Изобретения

Изобретение относится к медицине, а именно к термоэлектрическим охлаждающим устройствам, используемым для охлаждающего и теплового воздействия на рецепторы кожи человека. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на терморецепторы кожи человека содержит источник питания и термоэлектрический модуль с горячими и холодными спаями, соответствующими «горячему» и «холодному» теплопереходам. Модуль закреплен на одном из торцов пустотелого кожуха, к другому торцу которого прикреплен пьезоэлектрический насос с центральным воздушным отверстием, на противоположных концах кожуха выполнены сквозные отверстия. Сторона теплоперехода равна D, высота кожуха Н=0,7D-4,5D, площадь сквозных отверстий со стороны пьезоэлектрического насоса Si=0,2D2-0,45D2, площадь сквозных отверстий со стороны модуля S2=0,25D2-0,85D2, а внутреннее поперечное сечение кожуха S=0,8D2-D2. Достигается охлаждение термомодуля до более низких температур и управление скоростью потока охлаждающего воздуха для регулирования температуры охлаждения. 1 ил

Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре выше комнатной с последующим понижением температуры и постепенным снижением давления в реакторе до атмосферного. Обработку в реакторе ведут в течение 1-2 часов при температуре 40-50°С и давлении 5-15 МПа. Постепенное снижение давления диоксида углерода после обработки производят в течение 0,5-2 часов, при этом скорость потока диоксида углерода, обтекающего скаффолд, поддерживают в диапазоне 0,05-1 мм/с. Использование изобретения позволяет повысить прочность гидрогелевого скаффолда. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и нейрохирургии, и направлено на повышение эффективности лазерного пункционного лечения дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночника. Для этого чрескожный доступ к межпозвонковому диску L5-S1 выполняют путем чрескожной пункции под флюороскопическим контролем. При этом определяют точку ввода хирургического инструмента на 2-3 см латеральнее остистого отростка позвонка S1 в проекции основания его верхнего суставного отростка. Затем вводят инструмент в основание верхнего суставного отростка, проводят его под углом 30-45° к горизонтальной плоскости и 15-30° к аксиальной плоскости, медиально к верхнему краю задних отделов тела S1 позвонка через основание суставного отростка и корень дуги позвонка в межпозвонковый диск L5-S1. В качестве хирургического инструмента используют тонкостенную пункционную иглу, внутри которой размещают оптическое волокно. При прохождении иглы через костные структуры через это волокно подают лазерное излучение мощностью 1-7 Вт. Способ позволяет при лечении дегенеративно-дистрофических заболеваний позвоночных дисков избавиться от болевого синдрома, связанного с фасеточным суставом. 1 з.п. ф-лы, 1 пр., 2 ил.

Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации. Сущность изобретения: способ формирования композиционной структуры включает одновременное воздействие на выбранные участки исходного вещества двух потоков ускоренных частиц, первый из которых состоит из атомов или ионов водорода, с энергией, приводящей к замене выбранного сорта атомов в исходном веществе на атомы, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, или к присоединению атомов, из которых сформирован второй поток ускоренных частиц, к атомам исходного вещества в слое, толщина которого соответствует длине проективного пробега ускоренных ионов или атомов водорода, при этом у замещающих атомов химическое сродство должно быть больше к атомам, остающимся в исходном веществе, чем у заменяемых, а химическое сродство у присоединяемых атомов к атомам исходного вещества должно быть больше, чем у атомов водорода. Техническим результатом изобретения является расширение номенклатуры типов двух- или многоатомных химических соединений, используемых в качестве рабочих слоев и номенклатуры создаваемых композиционных структур с различными химическими и физическими свойствами. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил

Изобретение относится к микробиологической промышленности, медицинской биотехнологии и генной инженерии. Предложен новый способ получения безметионинового интерферона-альфа2b человека. Вначале конструируют рекомбинантные плазмидные ДНК, содержащие ген интерферона-альфа2b человека, перед которым расположен сайт протеолиза энтеропептидазой, и трансформируют ими клетки Escherichia coli. Культивируют клетки и выделяют тельца включения синтезированного предшественника. Затем осуществляют частичную ренатурацию выделенного предшественника в присутствии препятствующего замыканию дисульфидных связей дитиоэритриола. Проводят гидролиз предшественника ферментом энтеропептидазой с образованием безметионинового интерферона-альфа2b человека. После завершения реакции гидролиза предшественника проводят полную ренатурацию интерферона-альфа2b человека в присутствии способствующей замыканию дисульфидных связей пары соединений цистин и цистеин. Очистка полученного белка осуществляется методом хроматографии на КМ-сефарозе. 5 ил.

Изобретение относится к микроскопии, а именно к рентгеновской микроскопии и может применяться, например, для создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. Технический результат - обеспечение возможности создания проекционного рентгеновского микроскопа для проведения неразрушающего контроля и диагностики структур и процессов с высоким разрешением. В микрофокусном рентгеновском источнике, содержащем фемтосекундный лазер, зеркало, объектив, установленную на позиционере, снабженном двигателем, мишень и детектор излучения, по ходу лазерного луча установлено диэлектрическое зеркало, которое отражает инфракрасное излучение лазера в сторону мишени и пропускает излучение видимого диапазона в сторону цифровой камеры, за зеркалом по ходу инфракрасного излучения размещен объектив, снабженный соплом для поддувки газом, за которым по ходу инфракрасного излучения размещена на позиционере мишень в форме диска. Мишень обращена к излучению боковой поверхностью и совершает вращательное и возвратно-поступательное движение в направлении оси вращения. Лазер, цифровая камера, детектор рентгеновского излучения и двигатель позиционера подключены к управляющему компьютеру. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам, а именно к способам работы электрохимического актюатора. Импульсы напряжения переменной полярности, подаваемые на электрод, создают нанопузыри в рабочей камере актюатора. При достаточно высокой амплитуде импульсов концентрация нанопузырей достигает критической величины. Они сливаются в микропузырь, взрывающийся и расширяющийся до большого размера. За счет этого достигается большое перемещение мембраны актюатора. Способ включает заземление одного из электродов, подачу на второй электрод серии импульсов напряжения различной формы переменной полярности с амплитудой, превышающей пороговое напряжение, при котором в рабочей камере актюатора происходит взрыв микропузыря. По достижении взрыва серию импульсов прерывают. Прерывание осуществляют по наступлению спада тока, протекающего через электроды. Пороговое напряжение предварительно определяют путем последовательной подачи на электрод серий импульсов с амплитудой, увеличивающейся от серии к серии до взрыва микропузыря. Подают импульсы напряжения с длительностью, выбранной из диапазона от 0,1 мкс до 5 мкс. Технический результат заключается в улучшении работы электрохимического актюатора. 1 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах. Способ рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия CdWO4 заключается в том, что сначала смешивают оксид кадмия с триоксидом вольфрама в стехиометрическом соотношении 1,13-1,15, нагревают полученную смесь до температуры 1000°С на воздухе с получением материала сверхстехиометрического состава CdzWO4 (z=1,13-1,15), а затем сплавляют его с отходами производства состава CdxWO4 (х=0,95-0,97), извлеченными из тигля после роста кристаллов, с последующей трехкратной перекристаллизацией расплава методом Чохральского с получением кристаллов стехиометрического состава CdWO4. Технический результат состоит в возможности безотходного промышленного выращивания кристаллов CdWO4 с минимальными потерями на переработку остаточного расплава. 5 пр., 2 ил.

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.