Изобретения

Использование: изобретение относится к технологии изготовления транзисторов, интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния представляет собой циклический двухшаговый процесс травление-пассивация, характеризующийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на поверхностях формируемой микроструктуры используется слой SiO2, создаваемый реакцией окисления кремния в плазме O2. С целью предотвращения изменения состава пассивирующей пленки и для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации, а также предотвращения образования в объеме реактора смеси SF6 и O2, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, используются шаги откачки между шагами травления и пассивации длительностью от 0,5 до 10 с. Техническим результатом является обеспечение анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, а также отсутствие загрязнений формируемой микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить необходимость использования дополнительных технологических операций для очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. 2 з.п. ф-лы.

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных управляющих электродов затворов, позволяющее создавать более резкие p-n-переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны вольт-амперных характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового напряжения; возможность изменения типа проводимости канала для применения предлагаемых транзисторов в КМОП технологии цифровых интегральных схем, отсутствие технологических операций, связанных с легированием, расширение функциональных возможностей, увеличение крутизны подпороговой вольтамперной характеристики за счет увеличения количества управляющих электродов затворов и обеспечение работы в режиме туннельного транзистора. Сущность изобретения: предлагается конструкция туннельного нелегированного многозатворного полевого нанотранзистора с контактами Шоттки, характеризующаяся тем, что на поверхности слоя подзатворного диэлектрика располагаются последовательно два или больше управляющих электродов затворов на участке над каналом нанотранзистора между электродами стока и истока, при этом боковые поверхности управляющих электродов затворов закрыты слоями диэлектрика спейсеров, легирование слоя полупроводника не производится ни под электродами стока и истока, ни в канале нанотранзистора на участке между электродами стока и истока, а необходимые режимы работы нанотранзистора обеспечиваются использованием эффекта туннелирования и соответствующим выбором материалов электродов стока, истока и управляющих электродов затворов, а также прилагаемыми к управляющим электродам затворов напряжениями. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижнего), более тонкого, чем второй, стойкого к плазмохимическому травлению (ПХТ), в котором создаются заостренные края контактов Шоттки истока/стока и второго (верхнего), травящегося ПХТ, для увеличения общей толщины контактного слоя, обеспечивающего малое сопротивление контактов истока/стока, затем осаждаются слои вспомогательного слоя, состоящего из слоя диэлектрика и слоя металла, в котором методами литографии, самоформирования, плазмохимического травления формируется нанометровая щель, через которую производится плазмохимическое травление материала второго (верхнего) слоя контактного слоя истока/стока, а для дальнейшего уменьшения длины управляющего электрода и изоляции его от контактов истока/стока в сформированную нанометровую щель осаждается диэлектрик с низким значением диэлектрической проницаемости, плазмохимическим травлением на боковых стенках щели формируются диэлектрические спейсеры и изотропным химическим травлением удаляется металл первого (нижнего) слоя контактного слоя на дне щели, с последующим осаждением в эту углубленную щель подзатворного диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости и материала управляющего электрода, и проводится формирование затвора, при этом одновременно с управляющим электродом формируется контактная площадка управляющего электрода, а после удаления вспомогательного слоя с незащищенных участков формируются контактные площадки для истока/стока. Изобретения обеспечивает уменьшение длины управляющего электрода до нескольких нанометров, возможность изготовления элементов полевого нанотранзистора по самосовмещенной технологии, возможность использования металлов и силицидов металлов в качестве контактных слоев. 18 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, к технологии изготовления наноструктур размером <30 нм при травлении через резистивную маску с высоким аспектным отношением. Способ ионно-лучевой обработки включает обработку диэлектрических материалов химически активными или инертными заряженными частицами, ускорение которых осуществляют в источнике ионов. Причем обработку диэлектрических материалов проводят пучком положительных ионов одновременно с подачей на подложку ВЧ смещения. Технический результат изобретения заключается в нейтрализации положительного заряда на всей площади диэлектрической поверхности структур, в снижении влияния заряженных частиц на параметры обрабатываемых изделий, в повышении разрешения минимальных размеров их элементов и в осуществлении травления материалов с высоким аспектным отношением. 1 ил

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти включает проводящую шину первого уровня, соединенную с ней полупроводниковую структуру (например, диод или транзистор), обеспечивающую электрическую развязку ячеек в матрице и содержащую область с высокой концентрацией носителей тока из полупроводника n+- или р+-типа, перекрещивающуюся с шиной первого уровня проводящую шину второго уровня, расположенный непосредственно под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Под изолирующей щелью между слоем диэлектрика и областью с высокой концентрацией носителей тока полупроводниковой структуры расположен дополнительный проводящий элемент из нитрида титана, электрически изолированный от всех других элементов ячейки памяти. Техническим результатом изобретения является уменьшение напряжения питания, увеличение радиационной стойкости и улучшение технологичности изготовления ячейки памяти методами традиционной кремниевой технологии. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят окисление на всю толщину стенок с образованием системы диэлектрических SiO2-перемычек. Удаление кремния с обратной стороны пластины может проводиться методом глубокого плазменного травления. Изобретение обеспечивает достижение высокой прочности изолирующего элемента, который может использоваться для изготовления различных МЭМС устройств в объеме стандартной пластины кремния. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к технике получения пучков быстрых нейтральных частиц, в частности пучков нейтральных атомов, радикалов и молекул, и может быть использовано для распыления, травления и осаждения тонких пленок различных материалов. Источник быстрых нейтральных частиц имеет базовую конструкцию, которая содержит ионный источник с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов и нейтрализатор, выполненный в виде внешних и внутренних коаксиальных поверхностей, образующих в совокупности щелевой канал определенной длины, сопряженный с замкнутой выходной щелью источника. Технический результат - увеличение степени нейтрализации выходного пучка и его интенсивности.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.

Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от образца в оптическом диапазоне, при этом дополнительно регистрируют монофотонным датчиком рентгеновское излучение от образца, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, а вторичное флуоресцентное излучение в оптическом диапазоне от образца регистрируют монофотонным датчиком оптического диапазона, определяя координаты прихода фотонов и время их прихода, при этом обеспечивают регистрацию времени задержки между приходом вторичного фотона флуоресцентного излучения оптического диапазона относительно времени прихода фотона рентгеновского излучения от образца путем использования синхронизирующих импульсов. Технический результат: повышение точности и достоверности исследования образца. 2 ил.

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для автоматизации управления механизмами перемещения в установках, снабженных шаговыми электроприводами. Техническим результатом является обеспечение безаварийной работы устройства. Технический результат заявляемого технического решения достигается тем, что в нем предусмотрены взаимосвязанные логические элементы "И", "ИЛИ", делители на 2, генератор тактовый частоты, формирователь импульса сброса, счетчики импульсов, схема сравнения кодов, триггеры, датчик перемещений, сдвиговый регистр. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.