|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
291
|
Патент 2824029
|
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
|
||
|
292
|
Патент 2743510
|
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложено наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов, была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Техническим результатом изобретения является создание наноразмерного логического устройства ИЛИ для цифровых схем с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании логических интегральных схем с элементами нанометровых размеров. Предложено наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, при этом оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов, была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние. Техническим результатом изобретения является создание наноразмерного логического устройства ИЛИ для цифровых схем с низким энергопотреблением, высоким быстродействием и с отсутствием гальванической связи между переключаемыми элементами. Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
Основное назначение
Наноразмерное логическое устройство, включающее подключаемые к источнику напряжения параллельно расположенные сверхпроводящие нанопровода, содержащие резистивные участки, отличающееся тем, что оно содержит основной нанопровод с резистивным участком и двумя последовательно расположенными суженными участками, вблизи каждого из которых расположен резистивный участок одного из двух нанопроводов-затворов, а также расположенный параллельно основному нанопроводу выходной нанопровод, содержащий суженный и резистивный участки, при этом его суженный участок расположен вблизи резистивного участка основного нанопровода, а сопротивления резистивных участков затворов подбираются таким образом, чтобы при установленном токе через основной нанопровод мощность, выделяемая на любом из резистивных участков нанопроводов-затворов была бы достаточной для прогрева соседнего ему суженного участка основного нанопровода для инициирования его перехода в нормальное состояние, а величина тока в основном нанопроводе в случае, когда его узкий участок находится в сверхпроводящем состоянии, должна быть меньше величины критического тока для суженных участков основного нанопровода, при этом мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, достаточно для прогрева соседнего суженного участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, а в случае, когда один или два суженных участка основного нанопровода находятся в нормальном состоянии вследствие их прогрева за счет тепла от двух или одного затворов, мощности, выделяемой на резистивном участке основного нанопровода, недостаточно для прогрева соседнего участка выходного нанопровода для его перехода в нормальное состояние, при этом сопротивление резистивного участка выходного нанопровода выбирают из условия протекания в нем тока меньше критического для суженного участка выходного нанопровода при подаче опорного напряжения и выделения на нем достаточного количества тепла, чтобы инициировать переход в нормальное состояние суженного участка соседнего нанопровода следующего логического элемента, но недостаточного для этого при переходе суженного участка выходного нанопровода в нормальное состояние.
|
||
|
293
|
Патент 2643525
|
Изобретение относится к плазменному экспандеру изменяемого объема и к устройствам для формирования плазмы для получения электронных или ионных пучков. Плазменный экспандер изменяемого объема имеет цилиндрическую форму, изготовлен из проводящих материалов, плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны происходит частичное ограничение плазмы. Конструкция экспандера состоит из 1 - цилиндрического основания, 2 - вставки, выполненной в виде кольца (А), выбираемого из набора колец с толщиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм, сильфона (В) или резьбового соединения (С), 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц предусматривает использование указанного плазменного экспандера, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера. При этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5С) собирают экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5А) собирают экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и снижая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской. Техническим результатом является упрощение настройки системы формирования пучка с одновременным повышением ее точности, что обеспечивает получение плоскопараллельного пучка заряженных частиц. 1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному экспандеру изменяемого объема и к устройствам для формирования плазмы для получения электронных или ионных пучков. Плазменный экспандер изменяемого объема имеет цилиндрическую форму, изготовлен из проводящих материалов, плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны происходит частичное ограничение плазмы. Конструкция экспандера состоит из 1 - цилиндрического основания, 2 - вставки, выполненной в виде кольца (А), выбираемого из набора колец с толщиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм, сильфона (В) или резьбового соединения (С), 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц предусматривает использование указанного плазменного экспандера, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера. При этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5С) собирают экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5А) собирают экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и снижая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской. Техническим результатом является упрощение настройки системы формирования пучка с одновременным повышением ее точности, что обеспечивает получение плоскопараллельного пучка заряженных частиц. 1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
Основное назначение
1. Плазменный экспандер для формирования плазмы с целью получения пучков заряженных частиц, который имеет цилиндрическую форму, изготавливается из проводящих материалов, при этом плазма попадает в него через отверстие в аноде, с другой стороны - на выходе происходит частичное ограничение плазмы, отличающийся тем, что плазменный экспандер выполнен с возможностью изменения его длины и объема с целью изменения плотности плазмы, имеет схему устройства, приведенную на фиг. 6 (A, B или C), и состоит из: 1 - основания в виде фланца, 2 - вставки, 3 - фронтальной части, 4 - крышки с эмиссионным отверстием и 5 - оснастки для закрепления деталей, и предназначен для использования с плазменными генераторами для извлечения ионов или электронов.
2. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде кольца.
3. Плазменный экспандер по п. 2, в котором кольцо выбирается из набора колец с длиной от 5 до 30 мм с шагом от 1 до 10 мм.
4. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде сильфона.
5. Плазменный экспандер по п. 1, в котором вставка (2) выполнена в виде резьбового соединения.
6. Способ получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц, включающий извлечение ионов из плазмы, которое осуществляется с помощью электрического поля у поверхности плазмы, где вытягивающее поле образуется между плазменной поверхностью и вытягивающим электродом, а область плазмы ограничивается плазменным экспандером с потенциалом, отличающимся от вытягивающего электрода, отличающийся тем, что для получения плоскопараллельного пучка заряженных частиц используют плазменный экспандер по любому из пп. 1-5, в котором изменяют плотность плазмы за счет управления размерами экспандера, при этом в случае расходящегося пучка от вогнутой границы плазмы (фиг. 5C) выполняют экспандер с более короткой вставкой (2 на фиг. 6), уменьшая длину и объем экспандера, тем самым повышая плотность плазмы, а в случае расходящегося пучка от выгнутой границы плазмы (фиг. 5A) выполняют экспандер с более длинной вставкой (2 на фиг. 6), увеличивая длину экспандера и уменьшая плотность плазмы до достижения плазменной границы близкой к плоской.
|
||
|
294
|
Патент 2371379
|
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
|
||
|
295
|
Патент 2827748
|
Изобретение относится к парогенераторам. Парогенератор содержит сборную конструкцию, предназначенную для передачи тепловой энергии, отведенной от активной зоны ядерного реактора теплоносителем первого контура к рабочему телу второго контура. Перегретый пар, полученный на выходе из парогенератора (ПГ), используется в дальнейшем для трансформации тепловой энергии в механическую, а затем в электрическую. Парогенератор содержит корпус в виде вертикальной цилиндрической камеры, эллиптическое днище, крышку, главный патрубок для подвода-отвода теплоносителя первого контура, внутреннее устройство, входную питательную трубу и паровой выходящий патрубок, расположенные в крышке парогенератора, трубную систему парогенератора, трубные доски для крепления трубной системы, внутренний и внешний цилиндрические экраны, питательные секции, замкнутые на питательную камеру и расположенные под крышкой пароненератора, паровые секции, размещенные над трубной системой, сборную камеру перегретого пара, вытеснитель, расположенный в центральной области внутреннего экрана, систему газоудаления. Технический результат - повышение теплогидравлической эффективности и ресурсных показателей внутреннего устройства парогенератора. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к парогенераторам. Парогенератор содержит сборную конструкцию, предназначенную для передачи тепловой энергии, отведенной от активной зоны ядерного реактора теплоносителем первого контура к рабочему телу второго контура. Перегретый пар, полученный на выходе из парогенератора (ПГ), используется в дальнейшем для трансформации тепловой энергии в механическую, а затем в электрическую. Парогенератор содержит корпус в виде вертикальной цилиндрической камеры, эллиптическое днище, крышку, главный патрубок для подвода-отвода теплоносителя первого контура, внутреннее устройство, входную питательную трубу и паровой выходящий патрубок, расположенные в крышке парогенератора, трубную систему парогенератора, трубные доски для крепления трубной системы, внутренний и внешний цилиндрические экраны, питательные секции, замкнутые на питательную камеру и расположенные под крышкой пароненератора, паровые секции, размещенные над трубной системой, сборную камеру перегретого пара, вытеснитель, расположенный в центральной области внутреннего экрана, систему газоудаления. Технический результат - повышение теплогидравлической эффективности и ресурсных показателей внутреннего устройства парогенератора. 