|
№
|
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
211
|
Патент 2673870
|
Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр
Основное назначение
Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр
Основное назначение
Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав характеризуется высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К. 2 табл., 1 пр
|
||
|
212
|
Патент 2784657
|
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (RU)
|
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
Основное назначение
Изобретение относится к системе для обработки и хранения данных. Техническим результатом является ускорение и повышение уровня оперативности информационного обеспечения работы системы. Для достижения технического результата предложена система хранения и обработки дозиметрических данных, состоящая из модуля получения дозиметрических данных, включающего блок расчета характеристик дозиметрических данных, блок оценки характеристик дозиметрических данных, блок контроля получения дозиметрических данных, при этом в модуль интегрируется библиотека/программное обеспечение дозиметрического оборудования; модуля хранения дозиметрических данных, включающего блок информационного обмена, блок буфера данных, блок прокси-сервера, базу данных, включающую файловую систему и систему управления базой данных; модуля обработки дозиметрических данных, включающего блок калибровки дозиметрического оборудования, блок сравнительного анализа дозиметрических данных, блок визуализации и фильтрации дозиметрических данных, кроме того в него встраивается библиотека модуля получения дозиметрических данных, которая так же может быть встроена в стороннее программное обеспечение. 1 ил
|
||
|
213
|
Патент 2435238
|
Изобретение относится к системам контроля и управления и может быть использовано для контроля и защиты активной зоны реакторов типа ВВЭР. Система внутриреакторного контроля и защиты активной зоны реакторов ВВЭР включает детекторы прямой зарядки (ДПЗ) и термоэлектрические преобразователи (ТЭП), объединенные в сборки внутриреакторных детекторов (СВРД), информационно-измерительных средств (ИИС). СВР Д размещены в активной зоне таким образом, что около каждой топливной кассеты в области, не превышающей трех поперечных размеров ТВС, находится от трех до шести СВРД. Информационно-измерительные средства имеют погрешность измерения сигналов детекторов СВРД, не превышающую 0,05%. Информационно-измерительные средства выполнены с возможностью корректировки получаемых сигналов ДПЗ. Количество стоек информационно-измерительных средств соответствует количеству каналов системы защиты реактора. Детекторы прямой зарядки (ДПЗ) включают детекторы нейтронного потока, термоэлектрические преобразователи (ТЭП), детекторы температуры. Изобретение позволяет обеспечивать защиту активной зоны ядерного реактора в соответствии с нормативными документами.
Основное назначение
Изобретение относится к системам контроля и управления и может быть использовано для контроля и защиты активной зоны реакторов типа ВВЭР. Система внутриреакторного контроля и защиты активной зоны реакторов ВВЭР включает детекторы прямой зарядки (ДПЗ) и термоэлектрические преобразователи (ТЭП), объединенные в сборки внутриреакторных детекторов (СВРД), информационно-измерительных средств (ИИС). СВР Д размещены в активной зоне таким образом, что около каждой топливной кассеты в области, не превышающей трех поперечных размеров ТВС, находится от трех до шести СВРД. Информационно-измерительные средства имеют погрешность измерения сигналов детекторов СВРД, не превышающую 0,05%. Информационно-измерительные средства выполнены с возможностью корректировки получаемых сигналов ДПЗ. Количество стоек информационно-измерительных средств соответствует количеству каналов системы защиты реактора. Детекторы прямой зарядки (ДПЗ) включают детекторы нейтронного потока, термоэлектрические преобразователи (ТЭП), детекторы температуры. Изобретение позволяет обеспечивать защиту активной зоны ядерного реактора в соответствии с нормативными документами.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к системам контроля и управления и может быть использовано для контроля и защиты активной зоны реакторов типа ВВЭР. Система внутриреакторного контроля и защиты активной зоны реакторов ВВЭР включает детекторы прямой зарядки (ДПЗ) и термоэлектрические преобразователи (ТЭП), объединенные в сборки внутриреакторных детекторов (СВРД), информационно-измерительных средств (ИИС). СВР Д размещены в активной зоне таким образом, что около каждой топливной кассеты в области, не превышающей трех поперечных размеров ТВС, находится от трех до шести СВРД. Информационно-измерительные средства имеют погрешность измерения сигналов детекторов СВРД, не превышающую 0,05%. Информационно-измерительные средства выполнены с возможностью корректировки получаемых сигналов ДПЗ. Количество стоек информационно-измерительных средств соответствует количеству каналов системы защиты реактора. Детекторы прямой зарядки (ДПЗ) включают детекторы нейтронного потока, термоэлектрические преобразователи (ТЭП), детекторы температуры. Изобретение позволяет обеспечивать защиту активной зоны ядерного реактора в соответствии с нормативными документами.
