|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
271
|
Патент 2633437
|
Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением. Дефектный слой содержит термостабильные микропоры и расположен на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при указанном облучении. В качестве подложки может использоваться изолятор, в качестве изолятора - сапфир, в качестве полупроводника - кремний, а в качестве легкого газа - гелий. Структура полупроводник-на-изоляторе выполнена как гетероструктура и в поверхностном слое полупроводника при помощи различных выбранных режимов имплантации созданы требуемые упругие напряжения, необходимые при дальнейшем изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает создание требуемых упругих напряжений в слое полупроводника, улучшение электрических свойств структур полупроводник-на-изоляторе и упрощение способа их изготовления. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением. Дефектный слой содержит термостабильные микропоры и расположен на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при указанном облучении. В качестве подложки может использоваться изолятор, в качестве изолятора - сапфир, в качестве полупроводника - кремний, а в качестве легкого газа - гелий. Структура полупроводник-на-изоляторе выполнена как гетероструктура и в поверхностном слое полупроводника при помощи различных выбранных режимов имплантации созданы требуемые упругие напряжения, необходимые при дальнейшем изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает создание требуемых упругих напряжений в слое полупроводника, улучшение электрических свойств структур полупроводник-на-изоляторе и упрощение способа их изготовления. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением. Дефектный слой содержит термостабильные микропоры и расположен на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при указанном облучении. В качестве подложки может использоваться изолятор, в качестве изолятора - сапфир, в качестве полупроводника - кремний, а в качестве легкого газа - гелий. Структура полупроводник-на-изоляторе выполнена как гетероструктура и в поверхностном слое полупроводника при помощи различных выбранных режимов имплантации созданы требуемые упругие напряжения, необходимые при дальнейшем изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает создание требуемых упругих напряжений в слое полупроводника, улучшение электрических свойств структур полупроводник-на-изоляторе и упрощение способа их изготовления. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением. Дефектный слой содержит термостабильные микропоры и расположен на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при указанном облучении. В качестве подложки может использоваться изолятор, в качестве изолятора - сапфир, в качестве полупроводника - кремний, а в качестве легкого газа - гелий. Структура полупроводник-на-изоляторе выполнена как гетероструктура и в поверхностном слое полупроводника при помощи различных выбранных режимов имплантации созданы требуемые упругие напряжения, необходимые при дальнейшем изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает создание требуемых упругих напряжений в слое полупроводника, улучшение электрических свойств структур полупроводник-на-изоляторе и упрощение способа их изготовления. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
|
||
|
272
|
Патент 2633517
|
Изобретение относится к устройству для измерения спектральных характеристик плазмы реактора-токамака. Устройство содержит измерительный объем с расположенными в нем катодами и анодом тлеющего разряда, размещенный в стенке вакуумной камеры реактора-токамака, соединенный диагностическим каналом с расположенными за вакуумной камерой средствами измерения спектральных характеристик плазмы с детектором излучения в виде ФЭУ и блоком обработки электрического сигнала. Измерительный объем напрямую соединен с объемом вакуумной камеры, вход диагностического канала расположен на противоположной относительно измерительного объема стенке вакуумной камеры, а блок обработки электрического сигнала содержит синхронный детектор, соединенный с модулятором амплитуды тока тлеющего разряда по гармоническому закону, соединенным с катодами тлеющего разряда. В качестве модулятора тока тлеющего разряда используют генератор напряжения. Техническим результатом является возможность измерения концентрации примесей путем измерения характеристик спектральных линий на значительной площади поверхности плазменного шнура с низкой статистической погрешностью измерений при высоком уровне фонового излучения. 1. Устройство для измерения спектральных характеристик плазмы реактора-токамака, содержащее измерительный объем с расположенными в нем катодами и анодом тлеющего разряда, размещенный в стенке вакуумной камеры реактора-токамака, соединенный диагностическим каналом с расположенными за вакуумной камерой средствами измерения спектральных характеристик плазмы с детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала, отличающееся тем, что измерительный объем напрямую соединен с объемом вакуумной камеры, вход диагностического канала расположен на противоположной относительно измерительного объема стенке вакуумной камеры, а блок обработки электрического сигнала содержит синхронный детектор, соединенный с модулятором амплитуды тока тлеющего разряда по гармоническому закону, соединенным с катодами тлеющего разряда.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве модулятора тока тлеющего разряда используют генератор напряжения.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы выполнено в виде n параллельных измерительных трактов, содержащих спектрально-селективный зеркальный расщепитель светового пучка и установленный за ним узкополосный пропускающий интерференционный фильтр, каждый из которых настроен на длину волны измеряемой спектральной линии и соединен со своим детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы содержит спектрометр, рабочий спектральный диапазон которого включает длины волн нескольких линий примесей, и соединен линиями волоконно-оптического коллектора со своим детектором излучения для регистрации яркости определенной линии примеси и блоком обработки электрического сигнала.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что детектор излучения выполнен в виде фотоэлектронного умножителя.
