Изобретения

Изобретение относится к области определения контекста слов и текстовых файлов. Технический результат заключается в повышении эффективности, достоверности и скорости определения контекста слова, текстового фрагмента и текстового файла. Технический результат достигается за счет подсчета расстояний между словами для определения контекстного значения слова с привлечением весовой функции и метрик слов по формуле Ck,n= ?i=1 (Mi x f(Li)); где Ck,n - мера, определяющая контекстное значение слова W1, индекс k для Ck,n определяет, к какому из возможных значений W2 относится данная мера, где k=1,…,n, n - число возможных значений слова W1, где n=2?3, Mi - метрика слова-характеристики W3, Li - расстояние от слова W2 до заданного слова W3, i - номер слова-характеристики в исследуемом тексте для слова W3, f(Li) - весовая функция от Li расстояний между словами W1, W2 и W3, m - число слов-характеристик, найденных в исследуемом текстовом файле. 1. Способ количественной оценки контекстных значений отдельных слов в текстовом файле путем численного анализа семантического графа слов в документе, выполняемый на компьютерном устройстве, где способ включает: предоставление текстового файла для анализа, использование имеющегося тематического словаря: в первой колонке - слова (W1), для которых определяется контекст, во второй - варианты возможного значения контекста (W2), в третьей - слова (W3), семантически связанные с W2, подсчет расстояний между словами для определения контекстного значения слова с привлечением весовой функции и метрик слов по формуле Ck,n= ?i=1 (Mi x f(Li)); где Ck,n - мера, определяющая контекстное значение слова W1, индекс k для Ck,n определяет, к какому из возможных значений W2 относится данная мера, где k=1,…,n, n - число возможных значений слова W1, где n=2?3, Mi - метрика слова-характеристики W3, Li - расстояние от слова W2 до заданного слова W3, i - номер слова-характеристики в исследуемом тексте для слова W3, f(Li) - весовая функция от Li расстояний между словами W1, W2 и W3, m - число слов-характеристик, найденных в исследуемом текстовом файле; определение контекстного значения с учетом расстояния между корневым словом W1 и словами-значениями W2 или словами-характеристиками W3, расстояние L исчисляется количеством слов N, размещенных между корневым словом W2 и словом-характеристикой W3, L=N+1, в случае если слово W3 встречается в текстовом файле несколько раз, вклады от каждого из этих слов войдут в указанную сумму, при этом списки слов W3, соответствующие разным словам W2, могут перекрываться, слово W2, для которого получена наибольшая сумма, и определяет контекстное значение слова W1. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что контекстное значение базового слова W1 определяют в отсутствии одного или всех слов-значений W2 за счет наличия в текстовом файле слов из набора W3. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что область определения контекстного значения задается с помощью весовой функции, путем конфигурирования программного обеспечения или непосредственно самой программой. 4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что для определения достоверности вычисленного контекстного значения слова используют распределение плотности вероятности для С или неравенство Чебышева. 5. Способ количественной оценки контекстных значений текстовых файлов или их текстовых фрагментов путем численного анализа семантического графа слов в документах, выполняемый на компьютерном устройстве, где способ предусматривает осуществление способа по любому из пп. 1-4 и определение контекстного значения текстового файла или фрагмента его текста путем суммирования значений Ck,n для каждого из найденных в нем слов из первой колонки таблицы и сравнения вычисленных мер между собой, наибольшие из них и будут определять контекстное значение текстового файла или его текстового фрагмента. 6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что фрагментом текстового файла является неполная часть текста в файле: один или несколько абзацев, или одна, или несколько страниц. 