Основное назначение
Изобретение относится к системам контроля и управления и может быть использовано для контроля и защиты активной зоны реакторов типа ВВЭР. Система внутриреакторного контроля и защиты активной зоны реакторов ВВЭР включает детекторы прямой зарядки (ДПЗ) и термоэлектрические преобразователи (ТЭП), объединенные в сборки внутриреакторных детекторов (СВРД), информационно-измерительных средств (ИИС). СВР Д размещены в активной зоне таким образом, что около каждой топливной кассеты в области, не превышающей трех поперечных размеров ТВС, находится от трех до шести СВРД. Информационно-измерительные средства имеют погрешность измерения сигналов детекторов СВРД, не превышающую 0,05%. Информационно-измерительные средства выполнены с возможностью корректировки получаемых сигналов ДПЗ. Количество стоек информационно-измерительных средств соответствует количеству каналов системы защиты реактора. Детекторы прямой зарядки (ДПЗ) включают детекторы нейтронного потока, термоэлектрические преобразователи (ТЭП), детекторы температуры. Изобретение позволяет обеспечивать защиту активной зоны ядерного реактора в соответствии с нормативными документами.
|
||
|
214
|
Патент 2781790
|
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук (RU)
|
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
Основное назначение
Изобретение относится к симметричным бис-N-метилазакраунсодержащим диенонам общей формулы I, где n=1, 2; m=0, 1. Изобретение также относится к способу получения соединения формулы I. Технический результат – получены новые соединения, которые могут быть использованы в составе оптических хемосенсоров для колориметрического и люминесцентного определения катионов щелочных, щелочноземельных металлов и аммония, например, для определения микроколичеств указанных ионов в биологических жидкостях, в промышленных водах и стоках, для мониторинга окружающей среды. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 4 пр.
|
||
|
215
|
Патент 2808945
|
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (RU)
|
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к рентгеновской оптике. Способ управления угловой расходимостью рентгеновского излучения, включающий воздействие на дифракционный элемент, при этом пучок монохроматичного рентгеновского излучения после прохождения через щелевую диафрагму подают на дифракционный элемент, в качестве которого применяют магнитоупорядоченный кристалл, выполненный из бората железа FeBO3, установленный в положении максимума дифракционного отражения, и изменяют угловые параметры рентгеновского излучения путем приложения к дифракционному элементу внешнего магнитного поля различной напряженности. Технический результат – повышение точности измерений. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
||
|
216
|
Патент 2462813
|
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
|
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
Основное назначение
Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) (RU)
|
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к радиотехнике и электронике. Техническим результатом является снижение искажений выходного сигнала широкополосного дифференциального усилителя. В широкополосном дифференциальном усилителе к входам каскада активной нагрузки подключены входы устройства коррекции, фильтр нижних частот содержит ограничительные резисторы, подключенные к входам усилителя, к затворам МОП-транзисторов дифференциального усилительного каскада, фильтр также содержит конденсатор, включенный между затворами МОП-транзисторов, которые истоками соединены со стоком МОП-транзистора, а стоками - с выходами устройства коррекции. 1 ил.