3 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к парогенераторам. Парогенератор содержит сборную конструкцию, предназначенную для передачи тепловой энергии, отведенной от активной зоны ядерного реактора теплоносителем первого контура к рабочему телу второго контура. Перегретый пар, полученный на выходе из парогенератора (ПГ), используется в дальнейшем для трансформации тепловой энергии в механическую, а затем в электрическую. Парогенератор содержит корпус в виде вертикальной цилиндрической камеры, эллиптическое днище, крышку, главный патрубок для подвода-отвода теплоносителя первого контура, внутреннее устройство, входную питательную трубу и паровой выходящий патрубок, расположенные в крышке парогенератора, трубную систему парогенератора, трубные доски для крепления трубной системы, внутренний и внешний цилиндрические экраны, питательные секции, замкнутые на питательную камеру и расположенные под крышкой пароненератора, паровые секции, размещенные над трубной системой, сборную камеру перегретого пара, вытеснитель, расположенный в центральной области внутреннего экрана, систему газоудаления. Технический результат - повышение теплогидравлической эффективности и ресурсных показателей внутреннего устройства парогенератора. 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к парогенераторам. Парогенератор содержит сборную конструкцию, предназначенную для передачи тепловой энергии, отведенной от активной зоны ядерного реактора теплоносителем первого контура к рабочему телу второго контура. Перегретый пар, полученный на выходе из парогенератора (ПГ), используется в дальнейшем для трансформации тепловой энергии в механическую, а затем в электрическую. Парогенератор содержит корпус в виде вертикальной цилиндрической камеры, эллиптическое днище, крышку, главный патрубок для подвода-отвода теплоносителя первого контура, внутреннее устройство, входную питательную трубу и паровой выходящий патрубок, расположенные в крышке парогенератора, трубную систему парогенератора, трубные доски для крепления трубной системы, внутренний и внешний цилиндрические экраны, питательные секции, замкнутые на питательную камеру и расположенные под крышкой пароненератора, паровые секции, размещенные над трубной системой, сборную камеру перегретого пара, вытеснитель, расположенный в центральной области внутреннего экрана, систему газоудаления. Технический результат - повышение теплогидравлической эффективности и ресурсных показателей внутреннего устройства парогенератора. 3 ил.
|
||
|
296
|
Патент 2645680
|
Изобретение относится к палладиевому комплексу, а именно к дихлориду ди(фенилацетонитрил)палладия. Комплекс имеет структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000003.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Также предложен способ его получения. Данный палладиевый комплекс может быть применен в качестве катализатора в органическом синтезе . Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
Основное назначение
Изобретение относится к палладиевому комплексу, а именно к дихлориду ди(фенилацетонитрил)палладия. Комплекс имеет структурную формулу:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000003.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
Также предложен способ его получения. Данный палладиевый комплекс может быть применен в качестве катализатора в органическом синтезе . Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
. Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
Основное назначение
. Дихлорид ди(фенилацетонитрил)палладия, структурной формулы:
https://new.fips.ru/ofpstorage/Doc/IZPM/RUNWC1/000/000/002/645/680/ИЗ-02645680-00001/00000002.jpg
Увеличенное изображение (открывается в отдельном окне)
2. Способ получения дихлорида ди(фенилацетонитрил)палладия, осуществляемый реакцией взаимодействия фенилацетонитрила с дихлоридом палладия при их мольном соотношении, равном или более 2:1, проводимой в среде органического растворителя, имеющего температуру кипения не выше 170°С, с последующим выделением целевого продукта и его очисткой перекристаллизацией из углеводородных растворителей.
3. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия, равном 2:1, и проводимый предпочтительно в бензоле.
4. Способ по п. 2, осуществляемый при мольном соотношении фенилацетонитрила к дихлориду палладия более 2:1 и проводимый в среде фенилацетонитрила, используемого в количестве, необходимом для растворения дихлорида палладия.
5. Способ по п. 2, включающий стадию перекристаллизации целевого продукта из углеводородных растворителей, предпочтительно из гексана или его смеси с бензолом.
