Изобретения

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения, заключается в нанесении нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния. Нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени при скорости осаждения 5-7 нм/мин в среде аргона с добавками 3-5% об. кислорода и 6-8% об. азота. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимых с материалами, а также с большинством технологических воздействий, применяемых в традиционной кремниевой технологии интегральных микросхем. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU

Изобретение относится к области интегральной электроники и, в частности, к передаче импульсных сигналов в цифровых микросхемах с высокой степенью интеграции. Задачей настоящего изобретения является передача импульсных сигналов в микросхеме с наименьшими затратами энергии для заданной частоты этих сигналов за счет использования универсальных блоков приемника и передатчика с переключаемыми режимами работы. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является уменьшение числа элементов в схеме, снижение потребляемой мощности и уменьшение площади блока на кристалле микросхемы. Отличительные признаки технического решения состоят в том, что передача импульсных сигналов в проводной линии связи импульсами тока или импульсами напряжения осуществляется одними и теми же усилительными узлами. А изменения параметров сигналов, выходного сопротивления передатчика и входного сопротивления приемника достигаются только за счет коммутации резисторов с использованием аналоговых ключей. 2 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)

Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к интегральным микросхемам на основе совмещенной биполярной и КМОП (БиКМОП) технологии. Технический результат заключается в стабильности коэффициента усиления и защите выходного транзистора усилителя от перегрева. Согласно изобретению этот технический результат достигается за счет сложения токов двух каналов управления, один из которых формирует составляющую пропорционально току опорного транзистора, а другой - составляющую, зависящую от разницы напряжений база - эмиттер выходного и опорного транзисторов. Для этого в устройство стабилизации тока коллектора выходного транзистора введены дополнительно второй выход «токового зеркала» и дифференциальный усилитель с фильтром нижних частот. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) (RU)

Изобретение относится к способам формирования гетероструктур. Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла. В качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1. Технический результат - достижение высокой подвижности спин-поляризованных носителей заряда. Способ создания сверхтонких графеновых структур с высокой подвижностью спин-поляризованных носителей заряда, заключающийся в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии путем осаждения атомов металла на гетероструктуру Графен/SiO2/Si(001), в которой слой оксида кремния предварительно удаляют из-под графена путем отжига гетероструктуры при температуре Ts=950±20°С, под графеном на поверхности подложки Si(001) формируют поверхностную фазу, представляющую собой субмонослойную периодическую структуру из атомов металла, отличающийся тем, что в качестве поверхностной фазы выступает Gd 1?4, и ее формирование производят путем открытия заслонки ячейки Gd, обеспечивающего осаждение атомов Gd при давлении PGd=(0,3?10)?10-8 Торр потока атомов Gd на гетероструктуру, поддерживаемую при температуре Ts=675±20°С, в течение времени, необходимого для формирования поверхностной фазы, после чего заслонку ячейки Gd закрывают и гетероструктуру охлаждают до комнатной температуры, при этом материал, состоящий из графеновой структуры и субмонослойной периодической структуры из атомов металла, выполнен с подвижностью носителей заряда в графеновой структуре 2500?3000 см2?В-1?c-1