|
||
|
217
|
Патент 2403647
|
Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
ФТИАН
Основное назначение
ФТИАН
|
Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
||
|
218
|
Патент 2362588
|
Изобретение относится к получению радионуклида 230U для терапии онкологических заболеваний. Изобретение позволяет упростить процесс производства радиофармпрепарата на основе короткоживущих ?-нуклидов благодаря использованию природного радионуклида 230Th. Способ включает облучение в пучке протонов циклотрона мишени, содержащей природный изотоп тория - 230Th. Целевой радиоизотоп 230Th накапливают в мишени в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(p,n)230Pa?230U. В качестве материала мишени используют соединения 230ThF4 или 230ThO2 или металлический 230Th. Облученную мишень извлекают из ускорителя, выдерживают и подвергают радиохимической очистке для получения радиоизотопа 230U кондиционного качества. Цепочка естественного распада изотопа 230U приводит к выходу ?-частиц, используемых в ядерной медицине для терапии онкологических заболеваний. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к получению радионуклида 230U для терапии онкологических заболеваний. Изобретение позволяет упростить процесс производства радиофармпрепарата на основе короткоживущих ?-нуклидов благодаря использованию природного радионуклида 230Th. Способ включает облучение в пучке протонов циклотрона мишени, содержащей природный изотоп тория - 230Th. Целевой радиоизотоп 230Th накапливают в мишени в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(p,n)230Pa?230U. В качестве материала мишени используют соединения 230ThF4 или 230ThO2 или металлический 230Th. Облученную мишень извлекают из ускорителя, выдерживают и подвергают радиохимической очистке для получения радиоизотопа 230U кондиционного качества. Цепочка естественного распада изотопа 230U приводит к выходу ?-частиц, используемых в ядерной медицине для терапии онкологических заболеваний. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к получению радионуклида 230U для терапии онкологических заболеваний. Изобретение позволяет упростить процесс производства радиофармпрепарата на основе короткоживущих ?-нуклидов благодаря использованию природного радионуклида 230Th. Способ включает облучение в пучке протонов циклотрона мишени, содержащей природный изотоп тория - 230Th. Целевой радиоизотоп 230Th накапливают в мишени в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(p,n)230Pa?230U. В качестве материала мишени используют соединения 230ThF4 или 230ThO2 или металлический 230Th. Облученную мишень извлекают из ускорителя, выдерживают и подвергают радиохимической очистке для получения радиоизотопа 230U кондиционного качества. Цепочка естественного распада изотопа 230U приводит к выходу ?-частиц, используемых в ядерной медицине для терапии онкологических заболеваний. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к получению радионуклида 230U для терапии онкологических заболеваний. Изобретение позволяет упростить процесс производства радиофармпрепарата на основе короткоживущих ?-нуклидов благодаря использованию природного радионуклида 230Th. Способ включает облучение в пучке протонов циклотрона мишени, содержащей природный изотоп тория - 230Th. Целевой радиоизотоп 230Th накапливают в мишени в процессе пороговой ядерной реакции 230Th(p,n)230Pa?230U. В качестве материала мишени используют соединения 230ThF4 или 230ThO2 или металлический 230Th. Облученную мишень извлекают из ускорителя, выдерживают и подвергают радиохимической очистке для получения радиоизотопа 230U кондиционного качества. Цепочка естественного распада изотопа 230U приводит к выходу ?-частиц, используемых в ядерной медицине для терапии онкологических заболеваний. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
||
|
219
|
Патент 2824029
|
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
Основное назначение
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для предварительного сплавления многокомпонентных материалов, содержащих полупроводники и/или металлы. Устройство включает корпус 1 с крышкой 2, тепловой узел и тигель 7 с внешним диаметром D и рабочей полостью с высотой Н. Тепловой узел, имеющий высоту 1,5Н-1,7Н, внутренний диаметр 1,1D-1,2D и внешний диаметр 1,6D-1,8D, состоит из верхнего 3 и нижнего 4 колец, высота которых равна 0,2-0,4Н, а внутренний и внешний диаметры равны соответствующим диаметрам теплового узла; стержней 5 из высокотемпературного диэлектрического материала и проволочного резистивного нагревателя 6. Стержни 5, имеющие высоту 1,1 Н-1,3Н и диаметр 0,1D-0,2D, закреплены между кольцами 3 и 4, на которые параллельно стержням 5 намотан проволочный резистивный нагреватель 6, расстояния между витками которого составляют от 0,01D до 0,02D. Тепловой узел и тигель 7 зафиксированы на основании 9, установленном на подставке 10. Технический результат – однородное распределение компонентов в объёме синтезированного материала. 1 ил.
|
||
|
220
|
Патент 2371379
|
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
|
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
Основное назначение
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)
|
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
Основное назначение
Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор. 2 н. и 7 з.п. ф-лы., 11 ил., 1 табл.
|
||