Изобретения

Изобретение относится к способам обработки углеродного волокна высокотемпературными аппретирующими составами и может быть использовано для получения углеродного волокна с улучшенными физико-механическими свойствами и композиционных материалов на его основе, которые могут быть использованы в различных областях промышленности для создания изделий и элементов конструкций, подвергающихся воздействию повышенных температур. Применение предлагаемого изобретения обеспечивает следующий технический результат: повышение прочности адгезионного соединения волокно-матрица и улучшение технологических характеристик волокна. Предложен способ обработки углеродного волокна аппретирующим составом, совместимым с высокотемпературными термопластичными связующими, включающий получение аппретирующего состава путем подготовки растворов полиэфиримида в хлороформе в массовом соотношении 1:(4-6) и полиамидокислоты в хлороформе в массовом соотношении 1:(13-20), объединение раствора, используя механический гомогенизатор, в течение 25-30 мин, прибавляя к раствору 0,35-0,40 мас.% пеногасителя и 0,85-1,30 мас.% смеси анионного и неионогенного ПАВ в массовом соотношении (8-11):1, добавление воды в массовом соотношении полиэфиримид : вода, равном 1:(10-13), перенос в ультразвуковой гомогенизатор, в котором выдерживают в течение 11-15 мин, варьируя высокочастотную мощность следующей последовательностью: не менее 5 мин при 160 Вт, охлаждением до 20°С, паузой не менее 5 мин, повторной обработкой при 240 Вт не менее 1 мин, остановкой не менее 2 мин, обработкой в течение 1 мин при 320 Вт и 2 мин обработкой при 40 Вт, затем перенос в круглодонную колбу, с отгонкой хлороформа на вакуумно-роторном испарителе при давлении 500-530 мбар и температуре 38-40°С, с последующим разбавлением полученной суспензии водой до необходимой концентрации, и аппретирование углеродного волокна полученной суспензией, непрерывно воздействуя на аппрет и обрабатываемое волокно ультразвуком, при этом раствор полиамидокислоты готовят, растворяя эквимолярные количества не содержащего алифатические фрагменты диангидрида ароматической карбоновой кислоты и ароматического диамина в хлороформе и выдерживая полученный раствор полиамидокислоты не менее 8 часов. Технический результат: повышение прочности адгезионного соединения волокно-матрица и улучшение технологических характеристик волокна. 2 ил., 4 пр.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам нанесения электропроводящих наноструктурированных покрытий с высокой электропроводностью и износостойкостью. Способ включает подачу порошковой композиции с армирующими частицами из четырех дозаторов в сверхзвуковой поток подогретого газа и нанесение порошковой композиции на поверхность изделия. При этом сначала из первого дозатора подают армирующие ультрадисперсные частицы ZrО2 фракцией от 0,1 до 1,0 мкм и проводят обработку поверхности изделия до образования ювенильной поверхности. Затем на поверхность изделия наносят порошковую композицию на основе Сu или Аl путем подачи порошка из четырех дозаторов. Из первого дозатора подают армирующие ультрадисперсные частицы ZrO2, из второго дозатора - порошок Сu или Аl, из третьего дозатора - армирующие наночастицы квазикристаллического соединения системы Al-Cu-Fe, а из четвертого дозатора - армирующие частицы Y2О3. Скорость гетерофазного потока при нанесении композиции на основе Сu или Аl изменяют в пределах от 450 до 750 м/с. Технический резуьтат - уменьшение пористости, увеличение износостойкости, адгезионной и когезионной прочности покрытия при сохранении его высокой электропроводности. 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам модифицирования жидких стекол, которые могут быть применены для получения терморегулирующих покрытий, применяемых в авиационной, космической промышленностях, а также в других областях техники. Модифицируют калиевые, натриевые, литиевые или калиево-литиевые жидкие стекла с модулем 2,8-5,2 полимерными органическими соединениями. В качестве модификатора используют водорастворимые или водонабухаемые производные бутадиен-стирольных, стирол-акриловых, ацетат-акриловых сополимеров или полиакриловых кислот, которые добавляют в количестве 0,1-10 мас.% к жидкому стеклу, имеющему температуру 20-90°С. Затем смесь перемешивают в течение 5-10 минут со скоростью не более 100 оборотов в минуту, после чего выдерживают до полной гомогенизации композиции. Способ обеспечивает получение модифицированных жидких стекол, которые могут быть использованы для создания терморегулирущих покрытий с высокими эксплуатационными свойствами. 1. Способ модифицирования жидкого стекла полимерным органическим соединением, включающий стадии смешения жидкого стекла с органическим полимерным соединением, перемешивания полученной смеси и выдерживания образовавшегося продукта, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют калиевое, или натриевое, или литиевое, или калиево-литиевое жидкое стекло с модулем не менее 2,8, а в качестве модификатора используют водорастворимые или водонабухаемые производные бутадиен-стирольных или стирол-акриловых или ацетат-акриловых сополимеров или водорастворимых производных полиакриловых кислот, которые в количестве, составляющем 0,1-10 мас.% по отношению к массе сухих веществ в жидком стекле, добавляют к раствору жидкого стекла, имеющего температуру 20-90°С, после чего смесь подвергают механическому перемешиванию со скоростью не более 100 об/мин в течение 5-10 мин и выдерживают при комнатной температуре до полной гомогенизации композиции. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют натриевое жидкое стекло в интервале модулей от 2,8 до 3,8. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют литиевое жидкое стекло в интервале модулей от 2,8 до 4,2. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют калиевое или калиево-литиевое жидкое стекло в интервале модулей от 2,8 до 5,2.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ "ФГУП ИРЕА" (RU)