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Группа изобретений относится к рентгеновской оптике и может быть использована для временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. Технический результат - обеспечение возможности без дополнительной юстировки других элементов дифрактометра управляемо изменять угловые параметры рентгеновского излучения с течением времени. 1. Способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения, включающий подачу пучка от источника монохроматичного рентгеновского излучения после его прохождения через щелевую диафрагму на дифракционный элемент, в качестве которого используют магнитоупорядоченный кристалл бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, отличающийся тем, что к дифракционному элементу прикладывают по заранее определенной временной программе переменное по величине и/или полярности электромагнитное поле в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме так, что амплитудные значения напряженности магнитного поля на дифракционном элементе находятся в диапазоне 3-40 Э, обеспечивая тем самым модуляцию интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения в диапазоне 2-470 Гц. 2. Установка, реализующая способ осуществления временной модуляции интенсивности и угловых параметров рентгеновского излучения по п. 1, включающая источник монохроматического рентгеновского излучения, за которым по ходу пучка монохроматического излучения расположена щелевая диафрагма, дифракционный элемент, установленный в положении максимума дифракционного отражения, гониометр для образца и детектор, отличающаяся тем, что дифракционный элемент размещен на ячейке, расположенной на гониометре и одновременно снабженной электромагнитными катушками с возможностью регулировки их положения относительно дифракционного элемента, при этом электромагнитные катушки подключены к блоку подачи управляющих сигналов, обеспечивая таким образом приложение переменного по величине и/или полярности электромагнитного поля в синусоидальном, пилообразном или импульсном режиме к дифракционному элементу. 3. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что электромагнитные катушки выполнены с медной обмоткой и ферритовыми сердечниками. 4. Установка по п. 2, отличающаяся тем, что ячейка включает в себя держатель, опорную пластину, столик для размещения дифракционного элемента и подшипник, который позволяет осуществлять поворот электромагнитных катушек относительно дифракционного элемента. 5. Установка по п. 2, отличающаяся тем, ячейка снабжена магнитопроводом.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Изобретение относится к области органической химии и может найти применение в аналитической химии и биологических исследованиях. Предложен новый меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp. Техническим результатом, достигаемым настоящим изобретением, является расширение ассортимента меченых аналогов физиологически активных соединений. Меченный дейтерием Boc-Trp-Pro-Pro-Trp.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Изобретение относится к области фармацевтики, а именно к способу получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты указанной ниже формулы, который может найти применение в качестве прекурсора при создании радиофармацевтических препаратов. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты заключается в алкилировании сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч. Последующее выделение целевого продуктаосуществляют экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы. Технический результат: получение триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты с выходом 86-95%. Способ получения триэтилового эфира этилендиамин-N,N,N',N'-тетра(3-пропионовой) кислоты формулы алкилированием сернокислой соли этилендиамин-N-моно-3-пропионовой кислоты (ЭДМП) этилакрилатом в условиях реакции аза-Михаэля в этиловом спирте в присутствии этилата натрия при мольном соотношении сернокислой соли ЭДМП к этилакрилату 1:3-6 соответственно и температуре 20-25°С в течение 95-100 ч с последующим выделением целевого продукта экстракцией этилацетатом водного слоя, полученного после разбавления водой и подкисления предварительно упаренной реакционной массы.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Изобретение относится к области охраны окружающей среды, а точнее к области переработки твёрдых отходов: бытовых, промышленных, опасных отходов, включая радиоактивные, медицинские. Плазменная печь для переработки твёрдых отходов включает плавильную камеру, имеющую форму тела вращения и состоящую из двух усеченных конусов. Нижний конус является обратным, и ограничен снизу дном камеры, и расширяется кверху. Верхний сужается кверху. Конусы сопряжены в средней наиболее широкой части. Печь также содержит шахту, выполненную с возможностью верхней загрузки и расположенную над плавильной камерой. Плавильная камера имеет металлический наружный слой в виде несущего кожуха и последовательно установленные на нем внутри камеры слой теплоизоляции и два слоя футеровки. На боковой поверхности верхней части плавильной камеры установлены плазмотроны, расположенные равномерно по окружности. В нижней части плавильной камеры установлены подовый нагреватель и узел слива шлака. При реализации заявленного изобретения достигается повышение срока службы футеровки плазменной печи за счет применения подового нагревателя, а также использования геометрии плавильной камеры в виде тела вращения. 