Основное назначение
Изобретение относится к устройству для измерения спектральных характеристик плазмы реактора-токамака. Устройство содержит измерительный объем с расположенными в нем катодами и анодом тлеющего разряда, размещенный в стенке вакуумной камеры реактора-токамака, соединенный диагностическим каналом с расположенными за вакуумной камерой средствами измерения спектральных характеристик плазмы с детектором излучения в виде ФЭУ и блоком обработки электрического сигнала. Измерительный объем напрямую соединен с объемом вакуумной камеры, вход диагностического канала расположен на противоположной относительно измерительного объема стенке вакуумной камеры, а блок обработки электрического сигнала содержит синхронный детектор, соединенный с модулятором амплитуды тока тлеющего разряда по гармоническому закону, соединенным с катодами тлеющего разряда. В качестве модулятора тока тлеющего разряда используют генератор напряжения. Техническим результатом является возможность измерения концентрации примесей путем измерения характеристик спектральных линий на значительной площади поверхности плазменного шнура с низкой статистической погрешностью измерений при высоком уровне фонового излучения. 1. Устройство для измерения спектральных характеристик плазмы реактора-токамака, содержащее измерительный объем с расположенными в нем катодами и анодом тлеющего разряда, размещенный в стенке вакуумной камеры реактора-токамака, соединенный диагностическим каналом с расположенными за вакуумной камерой средствами измерения спектральных характеристик плазмы с детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала, отличающееся тем, что измерительный объем напрямую соединен с объемом вакуумной камеры, вход диагностического канала расположен на противоположной относительно измерительного объема стенке вакуумной камеры, а блок обработки электрического сигнала содержит синхронный детектор, соединенный с модулятором амплитуды тока тлеющего разряда по гармоническому закону, соединенным с катодами тлеющего разряда.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве модулятора тока тлеющего разряда используют генератор напряжения.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы выполнено в виде n параллельных измерительных трактов, содержащих спектрально-селективный зеркальный расщепитель светового пучка и установленный за ним узкополосный пропускающий интерференционный фильтр, каждый из которых настроен на длину волны измеряемой спектральной линии и соединен со своим детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы содержит спектрометр, рабочий спектральный диапазон которого включает длины волн нескольких линий примесей, и соединен линиями волоконно-оптического коллектора со своим детектором излучения для регистрации яркости определенной линии примеси и блоком обработки электрического сигнала.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что детектор излучения выполнен в виде фотоэлектронного умножителя.
|
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU),
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Устройство для измерения спектральных характеристик плазмы реактора-токамака, содержащее измерительный объем с расположенными в нем катодами и анодом тлеющего разряда, размещенный в стенке вакуумной камеры реактора-токамака, соединенный диагностическим каналом с расположенными за вакуумной камерой средствами измерения спектральных характеристик плазмы с детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала, отличающееся тем, что измерительный объем напрямую соединен с объемом вакуумной камеры, вход диагностического канала расположен на противоположной относительно измерительного объема стенке вакуумной камеры, а блок обработки электрического сигнала содержит синхронный детектор, соединенный с модулятором амплитуды тока тлеющего разряда по гармоническому закону, соединенным с катодами тлеющего разряда.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве модулятора тока тлеющего разряда используют генератор напряжения.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы выполнено в виде n параллельных измерительных трактов, содержащих спектрально-селективный зеркальный расщепитель светового пучка и установленный за ним узкополосный пропускающий интерференционный фильтр, каждый из которых настроен на длину волны измеряемой спектральной линии и соединен со своим детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы содержит спектрометр, рабочий спектральный диапазон которого включает длины волн нескольких линий примесей, и соединен линиями волоконно-оптического коллектора со своим детектором излучения для регистрации яркости определенной линии примеси и блоком обработки электрического сигнала.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что детектор излучения выполнен в виде фотоэлектронного умножителя.