7. Способ по любому из пп. 5-6, отличающийся тем, что для определения контекстного значения текстового файла или его фрагмента вычисляется сумма величин Ck,n для всех слов W2 и W3, где весовая функция расстояний между словами W1, W2 и W3, и слово W1, для которого получено наибольшее значение суммы С, и определяет контекст текстового файла или его фрагмента.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к ядерной энергетике, а именно к средству контроля нейтронного потока для обеспечения контроля, управления и защиты корпусных ядерных реакторов. Изобретение может быть использовано для коррекции погрешности показаний мощности ядерного реактора и аппаратуры контроля нейтронного потока на основании показаний детекторов прямой зарядки системы внутриреакторного контроля. Определение скорректированного значения мощности ядерного реактора на основе коррекции мощности аппаратуры контроля нейтронного потока по показаниям внереакторных датчиков нейтронного потока, с учетом их зависимости от формы энергораспределения в активной зоне, полученной от внутриреакторных детекторов системы внутриреакторного контроля. Техническим результатом является обеспечение безопасности и надежности эксплуатации ядерного реактора за счет обеспечения своевременного и точного определения корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора при любых режимах его работы. 1. Способ корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора, заключающийся в том, что плотность нейтронного потока в каждый момент времени измеряют с помощью сборок блоков детектирования, размещенных вне корпуса реактора, и по полученным результатам измерений определяют скорректированное значение мощности ядерного реактора с учетом поправочных коэффициентов, отличающийся тем, что плотность нейтронного потока измеряют вне корпуса реактора по показаниям сборок блоков детектирования, равномерно размещенных по периметру и высоте корпуса реактора, дополнительно измеряют плотность нейтронного потока в каждый момент времени с помощью попарно размещенных по периферии корпуса реактора напротив друг друга не менее двух сборок детектирования, равномерно размещенных по высоте активной зоны реактора, измеренные значения плотности нейтронного потока вне корпуса реактора корректируют в зависимости от показаний плотности внутри активной зоны, а корректировку погрешности показаний мощности ядерного реактора вычисляют по формуле P(t) = А * Kr(t) * Kz(t) * D(t), где P(t) - откорректированное значение мощности реактора в конкретный момент времени по показаниям блока детектирования, расположенного вне реактора, D - показание блока детектирования в конкретный момент времени, расположенного вне реактора, Kr - поправочный коэффициент, учитывающий влияние изменения радиально-азимутальной формы энергораспределения на показания блока детектирования, расположенного вне реактора, и определяемый по показаниям блоков детектирования, размещенных внутри реактора, Kz - поправочный коэффициент, учитывающий влияние изменения аксиального энергораспределения на показания блоков детектирования, расположенных вне реактора, и определяемый по показаниям блоков детектирования, размещенных внутри реактора, и аксиальной весовой функции блока детектирования, расположенного вне ректора, А - нормировочный коэффициент, характеризующий перевод откорректированного значения мощности по показаниям блока детектирования, расположенного вне реактора, из машинного представления в формат соответствующей размерности. 2. Способ корректировки погрешности показаний мощности ядерного реактора по п. 1, отличающийся тем, что откорректированное значение мощности реактора в конкретный момент времени по показаниям сборок блоков детектирования, расположенных вне реактора, определяют как усредненное значение корректированных значений мощностей, определяемых по показаниям каждого блока детектирования данной сборки с учетом показаний блоков детектирования, размещенных внутри реактора.

