Программа позволяет производить сравнительные расчеты характеристик различных конструкций и используемых материалов туннельных полевых транзисторов с барьерами Шоттки на контактах истока и стока, которые исключают технологические операции сильного легирования и высокотемпературного отжига при изготовлении транзисторов. Программа имеет значение для оптимизации транзисторов с целью их успешного применения в цифровых (логических) схемах с высоким быстродействием и малым энергопотреблением.