Основное назначение
1. Устройство для измерения спектральных характеристик плазмы реактора-токамака, содержащее измерительный объем с расположенными в нем катодами и анодом тлеющего разряда, размещенный в стенке вакуумной камеры реактора-токамака, соединенный диагностическим каналом с расположенными за вакуумной камерой средствами измерения спектральных характеристик плазмы с детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала, отличающееся тем, что измерительный объем напрямую соединен с объемом вакуумной камеры, вход диагностического канала расположен на противоположной относительно измерительного объема стенке вакуумной камеры, а блок обработки электрического сигнала содержит синхронный детектор, соединенный с модулятором амплитуды тока тлеющего разряда по гармоническому закону, соединенным с катодами тлеющего разряда.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве модулятора тока тлеющего разряда используют генератор напряжения.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы выполнено в виде n параллельных измерительных трактов, содержащих спектрально-селективный зеркальный расщепитель светового пучка и установленный за ним узкополосный пропускающий интерференционный фильтр, каждый из которых настроен на длину волны измеряемой спектральной линии и соединен со своим детектором излучения и блоком обработки электрического сигнала.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что средство измерения спектральных характеристик плазмы содержит спектрометр, рабочий спектральный диапазон которого включает длины волн нескольких линий примесей, и соединен линиями волоконно-оптического коллектора со своим детектором излучения для регистрации яркости определенной линии примеси и блоком обработки электрического сигнала.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что детектор излучения выполнен в виде фотоэлектронного умножителя.
|
||
|
273
|
Патент 2635494
|
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для изготовления элементов микрооптики, волоконной и интегральной оптики, плазмоники, микрофлюидики. Способ включает воздействие сфокусированным импульсным лазерным излучением на обратную поверхность образца из прозрачного материала, находящегося в контакте с поглощающей лазерное излучение жидкостью, в качестве которой используются прекурсоры благородных металлов. Под воздействием лазерного излучения прекурсоры восстанавливаются до атомов соответствующего металла, которые собираются в наночастицы и агрегаты, формируя на границе с обрабатываемым материалом область повышенного поглощения. При перекрытии длины волны воздействующего лазерного излучения с полосой плазмонного поглощения наночастиц и агрегатов указанные процессы резонансно усиливаются, что обеспечивает эффективное травление поверхности обрабатываемого материала, в частности, существенное увеличение глубины травления. 2 з.п. ф- лы, 1 ил.
|
||
|
274
|
Патент 2636713
|
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4, который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 получают методом твердофазного синтеза из шихты с мольным соотношением CsHSO4:CsH2PO4:CsH5(PO4)2, равным 3:2:1, при температуре 60-90°C. Полученный Cs6(H2SO4)3(H2PO4)4 в виде поликристаллического порошка обладает большим значением протонной проводимости и меньшим значением температуры фазового перехода. 2 ил.
|
||
|
275
|
Патент 2637175
|
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти. 2.з.п. ф-лы, 9 ил.
Основное назначение
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти. 2.з.п. ф-лы, 9 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН) (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН) (RU)
|
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти. 2.з.п. ф-лы, 9 ил.