1. Плазменная печь для переработки твёрдых отходов, характеризующаяся тем, что включает плавильную камеру, имеющую форму тела вращения и состоящую из двух усеченных конусов - нижнего обратного, ограниченного снизу дном камеры и расширяющегося кверху, и верхнего, сужающегося кверху, сопряженных в средней наиболее широкой части, и шахту, выполненную с возможностью верхней загрузки и расположенную над плавильной камерой, плавильная камера имеет металлический наружный слой в виде несущего кожуха и последовательно установленные на нем внутри камеры слой теплоизоляции и два слоя футеровки, при этом на боковой поверхности верхней части плавильной камеры установлены плазмотроны, расположенные равномерно по окружности, в нижней части плавильной камеры установлены подовый нагреватель и узел слива шлака, и где геометрия внутренней полости плавильной камеры определяется следующим образом: диаметр пода плавильной камеры D, наибольший диаметр плавильной камеры примерно равен 1,375D, высота пода до наибольшего диаметра плавильной камеры примерно равна 0,375D, общая высота плавильной камеры примерно равна диаметру пода камеры D, диаметр горловины плавильной камеры примерно равен 0,625D, выходное отверстие плазмотронов располагается на высоте, примерно равной (0,6-0,62)D от пода. 2. Плазменная печь для переработки твёрдых отходов, характеризующаяся тем, что включает плавильную камеру, имеющую форму тела вращения и состоящую из двух усеченных конусов - нижнего обратного, ограниченного снизу дном камеры и расширяющегося кверху, и верхнего, сужающегося кверху, при этом между двух усеченных конусов имеется цилиндрическое кольцо, сопряженное с конусами, и шахту, выполненную с возможностью верхней загрузки и расположенную над плавильной камерой, плавильная камера имеет металлический наружный слой в виде несущего кожуха и последовательно установленные на нем внутри камеры слой теплоизоляции и два слоя футеровки, при этом на боковой поверхности верхней части плавильной камеры установлены плазмотроны, расположенные равномерно по окружности, в нижней части плавильной камеры установлены подовый нагреватель и узел слива шлака, и где геометрия внутренней полости плавильной камеры определяется следующим образом: диаметр пода плавильной камеры D, наибольший диаметр плавильной камеры примерно равен 1,2D, высота нижнего конуса от пода до цилиндрического кольца плавильной камеры примерно равна 0,2D, высота цилиндрического кольца плавильной камеры примерно равна (0,3-0,32)D, диаметр цилиндрического кольца примерно равен 1,2D, общая высота плавильной камеры примерно равна диаметру пода камеры D, диаметр горловины плавильной камеры примерно равен 0,625D, выходное отверстие плазмотронов располагается на высоте, примерно равной 0,61D от пода. 3. Плазменная печь для переработки твёрдых отходов по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что шахта содержит боковой газоход, при этом на верхнем отверстии цилиндрической части установлен узел загрузки отходов. 4. Плазменная печь для переработки твёрдых отходов по п. 1, отличающаяся тем, что узел загрузки отходов расположен в боковой стенке шахты.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Изобретение относится к источникам ионов, предназначенным для ускорителей заряженных частиц. Заявленное изобретение характеризуется подачей на ускоряющий электрод ионно-оптической системы, размещенный между выходом пролетного канала и другим ускоряющим электродом, установленным в системе инжекции на выходе ионно-оптической системы, изменяющегося в процессе экстракции ионов электрического напряжения. Величина этого напряжения изменяется пропорционально изменению продольной составляющей импульса давления частиц, которое возникает в лазерной плазме в зоне, перед электродами системы инжекции. Предусмотрена также подача на ускоряющий электрод системы инжекции, установленный на выходе ионно-оптической системы, постоянного электрического напряжения для ускорения ионов. Техническим результатом является уменьшение разброса углового расхождения огибающей ионного пучка во время экстракции ионов, что способствует уменьшению величины эффективного эмиттанса этого пучка на выходе лазерного источника ионов с активной системой инжекции, и увеличение захвата ионов, генерируемых лазерными источниками ионов. 3 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)

Изобретение относится к генераторам ионов, предназначенным для ускорителей заряженных частиц. Технический результат - повышение зарядового состояния ионов на выходе лазерно-плазменного генератора многозарядных ионов. Сущность изобретения состоит в том, что обеспечивается возврат в лазерную плазму на начальном этапе ее разлета как отраженного излучения лазера и его гармоник, так и широкого спектра оптического излучения (от инфракрасного до рентгеновского диапазона), генерируемого в виде спектра когерентных электромагнитных колебаний самой лазерной плазмой. Область мишени, облучаемая лазером, помещена в точку фокуса отраженного электромагнитного излучения от металлического экрана с полированной внутренней поверхностью сферической формы, имеющего апертуры для транспортировки лазерного излучения на мишень и разлета лазерной плазмы, выполненного из металла с большим массовым числом согласно периодической системе элементов Д.И.Менделеева и установленного в пролетном канале в области мишени. 1 ил.

Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)