Изобретение относится к способам маркировки нефти и продуктов ее переработки. Описан способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора. Технический результат - маркировка нефти и продуктов ее переработки для идентификации и контроля качества продукции Способ маркировки нефти и продуктов ее переработки, характеризующийся внесением 10-100 м.д. производных циануровой кислоты, в которой атом водорода гидроксильной группы замещен алкильными радикалами, как одинаковыми, так и различными, при получении которых используют первичные спирты C1-C8, изопропиловый спирт, спирты C1-C8, в которых атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора, изопропиловый спирт, в котором атомы водорода, частично или полностью, заменяют атомы фтора.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание средств проведения испытаний способов построения цифровых микросхем на основе постоянного поэлементного резервирования с целью получения экспериментальных оценок их отказоустойчивости к облучению. Используются теоретические способы вычисления отказоустойчивости микросхем на основе оценки вероятности отказа облучаемых микросхем «по площадям». Используется среднее время работы микросхемы до ее отказа от момента облучения, принятого за начальный, до момента фиксации числа последовательных отказов облучаемой микросхемы в заданном числе соседних циклов работы испытательных микросхем. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы: Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W), где j - идентификатор номер способа построения микросхемы, Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость, ?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы, N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме, W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к способам контроля характеристик порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, полученных одним из известных способов, например, методами со-осаждения, твердофазного синтеза и др., и применяемых в качестве самостоятельного материала. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров содержит этапы, на которых возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами. Технический результат – упрощение пробоподготовки, повышение производительности и повышение точности измерений. Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, отличающийся тем, что возбуждение сцинтилляций производится с помощью облучения поверхности измеряемого образца альфа-излучением, при этом возникающие под действием альфа-частиц фотоны сцинтилляций регистрируются оптоэлектронной системой с поверхности порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров, облучаемой альфа-частицами.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)

Изобретение относится к способам и устройствам для измерения магнитных и механических величин. Техническим результатом, на который направлено предлагаемое техническое решение, является возможность определения взаимозависимости одновременно трех параметров: критического тока, внешнего магнитного поля и растягивающих механических напряжений, действующих на сверхпроводник. Для достижения технического результата предложен способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, при этом токовводы, жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле BTR/s. Также предложено устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, при этом содержащее штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R 1. Способ измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, заключающийся в том, что по образцу сверхпроводника, концы которого присоединены к токовводам, находящемуся во внешнем магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что токовводы жестко закрепляют на оправке с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R или штанге, образцу сверхпроводника придают форму дуги радиуса R, размещают образец во внешнем магнитном поле так, что плоскость дуги перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, пропускают транспортный ток, причем направление транспортного тока, пропускаемого по образцу, выбирают так, что сила Ампера направлена в сторону выпуклости дуги, затем по величине индукции внешнего магнитного поля В, величине транспортного тока I, радиусу дуги R и поперечному сечению образца s дополнительно определяют механические напряжения от действия силы Ампера по формуле B?I?R/s. 2. Устройство для измерения критических параметров гибких образцов сверхпроводника, содержащее магнитную систему, в поле которой установлен образец сверхпроводника, токовводы, подсоединенные к концам образца, систему крепления образца сверхпроводника, отличающееся тем, что содержит штангу с жестко закрепленной на ней оправкой с дугообразной поверхностью с радиусом дуги R, к которой прилегает гибкий образец сверхпроводника, выполненный в виде дуги того же радиуса с защемленными концами, к которым подсоединены жестко закрепленные на оправке или штанге токовводы, при этом плоскость дуги образца сверхпроводника перпендикулярна вектору напряженности внешнего магнитного поля, токовводы в местах соединения с концами образца сверхпроводника имеют радиус скругления, меньший, чем радиус R.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр

Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)