Основное назначение
Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что элемент памяти включает проводящие слои первого и второго уровня, расположенный между ними и непосредственно под проводящим слоем второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью, между изолирующей щелью и проводящим слоем первого уровня расположен дополнительный диэлектрический слой толщиной от 1,3 до 3 нм. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения вероятности электрического пробоя элемента памяти. 2.з.п. ф-лы, 9 ил.
|
||
|
276
|
Патент 2637653
|
Изобретение относится к фармацевтической промышленности, а именно к способу получения фармацевтических композиций на основе полимерных наночастиц методом микрофлюидной технологии. Способ заключается в пропускании через проточный микрореактор, выполненный из боросиликатного стекла, водного раствора, содержащего поливиниловый спирт и раствор в ацетоне или ацетонитриле этопозида или никлозамида и биодеградируемого полимера в виде сополимера молочной и гликолевой кислот с характеристической вязкостью 0,41-1,0 дл/г и молярным соотношением мономерных звеньев от 25 и 75 до 75 и 25% или его смесь с полиметилметакрилатом для медицинского применения Eudragit, при этом предварительно через проточный микрореактор из боросиликатного стекла пропускают водный раствор поливинилового спирта с концентрацией от 0,5 до 1% по объему в количестве 1-100 объемов микрореактора, нагретого до температуры 55-65°С с последующим охлаждением микрореактора до комнатной температуры. Изобретение обеспечивает стабильность распределения размеров частиц относительно среднего значения и исключение возможности агрегации частиц в процессе их образования. 1. Способ получения фармацевтических композиций на основе полимерных наночастиц методом микрофлюидной технологии, состоящий в пропускании через проточный микрореактор, выполненный из боросиликатного стекла, водного раствора, содержащего поливиниловый спирт и раствор в ацетоне или ацетонитриле этопозида или никлозамида и биодеградируемого полимера в виде сополимера молочной и гликолевой кислот с характеристической вязкостью 0,41-1,0 дл/г и молярным соотношением мономерных звеньев от 25 и 75 до 75 и 25% или его смесь с полиметилметакрилатом для медицинского применения Eudragit, при этом предварительно через проточный микрореактор из боросиликатного стекла пропускают водный раствор поливинилового спирта с концентрацией от 0,5 до 1% по объему в количестве 1-100 объемов микрореактора, нагретого до температуры 55-65°С с последующим охлаждением микрореактора до комнатной температуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фармацевтическая композиция представляет собой готовую лекарственную форму в виде стерильных или нестерильных лиофилизатов для последующего растворения и получения суспензий для инъекций, или ингаляций, или таблеток, или капсул, или гранул, или аэрозолей, или порошков, или мазей.
Основное назначение
Изобретение относится к фармацевтической промышленности, а именно к способу получения фармацевтических композиций на основе полимерных наночастиц методом микрофлюидной технологии. Способ заключается в пропускании через проточный микрореактор, выполненный из боросиликатного стекла, водного раствора, содержащего поливиниловый спирт и раствор в ацетоне или ацетонитриле этопозида или никлозамида и биодеградируемого полимера в виде сополимера молочной и гликолевой кислот с характеристической вязкостью 0,41-1,0 дл/г и молярным соотношением мономерных звеньев от 25 и 75 до 75 и 25% или его смесь с полиметилметакрилатом для медицинского применения Eudragit, при этом предварительно через проточный микрореактор из боросиликатного стекла пропускают водный раствор поливинилового спирта с концентрацией от 0,5 до 1% по объему в количестве 1-100 объемов микрореактора, нагретого до температуры 55-65°С с последующим охлаждением микрореактора до комнатной температуры. Изобретение обеспечивает стабильность распределения размеров частиц относительно среднего значения и исключение возможности агрегации частиц в процессе их образования. 1. Способ получения фармацевтических композиций на основе полимерных наночастиц методом микрофлюидной технологии, состоящий в пропускании через проточный микрореактор, выполненный из боросиликатного стекла, водного раствора, содержащего поливиниловый спирт и раствор в ацетоне или ацетонитриле этопозида или никлозамида и биодеградируемого полимера в виде сополимера молочной и гликолевой кислот с характеристической вязкостью 0,41-1,0 дл/г и молярным соотношением мономерных звеньев от 25 и 75 до 75 и 25% или его смесь с полиметилметакрилатом для медицинского применения Eudragit, при этом предварительно через проточный микрореактор из боросиликатного стекла пропускают водный раствор поливинилового спирта с концентрацией от 0,5 до 1% по объему в количестве 1-100 объемов микрореактора, нагретого до температуры 55-65°С с последующим охлаждением микрореактора до комнатной температуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фармацевтическая композиция представляет собой готовую лекарственную форму в виде стерильных или нестерильных лиофилизатов для последующего растворения и получения суспензий для инъекций, или ингаляций, или таблеток, или капсул, или гранул, или аэрозолей, или порошков, или мазей.