сигнала, выполненному в виде контроллера, который преобразует аналоговые сигналы в цифровую информацию, производит обработку этой информации и направляет данные, полученные в результате обработки информации, в третий блок - блок приемопередачи. Все названные блоки подключены к четвертому блоку - блоку стабилизации и фильтрации питающего напряжения, который подключен к источнику питания. В качестве третьего блока применен блок приемопередачи сигналов на основе bluetooth модуля НС-05, передающий по протоколу последовательного порта RFCOMM. За пределами вакуумной камеры размещен приемник сигналов, поступающих по беспроводной связи от блока приемопередачи, который подключен к конечному потребителю информации о замеряемом параметре внутри вакуумной камеры. В качестве конечного потребителя используется компьютер или смартфон. Технический результат – расширение функциональных возможностей устройства. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано для изготовления полимерных скаффолдов, предназначенных для регенерации дефектов костных и хрящевых тканей. Предложен способ упрочнения полимерных скаффолдов из полилактида путем химической сшивки, согласно которому образец полимерного скаффолда из полилактида вымачивают в 0,3-3 мас.% водном растворе фотоинициатора 2-гидрокси-1-(4-(2-гидроксиэтокси)фенил)-2-метилпропан-1-она в течение 60 мин, после чего указанный образец облучают ультрафиолетовым светом с длиной волны в диапазоне 200-400 нм с интенсивностью в диапазоне 3-20 мВт/см2 в течение от 20 до 250 мин. Изобретение обеспечивает увеличение механических характеристик во всем объеме скаффолда без деформации и изменения пространственной структуры образца. 1 пр., 1 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с последующим наращиванием слоя до толщины 3-7 мкм в гальванической ванне с медным купоросом, приготовление гальванической ванны из смеси Н3ВО3 - 25-35 г/л; CuSO4?5H2O - 4-8 г/л; NiSO4?7H2O - 160-220 г/л при соотношении солей никеля и меди в диапазоне от 20:1 до 30:1, заполнение пор матрицы чередующимися слоями меди и никеля путем осаждения металлов в гальванической ванне из смеси, при этом циклически изменяют напряжение 0,7 В и 1,8 В для осаждения по отдельности слоев меди и никеля, после заполнения пор слоями меди и никеля трековую полимерную матрицу растворяют в NaOH с концентрацией от 220 г/л до 260 г/л при температуре от 60 до 80°С. Полученные нанопроволоки промывают, а затем растворяют слой меди подложки и одновременно вытравливают из нанопроволок слои меди в растворе NH4OH (150-200 г/л) и CuSO4?5H2O (1 г/л) при комнатной температуре, полученную взвесь из слоев никеля, образующих никелевые стержни, из травильного раствора переносят в воду с помощью магнита. 1 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов и приемников терагерцового излучения. Пролетный диод с переменной инжекцией для генерации и детектирования терагерцового излучения, в котором на полупроводниковой подложке формируются области сильного однотипного легирования с одинаковыми по ширине нелегированными пролетными промежутками между ними, причем на крайние легированные области накладываются выходные металлические контакты диода с отступлением от края зоны легирования, что улучшает согласование диода с антенной, повышает мощность генерации и увеличивает чувствительность детектирования излучения. Технический результат: предлагаемая конструкция пролетного диода обеспечивает согласование его с антенной, повышает мощность генерации и чувствительность детектирования. 4 ил.