Изобретения

Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров. Первую часть полученных после центрифугирования белковых растворов смешивают с буферным раствором в равных объемах, а оставшуюся вторую часть впоследствии используют для смешения с осадителем. Проводят исследование первой части белковых растворов методом малоуглового рентгеновского рассеяния для получения серии кривых рассеяния, анализируют названные кривые и вычисляют размер отдельной белковой субъединицы в каждом из растворов различной концентрации. Готовят маточные растворы осадителя, в качестве которого используют вещества, способные оказать влияние на конформацию молекул, фильтруют маточный раствор осадителя, смешивают вторую часть белковых растворов в равных объемах с маточными растворами осадителя, получая коллекцию кристаллизационных растворов. Проводят исследование каждого из растворов названной коллекции методом малоуглового рентгеновского рассеяния в диапазоне температур от температуры, при которой не происходит денатурации молекулы данного белка, до 0°С с выбранным шагом изменения температуры, получая в результате графики кривых малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества белковых субъединиц и их олигомеров в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Если в кристаллизационных растворах не выявлены частицы, большие по размерам, чем мономеры, то ступенчато производят понижение температуры исследуемых растворов до 0°С, на каждой из ступеней понижения температуры раствора производят исследование каждого из растворов методом малоуглового рассеяния, математически обрабатывают эти кривые рассеяния, получая распределение количества частиц в растворе в зависимости от их радиуса, отбирают те кристаллизационные растворы, при обработке кривых малоуглового рассеяния от которых было выявлено образование в растворе наибольшего количества олигомеров, операцию ступенчатого понижения температуры завершают при выявлении наибольшего количества олигомеров, что означает нахождение условий кристаллизации. Изобретение позволяет сократить время для образования кристаллов, а также создать прямой способ определения образования единиц роста, обеспечивающего получение надежной и оперативной информации о начальной стадии кристаллизации белка. 8 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к фтор-проводящим твердым электролитам (ФТЭЛ), которые используются в различных областях ионики твердого тела, электрохимии, сенсорных систем и низковольтной энергетики, а также к способу его получения. Фтор-проводящий композитный электролит получают кристаллизацией эвтектических составов в бинарных конденсированных системах MF2 - RF3 (M = щелочно-земельные элементы Са, Sr, Ва; R = редкоземельные элементы La, Се, Pr, Nd, Sm). Электролит содержит дифторид MF2 и трифторид RF3, которые взяты при следующем соотношении: RF3 57-70 мол.% и MF2 30-43 мол.% в соответствии с эвтектическими точками на фазовых диаграммах систем MF2 - RF3, что обеспечивает их практическое использование при температурах 200-1450°С и получение стабильных величин фтор-ионной проводимости 6?10-4-2?10-3 Ом-1?см-1 при температуре 200°С. Изобретение обеспечивает более простой способ изготовления фторидных композитов. 2 н.п. ф-лы.

Изобретение относится к фотонике, оптоэлектронике и микрофлюидике, а именно к узлам оптического или механического согласования и сопряжения оптических волокон или капилляров. Заявлен способ изготовления микроразъема для оптического волокна на поверхности подложки, имеющего осевую симметрию относительно оси, перпендикулярной подложке, включающий размещение подложки на трехмерном моторизированном позиционере, нанесение на выбранную зону подложки капли жидкого УФ-отверждаемого материала, изменение положения подложки в пространстве с помощью моторизированного позиционера, воздействие на материал остро сфокусированным фемтосекундным лазерным лучом, отверждение подложки при перемещении позиционера с образованием пилонов микроразъема, основания которых выполняют на поверхности функцию основного кольца, сформированного на поверхности подложки. Для увеличения адгезии место формирования основания микроразъема на подложке обрабатывают остро сфокусированным фемтосекундным лазерным лучом с длиной волны зеленого диапазона (520-535) нм с мощностью 10-200 мВт и скоростью перемещения 0.02-50 мм/с. Основное кольцо имеет внутренний диаметр равный или меньший внешнему диаметру оптического волокна, при этом величины внутреннего диаметра и толщины основного кольца определяются из условия согласования апертур волокна с активными участками, с которыми производится сопряжение, кольцеобразное основание формируют в виде отдельных сегментов, а пилоны удерживают на разных расстояниях от поверхности подложки несколько колец с внутренним диаметром равным (102.0±1.5)% от внешнего диаметра волокна, имеющих со стороны дальней от подложки поверхности стыковочные «фаски» для удобного завода торца оптического волокна внутрь микроразъема. Для перемещения лазерного луча относительно подложки может использоваться только сканер или сканер совместно с позиционером. Технический результат - повышение надежности и эффективности сопряжения оптического волокна. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных устройств, в частности магнитных силовых микроскопов, создание новых типов биочипов для биохимической диагностики среды на основе манипуляторов магнитными нанометками, сепарации биологических нанообъектов и химических веществ по их магнитным свойствам в микро- и нанообъемах и др. Технический результат состоит в повышении пространственного разрешения и управлении величиной и знаком локального поля посредством внешнего магнитного поля. Локализованное магнитное поле формируют в пространстве над зазором между открытыми торцами, лежащими в одной плоскости, двух параллельных ферромагнитных слоев, разделенных слоем, обеспечивающим антиферромагнитную связь между ферромагнитными слоями. Размеры локализации задают толщиной разделительного слоя между ферромагнитными слоями, которые выполняют из магнитомягких материалов с толщинами слоев h1 и h2, удовлетворяющих соотношению M1h1=M2h2, где M1 и М2 - намагниченности насыщения соответствующих ферромагнитных слоев, а направление поля над зазором задают разностью суммарных магнитных моментов ферромагнитных слоев. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм. ВЧ-источник плазмы содержит цилиндрическую вакуумную камеру, герметично разделенную диэлектрическим окном ввода ВЧ-мощности на два объема. В первом объеме производится обработка полупроводниковых пластин посредством воздействия технологической индуктивно-связанной плазмы, второй объем, цилиндрическая стенка и крышка которого изготовлены из диамагнитного материала, предназначен для размещения планарного спирального ВЧ-индуктора. Когда в технологическом объеме производится генерация плазмы в диапазоне рабочих давлений 1-100 мТорр, в объеме индуктора поддерживается давление инертного газа, обладающего высоким потенциалом ионизации, в диапазоне 5-20 Торр, что препятствует возникновению паразитного газового разряда в объеме индуктора во всем диапазоне ВЧ-мощностей, прикладываемых к индуктору и используемых для генерации плазмы в технологическом объеме.7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти включает проводящую шину первого уровня, соединенную с ней полупроводниковую структуру (например, диод или транзистор), обеспечивающую электрическую развязку ячеек в матрице и содержащую область с высокой концентрацией носителей тока из полупроводника n+- или р+-типа, перекрещивающуюся с шиной первого уровня проводящую шину второго уровня, расположенный непосредственно под шиной второго уровня слой диэлектрика толщиной от 3 до 100 нм, изолирующую щель в форме открытого торца слоя диэлектрика, находящийся в изолирующей щели материал с переменной проводимостью, меняющейся при прохождении через него потока электронов, и среду, контактирующую с поверхностью изолирующей щели и обеспечивающую обмен частицами материала с переменной проводимостью. Под изолирующей щелью между слоем диэлектрика и областью с высокой концентрацией носителей тока полупроводниковой структуры расположен дополнительный проводящий элемент из нитрида титана, электрически изолированный от всех других элементов ячейки памяти. Техническим результатом изобретения является уменьшение напряжения питания, увеличение радиационной стойкости и улучшение технологичности изготовления ячейки памяти методами традиционной кремниевой технологии. 3 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройствам для проведения рентгенодифракционных исследований материалов. Дифрактометр содержит источник рентгеновского излучения, размещенные за ним последовательно по ходу рентгеновского луча первую щелевую диафрагму, первый гониометр, вторую щелевую диафрагму, второй гониометр, а также детектор излучения, дополнительно содержит отдельный съемный блок. Данный блок имеет электромеханический рентгенооптический элемент на основе кристалла кремния, соединенного с безгистерезисным монолитным биморфом. Съемный блок подключен к блоку модуляции напряжения на названном элементе и в зависимости от поставленной задачи исследования может размещаться как на первом по ходу рентгеновских лучей гониометре, так и на втором гониометре. При этом второй гониометр дополнительно снабжен блоком для установки исследуемого образца, позволяющим проводить дополнительную подстройку положения исследуемого образца относительно пучка излучения, а также юстировку путем подстройки углов наклона и азимутального угла. Детектор излучения и второй гониометр электрически связаны с блоком управления. В качестве безгистерезисного монолитного биморфа электромеханического рентгенооптического элемента может быть применен бидоменный кристалл ниобата лития, соединение кристалла кремния с безгистерезисным монолитным биморфом может осуществляться посредством склейки. Техническим результатом является создание устройства, в котором реализована электронно-управляемая перестройка углового положения рентгенгоптического монохроматора, что обеспечивает оперативный и прецизионный анализ исследуемых объектов. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов, в которых применяются цифровые следящие системы с управляющими ЭВМ в замкнутом контуре, и может быть использовано для автоматического управления электрической мощностью нагревателей в данных установках. Способ контроля функционирования температурного режима кристаллизационной установки, содержащей внутри корпуса 1 электрический нагреватель 2, заключается в том, что замеряют электрическое сопротивление внутреннего объема камеры между нагревателем 2 и корпусом 1 установки, для чего на нагреватель 2 подают электромагнитные сигналы в диапазоне частот 100 ± 10 кГц с амплитудой 4-5 В, регистрируют поступающие на корпус 1 установки электромагнитные сигналы, которые модулируют по амплитуде в зависимости от электрического сопротивления внутреннего объема камеры между корпусом 1 и нагревателем 2, являющиеся управляющими сигналами, а затем на основании зависимости сопротивления между нагревателем 2 и корпусом 1 установки и величиной амплитуды управляющего сигнала, прошедшего внутри тепловой камеры от нагревателя 2 до корпуса 1, определяют режим работы кристаллизационной установки, согласно которому: сопротивление между корпусом 1 установки и нагревателем 2 более 1 кОм означает нормальную работу установки, уменьшение сопротивления с 1 кОм до 10 Ом означает образование электропроводящей пленки на внутренней поверхности корпуса 1 установки, и на блок управления установкой подают предупредительный сигнал, при дальнейшем снижении сопротивления менее 10 Ом на блок управления установкой подают сигнал аварийного отключения нагревателя 2, причем зависимость между величиной амплитуды управляющего сигнала, прошедшего через внутренний объем установки, и сопротивлением между корпусом 1 установки и нагревателем 2 устанавливают путем предварительного построения тарировочного графика. Электромагнитные сигналы на нагреватель 2 подают по токоведущей шине 6 нагревателя 2, а управляющий сигнал снимают с корпуса 1 кристаллизационной установки и подают на блок управления, содержащий контактный провод 7, подключенный непосредственно к корпусу 1, и связанный электрически через конденсатор 8, полосовой фильтр 9 и детектор 10 с компараторами 11 и 12, которые подключены, соответственно, к индикаторам 13 и 14. Технический результат заключается в предотвращении разрушения установки в результате возникновения аварийного температурного режима. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к ускоряющей структуре линейного резонансного ускорителя с пространственно-однородной квадрупольной фокусировкой, выполненной на основе 4-камерного резонатора с системой электродов. Каждый электрод разделен вдоль продольной оси на две части - верхнюю часть, расположенную вблизи приосевой области центральной оси резонатора и обеспечивающую ускорение выбранного типа заряженных частиц, и нижнюю часть, крепящуюся жестко к корпусу резонатора и несущую опорную функцию для закрепленной на ней верхней части электрода, соединенные токопроводящей юстировочной опорой. Причем юстировочные узлы , расположенные вблизи приосевой области резонатора и выполненные в виде токопроводящих юстировочных опор, соединяют верхнюю часть электрода с его нижней частью с сохранением электрического контакта всей конструкции разделенного электрода с корпусом резонатора. Кроме того, верхняя часть электрода составляет 10-20% от массы и/или объема всего электрода, а нижняя часть электрода составляет 80-90% от массы и/или объема всего электрода, соответственно. Техническим результатом является обеспечение и долговременное сохранение требуемой точности юстировки электродов в приосевой области ускоряющей структуры без существенного снижения энергоэффективности. 7 з.п. ф-лы, 6 ил., 7 табл.

Изобретение относится к ускорителям заряженных частиц. Технический результат - увеличение тока ускоренных в ускорителе ионов. Достижение этого результата обеспечивается путем применения сильноточного источника ионов, пространственное положение ионов на выходе которого зависит от их заряда. Применением ускоряющей ВЧ структуры с большим суммарным поперечным сечением ускоряющего пространства, способной непосредственным образом захватывать и ускорять большинство ионов из широкоугольных не конгруэнтных (с плохой ламинарностью трубок тока) ионных пучков с, практически, любым отношением заряда к массе, с малым эффектом нарастания фазового объема пучка при его ускорении. В сильноточном ускорителе ионов применен лазерный источник ионов, в котором угол разлета заряженных частиц зависит от их заряда. Используется многоапертурная высокочастотная (ВЧ) ускоряющая система с полицилиндрическими коаксиальными резонаторами, способная захватывать в режим ускорения большинство ионов из широкоугольных ионных пучков без применения фокусирующих линз. В этой ускоряющей системе минимизировано действие факторов, приводящих к увеличению фазового объема и угла расхождения ионного пучка при его ускорении. Таких факторов, как искажение ускоряющего поля в ускоряющих промежутках за счет фактора формы ускоряющих зазоров, действия объемного заряда пучка ионов на ускоряющее электрическое поле и негативные эффекты, вызванные столкновениями ионов с различными зарядами при их ускорении в одном ускоряющем канале, путем ускорения ионов различной зарядности в отдельных ускоряющих каналах и в результате ускорения ионных пучков с плохой конгруэнтностью. Таким образом, в результате внесенных конструктивных изменений, наличия множества соосных апертур малого диаметра на торцевых плоскостях коаксиальных резонаторов, образующих ускоряющие зазоры, и применения лазерного источника ионов осуществляется пространственное разделение ионов с различными зарядовыми состояниями на входе в ускоряющие коаксиальные резонаторы и дальнейшее ускорение однотипных по заряду ионов в соответствующих их пространственному положению каналах данных резонаторов, а также реализуется возможность ввода в такие резонаторы всех типов заряженных частиц из широкоугольных пучков, генерируемых источниками этих частиц, в т.ч. и электронов, без применения фокусирующих линз. 3 ил