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Способ получения фармацевтических композиций на основе полимерных наночастиц методом микрофлюидной технологии, состоящий в пропускании через проточный микрореактор, выполненный из боросиликатного стекла, водного раствора, содержащего поливиниловый спирт и раствор в ацетоне или ацетонитриле этопозида или никлозамида и биодеградируемого полимера в виде сополимера молочной и гликолевой кислот с характеристической вязкостью 0,41-1,0 дл/г и молярным соотношением мономерных звеньев от 25 и 75 до 75 и 25% или его смесь с полиметилметакрилатом для медицинского применения Eudragit, при этом предварительно через проточный микрореактор из боросиликатного стекла пропускают водный раствор поливинилового спирта с концентрацией от 0,5 до 1% по объему в количестве 1-100 объемов микрореактора, нагретого до температуры 55-65°С с последующим охлаждением микрореактора до комнатной температуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фармацевтическая композиция представляет собой готовую лекарственную форму в виде стерильных или нестерильных лиофилизатов для последующего растворения и получения суспензий для инъекций, или ингаляций, или таблеток, или капсул, или гранул, или аэрозолей, или порошков, или мазей.
Основное назначение
1. Способ получения фармацевтических композиций на основе полимерных наночастиц методом микрофлюидной технологии, состоящий в пропускании через проточный микрореактор, выполненный из боросиликатного стекла, водного раствора, содержащего поливиниловый спирт и раствор в ацетоне или ацетонитриле этопозида или никлозамида и биодеградируемого полимера в виде сополимера молочной и гликолевой кислот с характеристической вязкостью 0,41-1,0 дл/г и молярным соотношением мономерных звеньев от 25 и 75 до 75 и 25% или его смесь с полиметилметакрилатом для медицинского применения Eudragit, при этом предварительно через проточный микрореактор из боросиликатного стекла пропускают водный раствор поливинилового спирта с концентрацией от 0,5 до 1% по объему в количестве 1-100 объемов микрореактора, нагретого до температуры 55-65°С с последующим охлаждением микрореактора до комнатной температуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фармацевтическая композиция представляет собой готовую лекарственную форму в виде стерильных или нестерильных лиофилизатов для последующего растворения и получения суспензий для инъекций, или ингаляций, или таблеток, или капсул, или гранул, или аэрозолей, или порошков, или мазей.
|
||
|
277
|
Патент 2637816
|
Изобретение относится к энергетике и может использоваться для преобразования энергии в магнитогидродинамических (МГД) плазменных устройствах, к которым относятся МГД генераторы электрической энергии и МГД ускорители плазменных сред. Техническим результатом является создание капиллярно-пористых электродов для магнитогидродинамических плазменных устройств, не подверженных деградации и возобновляемых за счет пополнения жидкого металла из резервного объема, что увеличивает их ресурс. Для этого предложен капиллярно-пористый электрод, состоящий из замкнутого корпуса с расплавом металла, поверхность которого, обращенная к плазме, выполнена из волокнистого материала в виде пористых матов из металлических волокон металла с температурой плавления выше температуры плавления металла расплава, при этом корпус соединен с резервной емкостью с расплавом металла. Капиллярно-пористые маты выполнены из металлического войлока или представляют собой многослойную решетку. Металл расплава, металл пористого мата и эффективные размеры его пор выбирают из условия необходимой подачи расплава к поверхности мата за счет капиллярных сил. 1. Капиллярно-пористый электрод для магнитогидродинамических плазменных устройств: МГД генераторов электрической энергии и МГД ускорителей плазменных сред, состоящий из корпуса с расплавом металла с размещенным в нем волокнистым материалом, отличающийся тем, что поверхность замкнутого корпуса, обращенная к плазме, выполнена из волокнистого материала в виде пористых матов из металлических волокон металла с температурой плавления выше температуры плавления металла расплава, при этом корпус соединен с резервной емкостью с расплавом металла.
2. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты выполнены из металлического войлока.
3. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты представляют собой многослойную решетку.
4. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что металл расплава, металл пористого мата и эффективные размеры его пор выбирают из условия необходимой подачи расплава к поверхности мата за счет капиллярных сил.
Основное назначение
Изобретение относится к энергетике и может использоваться для преобразования энергии в магнитогидродинамических (МГД) плазменных устройствах, к которым относятся МГД генераторы электрической энергии и МГД ускорители плазменных сред. Техническим результатом является создание капиллярно-пористых электродов для магнитогидродинамических плазменных устройств, не подверженных деградации и возобновляемых за счет пополнения жидкого металла из резервного объема, что увеличивает их ресурс. Для этого предложен капиллярно-пористый электрод, состоящий из замкнутого корпуса с расплавом металла, поверхность которого, обращенная к плазме, выполнена из волокнистого материала в виде пористых матов из металлических волокон металла с температурой плавления выше температуры плавления металла расплава, при этом корпус соединен с резервной емкостью с расплавом металла. Капиллярно-пористые маты выполнены из металлического войлока или представляют собой многослойную решетку. Металл расплава, металл пористого мата и эффективные размеры его пор выбирают из условия необходимой подачи расплава к поверхности мата за счет капиллярных сил. 1. Капиллярно-пористый электрод для магнитогидродинамических плазменных устройств: МГД генераторов электрической энергии и МГД ускорителей плазменных сред, состоящий из корпуса с расплавом металла с размещенным в нем волокнистым материалом, отличающийся тем, что поверхность замкнутого корпуса, обращенная к плазме, выполнена из волокнистого материала в виде пористых матов из металлических волокон металла с температурой плавления выше температуры плавления металла расплава, при этом корпус соединен с резервной емкостью с расплавом металла.
2. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты выполнены из металлического войлока.
3. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты представляют собой многослойную решетку.
4. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что металл расплава, металл пористого мата и эффективные размеры его пор выбирают из условия необходимой подачи расплава к поверхности мата за счет капиллярных сил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
1. Капиллярно-пористый электрод для магнитогидродинамических плазменных устройств: МГД генераторов электрической энергии и МГД ускорителей плазменных сред, состоящий из корпуса с расплавом металла с размещенным в нем волокнистым материалом, отличающийся тем, что поверхность замкнутого корпуса, обращенная к плазме, выполнена из волокнистого материала в виде пористых матов из металлических волокон металла с температурой плавления выше температуры плавления металла расплава, при этом корпус соединен с резервной емкостью с расплавом металла.
2. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты выполнены из металлического войлока.
3. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты представляют собой многослойную решетку.
4. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что металл расплава, металл пористого мата и эффективные размеры его пор выбирают из условия необходимой подачи расплава к поверхности мата за счет капиллярных сил.
Основное назначение
1. Капиллярно-пористый электрод для магнитогидродинамических плазменных устройств: МГД генераторов электрической энергии и МГД ускорителей плазменных сред, состоящий из корпуса с расплавом металла с размещенным в нем волокнистым материалом, отличающийся тем, что поверхность замкнутого корпуса, обращенная к плазме, выполнена из волокнистого материала в виде пористых матов из металлических волокон металла с температурой плавления выше температуры плавления металла расплава, при этом корпус соединен с резервной емкостью с расплавом металла.
2. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты выполнены из металлического войлока.
3. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что капиллярно-пористые маты представляют собой многослойную решетку.
