Программа рассчитывает статические вольтамперные характеристики полевых нанотранзисторов, выполненных по технологии кремний на изоляторе (КНИ) с длиной канала 5-100 нм, шириной 5-50 нм, толщиной канала порядка 2 нм, толщиной подзатворного диэлектрика 1-1 Онм. Расчет базируется на самосоглосованном решении уравнений Шредингера и Пуассона для волновых функций электронов в канале нанотранзистора. Ток через транзистор рассчитывается по модели Бюттикера-Ландауэра. Программа написана на языке Fortran 95 и имеет распараллеливание с использованием MPI и ОрепМР.