|
||
|
297
|
Патент 2712689
|
Изобретение относится к очистке дигидрофосфата калия, который в виде крупногабаритных монокристаллов используется в лазерных установках высокой пиковой мощности. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата включает растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании. Добавляют к полученному раствору щелочной агент. В качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20). Фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция CaHPO4. Раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании. Фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой. Изобретение позволяет получить высокочистый дигидрофосфат калия, содержащий примеси алюминия, железа, хрома и титана на уровне меньше или равно 5?10-6 % масс. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
Основное назначение
Изобретение относится к очистке дигидрофосфата калия, который в виде крупногабаритных монокристаллов используется в лазерных установках высокой пиковой мощности. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата включает растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании. Добавляют к полученному раствору щелочной агент. В качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20). Фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция CaHPO4. Раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании. Фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой. Изобретение позволяет получить высокочистый дигидрофосфат калия, содержащий примеси алюминия, железа, хрома и титана на уровне меньше или равно 5?10-6 % масс. Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)
|
Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
Основное назначение
Способ получения высокочистого калия дигидрофосфата, включающий растворение исходного калия дигидрофосфата в дистиллированной воде при нагревании, добавление к полученному раствору щелочного агента и дальнейшую обработку очищаемого раствора, включающую кристаллизацию дигидрофосфата калия и выделение кристаллического конечного продукта, отличающийся тем, что в качестве щелочного агента используют гидроксид кальция в виде водной суспензии, которую добавляют при перемешивании к нагретому до 85-95°С раствору калия дигидрофосфата в количестве, соответствующем весовому соотношению гидроксида кальция к калию дигидрофосфату, равному 1:(13-20), после чего фильтрацией отделяют от раствора выпавший осадок гидрофосфата кальция, а раствор охлаждают до комнатной температуры при постоянном перемешивании, фильтрацией выделяют кристаллы конечного продукта и промывают их дистиллированной водой.
|
||
|
298
|
Патент 2778971
|
Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр
Основное назначение
Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр
|
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт глазных болезней" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт глазных болезней" (RU), Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр
Основное назначение
Изобретение относится к офтальмологии и предназначено для лазерного лечения при далекозашедшей открытоугольной глаукоме. Проводят лазерную активацию гидропроницаемости склеры с помощью транссклерального нанесения аппликаций в проекции цилиарного тела эрбиевым лазером с длиной волны 1,56 мкм в квазинепрерывном режиме. Воздействие осуществляют при плотности мощности от 2,8 до 3,0 Вт/мм2. При этом наносят 40-50 аппликатов в два ряда в шахматном порядке на расстоянии от лимба, соответственно, 2,5 и 3,5 мм по 3 сек на каждый аппликат дважды с перерывом 5 сек, с расстоянием между аппликатами - 1,5 мм. Способ позволяет эффективно снизить внутриглазное давление в щадящем режиме у пациентов с III В-С стадией глаукомы. 3 пр
|
||
|
299
|
Патент 2566372
|
Изобретение относится к органической химии, а именно к группе галогенацетатов, и непосредственно касается получения монохлорацетата серебра, применяемого, в частности, для получения полимерных материалов, используемых в медицине. Способ получения монохлорацетата серебра включает использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра. Его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой. Получают 1,2 г монохлорацетата серебра с выходом 93,5%. Полученный продукт соответствует требованиям, предъявляемым к реактивам для медицины. Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
Основное назначение
Изобретение относится к органической химии, а именно к группе галогенацетатов, и непосредственно касается получения монохлорацетата серебра, применяемого, в частности, для получения полимерных материалов, используемых в медицине. Способ получения монохлорацетата серебра включает использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра. Его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой. Получают 1,2 г монохлорацетата серебра с выходом 93,5%. Полученный продукт соответствует требованиям, предъявляемым к реактивам для медицины. Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)
|
Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
Основное назначение
Способ получения монохлорацетата серебра, включающий использование в качестве исходных продуктов монохлоруксусной кислоты и нитрата серебра, отличающийся тем, что его осуществляют перемешиванием водного раствора монохлоруксусной кислоты с водным раствором нитрата серебра, взятыми в количествах, соответствующих мольному соотношению монохлоруксусной кислоты к нитрату серебра 1,0-1,4:1,0, выдерживанием полученной реакционной смеси при температуре 20-25°C, последующим выделением выпавшего осадка фильтрацией, промывкой его водой и этанолом и сушкой.
|
||
|
300
|
Патент 2689621
|
Изобретение относится к органической химии и к области химии материалов, а именно к новому типу соединений - симметричным бисаза-18-краун-6-содержащим диенонам общей формулы I:
Основное назначение
Изобретение относится к органической химии и к области химии материалов, а именно к новому типу соединений - симметричным бисаза-18-краун-6-содержащим диенонам общей формулы I:
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к органической химии и к области химии материалов, а именно к новому типу соединений - симметричным бисаза-18-краун-6-содержащим диенонам общей формулы I:
Основное назначение
Изобретение относится к органической химии и к области химии материалов, а именно к новому типу соединений - симметричным бисаза-18-краун-6-содержащим диенонам общей формулы I:
|
||