4. Капиллярно-пористый электрод по п. 1, отличающийся тем, что металл расплава, металл пористого мата и эффективные размеры его пор выбирают из условия необходимой подачи расплава к поверхности мата за счет капиллярных сил.
|
||
|
278
|
Патент 2638461
|
Изобретение относится к медицинской технике. Облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии включает в себя две стойки, Г-образную подвижную и неподвижную. Возможность плавной регулировки энергии электронного пучка, присущая кольцевым ускорителям, позволила плавно регулировать энергию пучка ионов водорода, бомбардирующих мишени, обеспечив возможность использовать мишени различного типа, для генерации нейтронов с широким спектром энергий. Предложенный облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии обеспечивает возможность применения для лечения как BNCT терапии, так и методов нейтрон-соударной лучевой терапии, с возможностью многопольного ротационного облучения больного путем кругового вращения облучательной подвижной Г-образной стойки вокруг терапевтического стола с лежачим больным. Облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии, состоящий из терапевтического стола для лежачего больного, двух стоек, соединенных таким образом, что их конструкция образует штатив Gantry, неподвижная стойка которого с технологическим оборудованием установлена на земле, а подвижная Г-образная стойка обладает возможностью вращения вокруг оси, перпендикулярной к его неподвижной стойке, отличающийся тем, что в Г-образной стойке установлены ускоритель электронов кольцевого типа, электростатический ускоритель ионов водорода, состоящий из источника ионов водорода, электродов ускоряющее-фокусирующей системы, электрически соединенных с соответствующими частями делителя электрического напряжения, один конец которого электрически связан с корпусом Г-образной стойки, другой - электрически связан с накопителем электрического заряда, имеющего полость, соосную с осью инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, внутри которой установлены постоянные магниты таким образом, что силовые линии их магнитных полей направлены перпендикулярно оси инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, и подложкой, для установки мишеней, способных генерировать нейтронное излучение при ядерной реакции и установленных на подложке таким образом, чтобы ось пучка ионов водорода попадала на мишень, а ось генерируемого нейтронного излучения попадала на терапевтический стол.
Основное назначение
Изобретение относится к медицинской технике. Облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии включает в себя две стойки, Г-образную подвижную и неподвижную. Возможность плавной регулировки энергии электронного пучка, присущая кольцевым ускорителям, позволила плавно регулировать энергию пучка ионов водорода, бомбардирующих мишени, обеспечив возможность использовать мишени различного типа, для генерации нейтронов с широким спектром энергий. Предложенный облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии обеспечивает возможность применения для лечения как BNCT терапии, так и методов нейтрон-соударной лучевой терапии, с возможностью многопольного ротационного облучения больного путем кругового вращения облучательной подвижной Г-образной стойки вокруг терапевтического стола с лежачим больным. Облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии, состоящий из терапевтического стола для лежачего больного, двух стоек, соединенных таким образом, что их конструкция образует штатив Gantry, неподвижная стойка которого с технологическим оборудованием установлена на земле, а подвижная Г-образная стойка обладает возможностью вращения вокруг оси, перпендикулярной к его неподвижной стойке, отличающийся тем, что в Г-образной стойке установлены ускоритель электронов кольцевого типа, электростатический ускоритель ионов водорода, состоящий из источника ионов водорода, электродов ускоряющее-фокусирующей системы, электрически соединенных с соответствующими частями делителя электрического напряжения, один конец которого электрически связан с корпусом Г-образной стойки, другой - электрически связан с накопителем электрического заряда, имеющего полость, соосную с осью инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, внутри которой установлены постоянные магниты таким образом, что силовые линии их магнитных полей направлены перпендикулярно оси инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, и подложкой, для установки мишеней, способных генерировать нейтронное излучение при ядерной реакции и установленных на подложке таким образом, чтобы ось пучка ионов водорода попадала на мишень, а ось генерируемого нейтронного излучения попадала на терапевтический стол.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)
|
Облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии, состоящий из терапевтического стола для лежачего больного, двух стоек, соединенных таким образом, что их конструкция образует штатив Gantry, неподвижная стойка которого с технологическим оборудованием установлена на земле, а подвижная Г-образная стойка обладает возможностью вращения вокруг оси, перпендикулярной к его неподвижной стойке, отличающийся тем, что в Г-образной стойке установлены ускоритель электронов кольцевого типа, электростатический ускоритель ионов водорода, состоящий из источника ионов водорода, электродов ускоряющее-фокусирующей системы, электрически соединенных с соответствующими частями делителя электрического напряжения, один конец которого электрически связан с корпусом Г-образной стойки, другой - электрически связан с накопителем электрического заряда, имеющего полость, соосную с осью инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, внутри которой установлены постоянные магниты таким образом, что силовые линии их магнитных полей направлены перпендикулярно оси инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, и подложкой, для установки мишеней, способных генерировать нейтронное излучение при ядерной реакции и установленных на подложке таким образом, чтобы ось пучка ионов водорода попадала на мишень, а ось генерируемого нейтронного излучения попадала на терапевтический стол.
