Полезная модель относится к области цифровой электроники и может быть использована в модулях, предназначенных для создания элементов вычислительных систем, нейроморфных архитектур и устройств многоуровневой памяти. Предлагаемая модель также может быть использована для реализации не фон Неймановской логики вычислений. Предлагаемый элемент памяти на основе фазоизменяемого халькогенидного полупроводникового материала, содержащий подложку, активную часть и контакты, активная часть, расположенная на подложке, выполнена в виде слоя электропроводящего материала с хаотично расположенными внутри этого слоя наночастицами фазоизменяемого материала, над активной частью размещено защитное покрытие, контакты для подачи управляющих сигналов на активную часть размещены по периметру элемента, причем один из контактов постоянно подключен к источнику управляющих сигналов. В качестве слоя электропроводящего материала применен германий, а наночастицы фазоизменяемого материала выполнены из Ge2Sb2Te5. Подложка выполнена из кварца или сапфира, а защитное покрытие из нитрида кремния. 1. Элемент памяти на основе фазоизменяемого халькогенидного полупроводникового материала, содержащий подложку, активную часть и контакты, отличающийся тем, что активная часть, расположенная на подложке, выполнена в виде слоя электропроводящего материала с хаотично расположенными внутри этого слоя наночастицами фазоизменяемого материала, над активной частью размещено защитное покрытие, контакты для подачи управляющих сигналов на активную часть размещены по периметру элемента, причем один из контактов постоянно подключен к источнику управляющих сигналов.
2. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что в качестве слоя электропроводящего материала применен германий, а наночастицы фазоизменяемого материала выполнены из Ge2Sb2Te5.
3. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварца или сапфира, а защитное покрытие из нитрида кремния.
4. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что управляющим сигналом является электрический импульс или пучок лазерного излучения.
2. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что в качестве слоя электропроводящего материала применен германий, а наночастицы фазоизменяемого материала выполнены из Ge2Sb2Te5.
3. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварца или сапфира, а защитное покрытие из нитрида кремния.
4. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что управляющим сигналом является электрический импульс или пучок лазерного излучения.