Акционерное общество «Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях» (АО «Концерн Росэнергоатом») (RU) Федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (НИЦ «Курчатовский институт») (RU)

Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание средств проведения испытаний способов построения цифровых микросхем на основе постоянного поэлементного резервирования с целью получения экспериментальных оценок их отказоустойчивости к облучению. Используются теоретические способы вычисления отказоустойчивости микросхем на основе оценки вероятности отказа облучаемых микросхем «по площадям». Используется среднее время работы микросхемы до ее отказа от момента облучения, принятого за начальный, до момента фиксации числа последовательных отказов облучаемой микросхемы в заданном числе соседних циклов работы испытательных микросхем. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на микросхемах, построенных различными способами их постоянного резервирования или без резервирования, во время их облучения, и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу и заданным характеристикам микросхемы вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения по формуле вероятности отказа микросхемы: Pот,j=?j(Фj, Sj, N, W), где j - идентификатор номер способа построения микросхемы, Рот,j - вероятность отказа микросхемы, характеризующая ее отказоустойчивость, ?j, Фj и Sj - формула, флюенс и площадь микросхемы, соответствующие j-му способу построения микросхемы, N - число условных одинаковых компонентов, в частности логических элементов, в микросхеме, W - вероятность повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, отличающийся тем, что измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисление флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, а в эту систему передают коды результатов работы микросхемы и в этой системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несовпадением ее кода результата с входным эталоном, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до ее последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 6. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая различными способами ее постоянного поэлементного резервирования и без ее резервирования, характеризующаяся тем, что она содержит входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, причем между одноименными i-ми (i=1, 2, …, n) разрядами входного и выходного регистров установлена последовательная цепочка одинаковых одновходовых комбинационных логических элементов.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы содержит входной n-разрядный двоичный регистр, выходной n-разрядный двоичный регистр, узел управления приемом n-разрядного двоичного кода контрольного эталона во входной регистр, узел управления приемом кода результата работы микросхемы в выходной регистр. Для реализации мажоритарного резервирования в микросхеме установлены k-кратно резервированные узлы. На выходе каждого узла установлен мажоритарный клапан. На k входах мажоритарного клапана установлены соответственно k одинаковых резервируемых блоков. Каждый из блоков содержит цепочку одновходовых комбинационных логических элементов. 1. Способ косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых микросхем, построенных способом постоянного резервирования, состоящий в том, что это косвенное измерение отказоустойчивости проводят на испытательной микросхеме во время ее облучения и при этом измеряют начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, затем вычисляют флюенс, при котором произошел отказ микросхемы, по формуле: Ф=I?tотк,, где Ф - флюенс, I - интенсивность облучения, tотк - начальный отрезок времени облучения микросхемы до ее отказа, позволяющий оценить вероятность отказа микросхемы, а затем по вычисленному флюенсу, площади микросхемы, числу логических элементов в микросхеме и заданной вероятности повреждения единицы площади микросхемы при попадании в нее частицы, вычисляют отказоустойчивость микросхемы по соответствующей способу ее построения формуле вероятности отказа микросхемы, измерение начального отрезка времени облучения микросхемы до ее отказа производят на облучаемой испытательной микросхеме, соединенной с необлучаемой вычислительной системой управления измерением, с помощью которой производят измерение времени облучения, вычисления флюенса и отказоустойчивости микросхемы, проверку результатов работы микросхемы, фиксацию ее отказов и формируют управляющие сигналы циклов ее работы и работы микросхемы, время облучения микросхемы измеряют по числу циклов ее работы, умноженному на длительность цикла работы указанной вычислительной системы, в каждом цикле из указанной вычислительной системы передают на вход микросхемы контрольные эталоны, в эту вычислительную систему передают коды результатов работы микросхемы, а в качестве указанного начального отрезка времени работы микросхемы до ее отказа измеряют средний отрезок времени облучения микросхемы от момента облучения, принятого за начальный, до последнего отказа в заданном числе соседних циклов ее работы, отличающийся тем, что в качестве испытательной микросхемы используют микросхему, построенную способом мажоритарного резервирования логических блоков с формированием результатов с помощью мажоритарных клапанов, расположенных на выходах этих логических блоков, в вычислительной системе в каждом цикле фиксируют отказ микросхемы при несоответствии кода ее результата входному эталону, а отказоустойчивость микросхемы вычисляют по формуле, соответствующей мажоритарному способу ее построения и кратности резервирования. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что несоответствие кода результата работы испытательной микросхемы входному эталону состоит в том, что код разряда этого результата, сформированный хотя бы одним мажоритарным клапаном, не равен большинству кодов в разрядах входного эталона, подаваемых на входы резервируемых логических блоков, на выходе которых установлен этот мажоритарный клапан. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента начала измерения времени облучения микросхемы по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемого в необлучаемую вычислительную систему управления измерением, до цикла работы микросхемы, в котором будет обнаружен первый отказ микросхемы, характеризуемый фактом ошибки в коде результата работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим моменту начала измерения времени облучения. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают начальный момент начала измерения времени облучения по сигналу устройства управления затвором облучения, подаваемому в необлучаемую вычислительную систему управления измерением. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что за момент облучения, принятый за начальный момент измерения среднего отрезка времени облучения микросхемы до момента фиксации заданного числа последовательных отказов облучаемой микросхемы, принимают момент первого отказа микросхемы после начала измерения в необлучаемой вычислительной системе управления измерением. 6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измеряют отрезок времени облучения микросхемы от момента предыдущего ее отказа до момента следующего ее отказа по числу циклов работы микросхемы, прошедших от момента предыдущего отказа до цикла ее работы, в котором будет обнаружена ошибка в коде, являющемся результатом работы микросхемы, при сравнении этого кода с эталоном, соответствующим коду результата при предыдущем отказе микросхемы. 7. Функциональная структура испытательной цифровой микросхемы для косвенного измерения ее отказоустойчивости при облучении, реализуемая способом постоянного резервирования, содержащая входной и выходной n-разрядные двоичные регистры, узел управления приемом контрольных эталонов во входной регистр от необлучаемой вычислительной системы управления измерением и узел управления приемом кода результата в выходной регистр по сигналу указанной вычислительной системы управления измерением, отличающаяся тем, что на входе каждого разряда выходного регистра установлен один k-кратно резервированный логический узел, содержащий мажоритарный клапан, выход которого соединен со входом того разряда выходного регистра, который соответствует этому логическому узлу, и установленные на входах мажоритарного клапана k одинаковых резервируемых блоков, каждый из которых содержит последовательную цепочку одновходовых комбинационных логических элементов, а вход каждой из этих цепочек соединен с выходом одного из разрядов входного регистра.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к системам локализации аварии на АЭС для улавливания кориума. В расположенной ниже корпуса реактора и предназначенной для охлаждающей жидкости камере установлено средство для приема расплава, выполненное в виде вертикальных труб. Расплав в процессе заполнения камеры подают в трубы, по меньшей мере, частично заполненные карбонатами металлов, которые разлагают до оксидов при нагреве с помощью расплава. В качестве карбонатов металлов, подвергаемых разложению, выбирают карбонаты с двухвалентными катионами: Са, Mg, Fe, Mn, Ва, Sr, Pb, Zn, Cu и др. Устройство для улавливания кориума содержит расположенную ниже корпуса реактора и предназначенную для охлаждающей жидкости камеру, в которой установлены вертикальные трубы для приема расплава. Внутренние полости труб соединены с межтрубным пространством камеры, а верхние концы соединены по своим торцам. Внутренние полости труб содержат проплавляемые вытеснители объема, и, по крайней мере, часть внутренних полостей содержит карбонаты металлов. Карбонаты металлов размещены в проплавляемых вытеснителях объема или выполнены в виде пористых брикетов. Технический результат - безопасное охлаждение кориума. 1. Способ локализации расплава активной зоны ядерного реактора, заключающийся в улавливании, выдерживании и охлаждении расплава в расположенной ниже корпуса реактора и предназначенной для охлаждающей жидкости камере, в которой установлено средство для приема расплава, выполненное в виде вертикальных труб, отличающийся тем, что расплав в процессе заполнения камеры подают в трубы, частично заполненные карбонатами металлов, которые разлагают до оксидов при нагреве с помощью расплава. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве карбонатов металлов, подвергаемых разложению, выбирают карбонаты с двухвалентными катионами: Са, Mg, Fe, Mn, Ва, Sr, Pb, Zn, Cu. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что разложение карбонатов металлов ведут с помощью прямого контакта с расплавом. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что разложение карбонатов металлов ведут с возможностью вывода диоксида углерода из камеры. 5. Устройство локализации расплава активной зоны ядерного реактора для улавливания расплавленных материалов из ядерного реактора, содержащее расположенную ниже корпуса реактора и предназначенную для охлаждающей жидкости камеру, в которой установлено средство для приема расплава, выполненное в виде вертикальных труб, внутренние полости которых соединены с межтрубным пространством камеры, а верхние концы соединены по своим торцам, и внутренние полости которых содержат проплавляемые вытеснители объема, отличающееся тем, что часть внутренних полостей содержит карбонаты металлов. 6. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что карбонаты металлов размещены в проплавляемых вытеснителях объема или выполнены в виде пористых брикетов. 7. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что над трубами установлена плавкая металлическая мембрана, профиль которой повторяет профиль верхней поверхности труб. 8. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что внутри труб установлены защищающие втулки из термостойкого материала, по крайней мере, часть внешней поверхности которых прилегает к внутренней поверхности труб. 9. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что верхние торцы труб соединены между собой дистанционирующими элементами, перекрывающими верхнюю часть межтрубного пространства, которые закрывают верхние торцы труб и выполнены из тугоплавкого материала. 10. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что трубы размещены по треугольной или квадратной сетке. 11. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что межтрубная полость соединена с пространством над плавкой металлической мембраной каналами, выполненными в виде отверстий в дистанционирующих элементах и мембране. 12. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что предназначенная для охлаждающей жидкости камера соединена через отверстия в своей нижней части по крайней мере с одной емкостью, содержащей жидкость, в качестве которой выбрана вода или водный раствор бора, а в верхней части имеет отверстия для выхода диоксида углерода, воды и/или водяного пара.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к области химии и биотехнологии. Способ непрерывного выделения и концентрирования водорода из биосингаза, состоящего из пяти и более компонентов, включающий подачу биосингаза из реактора (пиролизного реактора или биореактора) с помощью компрессора в мембранный модуль для предконцентрирования водорода в пермеате или ретентате и последующую подачу пермеата (после дополнительного компремирования) или ретентата (без дополнительного компремирования) в блок короткоцикловой адсорбции с получением на выходе концентрата водорода. При этом мембраны с селективностью H2/CO2>1 используют для предконцентрирования водорода в виде пермеата; мембраны с селективностью H2/CO2<1 используют для предконцентрирования водорода в виде ретентата. Технический результат заключается в обеспечении возможности выделения водорода из биогаза и возможности длительного применения мембраны. 1. Способ мембранно-адсорбционного концентрирования водорода из обедненных газовых смесей, включающий стадии сжатия потока газовых смесей, мембранного предконцентрирования водорода, и концентрирования водорода в блоке короткоцикловой адсорбции КЦА с последующим отводом водорода потребителю, отличающийся тем, что в качестве смеси газов используют биосинтезгаз, осуществляют его сжатие до мембранного предконцентрирования с последующим сжатием пермеата перед блоком короткоцикловой адсорбции КЦА, при этом отводят ретентат после разделения газовой смеси на мембране с селективностью Н2/CO2>1. 2. Способ мембранно-адсорбционного концентрирования водорода из обедненных газовых смесей, включающий стадии сжатия потока газовых смесей, мембранного предконцентрирования водорода, и концентрирования водорода в блоке короткоцикловой адсорбции КЦА с последующим отводом водорода потребителю, отличающийся тем, что в качестве смеси газов используют биосинтезгаз, осуществляют его сжатие до мембранного предконцентрирования с последующим отводом пермеата, и подачей ретентата в блок короткоцикловой адсорбции КЦА, при этом селективность мембраны должна быть H2/CO2<1.