Основное назначение
Облучательный ускорительный комплекс для нейтронно-лучевой терапии, состоящий из терапевтического стола для лежачего больного, двух стоек, соединенных таким образом, что их конструкция образует штатив Gantry, неподвижная стойка которого с технологическим оборудованием установлена на земле, а подвижная Г-образная стойка обладает возможностью вращения вокруг оси, перпендикулярной к его неподвижной стойке, отличающийся тем, что в Г-образной стойке установлены ускоритель электронов кольцевого типа, электростатический ускоритель ионов водорода, состоящий из источника ионов водорода, электродов ускоряющее-фокусирующей системы, электрически соединенных с соответствующими частями делителя электрического напряжения, один конец которого электрически связан с корпусом Г-образной стойки, другой - электрически связан с накопителем электрического заряда, имеющего полость, соосную с осью инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, внутри которой установлены постоянные магниты таким образом, что силовые линии их магнитных полей направлены перпендикулярно оси инжекции электронов ускорителя электронов кольцевого типа, и подложкой, для установки мишеней, способных генерировать нейтронное излучение при ядерной реакции и установленных на подложке таким образом, чтобы ось пучка ионов водорода попадала на мишень, а ось генерируемого нейтронного излучения попадала на терапевтический стол.
|
||
|
279
|
Патент 2639245
|
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к количественному определению молочной кислоты как в чистом виде, так и в продуктах питания, биологических и культуральных жидкостях. Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты включает добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика. Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты, включающий добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика.
Основное назначение
Изобретение относится к аналитической химии, в частности к количественному определению молочной кислоты как в чистом виде, так и в продуктах питания, биологических и культуральных жидкостях. Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты включает добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика. Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты, включающий добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты, включающий добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика.
Основное назначение
Способ спектрофотометрического определения молочной кислоты, включающий добавление исследуемого раствора к раствору хлорида железа(III), взятого в концентрации 0,1-0,3%, измерение оптической плотности полученного раствора при длине волны 380-405 нм и количественное определение концентрации лактата в исходном растворе с использованием калибровочного графика.
|
||
|
280
|
Патент 2639246
|
Изобретение относится к биотехнологии. Предложено применение полипептида, соответствующего SEQ ID NO 1, в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий. Полипептид представляет собой N-концевой домен присоединения к клеточной стенке белка S-слоя lvis_2083 штамма бактерий Lactobacillus brevis ATCC 367. Изобретение обеспечивает расширить арсенала белков, пригодных для применения в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий. Применение полипептида, соответствующего SEQ ID NO 1, в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий.
Основное назначение
Изобретение относится к биотехнологии. Предложено применение полипептида, соответствующего SEQ ID NO 1, в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий. Полипептид представляет собой N-концевой домен присоединения к клеточной стенке белка S-слоя lvis_2083 штамма бактерий Lactobacillus brevis ATCC 367. Изобретение обеспечивает расширить арсенала белков, пригодных для применения в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий. Применение полипептида, соответствующего SEQ ID NO 1, в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий.
|
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)
|
Применение полипептида, соответствующего SEQ ID NO 1, в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий.
Основное назначение
Применение полипептида, соответствующего SEQ ID NO 1, в качестве компонента системы для экспонирования слитых белков на поверхности клеток молочнокислых бактерий.
|
||