Изобретение относится к составам, применяемым для стабилизационной обработки воды с целью ингибирования солеотложений и коррозии в системах водопользования, и непосредственно касается состава на основе фосфорсодержащих органических комплексообразующих соединений, который может быть использован для стабилизационной обработки воды в замкнутых системах водооборотных циклов промышленных и энергетических предприятий и предприятий коммунального хозяйства. Состав содержит нитрилотриметилфосфоновую кислоту (НТФ) и метилиминодиметилфосфоновую кислоту (МИДФ), а также содержит диаминопропанолтетраметилфосфоновую кислоту (ДПФ) и оксид магния (MgO) при мольном соотношении НТФ : МИДФ : ДПФ, равном соответственно (1?3):1:0,5, и мольном соотношении ДПФ : МgO, равном (1?2):1. Данный состав получают введением в водный раствор диаминопропанолтетраметилфосфоновой кислоты (ДПФ) и оксида магния в количестве, соответствующем мольному соотношению ДПФ : МgO, равному (1?2):1. Полученную смесь перемешивают до растворения осадка. Раствор нейтрализуют водным раствором гидроокиси натрия до рН 5,5-5,7 при температуре не выше 40°С и добавлением к реакционной массе НТФ и МИДФ в количествах, соответствующих мольному соотношению НТФ : МИДФ : ДПФ, равному соответственно (1?3):1:0,5. Технический результат: низкая токсичность состава, высокая эффективность при низких концентрациях. 1. Состав органофосфонатов для стабилизационной обработки воды в системах водопользования, включающий нитрилотриметилфосфоновую кислоту (НТФ) и метилиминодиметилфосфоновую кислоту (МИДФ), отличающийся тем, что дополнительно содержит диаминопропанолтетраметилфосфоновую кислоту (ДПФ) и оксид магния (MgO) при мольном соотношении НТФ : МИДФ : ДПФ, равном соответственно (1?3):1:0,5, и мольном соотношении ДПФ : MgO, равном (1?2):1. 2. Способ получения состава по п. 1, осуществляемый введением в водный раствор диаминопропанолтетраметилфосфоновой кислоты (ДПФ) и оксида магния в количестве, соответствующем мольному соотношению ДПФ : MgO, равному (1?2):1, перемешиванием полученной смеси до растворения осадка, последующей нейтрализацией раствора водным раствором гидроокиси натрия до рН 5,5-5,7 при температуре не выше 40°С и добавлением к реакционной массе НТФ и МИДФ в количествах, соответствующих мольному соотношению НТФ : МИДФ : ДПФ, соответственно равному (1?3):1:0,5.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)

Изобретение относится к составам для получения теплозащитных покрытий, которые могут быть применены для наружной теплозащиты элементов конструкций космических аппаратов, а также в строительстве и авиационной технике. Состав для теплозащитных покрытий содержит в качестве органического связующего сухой редиспергируемый латекс на основе сополимеров винилацетата и этилена или винилацетата и винилверсалата и группу наполнителей, включающую вермикулит с насыпной плотностью 95-110 кг/м3 и средним размером частиц 1 мм, перлит с насыпной плотностью не более 100 кг/м3, каолин, стеклянные микросферы с размерами 15-200 мкм и насыпной плотностью 240-320 кг/м3 и волокнистый материал. Изобретение обеспечивает тепловую защиту металлических и неметаллических конструкций от высокотемпературного скоростного аэродинамического нагрева. 1. Состав для теплозащитных покрытий, содержащий латексное органическое связующее и группу наполнителей, включающую стеклянные микросферы, отличающийся тем, что качестве органического связующего содержит сухой редиспергируемый латекс, являющийся сополимером винилацетата и этилена или винилацетата и винилверсалата, а также в качестве наполнителей содержит: вермикулит с насыпной плотностью 95-110 кг/м3 и средним размером частиц 1 мм, перлит с насыпной плотностью не более 100 кг/м3, каолин, стеклянные микросферы с размерами 15-200 мкм и насыпной плотностью 240-320 кг/м3, выполненные из натриево-борсиликатного стекла, и волокнистый материал при следующих соотношениях компонентов смеси, мас.%: Вермикулит 4-19 Перлит 4-19 Каолин 2-4 Стеклянные микросферы 11-26 Волокнистый материал 2-8 Латекс Остальное 2. Состав по п.1, отличающийся тем, что дополнительно в качестве связующего содержит цемент в количестве 2-14 мас.%. 3. Состав по п.1, отличающийся тем, что в качестве волокнистого материала, предпочтительно, содержит волокна целлюлозы или молотое стекловолокно. 4. Состав по п.1, отличающийся тем, что, предпочтительно, в качестве редиспергируемого латекса содержит сополимеры винилацетата и этилена.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химических реактивов и особо чистых химических веществ" (RU)