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к вариантам способа микробиологического синтеза гибридного белка E7-HSP70. Синтез белка E7(6)-HSP70, E7(11)-HSP70, E7(16)-HSP70 или E7(18)-HSP70 осуществляют путем культивирования соответственно штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3919, штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3853, штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4057 или штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4058 в подходящих условиях на среде, содержащей в качестве источника углерода сахарозу. Процесс культивирования осуществляют в две фазы. Первую фазу осуществляют при температуре 25-26°C и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л. По достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л проводят вторую фазу процесса культивирования, на которой температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°C, значение pH поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают путем экспоненциальной подпитки на уровне 15 мг/л. Группа изобретений обеспечивает получение целевого продукта в количестве не менее 550 мг/л и позволяет осуществлять процесс культивирования в течение не более 65 ч. 1. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(6)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3919, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки. 2. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(11)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3853, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки. 3. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(16)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4057, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки. 4. Способ микробиологического синтеза гибридного белка E7(18)-HSP70 путем культивирования дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-4058, продуцирующих такой белок, в подходящих условиях на среде, содержащей источник углерода в условиях подпитки, отличающийся тем, что в качестве источника углерода используют сахарозу, а процесс культивирования проводят в две фазы: первую из которых осуществляют при температуре 25-26°С и начальной концентрации сахарозы 25-30 г/л, а по достижении концентрации сахарозы в среде 15 мг/л для проведения второй фазы процесса культивирования температуру снижают и поддерживают на уровне не более 23°С, значение рН поддерживают на уровне 5,7-5,9, а концентрацию сахарозы поддерживают на уровне 15 мг/л путем экспоненциальной подпитки.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов" (ФГУП "ГосНИИгенетика") (RU)

Изобретение относится к модификации диоксида циркония как химически чистого, так и стабилизированного оксидами редкоземельных элементов, в результате которой получается продукт, который может применяться для изготовления фотоотверждаемых композиций на основе акрилатных мономеров, предназначенных для формования керамических изделий методом трехмерной печати. Модификации подвергается исходный порошкообразный диоксид циркония с размерами частиц 10-1000 нм и размером агрегатов (d50) порядка 1 мкм, или стабилизированный 3-12 моль.% редкоземельных элементов из группы: оксид иттрия, оксид скандия или их смесь. При этом процесс модификации осуществляется смешением модификатора и исходного диоксида циркония в количественном соотношении 0,1-10,0:99,9-90,0 (вес.%), добавлением к смеси органического легколетучего растворителя и нагреванием смеси при перемешивании при температуре кипения растворителя до равномерного состояния. Далее охлаждают реакционную массу до комнатной температуры, воздействуют на нее ультразвуком в течение 1-2 часов, упаривают путем вакуумного испарения под воздействием ультразвука и выделяют конечный продукт в форме высокодисперсного порошка. Обеспечивается получение модифицированного продукта с выходом 97% 1. Способ модификации диоксида циркония обработкой исходного продукта производным гидроксамовой кислоты, осуществляемой в среде органического растворителя при повышенной температуре, с последующим выделением конечного продукта, отличающийся тем, что исходный диоксид циркония используется в виде диоксида циркония как такового или в виде диоксида циркония, стабилизированного 3-12 моль.% редкоземельных элементов из группы: оксид иттрия, оксид скандия или их смесь, а в качестве модификатора используется гидроксамид олеиновой кислоты при их весовом процентном соотношении, соответственно, равном 99,9-90,0:0,1-10,0, и процесс модификации осуществляется смешением гидроксамида олеиновой кислоты с исходным порошкообразным оксидом циркония, добавлением к смеси органического легколетучего апротонного растворителя и нагреванием смеси при перемешивании при температуре кипения растворителя не выше 100°С в течение 1-4 часов, с последующим охлаждением реакционной массы до комнатной температуры, воздействием на нее ультразвуком в течение 1-2 часов и упариванием путем вакуумного испарения под воздействием ультразвука и выделением конечного высокодисперсного порошкообразного продукта. 2. Способ модификации по п. 1, отличающийся тем, что модификации подвергается исходный порошкообразный диоксид циркония с размерами частиц 10-1000 нм и размером агрегатов (d50) порядка 1 мкм. 3. Способ модификации по п. 1, отличающийся тем, что в качестве органического растворителя предпочтительно используется соединение из группы: тетрагидрофуран, ацетон, дихлорметан и метилтрет-бутиловый эфир, диэтиловый эфир.

Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ИРЕА) (RU)

Изобретение относится к способам модифицирования жидких стекол, которые могут быть применены для получения терморегулирующих покрытий, применяемых в авиационной, космической промышленностях, а также в других областях техники. Модифицируют калиевые, натриевые, литиевые или калиево-литиевые жидкие стекла с модулем 2,8-5,2 полимерными органическими соединениями. В качестве модификатора используют водорастворимые или водонабухаемые производные бутадиен-стирольных, стирол-акриловых, ацетат-акриловых сополимеров или полиакриловых кислот, которые добавляют в количестве 0,1-10 мас.% к жидкому стеклу, имеющему температуру 20-90°С. Затем смесь перемешивают в течение 5-10 минут со скоростью не более 100 оборотов в минуту, после чего выдерживают до полной гомогенизации композиции. Способ обеспечивает получение модифицированных жидких стекол, которые могут быть использованы для создания терморегулирущих покрытий с высокими эксплуатационными свойствами. 1. Способ модифицирования жидкого стекла полимерным органическим соединением, включающий стадии смешения жидкого стекла с органическим полимерным соединением, перемешивания полученной смеси и выдерживания образовавшегося продукта, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют калиевое, или натриевое, или литиевое, или калиево-литиевое жидкое стекло с модулем не менее 2,8, а в качестве модификатора используют водорастворимые или водонабухаемые производные бутадиен-стирольных или стирол-акриловых или ацетат-акриловых сополимеров или водорастворимых производных полиакриловых кислот, которые в количестве, составляющем 0,1-10 мас.% по отношению к массе сухих веществ в жидком стекле, добавляют к раствору жидкого стекла, имеющего температуру 20-90°С, после чего смесь подвергают механическому перемешиванию со скоростью не более 100 об/мин в течение 5-10 мин и выдерживают при комнатной температуре до полной гомогенизации композиции. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют натриевое жидкое стекло в интервале модулей от 2,8 до 3,8. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют литиевое жидкое стекло в интервале модулей от 2,8 до 4,2. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жидкого стекла используют калиевое или калиево-литиевое жидкое стекло в интервале модулей от 2,8 до 5,2.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ "ФГУП ИРЕА" (RU)

Изобретение может быть использовано при получении носителей электрокаталитически активных металлических наночастиц для последующего применения в топливных элементах, электрохимических устройствах. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме включает обработку углеродного наноматериала в виде порошка, которую осуществляют в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока. В качестве плазмообразующих газов применяют смесь азот-аргон. Плазменную обработку проводят под давлением смеси 1-6 Па, используют композитную графитовую мишень, содержащую серу в качестве второго модифицирующего компонента. Соотношение площадей сера/графит находится в диапазоне от 3:1 до 1:3. Подложка с углеродным наноматериалом заземлена. Предварительно проводят вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца. Изобретение позволяет повысить поверхностную активность носителя электрокатализатора для низкотемпературных водород-воздушных (кислородных) топливных элементов, обеспечив улучшение их характеристик. 1. Способ модифицирования углеродных наноматериалов в азотосодержащей плазме, заключающийся в обработке углеродного наноматериала в виде порошка, которая осуществляется в плазме в вакуумной камере установки магнетронно-ионного распыления с использованием источника тока, отличающийся тем, что плазмообразующими газами является смесь азот-аргон, используется композитная графитовая мишень, содержащая серу в качестве второго модифицирующего компонента, причем соотношение площадей сера/графит лежит в диапазоне C:S от 3:1 до 1:3, подложка с углеродным наноматериалом заземлена, предварительно проводится вакуумирование камеры до 10-2 Па и подогрев подложки с обрабатываемым материалом до температуры 120°С для удаления паров воды из пор образца, процесс плазменной обработки осуществляется под давлением смеси 1-6 Па. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на подложку с обрабатываемым наноматериалом с помощью импульсного источника тока подается отрицательное напряжение смещения величиной 100-800 В с частотой 10 кГц.

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)